JPS58132A - 酸化物ガラス薄膜の形成方法 - Google Patents
酸化物ガラス薄膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS58132A JPS58132A JP56097427A JP9742781A JPS58132A JP S58132 A JPS58132 A JP S58132A JP 56097427 A JP56097427 A JP 56097427A JP 9742781 A JP9742781 A JP 9742781A JP S58132 A JPS58132 A JP S58132A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- target
- sputtering
- melting point
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
- C23C14/0036—Reactive sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
いて析出レートが大きく，組成が任意に選択できる酸化
物ガラス薄膜の形成方法に関する。
物ガラス薄膜の形成方法に関する。
低融点酸化物ガラスは拠成集積回路のセライツク基板の
グレーズ用、薄膜・厚膜集積回路の層間絶縁膜、工０．
Ｌ８工等の表面保護膜等として広く使用され、これらの
膜形成法には、（１）沈澱法、（―）電気泳動法、（■
）塗布法などＫよって上記ガラスの微粉末を堆積し、し
かるのち加熱焼成して上記ガラス膜をうる方法が用いら
れている。この方法では、薄い一様な膜を得ることは困
難でちる。膜の所望の組成をうるＫは、それに応じた組
成よシなる原料粉末を用意する必要がある。
グレーズ用、薄膜・厚膜集積回路の層間絶縁膜、工０．
Ｌ８工等の表面保護膜等として広く使用され、これらの
膜形成法には、（１）沈澱法、（―）電気泳動法、（■
）塗布法などＫよって上記ガラスの微粉末を堆積し、し
かるのち加熱焼成して上記ガラス膜をうる方法が用いら
れている。この方法では、薄い一様な膜を得ることは困
難でちる。膜の所望の組成をうるＫは、それに応じた組
成よシなる原料粉末を用意する必要がある。
上記の形成方法に代る方法としてスパッタ法がある。こ
の方法では、所望の低融点酸化物ガラスよシなるターゲ
ットを用意し、ＲＦスパッタリングによって基板表面に
ガラス薄膜を析出せしめる方法であシ、薄い膜厚の形成
には適しているが、大きなスパッタレートが得られない
゛とかターゲットが熱的Ｖｉｉツクに対してもろいため
破損しやすい、あるいは同一ターゲットを用いて異なる
組成のガラス膜を得ることは国難である勢の欠点があつ
九。
の方法では、所望の低融点酸化物ガラスよシなるターゲ
ットを用意し、ＲＦスパッタリングによって基板表面に
ガラス薄膜を析出せしめる方法であシ、薄い膜厚の形成
には適しているが、大きなスパッタレートが得られない
゛とかターゲットが熱的Ｖｉｉツクに対してもろいため
破損しやすい、あるいは同一ターゲットを用いて異なる
組成のガラス膜を得ることは国難である勢の欠点があつ
九。
本発明は、これらの欠点を解決する丸め、所望の低融点
酸化物ガラスの素材よシなる複数のターゲットを用い、
酸素を會むスパッタガス中で反応性スパッタを含むスパ
ッタ法によ）上記低融点酸化物ガラスの薄膜を形成する
方法を提供しようとするものである。
酸化物ガラスの素材よシなる複数のターゲットを用い、
酸素を會むスパッタガス中で反応性スパッタを含むスパ
ッタ法によ）上記低融点酸化物ガラスの薄膜を形成する
方法を提供しようとするものである。
次に本発明の実施例を添附図面を用いて説明する。
次に本発明を用いてｐｂｏ −ａｔｏ、系の２元系鉛ガ
ラス薄膜を形成する丸めの実施例を以下に説明する。
ラス薄膜を形成する丸めの実施例を以下に説明する。
第１図は本発明のスパッタ法に用いゐＲＦスパッタ装置
の概念図であり、本発明の主要点を明確にするためにス
パッタ装置として必要な機能の細部は省略されている。
