JPH09260107A - サーミスタ素子及びその製造方法 - Google Patents
サーミスタ素子及びその製造方法Info
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- JPH09260107A JPH09260107A JP7016896A JP7016896A JPH09260107A JP H09260107 A JPH09260107 A JP H09260107A JP 7016896 A JP7016896 A JP 7016896A JP 7016896 A JP7016896 A JP 7016896A JP H09260107 A JPH09260107 A JP H09260107A
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 サーミスタ素子の量産性向上、製造コスト削
減を図ると共に、サーミスタ素子の特性の均質化と信頼
性向上を図る。 【解決手段】 サーミスタチップ１の両面に層状に電極
２を設け、各電極２にリード線３端部を接合し、該チッ
プ１、電極２及びリード線３端部をガラス５で被覆して
なるサーミスタ素子において、該電極２を貴金属レジネ
ートの焼付により形成する。
減を図ると共に、サーミスタ素子の特性の均質化と信頼
性向上を図る。 【解決手段】 サーミスタチップ１の両面に層状に電極
２を設け、各電極２にリード線３端部を接合し、該チッ
プ１、電極２及びリード線３端部をガラス５で被覆して
なるサーミスタ素子において、該電極２を貴金属レジネ
ートの焼付により形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はガラス封止型のサー
ミスタ素子及びその製造方法に係り、特にサーミスタチ
ップ表面の電極の形成方法に改良を加えたサーミスタ素
子及びその製造方法に関する。
ミスタ素子及びその製造方法に係り、特にサーミスタチ
ップ表面の電極の形成方法に改良を加えたサーミスタ素
子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】サーミスタチップの両面に層状に電極を
設け、各電極にリード線端部を接合し、該チップ、電極
及びリード線端部をガラスで被覆してなるサーミスタ素
子において、この電極は耐熱導電性塗料の塗付及び焼付
けにより形成される（例えば特公昭５２−７５３５号公
報）か、又は蒸着により形成されている（例えば特公平
３−４４４０２号公報）。
設け、各電極にリード線端部を接合し、該チップ、電極
及びリード線端部をガラスで被覆してなるサーミスタ素
子において、この電極は耐熱導電性塗料の塗付及び焼付
けにより形成される（例えば特公昭５２−７５３５号公
報）か、又は蒸着により形成されている（例えば特公平
３−４４４０２号公報）。
【０００３】前者の導電性塗料としては、従来、フリッ
トを含有するものと、フリットを含有しないフリットレ
スのものとがある。
トを含有するものと、フリットを含有しないフリットレ
スのものとがある。
【０００４】ところで、サーミスタ素子を製造するに
は、サーミスタチップ組成のセラミックス焼結体をウェ
ハー状に表面精密加工し、このウェハー状基板の両面に
電極を形成した後チップ加工してサーミスタチップを
得、このチップにリード線を耐熱導電性ペーストにて接
合した後、ガラス被覆している。
は、サーミスタチップ組成のセラミックス焼結体をウェ
ハー状に表面精密加工し、このウェハー状基板の両面に
電極を形成した後チップ加工してサーミスタチップを
得、このチップにリード線を耐熱導電性ペーストにて接
合した後、ガラス被覆している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】導電性塗料の焼付けに
より電極を形成した場合、電極が厚膜となるため、ウェ
ハー状基板をチップ加工する際にチップ側面にバリが形
成され、このバリによりサーミスタチップの抵抗値にバ
ラツキが生じると共に、とくにサーミスタチップを薄型
化した場合にショートモードが生じ易くなる。
より電極を形成した場合、電極が厚膜となるため、ウェ
ハー状基板をチップ加工する際にチップ側面にバリが形
成され、このバリによりサーミスタチップの抵抗値にバ
ラツキが生じると共に、とくにサーミスタチップを薄型
化した場合にショートモードが生じ易くなる。
