JP2007109781A - サーミスタ薄膜及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 サーミスタ薄膜及びその製造方法において、エッチング法により高精度にパターニングされた薄膜を得ること。
【解決手段】 Si基板上のSiO2層又はAl2O3基板の基板2上にパターン形成されたMn3O4−Co3O4若しくはMn3O4−Co3O4−Fe2O3系の複合金属酸化物からなるサーミスタ薄膜1であって、HCl液をエッチング液としたエッチングによりパターン形成されている。これにより、リフトオフ法の場合に生じる薄膜端部の持ち上がり等がなく、高精度なパターン形状を得ることができる。したがって、パターニングされた本発明のサーミスタ薄膜1上に金属電極を形成しても、断線等の発生を抑制することができる。
【選択図】 図2
【解決手段】 Si基板上のSiO2層又はAl2O3基板の基板2上にパターン形成されたMn3O4−Co3O4若しくはMn3O4−Co3O4−Fe2O3系の複合金属酸化物からなるサーミスタ薄膜1であって、HCl液をエッチング液としたエッチングによりパターン形成されている。これにより、リフトオフ法の場合に生じる薄膜端部の持ち上がり等がなく、高精度なパターン形状を得ることができる。したがって、パターニングされた本発明のサーミスタ薄膜1上に金属電極を形成しても、断線等の発生を抑制することができる。
【選択図】 図2
Description
本発明は、例えば赤外線検出センサに用いられるサーミスタ薄膜及びその製造方法に関する。
近年、非接触で温度を測定できる赤外線検出素子の開発が盛んになってきている。この赤外線検出素子は、物体や人体から放出される微弱な赤外線を検出するのに用いられることが多く、高感度であることが要求される。この赤外線検出素子には、熱電対を直列に接続したサーモパイル型、特定材料の焦電効果を利用した焦電型、特定金属酸化物の抵抗率温度依存性を利用したサーミスタ型の三種類がある。
これらのうち、製品の微細化や高性能化、低価格化の潮流に乗った製品として、サーミスタ薄膜を半導体基板等上に形成し、各種配線等を施して赤外線検出センサを作製したものが注目され始めた。このサーミスタ薄膜を用いた赤外線検出センサの一般的な構造は、熱絶縁基板又は基板の上面に形成された熱絶縁膜と、熱絶縁基板又は熱絶縁膜の上面に形成されたサーミスタ薄膜と、サーミスタ薄膜の上面に形成された一対の電極と、から構成されている。
そして、この赤外線検出センサでは、照射された赤外線を受光してサーミスタ薄膜の温度が変化すると、サーミスタ薄膜の抵抗が変化するので、この抵抗変化を一対の電極で検出して赤外線を検知できるようになっている。
この場合に用いられるサーミスタ薄膜は、表面にSiO2層が形成されたSi基板(Si/SiO2基板)、アルミナ(Al2O3)基板又は石英基板等の絶縁基板上に形成されている。
従来、上記サーミスタ薄膜は、リフトオフ法又はエッチング法を用いたリソグラフィ技術により上記基板にパターン形成されたものが提案されている(特許文献1、2参照)。
この場合に用いられるサーミスタ薄膜は、表面にSiO2層が形成されたSi基板(Si/SiO2基板)、アルミナ(Al2O3)基板又は石英基板等の絶縁基板上に形成されている。
従来、上記サーミスタ薄膜は、リフトオフ法又はエッチング法を用いたリソグラフィ技術により上記基板にパターン形成されたものが提案されている(特許文献1、2参照)。
上記従来の技術には、以下の課題が残されている。
