JP2007287812A - サーミスタ薄膜及び赤外線検出用センサ並びにこれらの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 サーミスタ薄膜及び赤外線検出用センサ並びにこれらの製造方法において、１種類の組成のサーミスタ材料で異なる抵抗値を有する複数のサーミスタ薄膜を同時に得ることができ、製造コスト及び製造工程数の削減を図ること。
【解決手段】 Ｍｎ_３Ｏ_４−Ｃｏ_３Ｏ_４若しくはＭｎ_３Ｏ_４−Ｃｏ_３Ｏ_４−Ｆｅ_２Ｏ_３系の複合金属酸化物からなるサーミスタ薄膜１Ｂであって、ＳｉＯ_２／Ｓｉ基板４上に成膜されたＡｌ_２Ｏ_３膜５の上に形成されている。また、赤外線検出用センサが、ＳｉＯ_２／Ｓｉ基板４のＳｉＯ_２層３上にパターン形成された第１のサーミスタ薄膜１Ａと、Ａｌ_２Ｏ_３膜５上にパターン形成され第１のサーミスタ薄膜１Ａと同一のサーミスタ材料の第２のサーミスタ薄膜１Ｂと、第１のサーミスタ薄膜１Ａ上に形成された一対の第１の電極６と、第２のサーミスタ薄膜１Ｂ上に形成された一対の第２の電極７とを備えている。
【選択図】 図２

Description

本発明は、例えば温度センサに用いられるサーミスタ薄膜及び赤外線検出用センサ並びにこれらの製造方法に関する。

近年、非接触で温度を測定できる赤外線検出素子の開発が盛んになってきている。この赤外線検出素子は、物体や人体から放出される微弱な赤外線を検出するのに用いられることが多く、高感度であることが要求される。この赤外線検出素子には、熱電対を直列に接続したサーモパイル型、特定材料の焦電効果を利用した焦電型、特定金属酸化物の抵抗率温度依存性を利用したサーミスタ型の三種類がある。

これらのうち、製品の微細化や高性能化、低価格化の潮流に乗った製品として、サーミスタ薄膜を半導体基板等の上に形成し、各種配線等を施して赤外線検出センサを作製したものが注目され始めた。このサーミスタ薄膜を用いた赤外線検出センサの一般的な構造は、絶縁基板又は基板の上面に形成された絶縁膜と、絶縁基板又は絶縁膜の上面に形成されたサーミスタ薄膜と、サーミスタ薄膜の上面に形成された一対の電極とから構成されている。

そして、この赤外線検出センサでは、照射された赤外線を受光してサーミスタ薄膜の温度が変化すると、サーミスタ薄膜の抵抗が変化するので、この抵抗変化を一対の電極で検出して赤外線を検知できるようになっている。
この場合に用いられるサーミスタ薄膜は、表面にＳｉＯ_２層が形成されたＳｉ基板（Ｓｉ／ＳｉＯ_２基板）、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）基板又は石英基板等の絶縁基板上に形成されている（特許文献１、２参照）。

特開昭５５−１５１３０３号公報 特開２０００−３４８９０１号公報

上記従来の技術には、以下の課題が残されている。
上記従来の技術では、サーミスタ薄膜の抵抗値は、スパッタ成膜する際のサーミスタ・ターゲットのサーミスタ材料に依って決定され、同一センサチップ内に抵抗値の異なる複数のサーミスタ薄膜を形成する場合、１種類のサーミスタ組成の材料からなるターゲット１枚を用いて１度に成膜することが困難であった。即ち、抵抗値の異なる複数個のサーミスタ・ターゲットを用いた複数回のスパッタ、及び複数のフォトマスクを用いて複数回のフォトリソを実施する必要があった。このため、製造コスト及び製造工程数が増大してしまう不都合があった。

本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、１種類の組成のサーミスタ材料で異なる抵抗値を有する複数のサーミスタ薄膜を同時に得ることができ、製造コスト及び製造工程数の削減を図ることが可能なサーミスタ薄膜及び赤外線検出用センサ並びにこれらの製造方法を提供することを目的とする。