【０００６】また、この導電性塗料の焼付けにより形成
された電極は、ガラス被覆工程においてガラスが浸透、
拡散し易く、これによってもサーミスタチップの抵抗値
にバラツキが生じ易い。フリットが含まれた厚膜電極
は、ガラス封入時において、溶融したモールドガラスと
フリットが反応、溶融し、電極とサーミスタ間へ浸透、
拡散するため、抵抗値バラツキが生じる。特に、導電性
塗料がフリットを含むタイプのものであると、この抵抗
値のバラツキが大きくなり易い。
された電極は、ガラス被覆工程においてガラスが浸透、
拡散し易く、これによってもサーミスタチップの抵抗値
にバラツキが生じ易い。フリットが含まれた厚膜電極
は、ガラス封入時において、溶融したモールドガラスと
フリットが反応、溶融し、電極とサーミスタ間へ浸透、
拡散するため、抵抗値バラツキが生じる。特に、導電性
塗料がフリットを含むタイプのものであると、この抵抗
値のバラツキが大きくなり易い。
【０００７】蒸着により薄膜電極を形成する場合、大掛
りな真空蒸着装置が必要になると共に、量産性が悪く、
コスト高になり易い。
りな真空蒸着装置が必要になると共に、量産性が悪く、
コスト高になり易い。
【０００８】また、蒸着により形成された薄膜電極は、
３００℃の耐熱試験において抵抗劣化が見られ、高温度
域の使用には難がある。
３００℃の耐熱試験において抵抗劣化が見られ、高温度
域の使用には難がある。
【０００９】なお、蒸着法によると、貴金属が基板以外
の面にも蒸着するため、貴金属原料の無駄が多い。
の面にも蒸着するため、貴金属原料の無駄が多い。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のサーミスタ素子
及びその製造方法は、サーミスタチップの両面に薄膜状
に電極を設け、各電極にリード線端部を接合し、該チッ
プ、電極及びリード線端部をガラスで被覆してなるサー
ミスタ素子において、該電極を貴金属レジネートの焼付
により形成することを特徴とする。
及びその製造方法は、サーミスタチップの両面に薄膜状
に電極を設け、各電極にリード線端部を接合し、該チッ
プ、電極及びリード線端部をガラスで被覆してなるサー
ミスタ素子において、該電極を貴金属レジネートの焼付
により形成することを特徴とする。
【００１１】このように貴金属レジネートにより電極を
形成する場合、貴金属レジネートを印刷し、乾燥及び焼
成するだけで良く、電極を容易に形成できる。形成され
た電極はサーミスタチップに強く付着しており、サーミ
スタチップから剥れにくい。また薄膜電極であるためウ
ェハー状基板のチップ加工に際しバリが全く又は殆ど発
生しない。
形成する場合、貴金属レジネートを印刷し、乾燥及び焼
成するだけで良く、電極を容易に形成できる。形成され
た電極はサーミスタチップに強く付着しており、サーミ
スタチップから剥れにくい。また薄膜電極であるためウ
ェハー状基板のチップ加工に際しバリが全く又は殆ど発
生しない。
【００１２】この貴金属レジネートの焼付けにより形成
された電極は緻密であり、ガラス被覆工程でガラスが殆
ど侵入せず、ガラス被覆による特性バラツキが無い。
された電極は緻密であり、ガラス被覆工程でガラスが殆
ど侵入せず、ガラス被覆による特性バラツキが無い。
【００１３】なお、電極が貴金属よりなるため、ガラス
被覆工程での酸化も防止される。
被覆工程での酸化も防止される。
【００１４】この貴金属としては、Ａｕ、Ａｇ−Ｐｄ、
Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ−Ｐｔ等が好適である。
Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ−Ｐｔ等が好適である。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１は実施の形態に係るサーミス
タ素子の断面図であり、サーミスタチップ１の両面に電
極２が貴金属レジネートの焼付けにより形成され、この
電極２，２に対しリード線３，３の端部が導電性塗料４
によって接着され、これらがモールディングガラス５に
よって被覆されている。
タ素子の断面図であり、サーミスタチップ１の両面に電
極２が貴金属レジネートの焼付けにより形成され、この
電極２，２に対しリード線３，３の端部が導電性塗料４
によって接着され、これらがモールディングガラス５に
よって被覆されている。
