JPS63310101A - 薄膜サ−ミスタの製造法 - Google Patents
薄膜サ−ミスタの製造法Info
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- JPS63310101A JPS63310101A JP14514987A JP14514987A JPS63310101A JP S63310101 A JPS63310101 A JP S63310101A JP 14514987 A JP14514987 A JP 14514987A JP 14514987 A JP14514987 A JP 14514987A JP S63310101 A JPS63310101 A JP S63310101A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、薄膜サーミスタの製造法に関する。
更に詳しくは、耐食性および感度にすぐれ、高温領域に
おいても有効に使用し得る薄膜サーミスタの製造法に関
する。
おいても有効に使用し得る薄膜サーミスタの製造法に関
する。
〔従来の技術〕および〔発明が解決しようとする問題点
〕従来の金属酸化物半導体材料を用いたサーミスタは、
約４００℃程度の高温度においては、電極材料が内部に
熱拡散し、特性が不安定となる欠点がみられた。
〕従来の金属酸化物半導体材料を用いたサーミスタは、
約４００℃程度の高温度においては、電極材料が内部に
熱拡散し、特性が不安定となる欠点がみられた。
そこで本発明者は、絶縁性基板上に炭化けい素薄膜およ
び金／クロム積層電極を順次形成させた薄膜サーミスタ
において、炭化けい素薄膜をスパッタリング法で形成さ
せると共に、この積層電極に金線を接続させる際あるい
は接続した後で加熱し、スパッタリング炭化けい素薄膜
をアニーリングすることにより、高温領域においても安
定的に作動する薄膜サーミスタを得ることに成功した。
び金／クロム積層電極を順次形成させた薄膜サーミスタ
において、炭化けい素薄膜をスパッタリング法で形成さ
せると共に、この積層電極に金線を接続させる際あるい
は接続した後で加熱し、スパッタリング炭化けい素薄膜
をアニーリングすることにより、高温領域においても安
定的に作動する薄膜サーミスタを得ることに成功した。
従って、本発明は薄膜サーミスタの製造法に係り、この
薄膜サーミスタは、耐熱性絶縁性基板上にスパッタリン
グ法炭化けい素薄膜および金／クロム積層対向電極を順
次形成させた後、該積層電極に金線を接続し、約４００
〜７５０℃に加熱して前記炭化けい製薄膜のアニーリン
グを行なうことにより製造される。
薄膜サーミスタは、耐熱性絶縁性基板上にスパッタリン
グ法炭化けい素薄膜および金／クロム積層対向電極を順
次形成させた後、該積層電極に金線を接続し、約４００
〜７５０℃に加熱して前記炭化けい製薄膜のアニーリン
グを行なうことにより製造される。
耐熱性絶縁性基板としては、約４００〜７５０℃のアニ
ーリング温度に耐えるアルミナ、窒化ホウ素、窒化アル
ミニウム、石英、ステアタイト、ホルステライト、ベリ
リアなどの基板が用いられる。
ーリング温度に耐えるアルミナ、窒化ホウ素、窒化アル
ミニウム、石英、ステアタイト、ホルステライト、ベリ
リアなどの基板が用いられる。
・絶縁性基板上への炭化けい製薄膜の形成は、スパッタ
リング法により膜厚約１〜５μｍの薄膜を形成させるこ
とにより行われ、そのスパッタリング条件は、例えばア
ルゴン圧力０．０５Ｔｏｒｒ、基板温度室温、高周波電
力６００すである。
リング法により膜厚約１〜５μｍの薄膜を形成させるこ
とにより行われ、そのスパッタリング条件は、例えばア
ルゴン圧力０．０５Ｔｏｒｒ、基板温度室温、高周波電
力６００すである。
図面の第１図に示される如く、絶縁性基板１上への炭化
けい製薄膜２の形成に引続き、金３／クロム４積層対向
電極５，５′を形成させることは、蒸着法またはスパッ
タリング法などによって行われ、クロム層の膜厚は一般
に約０．０１〜０．１μｍであり、また金層の膜厚は一
般に約０．１〜１．０μｍである。また、対向電極の形
状は、長方形状などが一般的であり、それらが互いに対
向する位置関係で設置される。
けい製薄膜２の形成に引続き、金３／クロム４積層対向
電極５，５′を形成させることは、蒸着法またはスパッ
タリング法などによって行われ、クロム層の膜厚は一般
に約０．０１〜０．１μｍであり、また金層の膜厚は一
般に約０．１〜１．０μｍである。また、対向電極の形
状は、長方形状などが一般的であり、それらが互いに対
向する位置関係で設置される。
このようにして形成される積層対向電極５，５′には、
それぞれ金線６，６′が接続７，７′される。金線の接
続は、超音波ボンディング法（例えば、基板温度２００
℃、荷重ｔｇ、超音波電力１１）または金ペースト法（
約４００〜７５０℃で焼成）によって一般に行われる。
それぞれ金線６，６′が接続７，７′される。金線の接
続は、超音波ボンディング法（例えば、基板温度２００
℃、荷重ｔｇ、超音波電力１１）または金ペースト法（
約４００〜７５０℃で焼成）によって一般に行われる。
積層対向電極に金線を接続させたら、約４００〜７５０
℃に加熱し、炭化けい製薄膜のアニーリングが行われる
。金線の接続が超音波ボンディング法により行われた場
合には、接続後にこのような温度に加熱することにより
アニーリングが行われ、また金ペースト法の場合には、
その焼成温度で同時にアニーリングも行われる。
℃に加熱し、炭化けい製薄膜のアニーリングが行われる
。金線の接続が超音波ボンディング法により行われた場
合には、接続後にこのような温度に加熱することにより
アニーリングが行われ、また金ペースト法の場合には、
