JP3130972B2 - セラミック基板およびその製造方法 - Google Patents
セラミック基板およびその製造方法Info
- Publication number
- JP3130972B2 JP3130972B2 JP03219439A JP21943991A JP3130972B2 JP 3130972 B2 JP3130972 B2 JP 3130972B2 JP 03219439 A JP03219439 A JP 03219439A JP 21943991 A JP21943991 A JP 21943991A JP 3130972 B2 JP3130972 B2 JP 3130972B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- sio
- ceramic substrate
- firing
- amount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、厚膜、抵抗、ＤＢＣ基
板などに用いる電子部品用セラミック基板に関する。
板などに用いる電子部品用セラミック基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、Ａｌ2 Ｏ3 を主成分とするア
ルミナセラミックスからなるセラミック基板が用いられ
てきた。
ルミナセラミックスからなるセラミック基板が用いられ
てきた。
【０００３】このセラミック基板の製造方法は、まず主
成分であるＡｌ2 Ｏ3 ９６重量％と、焼結助剤として合
計４重量％のＳｉＯ2、ＣａＯ、ＭｇＯをそれぞれの重
量比がＳｉＯ2 ：ＣａＯ：ＭｇＯ＝７０：５：２５とな
るように添加混合してセラミック原料を調合し、このセ
ラミック原料を有機溶媒中に混合した後、ドクターブレ
ード法により所定厚みのグリーンシートに成形し、所定
形状に金型で打ち抜いた後、酸化雰囲気、最高焼成温度
１５５０〜１６５０℃で、昇温開始から降温終了までの
焼成時間を３０時間程度として焼成を行い、得られた焼
結体に振動バレル、ブラスト、バフなどの表面処理を行
うようになっていた。
成分であるＡｌ2 Ｏ3 ９６重量％と、焼結助剤として合
計４重量％のＳｉＯ2、ＣａＯ、ＭｇＯをそれぞれの重
量比がＳｉＯ2 ：ＣａＯ：ＭｇＯ＝７０：５：２５とな
るように添加混合してセラミック原料を調合し、このセ
ラミック原料を有機溶媒中に混合した後、ドクターブレ
ード法により所定厚みのグリーンシートに成形し、所定
形状に金型で打ち抜いた後、酸化雰囲気、最高焼成温度
１５５０〜１６５０℃で、昇温開始から降温終了までの
焼成時間を３０時間程度として焼成を行い、得られた焼
結体に振動バレル、ブラスト、バフなどの表面処理を行
うようになっていた。
【０００４】また、このようなセラミック基板では、製
造工程中１５５０〜１６００℃の高温での焼成が必要で
あり、また焼成時間も短縮できないため、コストが高い
ものであった。そこで、Ａｌ2 Ｏ3 を９３重量％程度に
減らし、焼結助剤を増やすことによって、低温焼成を行
うことが考えられてきた。
造工程中１５５０〜１６００℃の高温での焼成が必要で
あり、また焼成時間も短縮できないため、コストが高い
ものであった。そこで、Ａｌ2 Ｏ3 を９３重量％程度に
減らし、焼結助剤を増やすことによって、低温焼成を行
うことが考えられてきた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記低温焼
成用セラミック基板では、焼結助剤としてのＳｉＯ2 を
多く含ませる必要があり、しかも焼成時にＳｉＯ2 は表
層部に多く析出するため、セラミック基板表面のＳｉＯ
2 量はＡｌ2 Ｏ3 に対し２０〜３０重量％と多くなり、
厚膜の密着強度が低くなるという問題点があった。
成用セラミック基板では、焼結助剤としてのＳｉＯ2 を
多く含ませる必要があり、しかも焼成時にＳｉＯ2 は表
層部に多く析出するため、セラミック基板表面のＳｉＯ
2 量はＡｌ2 Ｏ3 に対し２０〜３０重量％と多くなり、
厚膜の密着強度が低くなるという問題点があった。
【０００６】即ち、厚膜ペーストには３種類あり、一つ
はフリットボンドと呼ばれ、基板表面の凹凸にペースト
が入り込む物理的接着である。もう一つはケミカルボン
ドと呼ばれ、セラミック粒界のガラス相に拡散する化学
的接着であり、さらにこれらを合わせたミックスボンド