本発明者らは、Ｍｎ_３Ｏ_４−Ｃｏ_３Ｏ_４若しくはＭｎ_３Ｏ_４−Ｃｏ_３Ｏ_４−Ｆｅ_２Ｏ_３系の複合金属酸化物からなるサーミスタ薄膜を作製する種々の技術について研究を進めたところ、下地膜の影響によりスパッタ成膜された薄膜の電気抵抗値が異なる場合があることを見出した。
したがって、本発明は、上記知見から得られたものであり、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明のサーミスタ薄膜は、Ｍｎ_３Ｏ_４−Ｃｏ_３Ｏ_４若しくはＭｎ_３Ｏ_４−Ｃｏ_３Ｏ_４−Ｆｅ_２Ｏ_３系の複合金属酸化物からなるサーミスタ薄膜であって、基板上に成膜されたＡｌ_２Ｏ_３膜の上に形成されていることを特徴とする。

また、本発明のサーミスタ薄膜の製造方法は、基板上にＡｌ_２Ｏ_３膜を成膜する工程と、前記Ａｌ_２Ｏ_３膜上にＭｎ_３Ｏ_４−Ｃｏ_３Ｏ_４若しくはＭｎ_３Ｏ_４−Ｃｏ_３Ｏ_４−Ｆｅ_２Ｏ_３系の複合金属酸化物からなるサーミスタ薄膜を形成する工程とを有することを特徴とする。

これらのサーミスタ薄膜及びその製造方法では、基板上のＡｌ_２Ｏ_３膜上にサーミスタ薄膜を形成した場合、ＳｉＯ_２層が形成されたＳｉ基板（Ｓｉ／ＳｉＯ_２基板）等の上に直接形成された同一組成のサーミスタ材料による薄膜に比較して、高い抵抗値を得ることができる。すなわち、Ａｌ_２Ｏ_３膜の上に形成されたサーミスタ薄膜は、後述するように、基板上に形成された薄膜よりも１．５〜２．０倍の高い抵抗値を有する。なお、これは、スパッタ成膜した際に生じるサーミスタ薄膜の歪みが、下地であるＡｌ_２Ｏ_３膜とＳｉ／ＳｉＯ_２基板やＡｌ_２Ｏ_３基板等とで異なる、或いは下地膜のＡｌがサーミスタ中に拡散して特性を変化させる等が原因として考えられる。

また、本発明のサーミスタ薄膜及びその製造方法は、前記Ａｌ_２Ｏ_３膜がスパッタ成膜により形成されることを特徴とする。
すなわち、これらのサーミスタ薄膜及びその製造方法では、Ａｌ_２Ｏ_３膜がスパッタ成膜されているので、スピンコート成膜されたＡｌ_２Ｏ_３膜に比べて、高品質な膜質が得られると共に、サーミスタ薄膜の焼成工程時にサーミスタ薄膜にクラック等が生じることを防ぐことができる。

さらに、本発明のサーミスタ薄膜の製造方法は、前記サーミスタ薄膜をスパッタ成膜により膜厚０．０５〜０．３μｍの範囲内で形成した後、５５０℃〜６５０℃の温度で大気雰囲気中若しくは窒素と酸素との混合雰囲気中で熱処理することを特徴とする。すなわち、このサーミスタ薄膜の製造方法に依れば、スパッタリングにより成膜した上記膜厚範囲内のサーミスタ薄膜を上記条件で熱処理しているので、良質な結晶構造を有しバルク・サーミスタと同等の電気特性（抵抗率やＢ定数等）を得ることができると共に高精度にパターニング可能で、赤外線検出センサとして好適なパターニング薄膜を得ることができる。

本発明の赤外線検出センサは、Ｓｉ基板と、前記Ｓｉ基板上に形成されたＳｉＯ_２層と、前記ＳｉＯ_２層上にパターン成膜されたＡｌ_２Ｏ_３膜と、前記ＳｉＯ_２層上にパターン形成された第１のサーミスタ薄膜と、前記Ａｌ_２Ｏ_３膜上にパターン形成され前記第１のサーミスタ薄膜と同一のサーミスタ材料の第２のサーミスタ薄膜と、前記第１のサーミスタ薄膜上に形成された一対の第１の電極と、前記第２のサーミスタ薄膜上に形成された一対の第２の電極とを備えていることを特徴とする。
また、本発明の赤外線検出センサの製造方法は、Ｓｉ基板上に形成されたＳｉＯ_２層にＡｌ_２Ｏ_３膜をパターン成膜する工程と、Ｍｎ_３Ｏ_４−Ｃｏ_３Ｏ_４若しくはＭｎ_３Ｏ_４−Ｃｏ_３Ｏ_４−Ｆｅ_２Ｏ_３系の複合金属酸化物からなるサーミスタ薄膜を前記Ａｌ_２Ｏ_３膜上と前記ＳｉＯ_２層上とに同一のサーミスタ材料で第１のサーミスタ薄膜と第２のサーミスタ薄膜とをそれぞれパターン形成する工程と、前記第１のサーミスタ薄膜上に一対の第１の電極を形成する工程と、前記第２のサーミスタ薄膜上に一対の第２の電極を形成する工程とを有していることを特徴とする。