その焼成温度で同時にアニーリングも行われる。
本発明により、耐食性および感度にすぐれ、しかも温度
の可逆的変化に対して同一の抵抗値を示し、高温領域に
おいても有効に使用される薄膜サーミスタが提供される
。
の可逆的変化に対して同一の抵抗値を示し、高温領域に
おいても有効に使用される薄膜サーミスタが提供される
。
次に、実施例について本発明を説明する。
実施例１
第１図に図示される態様の素子を作製した。即ち６ｍｍ
角のアルミナ基板上に、スパッタリング法炭化けい製薄
膜（１，４μｍ）および蒸着法令（０，５μｍ）／クロ
ム（Ｏ，ＯＳμｍ）積層対向電極（各電極寸法５×２ｍ
ｍ、対向電極間間隔０．２＋ｉｎ＋）を順次形成させた
。
角のアルミナ基板上に、スパッタリング法炭化けい製薄
膜（１，４μｍ）および蒸着法令（０，５μｍ）／クロ
ム（Ｏ，ＯＳμｍ）積層対向電極（各電極寸法５×２ｍ
ｍ、対向電極間間隔０．２＋ｉｎ＋）を順次形成させた
。
形成された積層対向電極上に金ペーストを塗布し、４５
０℃（実施例１）または６００°Ｃ（実施例２）に加熱
することにより、焼結による金線の接続を行なうと共に
、炭化けい製薄膜のアニーリングを同時に行なった・ このようにして得られた素子について、感温特性を測定
すると、第２図のグラフに示されるような結果が得られ
た。これらの結果から、約４５０℃迄（実施例１）また
は約５００℃迄（実施例２）は温度に対して抵抗値が指
数関係的に変化することが確認され、またそれは温度が
可逆的に変化しても同一の結果を示しているので、これ
以下の温度範囲では薄膜サーミスタとして安定的に使用
できることが分かった。
０℃（実施例１）または６００°Ｃ（実施例２）に加熱
することにより、焼結による金線の接続を行なうと共に
、炭化けい製薄膜のアニーリングを同時に行なった・ このようにして得られた素子について、感温特性を測定
すると、第２図のグラフに示されるような結果が得られ
た。これらの結果から、約４５０℃迄（実施例１）また
は約５００℃迄（実施例２）は温度に対して抵抗値が指
数関係的に変化することが確認され、またそれは温度が
可逆的に変化しても同一の結果を示しているので、これ
以下の温度範囲では薄膜サーミスタとして安定的に使用
できることが分かった。
実施例３
実施例１において、金ペースト法の代わりに、超音波ボ
ンディング法による金線の接続を行ない、その後４５０
℃でアニーリングを行なった。得られた素子の感温特性
は、実施例１で得られた素子のそれとほぼ同じであった
。
ンディング法による金線の接続を行ない、その後４５０
℃でアニーリングを行なった。得られた素子の感温特性
は、実施例１で得られた素子のそれとほぼ同じであった
。
比較例
実施例１〜２において、アニーリング処理をしないもの
について、従って２００℃以下の温度範囲について、そ
の感温特性を調べると、第３図のグラフに示されるよう
な結果が得られた。
について、従って２００℃以下の温度範囲について、そ
の感温特性を調べると、第３図のグラフに示されるよう
な結果が得られた。
結果は、丸印および三角印の２サンプルについて示され
ており、温度を上昇させていったとき（白抜き）と下降
させていったとき（黒）とでは抵抗値が異なり、即ち温
度の可逆的変化に対して同一の結果が得られないことを
示している。
ており、温度を上昇させていったとき（白抜き）と下降
させていったとき（黒）とでは抵抗値が異なり、即ち温
度の可逆的変化に対して同一の結果が得られないことを
示している。
第１図は、本発明に係る薄膜サーミスタの一態様の正面
図（、）および平面図（ｂ）である。第２図は、実施例
１〜２で得られた素子の感温特性を示すグラフである。 また、第３図は、比較例で得られた素子の感温特性を示
すグラフである。 （符号の説明） １・・・・・絶縁性基板 ２・・・・・炭化けい素薄膜 ３・・・・・金層 ４・・・・・クロム層 ５・・・・・積層電極 ６・・・・・金線
図（、）および平面図（ｂ）である。第２図は、実施例
１〜２で得られた素子の感温特性を示すグラフである。 また、第３図は、比較例で得られた素子の感温特性を示
すグラフである。 （符号の説明） １・・・・・絶縁性基板 ２・・・・・炭化けい素薄膜 ３・・・・・金層 ４・・・・・クロム層 ５・・・・・積層電極 ６・・・・・金線
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、耐熱性絶縁性基板上にスパッタリング法炭化けい素
薄膜および金／クロム積層対向電極を順次形成させた後
、該積層電極に金線を接続し、約４００〜７５０℃に加
熱して前記炭化けい素薄膜のアニーリングを行なうこと
を特徴とする薄膜サーミスタの製造法。 ２、金線の接続が超音波ボンディング法によって行われ
、その後アニーリングが行われる特許請求の範囲第１項
記載の薄膜サーミスタの製造法。 ３、金線の接続が金ペーストを用いて行われ、それの焼
結がアニーリングを兼ねて行われる特許請求の範囲第１
項記載の薄膜サーミスタの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62145149A JP2727541B2 (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | 薄膜サーミスタの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62145149A JP2727541B2 (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | 薄膜サーミスタの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63310101A true JPS63310101A (ja) | 1988-12-19 |