【００１６】このサーミスタ素子は、貴金属レジネート
によって電極を形成した点に特徴があるものであり、貴
金属レジネートによる電極形成する点以外は従来と同じ
製造方法により製造される。
によって電極を形成した点に特徴があるものであり、貴
金属レジネートによる電極形成する点以外は従来と同じ
製造方法により製造される。
【００１７】例えば、このサーミスタ素子１は、次のよ
うにして製造される。 まず、遷移金属の酸化物や焼成により酸化物となる
化合物を所定割合にて混合し、仮焼し、粉砕して粉末と
する。 次に、この粉末に有機バインダーを加えて成形し、
まず低温（例えば４００〜６００℃）で焼成して脱バイ
ンダーした後、高温（例えば８００〜１４００℃）で焼
成して焼結させる。 次に、この焼結体をスライス加工してウェハ状に切
り出し、表面をラップ研磨して仕上げする。
うにして製造される。 まず、遷移金属の酸化物や焼成により酸化物となる
化合物を所定割合にて混合し、仮焼し、粉砕して粉末と
する。 次に、この粉末に有機バインダーを加えて成形し、
まず低温（例えば４００〜６００℃）で焼成して脱バイ
ンダーした後、高温（例えば８００〜１４００℃）で焼
成して焼結させる。 次に、この焼結体をスライス加工してウェハ状に切
り出し、表面をラップ研磨して仕上げする。
【００１８】 このウェハ状基板を洗浄した後、スク
リーン印刷等により貴金属レジネートを印刷し、乾燥
後、焼付けする。この印刷・乾燥及び焼付け工程は２回
以上繰り返しても良い。 次に、このウェハ状基板をダイシングソーなどによ
り切断し、サーミスタチップを形成する。 このサーミスタチップの電極面にリード線を耐熱導
電性塗料によって接着する。 次いで、このリード線端部を含めてサーミスタチッ
プをガラス封着機などによりガラス被覆する。
リーン印刷等により貴金属レジネートを印刷し、乾燥
後、焼付けする。この印刷・乾燥及び焼付け工程は２回
以上繰り返しても良い。 次に、このウェハ状基板をダイシングソーなどによ
り切断し、サーミスタチップを形成する。 このサーミスタチップの電極面にリード線を耐熱導
電性塗料によって接着する。 次いで、このリード線端部を含めてサーミスタチッ
プをガラス封着機などによりガラス被覆する。
【００１９】この貴金属レジネートは、貴金属の樹脂酸
化合物を有機溶媒に溶解させたものであり、既に種々の
ものが市販されている。市販の貴金属レジネートの樹脂
酸としてはアビエチン酸を主成分としたものが多い。
化合物を有機溶媒に溶解させたものであり、既に種々の
ものが市販されている。市販の貴金属レジネートの樹脂
酸としてはアビエチン酸を主成分としたものが多い。
【００２０】この貴金属レジネートは、印刷好ましくは
スクリーン印刷によってサーミスタ基板上に均一に付着
される。
スクリーン印刷によってサーミスタ基板上に均一に付着
される。
【００２１】サーミスタチップ１の厚さは１２０〜５０
０μｍ程度が好適であり、電極２の厚さは１μｍ以下程
度が好適である。被覆ガラスとしては、ＳｉＯ2 −Ｐｂ
Ｏ−Ｋ2 Ｏ系、ＳｉＯ2 −ＰｂＯ−Ｋ2 Ｏ−Ｎａ2 Ｏ系
など、サーミスタチップのガラスモールディングに使用
される各種のものを用いることができる。
０μｍ程度が好適であり、電極２の厚さは１μｍ以下程
度が好適である。被覆ガラスとしては、ＳｉＯ2 −Ｐｂ
Ｏ−Ｋ2 Ｏ系、ＳｉＯ2 −ＰｂＯ−Ｋ2 Ｏ−Ｎａ2 Ｏ系
など、サーミスタチップのガラスモールディングに使用
される各種のものを用いることができる。
【００２２】
実施例１ ＭｎＣＯ3 、ＣｏＣＯ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｆｅ2 Ｏ3 をモ
ル比２３．６６：４４．３６：２０．０：９．４０の割
合で調合し、湿式混合し、脱水、乾燥後、８５０℃で１
０Ｈｒ仮焼した。その後、この仮焼粉を４８Ｈｒ湿式粉
砕し、その後、吸引脱水した。
ル比２３．６６：４４．３６：２０．０：９．４０の割
合で調合し、湿式混合し、脱水、乾燥後、８５０℃で１
０Ｈｒ仮焼した。その後、この仮焼粉を４８Ｈｒ湿式粉
砕し、その後、吸引脱水した。
【００２３】この仮焼粉砕粉に有機バインダーを混ぜ、
プレス成形し、サーミスタグリーンブロックを形成し、
５００℃、１０ｍｉｎで脱バインダー後、１１５０℃で
１０時間で焼成した。。このサーミスタ焼結体をスライ
ス加工し、ウエハ状に切り出し、精密平面ラップ盤にて
