JPH03131002A - 抵抗温度センサ - Google Patents
抵抗温度センサInfo
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- JPH03131002A JPH03131002A JP26811289A JP26811289A JPH03131002A JP H03131002 A JPH03131002 A JP H03131002A JP 26811289 A JP26811289 A JP 26811289A JP 26811289 A JP26811289 A JP 26811289A JP H03131002 A JPH03131002 A JP H03131002A
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- temperature sensor
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- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、Ｓｇ温度センサに関するもので、ニッケル、
クロムの金属皮膜を感温膜として用いた抵抗温度センサ
を提供するものである。
クロムの金属皮膜を感温膜として用いた抵抗温度センサ
を提供するものである。
従来の４膜を用いた抵抗温度センサは絶縁基板上に所望
の組成比の合金又は単一金属を着膜しこれを熱処理する
事により所望の抵抗温度係数を得ていた。
の組成比の合金又は単一金属を着膜しこれを熱処理する
事により所望の抵抗温度係数を得ていた。
〔この発明が解決しようとしている問題点〕前述の製造
方法では熱処理により抵抗温度係数を制御出来る範囲が
限定され各種の抵抗温度係数が必要な場合にはそれぞれ
着膜する材料の組成比を変える必要があった。
方法では熱処理により抵抗温度係数を制御出来る範囲が
限定され各種の抵抗温度係数が必要な場合にはそれぞれ
着膜する材料の組成比を変える必要があった。
本発明は、ニッケル、クロムを層状に着膜しこれを熱処
理温度によりニッケルークロム間での拡散を制御し任意
の抵抗温度係数の抵抗温度センサを提供するものである
。
理温度によりニッケルークロム間での拡散を制御し任意
の抵抗温度係数の抵抗温度センサを提供するものである
。
〔実施例１〕
本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は本発明による抵抗温度センサの構成の南面図で
ある。
ある。
図１において厚さＱ、４ｍｍのアルミナ磁器基板を絶縁
基体とし、その表面に真空蒸着法にてクロムを３８０八
披着した。続いてニッケルを８６２０人波着し感温膜を
得た。
基体とし、その表面に真空蒸着法にてクロムを３８０八
披着した。続いてニッケルを８６２０人波着し感温膜を
得た。
この該層状Ｒ膜体をアルゴンガス中で４００℃１時間の
熱処理を施し感温膜とした。
熱処理を施し感温膜とした。
この感温膜をフォトエツチングにより第２図に示すよう
なパタンを形成した。
なパタンを形成した。
さらに第３図に示す構造の電極と保護膜をつけ抵抗温度
センサを得た。
センサを得た。
との覆膜抵抗温度センサの抵抗温度係数は４０００ ｐ
ｐｍ／’Ｃであった。
ｐｍ／’Ｃであった。
本実施例における熱処理雰囲気は真空中あるいはアルゴ
ンガス以外の不活性ガス中でもよい。
ンガス以外の不活性ガス中でもよい。
〔実施例２〕
本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は本発明による抵抗温度センサの構成の断面図で
ある。
ある。
図１において厚さ０．４ｍｍのアルミナ磁器基板を絶縁
基体とし、その表面に真空蒸着法にてクロムを３８０人
被潰した。続いてニッケルを８６２０人波着し感温膜を
得た。
基体とし、その表面に真空蒸着法にてクロムを３８０人
被潰した。続いてニッケルを８６２０人波着し感温膜を
得た。
この該層状着膜体をアルゴンガス中で５００℃１時間の
熱処理を施し感温膜とした。
熱処理を施し感温膜とした。
この感温膜をフォトエツチングにより第２図に示すよう
なパタンを形成した。
なパタンを形成した。
さらに第３図に示す構造の！！極と保Ｎ膜をつけ抵抗温
度センサを得た。
度センサを得た。
この薄膜抵抗温度センサの抵抗温度係数は１７０ｏｐｐ
ｆｆｉ／℃であった。
ｆｆｉ／℃であった。
本実施例における熱処理雰囲気は真空中あるいはアルゴ
ンガス以外の不活性ガス中でもよい。
ンガス以外の不活性ガス中でもよい。
〔実施例３〕
本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は本発明による抵抗温度センサの構成の断面図で
ある。
ある。
図１において厚さＱ、４ｍｍのアルミナ磁器基板を絶縁
基体とし、その表面に真空蒸着法にてクロムを３８０人
被潰した。続いてニッケルを８６２０人波着し感温膜を
得た。
基体とし、その表面に真空蒸着法にてクロムを３８０人
被潰した。続いてニッケルを８６２０人波着し感温膜を
得た。
この該層状着膜体をアルゴンガス中で７００℃１時間の
熱処理を施し感温膜とした。
熱処理を施し感温膜とした。
この感温膜をフォトエツチングにより第２図に示すよう
なパタンを形成した。
なパタンを形成した。
さらに第３図に示す構造の電極と保Ｆ！膜をつけ抵抗温
度センサを得た。
度センサを得た。
この薄膜抵抗温度センサの抵抗温度係数は２５０ ｐｐ
ｍ／’Ｃであった。