すなわち、これらの赤外線検出センサ及びその製造方法では、Ｓｉ／ＳｉＯ_２基板上に、ＳｉＯ_２層上に直接形成された第１のサーミスタ薄膜と、Ａｌ_２Ｏ_３膜の上に形成された上記本発明の第２のサーミスタ薄膜とが形成されるので、一つのＳｉ／ＳｉＯ_２基板に異なる抵抗値を有する一対のサーミスタ構造を得ることができる。したがって、一方を赤外線検知用のサーミスタ薄膜とすると共に、他方をノイズ除去等を行うための補償用のサーミスタ薄膜とすることで、より高精度な赤外線検出センサを得ることができる。更に、互いに異なる抵抗値を有する第１及び第２のサーミスタ薄膜を一度のスパッタ成膜により形成することができ、製造コスト及び製造工程数を削減することができる。

本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明に係るサーミスタ薄膜及びその製造方法によれば、サーミスタ薄膜がＳｉ基板上のＳｉＯ_２層に成膜されたＡｌ_２Ｏ_３膜の上に形成されるので、同一のサーミスタ材料を用いてもＳｉ基板上のＳｉＯ_２層に直接形成された場合に比べて高い抵抗値を有する薄膜を得ることができる。したがって、このサーミスタ薄膜と従来のＳｉＯ_２層に直接形成されたサーミスタ薄膜とを備えた本発明の赤外線検出センサによれば、これら異なる抵抗値のサーミスタ薄膜を検出用と補償用とに分けることで、検出精度が高く高性能なセンサを得ることができる。さらに、本発明の赤外線検出センサの製造方法によれば、異なる抵抗値を有する２種類のサーミスタ薄膜を一度のスパッタ成膜により形成することができ、製造コスト及び製造工程数を削減することができる。

以下、本発明に係るサーミスタ薄膜及びその製造方法の一実施形態を、図１を参照しながら説明する。

本実施形態のサーミスタ薄膜１は、図１に示すように、Ｍｎ_３Ｏ_４−Ｃｏ_３Ｏ_４若しくはＭｎ_３Ｏ_４−Ｃｏ_３Ｏ_４−Ｆｅ_２Ｏ_３系のスピネル構造の複合金属酸化物膜であって、Ｓｉ基板２とその上面に形成されたＳｉＯ_２層３とで構成されたＳｉＯ_２／Ｓｉ基板（基板）４上のＡｌ_２Ｏ_３膜５上にパターン形成されている。
上記Ａｌ_２Ｏ_３膜５は、スパッタ成膜により０．０５〜０．１μｍの膜厚で形成されている。
また、サーミスタ薄膜１は、スパッタ成膜により膜厚０．０５〜０．３μｍの膜厚で形成され、後述する条件で焼成されている。

サーミスタ薄膜１における上記ＭｎとＣｏとのモル比は、４：６程度が適当であり、Ｆｅを含む場合、Ｍｎ：Ｃｏ：Ｆｅのモル比は、（２０〜６０）：（２〜６５）：（９〜４０）程度が適当である。このサーミスタ薄膜１は、半導体の性状を呈し、温度が上昇すると抵抗が低くなる負特性、いわゆるＮＴＣサーミスタ(Negative Temperature Coefficient Thermistor)の性質を有する。

本実施形態のサーミスタ薄膜１は、ＳｉＯ_２／Ｓｉ基板４上のＡｌ_２Ｏ_３膜５上に形成されるので、ＳｉＯ_２／Ｓｉ基板４上に直接形成された同一サーミスタ材料による薄膜に対して、後述するように１．５〜２．０倍の高い抵抗値を得ることができる。