０．１２ｍｍ厚に仕上げた。このウエハを洗浄し、スク
リーン印刷機により、表面にＡｕレジネートペーストを
印刷し、乾燥し、８００℃、１０ｍｉｎ間焼付を行っ
た。このＡｕレジネートペーストは、田中金属インター
ナショナル株式会社製ＧＢ１００３を使用した。
プレス成形し、サーミスタグリーンブロックを形成し、
５００℃、１０ｍｉｎで脱バインダー後、１１５０℃で
１０時間で焼成した。。このサーミスタ焼結体をスライ
ス加工し、ウエハ状に切り出し、精密平面ラップ盤にて
０．１２ｍｍ厚に仕上げた。このウエハを洗浄し、スク
リーン印刷機により、表面にＡｕレジネートペーストを
印刷し、乾燥し、８００℃、１０ｍｉｎ間焼付を行っ
た。このＡｕレジネートペーストは、田中金属インター
ナショナル株式会社製ＧＢ１００３を使用した。
【００２４】このウエハをダイシングソウにより切断
し、一辺が０．５０ｍｍのサーミスタチップを形成し
た。次いで、耐熱導電性塗料がついたリード線（ジュメ
ット線）の先端をこのサーミスタチップ電極面に接着し
た。その後、リード線端部を含めてガラス封着機により
ガラスモールディングした。このようにして製造された
サーミスタチップ及びサーミスタ素子１０００個につい
て抵抗値を測定し、そのバラツキを計算した。また、３
００℃に１０００Ｈｒ保持したときの抵抗Ｒ及びサーミ
スタ定数Ｂの変化ΔＲ、ΔＢを測定した。なお、Ｔ°Ｋ
におけるサーミスタの抵抗Ｒ（Ω）は、温度Ｔ0 の抵抗
をＲ0 とした場合Ｒ＝Ｒ0 ｅｘｐ［Ｂ（１／Ｔ−１／Ｔ
0 ）］で与えられる。
し、一辺が０．５０ｍｍのサーミスタチップを形成し
た。次いで、耐熱導電性塗料がついたリード線（ジュメ
ット線）の先端をこのサーミスタチップ電極面に接着し
た。その後、リード線端部を含めてガラス封着機により
ガラスモールディングした。このようにして製造された
サーミスタチップ及びサーミスタ素子１０００個につい
て抵抗値を測定し、そのバラツキを計算した。また、３
００℃に１０００Ｈｒ保持したときの抵抗Ｒ及びサーミ
スタ定数Ｂの変化ΔＲ、ΔＢを測定した。なお、Ｔ°Ｋ
におけるサーミスタの抵抗Ｒ（Ω）は、温度Ｔ0 の抵抗
をＲ0 とした場合Ｒ＝Ｒ0 ｅｘｐ［Ｂ（１／Ｔ−１／Ｔ
0 ）］で与えられる。
【００２５】さらに、１０００個のサーミスタ素子につ
いてショート不良素子数を調べた。これらの結果を表１
〜３に示す。
いてショート不良素子数を調べた。これらの結果を表１
〜３に示す。
【００２６】
【表１】
【００２７】
【表２】
【００２８】
【表３】
【００２９】比較例１ ガラスフリットを含む導電塗料（金含有率８０ｗｔ％）
を焼付けることによりＡｕ厚膜電極（厚さ６μｍ）を形
成したこと以外は実施例１と同様にしてサーミスタチッ
プ及びサーミスタ素子を製造し、その特性を調べた。結
果を表１〜３に示す。
を焼付けることによりＡｕ厚膜電極（厚さ６μｍ）を形
成したこと以外は実施例１と同様にしてサーミスタチッ
プ及びサーミスタ素子を製造し、その特性を調べた。結
果を表１〜３に示す。
【００３０】比較例２ ガラスフリットを含まない導電性塗料を焼付けることに
よりＡｕ厚膜電極（厚さ６μｍ）を形成したこと以外は
実施例１と同様にしてサーミスタチップ及びサーミスタ
素子を製造し、その特性を調べた。結果を表１〜３に示
す。
よりＡｕ厚膜電極（厚さ６μｍ）を形成したこと以外は
実施例１と同様にしてサーミスタチップ及びサーミスタ
素子を製造し、その特性を調べた。結果を表１〜３に示
す。
【００３１】比較例３ 真空蒸着装置を用い、厚さ６μｍのＡｕ薄膜電極を形成
したこと以外は実施例１と同様にしてサーミスタチップ
及びサーミスタ素子を製造し、その特性を調べた。結果
を表１〜３に示す。
したこと以外は実施例１と同様にしてサーミスタチップ
及びサーミスタ素子を製造し、その特性を調べた。結果
を表１〜３に示す。
【００３２】表１より、本発明例及び比較例３（蒸着薄
膜電極）のサーミスタチップ及びサーミスタ素子は、抵
抗値のバラツキが比較例１、２に比べて低く、とくにガ
ラスモールド後のサーミスタ素子の抵抗値バラツキが比
較例１、２に比べ著しく低いことが明らかである。
膜電極）のサーミスタチップ及びサーミスタ素子は、抵
抗値のバラツキが比較例１、２に比べて低く、とくにガ
ラスモールド後のサーミスタ素子の抵抗値バラツキが比
較例１、２に比べ著しく低いことが明らかである。
【００３３】表２より、本発明例のサーミスタ素子は、