もあった。これらの３種類のうち、ケミカルボンドおよ
びミックスボンドは、基板表面のＳｉＯ2 量によって密
着強度が左右され、ＳｉＯ2 量が多すぎるとかえって密
着強度が低下するものであった。
はフリットボンドと呼ばれ、基板表面の凹凸にペースト
が入り込む物理的接着である。もう一つはケミカルボン
ドと呼ばれ、セラミック粒界のガラス相に拡散する化学
的接着であり、さらにこれらを合わせたミックスボンド
もあった。これらの３種類のうち、ケミカルボンドおよ
びミックスボンドは、基板表面のＳｉＯ2 量によって密
着強度が左右され、ＳｉＯ2 量が多すぎるとかえって密
着強度が低下するものであった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで本発明は、主成分
であるＡｌ2 Ｏ3 ９２〜９４重量％と、ＳｉＯ2 ４〜６
重量％と、残部がＣａＯ、ＭｇＯおよび不可避不純物か
らなるセラミック原料を、所定形状に成形した後、最高
焼成温度１４６０〜１５５０℃で、昇温開始から降温終
了までの焼成時間を６時間以下として高速焼成を行うこ
とによって、低温焼成を可能とするとともに、表面部へ
のＳｉＯ2 の析出を抑え、セラミック基板表面部に存在
するＳｉＯ2 量がＡｌ2 Ｏ3 に対し１０〜２０重量％と
なるようにしたものである。
であるＡｌ2 Ｏ3 ９２〜９４重量％と、ＳｉＯ2 ４〜６
重量％と、残部がＣａＯ、ＭｇＯおよび不可避不純物か
らなるセラミック原料を、所定形状に成形した後、最高
焼成温度１４６０〜１５５０℃で、昇温開始から降温終
了までの焼成時間を６時間以下として高速焼成を行うこ
とによって、低温焼成を可能とするとともに、表面部へ
のＳｉＯ2 の析出を抑え、セラミック基板表面部に存在
するＳｉＯ2 量がＡｌ2 Ｏ3 に対し１０〜２０重量％と
なるようにしたものである。
【０００８】上記組成中、Ａｌ2 Ｏ3 量が９４重量％よ
り多いと低温焼成ができなくなり、一方Ａｌ2 Ｏ3 量が
９２重量％より少ないとセラミック基板の特性が劣った
ものになってしまう。したがって、主成分であるＡｌ2
Ｏ3 の量は９２〜９４重量％が良い。また、ＳｉＯ2 量
が４重量％より少ないと低温焼成が困難となり、一方６
重量％より多いとアノーサイトなどのセラミック基板に
悪影響を及ぼす結晶が析出してしまうため、ＳｉＯ2 量
は４〜６重量％、好ましくは４．８〜５．２％が良い。
り多いと低温焼成ができなくなり、一方Ａｌ2 Ｏ3 量が
９２重量％より少ないとセラミック基板の特性が劣った
ものになってしまう。したがって、主成分であるＡｌ2
Ｏ3 の量は９２〜９４重量％が良い。また、ＳｉＯ2 量
が４重量％より少ないと低温焼成が困難となり、一方６
重量％より多いとアノーサイトなどのセラミック基板に
悪影響を及ぼす結晶が析出してしまうため、ＳｉＯ2 量
は４〜６重量％、好ましくは４．８〜５．２％が良い。
【０００９】さらに、このように低温焼成のためにＳｉ
Ｏ2 量を多くしてあるが、昇温開始から降温終了までの
焼成時間が６時間以下の高速焼成をすることによって、
基板表面へのＳｉＯ2 析出を減らし、表面部でのＳｉＯ
2 量をＡｌ2 Ｏ3 に対し１０〜２０重量％とすることが
できる。また、このように高速焼成することによって、
平均結晶粒子径２μｍ以下、最大結晶粒子径５μｍ以下
と結晶粒子径を小さくでき、物理的接着のフリットボン
ドに対する密着強度を高めることができる。なお、この
ような高速焼成は、例えばローラーハースキルンを用い
ることによって容易に行うことができる。また、焼成時
間については、小型品で１５分以上、通常品で３０分以
上必要である。
Ｏ2 量を多くしてあるが、昇温開始から降温終了までの
焼成時間が６時間以下の高速焼成をすることによって、
基板表面へのＳｉＯ2 析出を減らし、表面部でのＳｉＯ
2 量をＡｌ2 Ｏ3 に対し１０〜２０重量％とすることが
できる。また、このように高速焼成することによって、
平均結晶粒子径２μｍ以下、最大結晶粒子径５μｍ以下
と結晶粒子径を小さくでき、物理的接着のフリットボン
ドに対する密着強度を高めることができる。なお、この
ような高速焼成は、例えばローラーハースキルンを用い
ることによって容易に行うことができる。また、焼成時
間については、小型品で１５分以上、通常品で３０分以
上必要である。
【００１０】さらに、本発明のセラミック基板は、上記
したＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 の他に、焼結助剤としてのＣ
ａＯ、ＭｇＯを含んでおり、これら以外にもセラミック
ス全体に対して０．１重量％以下の不純物を含有してい
ても良い。
したＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 の他に、焼結助剤としてのＣ
ａＯ、ＭｇＯを含んでおり、これら以外にもセラミック
ス全体に対して０．１重量％以下の不純物を含有してい
ても良い。
【００１１】
【実施例】以下本発明実施例を説明する。
【００１２】実験例１ Ａｌ2 Ｏ3 ９３重量％に焼結助剤として５重量％のＳｉ
Ｏ2 と残部ＣａＯ、ＭｇＯを添加混合し後、さらに有機
溶媒を混合し、ドクターブレード法でグリーンシートに
成形した後、金型で打ち抜いて板状成形体とした。この
成形体を表１中Ｎｏ．１、２に示す条件で、ローラーハ
ースキルンにより高速焼成して本発明のセラミック基板
を得た。また、比較例として、上記成形体に対しトンネ
ル炉で普通焼成したもの（表１中Ｎｏ．３）、およびＡ
ｌ2 Ｏ3 量を９６％とした従来のもの（表１中Ｎｏ．
４）を用意した。なお、表１中焼成温度とは最高焼成温
度のことであり、焼成時間とは昇温開始から降温終了ま
での時間のことである。
Ｏ2 と残部ＣａＯ、ＭｇＯを添加混合し後、さらに有機
溶媒を混合し、ドクターブレード法でグリーンシートに
成形した後、金型で打ち抜いて板状成形体とした。この
成形体を表１中Ｎｏ．１、２に示す条件で、ローラーハ
ースキルンにより高速焼成して本発明のセラミック基板
を得た。また、比較例として、上記成形体に対しトンネ
ル炉で普通焼成したもの（表１中Ｎｏ．３）、およびＡ
ｌ2 Ｏ3 量を９６％とした従来のもの（表１中Ｎｏ．
４）を用意した。なお、表１中焼成温度とは最高焼成温
度のことであり、焼成時間とは昇温開始から降温終了ま
での時間のことである。
【００１３】これらのセラミック基板に対し、平均結晶
粒子径、表面部のＳｉＯ2 量（Ａｌ2 Ｏ3 に対する
比）、およびケミカルボンドを用いた厚膜の密着強度を
調べた。結果は表２に示す通りである。なお、表面部の
ＳｉＯ2 量は、オージェ電子分光分析法によりセラミッ
ク基板表面部に存在する元素の定量分析を行い、Ｓｉ元
素とＡｌ元素の量比から求めた。
粒子径、表面部のＳｉＯ2 量（Ａｌ2 Ｏ3 に対する
比）、およびケミカルボンドを用いた厚膜の密着強度を
調べた。結果は表２に示す通りである。なお、表面部の
ＳｉＯ2 量は、オージェ電子分光分析法によりセラミッ
ク基板表面部に存在する元素の定量分析を行い、Ｓｉ元
素とＡｌ元素の量比から求めた。
【００１４】
【表１】
【００１５】
【表２】
【００１６】これらの結果より、比較例であるＮｏ．３
は、ＳｉＯ2 添加量が多く３０時間の長時間焼成をして
いるために、表面のＳｉＯ2 量が２０重量％以上と多
く、厚膜の密着強度が低かった。これに対し、本発明実
施例であるＮｏ．１、２は、Ｎｏ．３と同じ組成である
が２〜６時間の高速焼成をしているために、表面のＳｉ
Ｏ2 量が２０重量％以下と少なく、ケミカルボンドを用
いた厚膜の密着強度もＮｏ．４に示す従来例と同程度で
あった。
は、ＳｉＯ2 添加量が多く３０時間の長時間焼成をして
いるために、表面のＳｉＯ2 量が２０重量％以上と多
く、厚膜の密着強度が低かった。これに対し、本発明実
施例であるＮｏ．１、２は、Ｎｏ．３と同じ組成である
が２〜６時間の高速焼成をしているために、表面のＳｉ
Ｏ2 量が２０重量％以下と少なく、ケミカルボンドを用
いた厚膜の密着強度もＮｏ．４に示す従来例と同程度で
あった。
【００１７】したがって、厚膜の密着強度を高めるため
には、６時間以下の高速焼成を行って表面部のＳｉＯ2
量を２０％以下とすればよいことがわかる。ただし、種
々実験の結果、ＳｉＯ2 量が１０％以下となると、Ｓｉ
Ｏ2 量が少なすぎて厚膜の密着強度が低下してしまうた
め、結局セラミック基板の表面部のＳｉＯ2 量はＡｌ2
Ｏ3 に対し１０〜２０重量％のものが良かった。
には、６時間以下の高速焼成を行って表面部のＳｉＯ2
量を２０％以下とすればよいことがわかる。ただし、種
々実験の結果、ＳｉＯ2 量が１０％以下となると、Ｓｉ
Ｏ2 量が少なすぎて厚膜の密着強度が低下してしまうた
め、結局セラミック基板の表面部のＳｉＯ2 量はＡｌ2