次に、本実施形態のサーミスタ薄膜１を用いた赤外線検出用センサについて、図２及び図３を参照して説明する。

本実施形態の赤外線検出用センサは、図２及び図３に示すように、Ｓｉ基板２と、Ｓｉ基板２上に形成されたＳｉＯ_２層３と、ＳｉＯ_２層３上にパターン成膜されたＡｌ_２Ｏ_３膜５と、ＳｉＯ_２層３上に直接パターン形成された第１のサーミスタ薄膜１Ａと、Ａｌ_２Ｏ_３膜５上にパターン形成され第１のサーミスタ薄膜１Ａと同一のサーミスタ材料の第２のサーミスタ薄膜１Ｂと、第１のサーミスタ薄膜１Ａ上に形成された一対の第１の電極６と、第２のサーミスタ薄膜１Ｂ上に形成された一対の第２の電極７とを備えている。すなわち、上記第２のサーミスタ薄膜１Ｂは、上記本実施形態のサーミスタ薄膜１と同様の膜構成を有しており、第１のサーミスタ薄膜１Ａよりも高い抵抗値を有している。

上記第１の電極６及び上記第２の電極７は、いずれも櫛歯状に形成された電気抵抗測定用の金属電極(Ｃｒ／Ａｕ二層構造）であって、互いに所定間隔を空けて対向状態に配されている。また、第１の電極６及び第２の電極７は、それぞれ第１のサーミスタ薄膜１Ａ及び第２のサーミスタ薄膜１Ｂの外部まで延在した電極端子部８を有している。

本実施形態の赤外線検出用センサでは、ＳｉＯ_２／Ｓｉ基板４上に、ＳｉＯ_２層３上に直接形成された第１のサーミスタ薄膜１Ａと、Ａｌ_２Ｏ_３膜５上に形成され第１のサーミスタ薄膜１Ａよりも高抵抗値を有する第２のサーミスタ薄膜１Ｂとが形成されるので、一つのＳｉＯ_２／Ｓｉ基板４に異なる抵抗値を有する一対のサーミスタ構造を得ることができる。したがって、例えば高抵抗、即ち高Ｂ定数（高感度）を有する第２のサーミスタ薄膜１Ｂを赤外線検知用のサーミスタ薄膜とすると共に、第１のサーミスタ薄膜１Ａをノイズ除去等を行うための補償用のサーミスタ薄膜とすることで、より高精度な赤外線検出センサを得ることができる。

次に、本実施形態のサーミスタ薄膜１Ｂの製造方法及びこれを用いた赤外線検出用センサの製造方法について説明する。

まず、Ｓｉ基板２上面に熱酸化によりＳｉＯ_２層３を形成したＳｉＯ_２／Ｓｉ基板４を用意し、このＳｉＯ_２／Ｓｉ基板４上にＡｌ_２Ｏ_３膜５をスパッタ、及びリフトオフ成膜により上記所定膜厚範囲内でパターン形成する。なお、Ａｌ_２Ｏ_３膜５をスピンコート成膜により形成する方法もあるが、この場合、後述するサーミスタ薄膜１Ａ、及び１Ｂの焼成工程でサーミスタ薄膜１Ｂにクラックが発生するため、高品質な膜質が得られるスパッタ成膜によることが好ましい。

次に、上記Ａｌ_２Ｏ_３膜５がパターン形成されたＳｉＯ_２／Ｓｉ基板４上の全面に、所定のスパッタ条件で上記複合金属酸化物膜を上記膜厚範囲内で成膜した後に、後述する熱処理を行ってサーミスタ薄膜を形成する。
一般に、複合金属酸化物であるサーミスタ薄膜は、成膜後所定の熱処理を施すことにより、赤外線検出センサ用に適した電気特性を発揮するようになる。本実施形態では、ＳｉＯ_２／Ｓｉ基板４上にＭｎ_３Ｏ_４−Ｃｏ_３Ｏ_４（４０ｍｏｌ％：６０ｍｏｌ％）の複合金属酸化物膜をスパッタにより上記膜厚範囲内で成膜し、１時間の熱処理を施して形成している。なお、スパッタ成膜条件として、例えば本実施形態では、雰囲気圧力１３３０ｍＰａ、アルゴン流量５０ＳＣＣＭ及び高周波電力１５０Ｗの印加で成膜を行う。

また、上記熱処理は、大気雰囲気中若しくは窒素と酸素との混合雰囲気中で、かつ６００℃±５０℃（５５０℃〜６５０℃）の温度範囲で熱処理を行っている。この熱処理の際には、昇温速度を８〜１２℃／ｍｉｎとし、降温速度を２〜６℃／ｍｉｎとしている。上記熱処理の温度を上記範囲に設定しているのは、バルク・サーミスタと同レベルの電気特性を得ることができる良好な膜質を得るためである。
なお、上記熱処理の昇温及び降温温度を上記範囲に設定しているのは、上記設定範囲を外れると、熱処理効率が悪くなるほか、熱応力が発生して良質なサーミスタ薄膜を得ることができないためである。