| JP2727541B2 JP2727541B2 (ja) | 1998-03-11 |
Family
ID=15378551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62145149A Expired - Fee Related JP2727541B2 (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | 薄膜サーミスタの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2727541B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5134248A (en) * | 1990-08-15 | 1992-07-28 | Advanced Temperature Devices, Inc. | Thin film flexible electrical connector |
| WO2011024724A1 (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-03 | 株式会社村田製作所 | サーミスタ及びその製造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5871603A (ja) * | 1981-10-23 | 1983-04-28 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜サ−ミスタの製造方法 |
| JPS5884405A (ja) * | 1981-11-12 | 1983-05-20 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜サ−ミスタの製造方法 |
| JPS60253202A (ja) * | 1984-05-29 | 1985-12-13 | イビデン株式会社 | 炭化珪素質サ−ミスタ |
| JPS61242002A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜サ−ミスタ |
| JPS61245502A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜サ−ミスタ |
-
1987
- 1987-06-12 JP JP62145149A patent/JP2727541B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5871603A (ja) * | 1981-10-23 | 1983-04-28 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜サ−ミスタの製造方法 |
| JPS5884405A (ja) * | 1981-11-12 | 1983-05-20 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜サ−ミスタの製造方法 |
| JPS60253202A (ja) * | 1984-05-29 | 1985-12-13 | イビデン株式会社 | 炭化珪素質サ−ミスタ |
| JPS61242002A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜サ−ミスタ |
| JPS61245502A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜サ−ミスタ |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5134248A (en) * | 1990-08-15 | 1992-07-28 | Advanced Temperature Devices, Inc. | Thin film flexible electrical connector |
| WO2011024724A1 (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-03 | 株式会社村田製作所 | サーミスタ及びその製造方法 |
| CN102483978A (zh) * | 2009-08-28 | 2012-05-30 | 株式会社村田制作所 | 热敏电阻及其制造方法 |
| US8514050B1 (en) | 2009-08-28 | 2013-08-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Thermistor and method for manufacturing the same |
| US8598975B2 (en) | 2009-08-28 | 2013-12-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Thermistor and method for manufacturing the same |
| JP5375963B2 (ja) * | 2009-08-28 | 2013-12-25 | 株式会社村田製作所 | サーミスタ及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2727541B2 (ja) | 1998-03-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |