JPH0311672A - 熱電素子およびその製造方法 - Google Patents
熱電素子およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH0311672A JPH0311672A JP1146194A JP14619489A JPH0311672A JP H0311672 A JPH0311672 A JP H0311672A JP 1146194 A JP1146194 A JP 1146194A JP 14619489 A JP14619489 A JP 14619489A JP H0311672 A JPH0311672 A JP H0311672A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide semiconductor
- type
- thermoelectric element
- impurity
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 16
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 2
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910019704 Nb2O Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ）産業上の利用分野
この発明は、赤外線センサ、温度センサ、熱センサなど
に用いられる小型で高感度な熱電素子およびその製造方
法に関する。
に用いられる小型で高感度な熱電素子およびその製造方
法に関する。
（ｂｌ従来の技術
従来より、赤外線センサ、温度センサ、熱センサなどと
して用いられる、熱電対を多数直列接続したいわゆるサ
ーモパイル型熱電素子が開発されている。
して用いられる、熱電対を多数直列接続したいわゆるサ
ーモパイル型熱電素子が開発されている。
一般に、サーモパイル型熱電素子は、熱電材料が多数直
列接続され、温度差から生じる熱起電力が加算される構
造を有し、大きな熱起電力を得ることができる。これに
より高効率の熱電力変換素子や微少温度差を検知する高
感度な赤外線、温度、熱センサとして利用することがで
きる。特に、センサ用途には小型化、高感度化、応答速
度の高速化のために、主に薄膜型の熱電素子が用いられ
る。
列接続され、温度差から生じる熱起電力が加算される構
造を有し、大きな熱起電力を得ることができる。これに
より高効率の熱電力変換素子や微少温度差を検知する高
感度な赤外線、温度、熱センサとして利用することがで
きる。特に、センサ用途には小型化、高感度化、応答速
度の高速化のために、主に薄膜型の熱電素子が用いられ
る。
従来の薄膜型熱電素子はｎ型熱電材料からなる細線パタ
ーンとｐ型熱電材料からなる細線パターンを基板上に形
成し、更に電極を形成することによって熱電対を直列接
続している。
ーンとｐ型熱電材料からなる細線パターンを基板上に形
成し、更に電極を形成することによって熱電対を直列接
続している。
このような従来の薄膜熱電素子の熱電材料にはコンスタ
ンタン−ニクロム（特公昭５７−４０１５４号）、Ａｓ
−Ｔｅ（特開昭５３−１３２２８２号）、Ｓｉ、Ｇｅ
（特開昭５７−７１７２号）、Ｂ１−３ｂ−Ｔｅ （特
開昭６１−２２６７６号）などの金属合金、あるいは化
合物半導体材料が用いられてきた。
ンタン−ニクロム（特公昭５７−４０１５４号）、Ａｓ
−Ｔｅ（特開昭５３−１３２２８２号）、Ｓｉ、Ｇｅ
（特開昭５７−７１７２号）、Ｂ１−３ｂ−Ｔｅ （特
開昭６１−２２６７６号）などの金属合金、あるいは化
合物半導体材料が用いられてきた。
ｆｃ１発明が解決しようとする課題
これら従来の熱電材料は比抵抗が小さく熱電変換効率が
高いという長所があるが、ゼーベック係数が小さ（、ま
た酸化し易いため、高温下で使用できないという欠点を
有している。
高いという長所があるが、ゼーベック係数が小さ（、ま
た酸化し易いため、高温下で使用できないという欠点を
有している。
本発明はこのような従来の問題点を解消して、薄膜でか
つ高い熱起電力が得られ、高温度域でも使用可能なセン
サ用薄膜熱電素子を提供することを目的とする。
つ高い熱起電力が得られ、高温度域でも使用可能なセン
サ用薄膜熱電素子を提供することを目的とする。
（ｃ＋１課題を解決するための手段
前記目的を達成するためには高温度下で使用でき、かつ
ゼーベック係数の高い材料が必要である酸化物半導体セ
ラミックは３００〜１０００μＶ／にという高いゼーベ
ック係数を有し、耐熱性が高いにも係わらず、合金や化
合物半導体に比べ比抵抗が２桁以上大きく、熱−電力変
換効率を評価する性能指数が２桁以上小さいことがら熱
電素子としての応用があまりなされていなかった。しか
し赤外線、温度、熱流を検出するセンサの用途としては
、熱−電力変換効率を上げることよりもいかに大きなゼ
ーベック係数を有するかが重要である。
ゼーベック係数の高い材料が必要である酸化物半導体セ
ラミックは３００〜１０００μＶ／にという高いゼーベ
ック係数を有し、耐熱性が高いにも係わらず、合金や化
合物半導体に比べ比抵抗が２桁以上大きく、熱−電力変
換効率を評価する性能指数が２桁以上小さいことがら熱
電素子としての応用があまりなされていなかった。しか
し赤外線、温度、熱流を検出するセンサの用途としては
、熱−電力変換効率を上げることよりもいかに大きなゼ
ーベック係数を有するかが重要である。
発明者らは、従来の合金あるいは化合物半導体よりも大
きなゼーベック係数を有し、かつ高温下でも安定な酸化
物半導体材料を薄膜化することで、前記目的が達せられ
ることを見出した。
きなゼーベック係数を有し、かつ高温下でも安定な酸化
物半導体材料を薄膜化することで、前記目的が達せられ
ることを見出した。
酸化物半導体の薄膜を得るためには、絶縁性を有しかつ
耐熱性のある基板、例えばアルミナやジルコニア上に、
例えば先ず酸化物半導体に対する不純物拡散源となる不
純物材料層を形成し、その上に熱処理によって酸化物半
導体化する金属材料を形成し、その後、熱処理によって
前記金属材料を酸化させるとともに不純物拡散を行い、
酸化物半導体膜からなる複数の細線パターンを形成する
ことによって熱電素子を得る。
耐熱性のある基板、例えばアルミナやジルコニア上に、
例えば先ず酸化物半導体に対する不純物拡散源となる不
純物材料層を形成し、その上に熱処理によって酸化物半
導体化する金属材料を形成し、その後、熱処理によって
前記金属材料を酸化させるとともに不純物拡散を行い、
酸化物半導体膜からなる複数の細線パターンを形成する
ことによって熱電素子を得る。
（ｅ）作用
この発明の請求項（１）に係る熱電素子においては、酸
化物半導体化用金属材料層と不純物材料層との熱拡散酸
化構造により各半導体膜を形成したことにより、酸化物
半導体化用金属材料層は熱酸化により酸化物となるとと
もに、不純物材料を拡散源とた不純物拡散が行われ、ｎ
型酸化物半導体膜とｐギ酸化物半導体膜の細線パターン
による熱電素子として作用する。各細線パターンは酸化
物半導体であり、かつ高いゼーベック係数を有するため
、高温度領域で使用可能な高熱起電力の熱電素子が得ら
れる。
化物半導体化用金属材料層と不純物材料層との熱拡散酸
化構造により各半導体膜を形成したことにより、酸化物
半導体化用金属材料層は熱酸化により酸化物となるとと
もに、不純物材料を拡散源とた不純物拡散が行われ、ｎ
型酸化物半導体膜とｐギ酸化物半導体膜の細線パターン
による熱電素子として作用する。各細線パターンは酸化
物半導体であり、かつ高いゼーベック係数を有するため
、高温度領域で使用可能な高熱起電力の熱電素子が得ら
れる。
また、この発明の請求項（２）に係る熱電素子の製造方
法においては、不純物膜パターン形成工程により、ｐ型
およびｐ型の不純物材料による細線パターンがそれぞれ
形成され、金属膜パターン形成工程により、ｐ型および
ｐ型の酸化物半導体化用金属膜材料による細線パターン
がたとえば蒸着またはスパッタリング等により形成され
る。不純物膜パターン形成の後に金属膜パターン形成を
行った場合には、例えば絶縁基板上に不純物材料による
細線パターンと酸化物半導体化用金属材料による細線パ
ターンとが順に積層される。続く熱処理により、酸化物
半導体化用金属膜が酸化されるとともに、前記不純物材
料を拡散源とした不純物拡散が同時に行われる。このよ
うにして酸化物半導体の細線パターンによる熱電素子が
製造される。
法においては、不純物膜パターン形成工程により、ｐ型
およびｐ型の不純物材料による細線パターンがそれぞれ
形成され、金属膜パターン形成工程により、ｐ型および
ｐ型の酸化物半導体化用金属膜材料による細線パターン
がたとえば蒸着またはスパッタリング等により形成され
る。不純物膜パターン形成の後に金属膜パターン形成を
行った場合には、例えば絶縁基板上に不純物材料による
細線パターンと酸化物半導体化用金属材料による細線パ
ターンとが順に積層される。続く熱処理により、酸化物
半導体化用金属膜が酸化されるとともに、前記不純物材
料を拡散源とした不純物拡散が同時に行われる。このよ
うにして酸化物半導体の細線パターンによる熱電素子が
製造される。
前記金属膜パターン形成工程では金属材料の蒸着または
スパッタリング等により膜形成を行うと、例えば酸化物
半導体のセラミソクターゲントを用いたスパッタリング
などに比較して堆積レートが著しく高く、安価に製造す
ることが可能となるｉｆ）実施例 第１図（Ａ）〜（Ｇ）はこの発明の実施例である熱電素
子の構造およびその製造工程を示している。
スパッタリング等により膜形成を行うと、例えば酸化物
半導体のセラミソクターゲントを用いたスパッタリング
などに比較して堆積レートが著しく高く、安価に製造す
ることが可能となるｉｆ）実施例 第１図（Ａ）〜（Ｇ）はこの発明の実施例である熱電素
子の構造およびその製造工程を示している。
先ず、ｐ型不純物材料としてＬ ＋ ｚ Ｃ０３０，３
７ｇにフェス５０ｇ、溶剤５０ｇを加えて混練したペー
ストと、ｎ型不純物材料としてＮｂ２Ｏ５１，３３ｇに
フェス５０ｇ、溶剤５０ｇを加えて混練したペーストを
それぞれ作成する。
７ｇにフェス５０ｇ、溶剤５０ｇを加えて混練したペー
ストと、ｎ型不純物材料としてＮｂ２Ｏ５１，３３ｇに
フェス５０ｇ、溶剤５０ｇを加えて混練したペーストを
それぞれ作成する。
次に第１図（Ａ）および（Ｂ）に示すように、Ａ／！ｚ
０３基板１上にペースト状にしたｐ型不純物材料を細
線状に印刷し、乾燥させて細線パターン２を形成する。
０３基板１上にペースト状にしたｐ型不純物材料を細
線状に印刷し、乾燥させて細線パターン２を形成する。
続いて第１図（Ｃ）に示すように、ペースト状にしたｎ
型不純物材料を細線状に印刷し、乾燥させて細線パター
ン３を形成する。
型不純物材料を細線状に印刷し、乾燥させて細線パター
ン３を形成する。
その後、第１図（Ｃ）および（Ｄ）に示すように、ｐ型
不純物の細線パターン２上にＮｉ（金属）による細線パ
ターン４を、マスクを用いてＲＦスパッタリング法によ
り成膜する。
不純物の細線パターン２上にＮｉ（金属）による細線パ
ターン４を、マスクを用いてＲＦスパッタリング法によ
り成膜する。
つづいて、第１図（Ｄ）および（Ｅ）に示すように、ｎ
型不純物による細線パターン３上にＴｉ（金属）による
細線パターン５を、マスクを用いてＲＦスパッタリング
法により成膜する。
型不純物による細線パターン３上にＴｉ（金属）による
細線パターン５を、マスクを用いてＲＦスパッタリング
法により成膜する。
上記各金属薄膜の作成条件は次の通りである。
基板温度：１５０°Ｃ
高周波用カニｓｏｏｗ〜１，５に、Ｗ
シー１−：１〜１０μｍ ／ ｈ ｒ
その後、基板全体を１０００〜１３００°Ｃで大気中に
おいて熱処理を行う。このことにより、ＮｉおよびＴｉ
の各金属薄膜が酸化され、これとともにＮｉ薄膜に対し
ては不純物材料層のＬｉｚＣＯ３のＬｉ電子による原子
価制御が行われ、Ｔｉ薄膜に対してはＮｂ２Ｏ，、のＮ
ｂ原子による原子価制御が行われる。このようにして第
１図（Ｆ）に示すように、ｐ型ＮｉＯ酸化物半導体薄膜
およびｎ型Ｔｌ０ｚ酸化物半導体薄膜による細線パター
ン６．７が形成される。
おいて熱処理を行う。このことにより、ＮｉおよびＴｉ
の各金属薄膜が酸化され、これとともにＮｉ薄膜に対し
ては不純物材料層のＬｉｚＣＯ３のＬｉ電子による原子
価制御が行われ、Ｔｉ薄膜に対してはＮｂ２Ｏ，、のＮ
ｂ原子による原子価制御が行われる。このようにして第
１図（Ｆ）に示すように、ｐ型ＮｉＯ酸化物半導体薄膜
およびｎ型Ｔｌ０ｚ酸化物半導体薄膜による細線パター
ン６．７が形成される。
その後、さらに第１図（Ｇ）に示すようにオーミック電
極の印刷・焼旬により、または蒸着などにより、電極８
を形成する。このようにして、ｐ型酸化物半導体薄膜６
とｎ酸化物半導体薄膜７とが直列接続され両端に引出用
電極を有する熱電素子が得られる。
極の印刷・焼旬により、または蒸着などにより、電極８
を形成する。このようにして、ｐ型酸化物半導体薄膜６
とｎ酸化物半導体薄膜７とが直列接続され両端に引出用
電極を有する熱電素子が得られる。
なお、第１図に示した例では、図面を明瞭化するために
細線パターンの数を少なく描いているが、多数の熱電対
を直列接続することによって熱起電力を増大させること
ができる。第１図（Ｇ）に示した構造においてＴ ｉ
Ｏ□ （Ｎｂ含）のｎ型酸化物半導体セラミックとＮ１
ｐ（Ｌｉ含）のｎ型酸化物半導体セラミックからなる５
０対の熱電対を形成して、熱電素子の両端に５℃の温度
差を与え、ゼーベック係数を測定したところ７０ｍＶ／
Ｋが得られた。また、その熱電素子を３００′Ｃで１０
００時間大気中で放置したところゼーヘツタ係数に変化
はなかった。
細線パターンの数を少なく描いているが、多数の熱電対
を直列接続することによって熱起電力を増大させること
ができる。第１図（Ｇ）に示した構造においてＴ ｉ
Ｏ□ （Ｎｂ含）のｎ型酸化物半導体セラミックとＮ１
ｐ（Ｌｉ含）のｎ型酸化物半導体セラミックからなる５
０対の熱電対を形成して、熱電素子の両端に５℃の温度
差を与え、ゼーベック係数を測定したところ７０ｍＶ／
Ｋが得られた。また、その熱電素子を３００′Ｃで１０
００時間大気中で放置したところゼーヘツタ係数に変化
はなかった。
（ｇ）発明の効果
この発明によれば、酸化物半導体膜を用いることにより
、小型で高感度且つ耐熱性に優れた熱電素子を得ること
ができる。しかも酸化物半導体膜を酸化物半導体化用金
属材料層と不純物材料層との熱拡散酸化により形成した
ため、例えばセラミックターゲットを用いたスパッタリ
ングによる形成法に比較して堆積レートを著しく高くす
ることができ、製造コストを低減することが可能となる
、小型で高感度且つ耐熱性に優れた熱電素子を得ること
ができる。しかも酸化物半導体膜を酸化物半導体化用金
属材料層と不純物材料層との熱拡散酸化により形成した
ため、例えばセラミックターゲットを用いたスパッタリ
ングによる形成法に比較して堆積レートを著しく高くす
ることができ、製造コストを低減することが可能となる
第１図（Ａ）〜（Ｇ）はこの発明の実施例である熱電素
子の構造および製造工程を示す図である１−絶縁基板、 ２−ｐ型不純物材料による細線パターン、３−ｎ型不純
物材料による細線パターン、４−ｐギ酸化物半導体化用
金属材料（Ｎｉ）による細線パターン、 ５−ｎ型酸化物半導体化用金属材料（Ｔｉ）による細線
パターン、 ６−ｐ型酸化物半導体（Ｎｉ○）薄膜、０ ７ ｎ型酸化物半導体 （Ｔｉ ○２ ） 薄膜、 ８−電極。
子の構造および製造工程を示す図である１−絶縁基板、 ２−ｐ型不純物材料による細線パターン、３−ｎ型不純
物材料による細線パターン、４−ｐギ酸化物半導体化用
金属材料（Ｎｉ）による細線パターン、 ５−ｎ型酸化物半導体化用金属材料（Ｔｉ）による細線
パターン、 ６−ｐ型酸化物半導体（Ｎｉ○）薄膜、０ ７ ｎ型酸化物半導体 （Ｔｉ ○２ ） 薄膜、 ８−電極。
Claims (2)
- （１）絶縁基板上に、ｎ型半導体膜とｐ型半導体膜によ
る細線パターンがそれぞれ複数組形成された熱電素子に
おいて、 各半導体膜を、酸化物半導体化用金属材料層と不純物材
料層との熱拡散酸化構造としたことを特徴とする熱電素
子。 - （２）ｎ型およびｐ型の不純物材料による細線パターン
をそれぞれ形成する不純物膜パターン形成工程と、 ｎ型およびｐ型の酸化物半導体化用金属材料による細線
パターンをそれぞれ形成する金属膜パターン形成工程を
含み、 熱処理により前記酸化物半導体化用金属膜の酸化と不純
物拡散を同時に行うことを特徴とする熱電素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1146194A JPH0311672A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | 熱電素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1146194A JPH0311672A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | 熱電素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0311672A true JPH0311672A (ja) | 1991-01-18 |