サーミスタ薄膜の膜厚を０．３μｍ以下に抑えたのは、バルクサーミスタと同等な電気特性を得るために実施する６００℃の熱処理温度下でも割れ・欠け等を生じず、機械的強度の良好な膜質を得るためである。また、サーミスタ薄膜の膜厚を０．０５μｍ以上にしたのは、（Ｍｎ，Ｃｏ）_３Ｏ_４若しくは（Ｍｎ，Ｃｏ，Ｆｅ）_３Ｏ_４のスピネル構造の複合金属酸化物膜で、均一で良好な膜質を得るためである。なお、サーミスタ薄膜の膜厚を０．０５μｍ未満の極めて薄い設定にすると、抵抗測定時の微量電流に因る薄膜の自己発熱が顕著になり、検出精度に大きく影響するため、０．０５μｍ以上の膜厚とすることが好ましい。

次に、サーミスタ薄膜上にフォトレジスト膜を全面形成した後、サーミスタとして供される第１のサーミスタ薄膜１Ａ及び第２のサーミスタ薄膜１Ｂのパターン領域だけを残してフォトリソグラフィ技術によってフォトレジスト膜をパターニングする。

さらに、フォトレジスト膜の覆われていない領域のサーミスタ薄膜を、ＨＣｌ（塩酸）液等をエッチング液としてエッチング除去する。なお、この際、Ｓｉ基板２上のＳｉＯ_２層３及びＡｌ_２Ｏ_３膜５は、エッチングストッパとして機能する。次に、フォトレジスト膜を除去することにより、パターニングされた第１のサーミスタ薄膜１Ａ及び第２のサーミスタ薄膜１Ｂを得ることができる。
最後に、第１のサーミスタ薄膜１Ａ及び第２のサーミスタ薄膜１Ｂ上に電気抵抗測定用の第１の電極６及び第２の電極７を汎用的なスパッタ、フォトリソ、エッチングを用いてパターン形成して配線し、必要に応じて保護膜や赤外線吸収膜等を順次積層することで、赤外線検出センサが作製される。

このように本実施形態の赤外線検出用センサの製造方法では、一度のスパッタ成膜で互いに異なる抵抗値を有する第１のサーミスタ薄膜１Ａ及び第２のサーミスタ薄膜１Ｂを同時形成することができ、製造コスト及び製造工程を削減することができる。

次に、本発明に係るサーミスタ薄膜１の特性を、実際に作製した実施例により図４及び図５を参照して具体的に説明する。
ＭＣ（Ｍｎ_３Ｏ_４−Ｃｏ_３Ｏ_４）系のサーミスタ薄膜１をＳｉＯ_２／Ｓｉ基板４上のＡｌ_２Ｏ_３膜５に実際に成膜した後、上記条件で焼成した実施例について、その電気抵抗値特性を測定した。なお、本実施例では、スパッタ成膜ではなく、スピンコート成膜によりＡｌ_２Ｏ_３膜５を形成している。また、比較のため、従来例としてＳｉＯ_２／Ｓｉ基板４のＳｉＯ_２層３上に直接サーミスタ薄膜を成膜したものも同様に測定した。

図４に示すように、従来例のサーミスタ薄膜（Ａｌ_２Ｏ_３膜無し；１Ａ相当）が１．１〜１．３ＭΩ程度の範囲の抵抗値となるのに対し、本実施例のサーミスタ薄膜１Ｂ（Ａｌ_２Ｏ_３膜有り）が２．５〜３．０ＭΩ程度の範囲の抵抗値となり、従来例のサーミスタ薄膜の約１．５〜２．０倍の値を示していることがわかる。また、本実施例のサーミスタ薄膜１（Ａｌ_２Ｏ_３膜有り）のＢ定数は、図５に示すように、Ｂ２５／５０値でバルク・サーミスタと同レベルの３５００〜３７００Ｋ程度となり、３５００Ｋ未満のものも一部存在する従来例のサーミスタ薄膜（Ａｌ_２Ｏ_３膜無し）よりもＢ定数が若干向上し高感度になっていることを示している。

なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記エッチングによるサーミスタ薄膜１のパターニングは、熱処理の後に行っているが、熱処理の前に行っても構わない。