Ｏ3 に対し１０〜２０重量％のものが良かった。
【００１８】また、本発明のセラミック基板は高速焼成
を行ったため、平均結晶粒子径が５μｍ以下と小さく、
抗折強度が大きいだけでなく、後述するように物理的結
合であるフリットボンドを用いた厚膜の密着強度を高め
ることができる。
を行ったため、平均結晶粒子径が５μｍ以下と小さく、
抗折強度が大きいだけでなく、後述するように物理的結
合であるフリットボンドを用いた厚膜の密着強度を高め
ることができる。
【００１９】さらに、上記Ｎｏ．１、４のセラミック基
板に対し、エッチングを行いながら、表面部から深さ方
向へのＳｉＯ2 量を測定した。結果は図１に示す通り、
本発明実施例（Ｎｏ．１）は、従来のＡｌ2 Ｏ3 ９６重
量％のもの（Ｎｏ．４）と同様のＳｉＯ2 分布をしてい
ることから、ケミカルボンドを用いた厚膜の密着強度も
同程度であることがわかる。なお、エッチングスピード
は０．８４Å／秒であり、図１より、エッチング時間１
分（深さ５０Å）までの範囲では、いずれもＳｉＯ2 量
が１０重量％以上であった。
板に対し、エッチングを行いながら、表面部から深さ方
向へのＳｉＯ2 量を測定した。結果は図１に示す通り、
本発明実施例（Ｎｏ．１）は、従来のＡｌ2 Ｏ3 ９６重
量％のもの（Ｎｏ．４）と同様のＳｉＯ2 分布をしてい
ることから、ケミカルボンドを用いた厚膜の密着強度も
同程度であることがわかる。なお、エッチングスピード
は０．８４Å／秒であり、図１より、エッチング時間１
分（深さ５０Å）までの範囲では、いずれもＳｉＯ2 量
が１０重量％以上であった。
【００２０】実験例２ 次に、上記Ｎｏ．１、４のセラミック基板を用いて、さ
らに厳しい条件での厚膜密着強度を調べる実験を行っ
た。厚膜として物理的結合であるフリットボンド、化学
的結合であるケミカルボンド、両者の混合したミックス
ボンドを用いた。そして、これらの厚膜を密着させた
後、温度８５℃、湿度８５％でのエージング試験や、−
５５〜１２５℃の温度サイクルを１時間に１回繰り返す
温度サイクル試験を行い、それぞれ密着強度の変化を調
べた。
らに厳しい条件での厚膜密着強度を調べる実験を行っ
た。厚膜として物理的結合であるフリットボンド、化学
的結合であるケミカルボンド、両者の混合したミックス
ボンドを用いた。そして、これらの厚膜を密着させた
後、温度８５℃、湿度８５％でのエージング試験や、−
５５〜１２５℃の温度サイクルを１時間に１回繰り返す
温度サイクル試験を行い、それぞれ密着強度の変化を調
べた。
【００２１】エージング試験の結果を図２（Ａ）〜
（Ｃ）に、温度サイクル試験の結果を図３（Ａ）〜
（Ｃ）にそれぞれ示す。まず図２（Ａ）、図３（Ａ）を
みれば明らかなように、物理的結合であるフリットボン
ドでは、本発明実施例のほうが大きな密着強度を示し
た。これは、本発明のセラミック基板の平均結晶粒子径
が２μｍ以下と小さいためである。また、図２（Ｂ）
（Ｃ）、図３（Ｂ）（Ｃ）を見れば、化学的結合である
ミックスボンドやケミカルボンドを用いた場合でも、本
発明のセラミック基板は従来のＡｌ2 Ｏ3 ９６重量％の
セラミック基板と同程度の密着強度であった。
（Ｃ）に、温度サイクル試験の結果を図３（Ａ）〜
（Ｃ）にそれぞれ示す。まず図２（Ａ）、図３（Ａ）を
みれば明らかなように、物理的結合であるフリットボン
ドでは、本発明実施例のほうが大きな密着強度を示し
た。これは、本発明のセラミック基板の平均結晶粒子径
が２μｍ以下と小さいためである。また、図２（Ｂ）
（Ｃ）、図３（Ｂ）（Ｃ）を見れば、化学的結合である
ミックスボンドやケミカルボンドを用いた場合でも、本
発明のセラミック基板は従来のＡｌ2 Ｏ3 ９６重量％の
セラミック基板と同程度の密着強度であった。
【００２２】このように、本発明のセラミック基板は、
Ａｌ2 Ｏ3 量９３％であるが、従来のＡｌ2 Ｏ3 ９６％
のセラミック基板と同程度以上の厚膜密着強度を示すこ
とがわかる。
Ａｌ2 Ｏ3 量９３％であるが、従来のＡｌ2 Ｏ3 ９６％
のセラミック基板と同程度以上の厚膜密着強度を示すこ
とがわかる。
【００２３】
【発明の効果】このように本発明によれば、主成分であ
るＡｌ2 Ｏ3 ９２〜９４重量％と、ＳｉＯ2 ４〜６重量
％と、残部がＣａＯ、ＭｇＯおよび不可避不純物からな
るセラミック原料を、所定形状に成形した後、最高焼成
温度１４６０〜１５５０℃で、昇温開始から降温終了ま