従来のサーミスタ薄膜のパターニング方法として、リフトオフ法によるものでは、図3の(a)に示すように、まず基板2上のサーミスタ薄膜をパターン形成する領域以外にレジスト膜11をパターン形成し、図3の(b)に示すように、さらにサーミスタ薄膜12を全面形成する。次に、図3の(c)に示すように、レジスト膜11を全て除去することにより、レジスト膜11上のサーミスタ薄膜12だけを除去して、レジスト膜11のない領域に形成されたサーミスタ薄膜12だけ残したパターニングを行う。このリフトオフ法では、図3の(c)に示すように、レジスト膜11の裾野上に形成されたサーミスタ薄膜12の端部12aが持ち上がり、結果的にその上に配線される金属電極が断線するおそれがあるという不都合があった。一方、エッチング法によるパターニング方法では、シリコン材料の場合に比べて複合金属酸化物であるサーミスタ薄膜についてエッチャント等のエッチング条件が未確立であった。
従来のサーミスタ薄膜のパターニング方法として、リフトオフ法によるものでは、図3の(a)に示すように、まず基板2上のサーミスタ薄膜をパターン形成する領域以外にレジスト膜11をパターン形成し、図3の(b)に示すように、さらにサーミスタ薄膜12を全面形成する。次に、図3の(c)に示すように、レジスト膜11を全て除去することにより、レジスト膜11上のサーミスタ薄膜12だけを除去して、レジスト膜11のない領域に形成されたサーミスタ薄膜12だけ残したパターニングを行う。このリフトオフ法では、図3の(c)に示すように、レジスト膜11の裾野上に形成されたサーミスタ薄膜12の端部12aが持ち上がり、結果的にその上に配線される金属電極が断線するおそれがあるという不都合があった。一方、エッチング法によるパターニング方法では、シリコン材料の場合に比べて複合金属酸化物であるサーミスタ薄膜についてエッチャント等のエッチング条件が未確立であった。
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、エッチング法により高精度にパターニングされたサーミスタ薄膜及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明のサーミスタ薄膜は、Si基板上のSiO2層又はAl2O3基板の上にパターン形成されたMn3O4−Co3O4若しくはMn3O4−Co3O4−Fe2O3系の複合金属酸化物からなるサーミスタ薄膜であって、HCl(塩酸)液をエッチング液としたエッチングによりパターン形成されていることを特徴とする。
また、本発明のサーミスタ薄膜の製造方法は、Si基板上のSiO2層又はAl2O3基板の上にMn3O4−Co3O4若しくはMn3O4−Co3O4−Fe2O3系の複合金属酸化物からなるサーミスタ薄膜を形成する工程と、前記サーミスタ薄膜上にレジスト膜をパターン形成する工程と、前記レジスト膜の覆われていない前記サーミスタ薄膜を、HCl液をエッチング液としてエッチング除去する工程と、前記エッチング除去後に前記レジスト膜を除去する工程と、を有することを特徴とする。
これらのサーミスタ薄膜及びその製造方法では、HCl液をエッチング液としたエッチングによりパターン形成されるので、リフトオフ法の場合に生じる薄膜端部の持ち上がり等がなく、高精度なパターン形状を得ることができる。したがって、パターニングされた本発明のサーミスタ薄膜上に金属電極を形成しても、断線等の発生を抑制することができる。
また、本発明のサーミスタ薄膜は、前記サーミスタ薄膜がスパッタ成膜により膜厚0.05〜0.3μmの範囲内で形成され、前記スパッタ成膜した後、550℃〜650℃の温度で大気雰囲気中若しくは窒素と酸素との混合雰囲気中で熱処理されたものであることを特徴とする。
また、本発明のサーミスタ薄膜の製造方法は、前記サーミスタ薄膜をスパッタ成膜により膜厚0.05〜0.3μmの範囲内で形成し、前記スパッタ成膜した後、550℃〜650℃の温度で大気雰囲気中若しくは窒素と酸素との混合雰囲気中で熱処理することを特徴とする。
また、本発明のサーミスタ薄膜の製造方法は、前記サーミスタ薄膜をスパッタ成膜により膜厚0.05〜0.3μmの範囲内で形成し、前記スパッタ成膜した後、550℃〜650℃の温度で大気雰囲気中若しくは窒素と酸素との混合雰囲気中で熱処理することを特徴とする。