Family
ID=15402260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1146194A Pending JPH0311672A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | 熱電素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0311672A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0548094U (ja) * | 1991-11-29 | 1993-06-25 | セコム株式会社 | 検知装置 |
| US5275001A (en) * | 1991-10-07 | 1994-01-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thermoelectric cooling device |
-
1989
- 1989-06-08 JP JP1146194A patent/JPH0311672A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5275001A (en) * | 1991-10-07 | 1994-01-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thermoelectric cooling device |
| JPH0548094U (ja) * | 1991-11-29 | 1993-06-25 | セコム株式会社 | 検知装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Sundeen et al. | Thermal sensor properties of cermet resistor films on silicon substrates | |
| JP3258066B2 (ja) | サーモパイル型赤外線センサの製造方法 | |
| JPH02214175A (ja) | 薄膜熱電素子 | |
| JP4277506B2 (ja) | 熱電変換素子の熱電材料用のＺｎＯ系薄膜、該ＺｎＯ系薄膜を用いた熱電変換素子、及び赤外線センサ | |
| JPH02260581A (ja) | 厚膜熱電素子 | |
| JPH0311672A (ja) | 熱電素子およびその製造方法 | |
| JP4304272B2 (ja) | 熱電変換材料薄膜とセンサ素子及びその製造方法 | |
| JPH1032353A (ja) | 熱電材料 | |
| JPH03270084A (ja) | 熱電素子の製造方法 | |
| JP3134360B2 (ja) | 薄膜熱電素子の製造方法 | |
| JPH04150076A (ja) | 薄膜熱電素子の製造方法 | |
| JPH0276270A (ja) | 熱電素子 | |
| JP2727541B2 (ja) | 薄膜サーミスタの製造法 | |
| JP2645552B2 (ja) | シリコン・ゲルマニウム・金混晶薄膜導電体 | |
| JP3134359B2 (ja) | 薄膜熱電素子 | |
| JPH04313284A (ja) | 薄膜熱電素子 | |
| JP6439509B2 (ja) | 熱電変換素子、熱電変換モジュール、及び熱電変換素子の製造方法 | |
| JPH04151881A (ja) | 薄膜熱電素子の製造方法 | |
| JPH04151882A (ja) | 薄膜熱電素子 | |
| KR100395246B1 (ko) | 마이크로 열센서용 측온저항체형 온도센서 및 그 제조방법 | |
| JPH02277264A (ja) | トリミング抵抗器 | |
| JPH02159756A (ja) | タンタル薄膜抵抗素子 | |
| CN115096935A (zh) | 银基硫族金属绝缘体相变柔性半导体热敏传器与应用技术 | |
| JP2905493B2 (ja) | 酸化物高温超伝導体の製造方法 | |
| CN118076205A (zh) | 一种热电堆红外探测器及其制备方法 |