の概念図であり、本発明の主要点を明確にするためにス
パッタ装置として必要な機能の細部は省略されている。
この実施例では２個のターゲットを用いる。１は低融点
酸化物ガラスの素材であるＰｂよシなる非酸化物ターゲ
ット、２は同様に素材である８１０．よシなる□酸化物
ターゲットであり、両者はスパッタにおける析出が互に
じょう乱を及ぼさない範囲で基板ホールダの回シの任意
の位置に設置できる。３は基板ホールダでほぼ筒軸６０
回シに回転する機構を具備している。４は基板であシ、
例えば加工途上のシリコンウェハ等が考えられる。ここ
でいう素材とは低融点酸化物ガラスを構成する元素であ
って、単体元素あるいは複数個の元素よシなる混合体あ
るいは化合物を意味する。
酸化物ガラスの素材であるＰｂよシなる非酸化物ターゲ
ット、２は同様に素材である８１０．よシなる□酸化物
ターゲットであり、両者はスパッタにおける析出が互に
じょう乱を及ぼさない範囲で基板ホールダの回シの任意
の位置に設置できる。３は基板ホールダでほぼ筒軸６０
回シに回転する機構を具備している。４は基板であシ、
例えば加工途上のシリコンウェハ等が考えられる。ここ
でいう素材とは低融点酸化物ガラスを構成する元素であ
って、単体元素あるいは複数個の元素よシなる混合体あ
るいは化合物を意味する。
Ｒ？スパッタ方式は！グネトロンｊｉＲ？スパッタ方式
などの全知のスパッタ方式を用いることが可能であシ、
反応性スパッタとするためにスパッタガスとしての雰囲
気ガスは酸素（０，）を流量比で数−以上含むことが必
要である。典型的な例として酸素ガスとアルゴン（ムｒ
）ガスの混合ガスが考えられ、流量として１Ｇ −１０
０ｇｏＯＭの範囲で選択できる。
などの全知のスパッタ方式を用いることが可能であシ、
反応性スパッタとするためにスパッタガスとしての雰囲
気ガスは酸素（０，）を流量比で数−以上含むことが必
要である。典型的な例として酸素ガスとアルゴン（ムｒ
）ガスの混合ガスが考えられ、流量として１Ｇ −１０
０ｇｏＯＭの範囲で選択できる。
反応性スパッタによってＰｂターゲッ）１からは鉛酸化
物典臘的にはＰｂＯなる第１種の成分が析出し、非反応
性スパッタによって１１１ターゲツト２からはシリコン
酸化物典型的にはｓｌｏ、なる第２種の成分が基板４０
表面に析出する。反応性スパッタによって析出するＰｂ
Ｏと非反応性スパッタによって析出する８１０１のスパ
ッタレートは主としてそれぞれのターゲットに投入する
ｍｙ電力によって決まる。
物典臘的にはＰｂＯなる第１種の成分が析出し、非反応
性スパッタによって１１１ターゲツト２からはシリコン
酸化物典型的にはｓｌｏ、なる第２種の成分が基板４０
表面に析出する。反応性スパッタによって析出するＰｂ
Ｏと非反応性スパッタによって析出する８１０１のスパ
ッタレートは主としてそれぞれのターゲットに投入する
ｍｙ電力によって決まる。
一方、基板ホールダ３はホールダの中心軸５０回りに５
〜２０ｒｐｍで回転しているため、基板４０表面上に＃
′１ＰｂＯと８１０．が交互に析出し、膜厚数１０１〜
数１００１からなる両層の層構造を有する薄膜が形成さ
れる。ここで、ｐｂｏと８１０．の組成比は、所望の組
成比（応じてＰｔ）ターゲラ）１と８１０．ターゲット
２へ投入するＲ１電力を調整するととくよって得られる
。
〜２０ｒｐｍで回転しているため、基板４０表面上に＃
′１ＰｂＯと８１０．が交互に析出し、膜厚数１０１〜
数１００１からなる両層の層構造を有する薄膜が形成さ
れる。ここで、ｐｂｏと８１０．の組成比は、所望の組
成比（応じてＰｔ）ターゲラ）１と８１０．ターゲット
２へ投入するＲ１電力を調整するととくよって得られる
。
このようにして所望の組成比と所望の膜厚よりなるｐｂ
ｏと８１０．との層構造の薄膜が得られ、これを概ねｓ
ｏｏ”ｏ以上の温度にて約３０分１１度焼成するととＫ
よシ層構造の薄膜は反応しガラス化が完了し、所望のＰ
ｂＯ−８１０，ｊｌ＆の低融点酸化物ガラス薄膜が得ら
れる。このガラス化Ｍｌｌｅｔｐｂｏと８１０３の酸化
物の析出時に基ｇ ＠ｏｏ＠ｏ ６度とするととによっ
ても実現される。
ｏと８１０．との層構造の薄膜が得られ、これを概ねｓ
ｏｏ”ｏ以上の温度にて約３０分１１度焼成するととＫ
よシ層構造の薄膜は反応しガラス化が完了し、所望のＰ
ｂＯ−８１０，ｊｌ＆の低融点酸化物ガラス薄膜が得ら
れる。このガラス化Ｍｌｌｅｔｐｂｏと８１０３の酸化
物の析出時に基ｇ ＠ｏｏ＠ｏ ６度とするととによっ
ても実現される。
以上に、実施例として非酸化物ターゲットと酸化物ター
ゲットよシなる雪個のスパッタターゲットを用意して交
互に第１１１Ｏ成分と第２種の成分である酸化物をそれ
ぞれスパッタして析出する例を示したが、本発明の主旨
内におい上程々の変形が考えられる１例えば１個のター
ゲットを２分割して１部をｓｉｏ、とし、残〉をＰｂと
し同時Ｋ ＰｂＯと８１０．との混合物を基板上に析出
することも可能である。この場合には、必ずしも基板ホ
ールダを回転させる必要はない。上記Ｏ実施例において
は８１０、ターゲットとｙｂメタ−ットを用いた場合に
ついて説明したが、ｓ１０□０代）に例えばｌｉｉター
ゲットとＰｂターゲットを用い、つｔ、ｂ複数の互に組
成の異なゐ非酸化物ターゲットを用い、酸素雰囲気中に
おける反応性スパッタのみによって複数の第１種の成分
である酸化物を同時あるいは交互に形成することも可能
であることは明らかである、この場合は薄膜の形成に要
する時間を短かくすることができる。
ゲットよシなる雪個のスパッタターゲットを用意して交
互に第１１１Ｏ成分と第２種の成分である酸化物をそれ
ぞれスパッタして析出する例を示したが、本発明の主旨
内におい上程々の変形が考えられる１例えば１個のター
ゲットを２分割して１部をｓｉｏ、とし、残〉をＰｂと
し同時Ｋ ＰｂＯと８１０．との混合物を基板上に析出
することも可能である。この場合には、必ずしも基板ホ
ールダを回転させる必要はない。上記Ｏ実施例において
は８１０、ターゲットとｙｂメタ−ットを用いた場合に
ついて説明したが、ｓ１０□０代）に例えばｌｉｉター
ゲットとＰｂターゲットを用い、つｔ、ｂ複数の互に組
成の異なゐ非酸化物ターゲットを用い、酸素雰囲気中に
おける反応性スパッタのみによって複数の第１種の成分
である酸化物を同時あるいは交互に形成することも可能
であることは明らかである、この場合は薄膜の形成に要
する時間を短かくすることができる。
壕九さらＫ、この実施例は２種の素材よシなる低融点酸
化物ガラスの例を示し九が、３種以上の木材よりなる低
融点酸化物ガラス薄膜について、２個以上のターゲット
を用い本発明により形成できることは明らかである。
化物ガラスの例を示し九が、３種以上の木材よりなる低
融点酸化物ガラス薄膜について、２個以上のターゲット
を用い本発明により形成できることは明らかである。
以上説明したように、低融点酸化物ガラスの素材よシな
るｐｂスパッタターゲットなる非酸化物ターゲットと８
１０．スパッタターゲットなる酸化物ターゲットとよ）
なる２個のターゲットを用いて、績素を含む雰囲気ガス
中におけるスパッタ法によ）上記低融点酸化物ガラス薄
膜の形成方法には以下のような利点がある。すなわち、
上記ターゲットは、所望のｐｂｏ −ｓｉｏ、系ガラス
よシなるターゲットに比較し、耐熱性と耐熱衝撃性ある
いはけん生性に優れている丸め、よシ大きなＲν電力を
スパッタターゲラ）Ｋ投入することができる。その結果
、大きなスパッタレートが得られるという利点がある。
るｐｂスパッタターゲットなる非酸化物ターゲットと８
１０．スパッタターゲットなる酸化物ターゲットとよ）
なる２個のターゲットを用いて、績素を含む雰囲気ガス
中におけるスパッタ法によ）上記低融点酸化物ガラス薄
膜の形成方法には以下のような利点がある。すなわち、
上記ターゲットは、所望のｐｂｏ −ｓｉｏ、系ガラス
よシなるターゲットに比較し、耐熱性と耐熱衝撃性ある
いはけん生性に優れている丸め、よシ大きなＲν電力を
スパッタターゲラ）Ｋ投入することができる。その結果
、大きなスパッタレートが得られるという利点がある。
ま九、ＰｂＴｏるいは８１０．ターゲットによるスパッ
タレート社、 Ｐｔ＋Ｏ−８１０，系の酸化物のスパッ
タレートよシもかな〕大きい。さらにまたガラス薄膜の
組成についてｐｂｏと８１０．の所望の組成比を得る九
めに、その都度スパッタターゲットを交換する必要はな
く、８つのスパッタターゲットつｔＪ）Ｆｋスパッタタ
ーゲットと８１０３スノ（ツタターゲットに投入すべ＠
ｍｙ電力を調整することにより、スパッタレートを調
整し、所望の組成比の薄膜が形成できるという利点があ
る。上記の利点は、３種以上の成分よりなる低融点酸化
物ガラスについて、３個以上のターゲットを用いた場合
においても、同様に成り立つことはいうまでもない。
タレート社、 Ｐｔ＋Ｏ−８１０，系の酸化物のスパッ
タレートよシもかな〕大きい。さらにまたガラス薄膜の
組成についてｐｂｏと８１０．の所望の組成比を得る九
めに、その都度スパッタターゲットを交換する必要はな
く、８つのスパッタターゲットつｔＪ）Ｆｋスパッタタ
ーゲットと８１０３スノ（ツタターゲットに投入すべ＠
ｍｙ電力を調整することにより、スパッタレートを調
整し、所望の組成比の薄膜が形成できるという利点があ
る。上記の利点は、３種以上の成分よりなる低融点酸化
物ガラスについて、３個以上のターゲットを用いた場合
においても、同様に成り立つことはいうまでもない。
第１図は本発明のスパッタ法におけるＲ１スノ（ツタ装
置の一実施例の概念図を示す。
置の一実施例の概念図を示す。
Claims (2)
- （１）少なくとも１個の非酸化物ターゲット及び酸化物
ターゲットを含む複数のターゲットを用い、酸素を含む
雰−気ガス中におけるスパッタ法によって、前記の非酸
化物ターゲットから得られる第１種の成分と、前記の酸
化物ターゲットから得られる第２種の成分とを基板上に
、同時あるいは交互に形成する工程を含むことを特徴と
する酸化物ガラス薄膜の形成／を清。 - （２）酸素を含む雰囲気ガス中におけるスパッタ法によ
って、複数の互に組成の異なる非酸化物ターゲットから
得られる複数の成分を基板上に、同時あるいは交互に形
成する工程を含むことを特徴とする酸化物ガラス薄膜の
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56097427A JPS58132A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 酸化物ガラス薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56097427A JPS58132A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 酸化物ガラス薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58132A true JPS58132A (ja) | 1983-01-05 |
Family
ID=14192108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56097427A Pending JPS58132A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 酸化物ガラス薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58132A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6027132A (ja) * | 1983-07-25 | 1985-02-12 | Mitsubishi Electric Corp | 絶縁膜の形成方法 |
| JPH01270322A (ja) * | 1988-04-22 | 1989-10-27 | Sony Corp | 絶縁膜の形成方法 |
| JPH03193633A (ja) * | 1989-12-19 | 1991-08-23 | Reiko Co Ltd | ガラス質の膜状スペーサー |
| CN105347658A (zh) * | 2015-11-03 | 2016-02-24 | 永定县益鑫机械制造有限公司 | 玻璃圆片成型机 |
-
1981
- 1981-06-25 JP JP56097427A patent/JPS58132A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6027132A (ja) * | 1983-07-25 | 1985-02-12 | Mitsubishi Electric Corp | 絶縁膜の形成方法 |
| JPH0239860B2 (ja) * | 1983-07-25 | 1990-09-07 | Mitsubishi Electric Corp | |
| JPH01270322A (ja) * | 1988-04-22 | 1989-10-27 | Sony Corp | 絶縁膜の形成方法 |
| JPH03193633A (ja) * | 1989-12-19 | 1991-08-23 | Reiko Co Ltd | ガラス質の膜状スペーサー |
| CN105347658A (zh) * | 2015-11-03 | 2016-02-24 | 永定县益鑫机械制造有限公司 | 玻璃圆片成型机 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5196101A (en) | Deposition of thin films of multicomponent materials | |
| JPS6314841B2 (ja) | ||
| EP0245900A2 (en) | Layered film resistor with high resistance and high stability | |
| JPS647483B2 (ja) | ||
| US3669724A (en) | Method of vapor depositing a tungsten-tungsten oxide coating | |
| JPS58132A (ja) | 酸化物ガラス薄膜の形成方法 | |
| US4397915A (en) | Electrical resistor material, resistor made therefrom and method of making the same | |
| JPH03274607A (ja) | 誘電体組成物 | |
| JP2539214B2 (ja) | ガラスセラミツクスおよびその製造方法 | |
| KR101812947B1 (ko) | 볼로미터용 저항 박막 제조방법, 이에 의해서 제조된 볼로미터용 저항 박막 및 볼로미터 제조방법 | |
| JPH03131002A (ja) | 抵抗温度センサ | |
| US3382100A (en) | Rhenium thin film resistors | |
| JP5118276B2 (ja) | 半導体装置用ゲート絶縁膜形成用スパッタリングターゲット、同製造方法及び半導体装置用ゲート絶縁膜 | |
| JPS5938307B2 (ja) | 金属化合物被膜の形成方法 | |
| JPH03131001A (ja) | 抵抗温度センサ | |
| US3681109A (en) | Amorphous bismuth oxide containing coatings | |
| US3669737A (en) | Vapor-plated cermet resistor | |
| JP2590505B2 (ja) | 配向性結晶膜 | |
| JPH01115010A (ja) | 透明導電性膜用組成物およびその膜の形成方法 | |
| WO2003023084A1 (fr) | Cible de pulverisation cathodique de fluorure et son procede de preparation | |
| JPH0344007A (ja) | 薄膜抵抗体の製造方法 | |
| JPH0521205A (ja) | 角板形チツプ固定抵抗器 | |
| CN111394704A (zh) | 一种降低薄膜电阻温度特性极差的方法 | |
| JPH0558714A (ja) | セラミツク基板およびその製造方法 | |
| JP2565938B2 (ja) | クラッド容器 |