すなわち、これらのサーミスタ薄膜及びその製造方法では、スパッタリングにより形成した上記膜厚範囲内のサーミスタ薄膜を上記条件で熱処理しているので、良質な結晶で構成されバルク・サーミスタと同等の電気特性(抵抗率やB定数等)を得ることができると共に高精度にパターニングされ、赤外線検出センサとして好適なパターニング薄膜を得ることができる。
本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明に係るサーミスタ薄膜及びその製造方法によれば、HCl液をエッチング液としたエッチングによりパターン形成されるので、リフトオフ法の場合に生じる薄膜端部の持ち上がり等がなく、高精度なパターン形状を得ることができる。したがって、本発明に係るサーミスタ薄膜を赤外線検出センサに用いれば、信頼性が高く高性能なセンサを得ることができる。
すなわち、本発明に係るサーミスタ薄膜及びその製造方法によれば、HCl液をエッチング液としたエッチングによりパターン形成されるので、リフトオフ法の場合に生じる薄膜端部の持ち上がり等がなく、高精度なパターン形状を得ることができる。したがって、本発明に係るサーミスタ薄膜を赤外線検出センサに用いれば、信頼性が高く高性能なセンサを得ることができる。
以下、本発明に係るサーミスタ薄膜及びその製造方法の一実施形態を、図1及び図2を参照しながら説明する。
本実施形態のサーミスタ薄膜1は、図1に示すように、Si基板上のSiO2層又はアルミナ(Al2O3)基板の基板2上に直接スパッタ成膜で形成された(Mn,Co)3O4若しくは(Mn,Co,Fe)3O4のスピネル構造の複合金属酸化物膜である。また、このサーミスタ薄膜1は、膜厚が0.05〜0.3μmでスパッタ成膜されたものであり、HCl液をエッチング液としたエッチングによりパターン形成されたものである。
上記MnとCoとのモル比は、4:6程度が適当であり、Feを含む場合、Mn:Co:Feのモル比は、(20〜60):(2〜65):(9〜40)程度が適当である。このサーミスタ薄膜1は、半導体の性状を呈し、温度が上昇すると抵抗が低くなる負特性、いわゆるNTCサーミスタ(Negative Temperature Coefficient Themistor)の性質を有する。
次に、本実施形態のサーミスタ薄膜1の製造方法及びこれを用いた赤外線検出センサの作製方法について説明する。
まず、基板2上の全面に、図2の(a)に示すように、所定のスパッタ条件で上記複合金属酸化物膜を上記膜厚範囲内で成膜した後に、後述する熱処理を行ってサーミスタ薄膜1を形成する。
一般に、複合金属酸化物であるサーミスタ薄膜は、成膜後所定の熱処理を施すことにより、赤外線検出センサ用に適した電気特性を発揮するようになる。本実施形態では、基板2上にMn3O4−Co3O4(40mol%:60mol%)の複合金属酸化物膜をスパッタにより上記膜厚範囲内で成膜し、1時間の熱処理を施して形成している。なお、スパッタ成膜条件として、例えば本実施形態では、雰囲気圧力10mTorr、アルゴン流量50SCCM及び高周波電力150Wの印加で成膜を行う。
一般に、複合金属酸化物であるサーミスタ薄膜は、成膜後所定の熱処理を施すことにより、赤外線検出センサ用に適した電気特性を発揮するようになる。本実施形態では、基板2上にMn3O4−Co3O4(40mol%:60mol%)の複合金属酸化物膜をスパッタにより上記膜厚範囲内で成膜し、1時間の熱処理を施して形成している。なお、スパッタ成膜条件として、例えば本実施形態では、雰囲気圧力10mTorr、アルゴン流量50SCCM及び高周波電力150Wの印加で成膜を行う。
また、上記熱処理は、大気雰囲気中若しくは窒素と酸素との混合雰囲気中で、かつ600℃±50℃(550℃〜650℃)の温度範囲で熱処理を行っている。この熱処理の際には、昇温速度を8〜12℃/minとし、降温速度を2〜6℃/minとしている。上記熱処理の温度を上記範囲に設定しているのは、バルク・サーミスタと同レベルの電気特性を得ることができる良好な膜質を得るためである。