での焼成時間を６時間以下として高速焼成を行うことに
よって、表面部に存在するＳｉＯ2 量がＡｌ2 Ｏ3 に対
し１０〜２０重量％となるようなセラミック基板を得る
ことができ、このセラミック基板は厚膜の密着強度が高
く、かつ低温焼成が可能であるから製造コストを低くで
き、電子部品用セラミック基板として好適に用いること
が可能となる。
るＡｌ2 Ｏ3 ９２〜９４重量％と、ＳｉＯ2 ４〜６重量
％と、残部がＣａＯ、ＭｇＯおよび不可避不純物からな
るセラミック原料を、所定形状に成形した後、最高焼成
温度１４６０〜１５５０℃で、昇温開始から降温終了ま
での焼成時間を６時間以下として高速焼成を行うことに
よって、表面部に存在するＳｉＯ2 量がＡｌ2 Ｏ3 に対
し１０〜２０重量％となるようなセラミック基板を得る
ことができ、このセラミック基板は厚膜の密着強度が高
く、かつ低温焼成が可能であるから製造コストを低くで
き、電子部品用セラミック基板として好適に用いること
が可能となる。
【図１】本発明実施例および比較例のセラミック基板に
おける深さ方向のＳｉＯ2 量分布を示すグラフである。
おける深さ方向のＳｉＯ2 量分布を示すグラフである。
【図２】（Ａ）〜（Ｃ）は本発明実施例および比較例の
セラミック基板におけるエージング試験後の厚膜密着強
度を示すグラフである。
セラミック基板におけるエージング試験後の厚膜密着強
度を示すグラフである。
【図３】（Ａ）〜（Ｃ）は本発明実施例および比較例の
セラミック基板における温度サイクル試験後の厚膜密着
強度を示すグラフである。
セラミック基板における温度サイクル試験後の厚膜密着
強度を示すグラフである。
Claims (2)
- 【請求項１】主成分であるＡｌ2Ｏ3９２〜９４重量％
と、ＳｉＯ2４〜６重量％と、残部がＣａＯ、ＭｇＯお
よび不可避不純物からなり、基板表面に存在するＳｉＯ
2量がＡｌ2Ｏ3に対し１０〜２０重量％であることを特
徴とするセラミック基板。 - 【請求項２】請求項１に記載のセラミック基板の製造方
法であって、主成分であるＡｌ2Ｏ3９２〜９４重量％
と、ＳｉＯ2４〜６重量％と、残部がＣａＯ、ＭｇＯか
らなるセラミック原料を、所定形状に成形し、最高焼成
温度１４６０〜１５５０℃で、昇温開始から降温終了ま
での焼成時間を６時間以下とした高速焼成を行うことを
特徴とするセラミック基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03219439A JP3130972B2 (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | セラミック基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03219439A JP3130972B2 (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | セラミック基板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0558714A JPH0558714A (ja) | 1993-03-09 |
| JP3130972B2 true JP3130972B2 (ja) | 2001-01-31 |
Family
ID=16735428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03219439A Expired - Lifetime JP3130972B2 (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | セラミック基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3130972B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102526523B1 (ko) | 2020-11-06 | 2023-04-27 | 주식회사 지에스엠 | 축사의 분진 및 악취 제거장치 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101920899B1 (ko) * | 2011-04-14 | 2019-02-13 | 가부시키가이샤 야쿠르트 혼샤 | 미생물 균체 건조분말의 제조방법 |