ｍ／’Ｃであった。
本実施例における熱処理雰囲気は真空中あるいはアルゴ
ンガス以外の不活性ガス中でもよい。
ンガス以外の不活性ガス中でもよい。
実施例１．２．３、において説明した熱処理温度、時間
と温度係数の関係を図４に示します。
と温度係数の関係を図４に示します。
前記の製造方法で熱処理温度を変化させて作成した抵抗
温度センサの２５°Ｃ−６５℃の抵抗温度係数と熱処理
温度の関係を図４に示した。
温度センサの２５°Ｃ−６５℃の抵抗温度係数と熱処理
温度の関係を図４に示した。
図４で明らかなように本発明の製造方法によれば１種類
の着膜基板で多種類の抵抗温度係数の抵抗温度センサを
得ることができる。
の着膜基板で多種類の抵抗温度係数の抵抗温度センサを
得ることができる。
ここで抵抗温度係数（ＴＣＲ）は
ＴＣＲ（２２１７℃）−Ｒ６５−Ｒ２５１Ｒ２，×
汀（×ＩＯ。
汀（×ＩＯ。
Ｒａｓ：６５℃の抵抗値
Ｒ２も ： ２５℃の抵抗値
である。
ｍ１図は１本発明による抵抗温度センサの構成図、第２
図は感温膜の構造図であり、第３図は抵抗温度センサの
構造図である。 また第４図は本実施例により作成した抵抗温度センサの
ＴＣＲと熱処理温度の関係を図示したものである。 各図中の各符号は次の各構成を示す。 １： 絶２ぶ基板 クロム薄膜 ニッケル薄膜 ニッケル、 クロム薄膜 電極 保護塗装 置 第１ 図 第３０
図は感温膜の構造図であり、第３図は抵抗温度センサの
構造図である。 また第４図は本実施例により作成した抵抗温度センサの
ＴＣＲと熱処理温度の関係を図示したものである。 各図中の各符号は次の各構成を示す。 １： 絶２ぶ基板 クロム薄膜 ニッケル薄膜 ニッケル、 クロム薄膜 電極 保護塗装 置 第１ 図 第３０
Claims (1)
- 絶縁基板上にニッケル、クロムの薄膜を層状に形成し
、熱処理により任意の抵抗温度係数を得ることを特徴と
した抵抗温度センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26811289A JPH03131002A (ja) | 1989-10-17 | 1989-10-17 | 抵抗温度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26811289A JPH03131002A (ja) | 1989-10-17 | 1989-10-17 | 抵抗温度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03131002A true JPH03131002A (ja) | 1991-06-04 |
Family
ID=17454059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26811289A Pending JPH03131002A (ja) | 1989-10-17 | 1989-10-17 | 抵抗温度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03131002A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03212903A (ja) * | 1990-01-18 | 1991-09-18 | Onoda Cement Co Ltd | 薄膜測温抵抗体の製造方法 |
| US7012499B2 (en) * | 2003-06-02 | 2006-03-14 | International Business Machines Corporation | Method of fabrication of thin film resistor with 0 TCR |
| US8118485B2 (en) * | 2008-09-04 | 2012-02-21 | AGlobal Tech, LLC | Very high speed thin film RTD sandwich |
| WO2021065502A1 (ja) * | 2019-10-01 | 2021-04-08 | 日東電工株式会社 | 導電フィルムおよび温度センサフィルム |
-
1989
- 1989-10-17 JP JP26811289A patent/JPH03131002A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03212903A (ja) * | 1990-01-18 | 1991-09-18 | Onoda Cement Co Ltd | 薄膜測温抵抗体の製造方法 |
| US7012499B2 (en) * | 2003-06-02 | 2006-03-14 | International Business Machines Corporation | Method of fabrication of thin film resistor with 0 TCR |
| US8118485B2 (en) * | 2008-09-04 | 2012-02-21 | AGlobal Tech, LLC | Very high speed thin film RTD sandwich |
| WO2021065502A1 (ja) * | 2019-10-01 | 2021-04-08 | 日東電工株式会社 | 導電フィルムおよび温度センサフィルム |
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