すなわち、本実施形態における赤外線検出センサ用のサーミスタ薄膜1の電気特性は、バルク・サーミスタのレベルと同様に、抵抗率は3.5kΩ・cm以下2.0kΩ・cm程度の範囲で、B定数はB25/50値で3500〜3600K程度となる。
また、上記熱処理の昇温及び降温温度を上記範囲に設定しているのは、上記設定範囲を外れると、熱処理効率が悪くなるほか、熱応力が発生して良質なサーミスタ薄膜1を得ることができないためである。
また、上記熱処理の昇温及び降温温度を上記範囲に設定しているのは、上記設定範囲を外れると、熱処理効率が悪くなるほか、熱応力が発生して良質なサーミスタ薄膜1を得ることができないためである。
サーミスタ薄膜1の膜厚を0.3μm以下に抑えたのは、サーミスタとして必要な電気特性を得るための600℃の熱処理温度に耐えて、機械的強度の良好なサーミスタ薄膜1を得るである。また、サーミスタ薄膜1の膜厚を0.05μm以上にしたのは、(Mn,Co)3O4若しくは(Mn,Co,Fe)3O4のスピネル構造の複合金属酸化物膜で、均一で良好な膜質を得るためである。なお、サーミスタ薄膜1の膜厚を0.05μm未満の極めて薄い設定にすると、サーミスタ薄膜の自己発熱が顕著になり、検出精度に大きく影響するため、0.05μm以上の膜厚とすることが好ましい。
次に、サーミスタ薄膜1上にフォトレジスト膜3を全面形成した後、図2の(b)に示すように、サーミスタとして供されるサーミスタ薄膜1のパターン領域だけを残してフォトリソグラフィ技術によってフォトレジスト膜3をパターニングする。
さらに、フォトレジスト膜3の覆われていない領域のサーミスタ薄膜1を、HCl(塩酸)液をエッチング液としてエッチング除去する。なお、この際、基板2(Si基板上のSiO2層又はアルミナ基板)は、エッチングストッパとして機能する。次に、図2の(c)に示すように、フォトレジスト膜3を除去することにより、パターニングされたサーミスタ薄膜1を得ることができる。
最後に、パターニングされたサーミスタ薄膜1上に電気抵抗測定用の電極を配線し、必要に応じて保護膜や赤外線吸収膜等を順次積層することで、赤外線検出センサが作製される。
最後に、パターニングされたサーミスタ薄膜1上に電気抵抗測定用の電極を配線し、必要に応じて保護膜や赤外線吸収膜等を順次積層することで、赤外線検出センサが作製される。
このように本実施形態では、HCl液をエッチング液としたエッチングによりサーミスタ薄膜1がパターン形成されるので、リフトオフ法の場合に生じる薄膜端部の持ち上がり等がなく、高精度なパターンを得ることができる。したがって、パターニングされたサーミスタ薄膜1上に金属電極を形成しても、断線等の発生を抑制することができる。
また、スパッタリングにより形成した上記膜厚範囲内のサーミスタ薄膜1を上記条件で熱処理しているので、良質な結晶で構成されバルク・サーミスタと同等の電気特性(抵抗率やB定数等)を得ることができると共に高精度にパターニングされ、赤外線検出センサとして好適なパターニング薄膜1を得ることができる。
また、スパッタリングにより形成した上記膜厚範囲内のサーミスタ薄膜1を上記条件で熱処理しているので、良質な結晶で構成されバルク・サーミスタと同等の電気特性(抵抗率やB定数等)を得ることができると共に高精度にパターニングされ、赤外線検出センサとして好適なパターニング薄膜1を得ることができる。
次に、本発明に係るサーミスタ薄膜を上記製造方法で作製した実施例を、図4及び図5を参照して具体的に説明する。
Si基板のSiO2層上に直接スパッタ成膜でサーミスタ薄膜を形成し、上記製法により実際にパターン形成した際のサーミスタ薄膜端部における断面TEM写真を、図4及び図5に示す。なお、本実施例では、サーミスタ薄膜のパターン形成後に櫛形電極として金属二層膜を形成したサンプルの写真を図4及び図5に示す。この金属二層膜は、Cr膜を下地層として表面にスパッタリングによって形成し、さらにCr膜上にAu層を積層して成膜したものである。また、Au層上には、TEM観察時の補強として保護膜を形成している。