| JP5901625B2 (ja) | 2011-05-20 | 2016-04-13 | 株式会社ヤクルト本社 | 微生物の死菌化方法 |
-
1991
- 1991-08-30 JP JP03219439A patent/JP3130972B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102526523B1 (ko) | 2020-11-06 | 2023-04-27 | 주식회사 지에스엠 | 축사의 분진 및 악취 제거장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0558714A (ja) | 1993-03-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4649070A (en) | Substrate for an integrated circuit | |
| JP4416191B2 (ja) | 低熱膨張セラミックスおよびその製造方法、並びに半導体製造用部品 | |
| JP3130972B2 (ja) | セラミック基板およびその製造方法 | |
| US4205298A (en) | Resistor material, resistor made therefrom and method of making the same | |
| JPS6312326B2 (ja) | ||
| JPS6049149B2 (ja) | 電子部品用白色アルミナ・セラミックの製造方法 | |
| JPH04280657A (ja) | セラミックス基板およびその製造方法 | |
| JP2948946B2 (ja) | セラミック基板およびその製造方法 | |
| JPS6363518B2 (ja) | ||
| JPH0738214A (ja) | ガラスセラミック基板およびその製造方法 | |
| JP2624147B2 (ja) | 低温焼成基板用組成物 | |
| JPH0790619A (ja) | 高温耐熱部材 | |
| KR100281991B1 (ko) | 복합체 필러를 사용한 저융점 접착 유리조성물 | |
| JP3141582B2 (ja) | 陶磁器およびその製造方法 | |
| JPH01317164A (ja) | セラミック組成物 | |
| JPH0450186A (ja) | 窒化アルミニウム基材への金属化層形成方法 | |
| JP2727369B2 (ja) | セラミック基板の製造方法 | |
| JPH08133878A (ja) | グレーズドセラミック基板の製造方法 | |
| JPH05124855A (ja) | セラミツク基板及びその製造方法 | |
| JP2865368B2 (ja) | 電子部品用基板の製造方法 | |
| JPH09260107A (ja) | サーミスタ素子及びその製造方法 | |
| JP3210587B2 (ja) | 低温焼成セラミック回路基板 | |
| JP2687634B2 (ja) | 窒化珪素焼結体の製造方法 | |
| JP3341782B2 (ja) | セラミックス基板およびその製造方法 | |
| JPS6158864A (ja) | 高融点金属二珪化物基焼結体の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071117 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081117 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091117 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101117 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101117 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111117 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111117 Year of fee payment: 11 |