本発明に係る一実施形態のサーミスタ薄膜及びその製造方法において、ＳｉＯ_２／Ｓｉ基板のＡｌ_２Ｏ_３膜上にパターン形成されたサーミスタ薄膜を示す断面図である。 本発明に係る一実施形態の赤外線検出センサ及びその製造方法において、赤外線検出センサを示す平面図である。 図２のＡ−Ａ線矢視断面図である。 本発明に係る実施例のサーミスタ薄膜と従来例のサーミスタ薄膜の抵抗値を示すグラフである。 本発明に係る実施例のサーミスタ薄膜と従来例のサーミスタ薄膜のＢ定数を示すグラフである。

符号の説明

１…サーミスタ薄膜、１Ａ…第１のサーミスタ薄膜、１Ｂ…第２のサーミスタ薄膜、２…Ｓｉ基板、３…ＳｉＯ_２層、４…ＳｉＯ_２／Ｓｉ基板（基板）、５…Ａｌ_２Ｏ_３膜、６…第１の電極、７…第２の電極、８…電極端子部

Claims (7)

1. Ｍｎ_３Ｏ_４−Ｃｏ_３Ｏ_４若しくはＭｎ_３Ｏ_４−Ｃｏ_３Ｏ_４−Ｆｅ_２Ｏ_３系の複合金属酸化物からなるサーミスタ薄膜であって、
   基板上に成膜されたＡｌ_２Ｏ_３膜の上に形成されていることを特徴とするサーミスタ薄膜。
2. 請求項１に記載のサーミスタ薄膜において、
   前記Ａｌ_２Ｏ_３膜が、スパッタ成膜により形成されていることを特徴とするサーミスタ薄膜。
3. Ｓｉ基板と、
   前記Ｓｉ基板上に形成されたＳｉＯ_２層と、
   前記ＳｉＯ_２層上にパターン成膜されたＡｌ_２Ｏ_３膜と、
   前記ＳｉＯ_２層上にパターン形成された第１のサーミスタ薄膜と、
   前記Ａｌ_２Ｏ_３膜上にパターン形成され前記第１のサーミスタ薄膜と同一のサーミスタ材料の第２のサーミスタ薄膜と、
   前記第１のサーミスタ薄膜上に形成された一対の第１の電極と、
   前記第２のサーミスタ薄膜上に形成された一対の第２の電極とを備えていることを特徴とする赤外線検出センサ。
4. 基板上にＡｌ_２Ｏ_３膜を成膜する工程と、
   前記Ａｌ_２Ｏ_３膜上にＭｎ_３Ｏ_４−Ｃｏ_３Ｏ_４若しくはＭｎ_３Ｏ_４−Ｃｏ_３Ｏ_４−Ｆｅ_２Ｏ_３系の複合金属酸化物からなるサーミスタ薄膜を形成する工程とを有することを特徴とするサーミスタ薄膜の製造方法。
5. 請求項４に記載のサーミスタ薄膜の製造方法において、
   前記Ａｌ_２Ｏ_３膜を、スパッタ成膜で形成することを特徴とするサーミスタ薄膜の製造方法。
6. 請求項４又は５に記載のサーミスタ薄膜の製造方法において、
   前記サーミスタ薄膜をスパッタ成膜により膜厚０．０５〜０．３μｍの範囲内で形成した後、５５０℃〜６５０℃の温度で大気雰囲気中若しくは窒素と酸素との混合雰囲気中で熱処理することを特徴とするサーミスタ薄膜の製造方法。
7. Ｓｉ基板上に形成されたＳｉＯ_２層にＡｌ_２Ｏ_３膜をパターン成膜する工程と、
   Ｍｎ_３Ｏ_４−Ｃｏ_３Ｏ_４若しくはＭｎ_３Ｏ_４−Ｃｏ_３Ｏ_４−Ｆｅ_２Ｏ_３系の複合金属酸化物からなるサーミスタ薄膜を前記Ａｌ_２Ｏ_３膜上と前記ＳｉＯ_２層上とに同一のサーミスタ材料で第１のサーミスタ薄膜と第２のサーミスタ薄膜とをそれぞれパターン形成する工程と、
   前記第１のサーミスタ薄膜上に一対の第１の電極を形成する工程と、
   前記第２のサーミスタ薄膜上に一対の第２の電極を形成する工程とを有していることを特徴とする赤外線検出センサの製造方法。
   

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