Si基板のSiO2層上に直接スパッタ成膜でサーミスタ薄膜を形成し、上記製法により実際にパターン形成した際のサーミスタ薄膜端部における断面TEM写真を、図4及び図5に示す。なお、本実施例では、サーミスタ薄膜のパターン形成後に櫛形電極として金属二層膜を形成したサンプルの写真を図4及び図5に示す。この金属二層膜は、Cr膜を下地層として表面にスパッタリングによって形成し、さらにCr膜上にAu層を積層して成膜したものである。また、Au層上には、TEM観察時の補強として保護膜を形成している。
なお、上記各積層の膜厚は、Au層が0.3μm、Cr膜が0.1μm、サーミスタ薄膜が0.2μm、SiO2層が1.5μmに設定されている。
この図4及び図5の断面TEM写真から、従来のリフト・オフ時に見られた様なサーミスタ薄膜端部の持ち上がりは無く、サーミスタ薄膜上の金属電極(Cr膜/Au層)は段差箇所を良好に連続してつながっていることが判る。
この図4及び図5の断面TEM写真から、従来のリフト・オフ時に見られた様なサーミスタ薄膜端部の持ち上がりは無く、サーミスタ薄膜上の金属電極(Cr膜/Au層)は段差箇所を良好に連続してつながっていることが判る。
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記エッチングによるサーミスタ薄膜1のパターニングは、熱処理の後に行っているが、熱処理の前に行っても構わない。
例えば、上記エッチングによるサーミスタ薄膜1のパターニングは、熱処理の後に行っているが、熱処理の前に行っても構わない。
1…サーミスタ薄膜、2…基板、3…フォトレジスト膜
Claims (4)
- Si基板上のSiO2層又はAl2O3基板の上にパターン形成されたMn3O4−Co3O4若しくはMn3O4−Co3O4−Fe2O3系の複合金属酸化物からなるサーミスタ薄膜であって、
HCl液をエッチング液としたエッチングによりパターン形成されていることを特徴とするサーミスタ薄膜。 - 請求項1に記載のサーミスタ薄膜において、
前記サーミスタ薄膜がスパッタ成膜により膜厚0.05〜0.3μmの範囲内で形成され、
前記スパッタ成膜した後、550℃〜650℃の温度で大気雰囲気中若しくは窒素と酸素との混合雰囲気中で熱処理されたものであることを特徴とするサーミスタ薄膜。 - Si基板上のSiO2層又はAl2O3基板の上にMn3O4−Co3O4若しくはMn3O4−Co3O4−Fe2O3系の複合金属酸化物からなるサーミスタ薄膜を形成する工程と、
前記サーミスタ薄膜上にレジスト膜をパターン形成する工程と、
前記レジスト膜の覆われていない前記サーミスタ薄膜を、HCl液をエッチング液としてエッチング除去する工程と、
前記エッチング除去後に前記レジスト膜を除去する工程と、を有することを特徴とするサーミスタ薄膜の製造方法。 - 請求項3に記載のサーミスタ薄膜の製造方法において、
前記サーミスタ薄膜をスパッタ成膜により膜厚0.05〜0.3μmの範囲内で形成し、
前記スパッタ成膜した後、550℃〜650℃の温度で大気雰囲気中若しくは窒素と酸素との混合雰囲気中で熱処理することを特徴とするサーミスタ薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
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JP2005297545A JP2007109781A (ja) | 2005-10-12 | 2005-10-12 | サーミスタ薄膜及びその製造方法 |
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2005
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Legal Events
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