耐熱性にきわめて優れていることが明らかである。蒸着
薄膜電極を有する比較例３は、厚膜電極タイプの比較例
１、２に比べると耐熱性は若干高いが、本発明例はこの
比較例３のものよりも耐熱性が格段に優れている。
耐熱性にきわめて優れていることが明らかである。蒸着
薄膜電極を有する比較例３は、厚膜電極タイプの比較例
１、２に比べると耐熱性は若干高いが、本発明例はこの
比較例３のものよりも耐熱性が格段に優れている。
【００３４】表３より、本発明例及び比較例３のものは
ショートモードを引き起こすことが全くないことが認め
られる。
ショートモードを引き起こすことが全くないことが認め
られる。
【００３５】
【発明の効果】以上の通り、本発明によって提供される
サーミスタ素子は、抵抗特性のバラツキがきわめて小さ
く、またショートモードも防止される。さらに、３００
℃程度の高温でも信頼性がきわめて高い。
サーミスタ素子は、抵抗特性のバラツキがきわめて小さ
く、またショートモードも防止される。さらに、３００
℃程度の高温でも信頼性がきわめて高い。
【００３６】本発明の製造方法は、貴金属レジネートを
サーミスタウェハに対し印刷するようにしており、量産
性に優れる。また、蒸着法に比べ電極材料が無駄になら
ず、コスト低減を図ることができる。
サーミスタウェハに対し印刷するようにしており、量産
性に優れる。また、蒸着法に比べ電極材料が無駄になら
ず、コスト低減を図ることができる。
【図１】実施の形態に係るサーミスタ素子の断面図であ
る。
る。
１ サーミスタチップ ２ 電極 ３ リード線 ４ 導電性塗料 ５ モールディングガラス
Claims (3)
- 【請求項１】 サーミスタチップの両面に薄膜状に電極
を設け、各電極にリード線端部を接合し、該チップ、電
極及びリード線端部をガラスで被覆してなるサーミスタ
素子において、 該電極を貴金属レジネートの焼付により形成したことを
特徴とするサーミスタ素子。 - 【請求項２】 請求項１のサーミスタ素子の製造方法で
あって、サーミスタチップの表面に貴金属レジネートを
印刷し、乾燥及び焼成して前記電極を形成することを特
徴とするサーミスタ素子の製造方法。 - 【請求項３】 請求項２において、貴金属がＡｕ、Ａｇ
−Ｐｄ、Ａｇ、Ｐｔ又はＡｕ−Ｐｔであることを特徴と
するサーミスタ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7016896A JPH09260107A (ja) | 1996-03-26 | 1996-03-26 | サーミスタ素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7016896A JPH09260107A (ja) | 1996-03-26 | 1996-03-26 | サーミスタ素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09260107A true JPH09260107A (ja) | 1997-10-03 |
Family
ID=13423754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7016896A Pending JPH09260107A (ja) | 1996-03-26 | 1996-03-26 | サーミスタ素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09260107A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100369895B1 (ko) * | 2000-08-02 | 2003-01-30 | 한국쌍신전기주식회사 | 중고온용 써미스터 및 그 제조방법 |
| CN108458380A (zh) * | 2018-03-21 | 2018-08-28 | 广东美的厨房电器制造有限公司 | 灶具面板及其制作方法和多头灶 |
-
1996
- 1996-03-26 JP JP7016896A patent/JPH09260107A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100369895B1 (ko) * | 2000-08-02 | 2003-01-30 | 한국쌍신전기주식회사 | 중고온용 써미스터 및 그 제조방법 |
| CN108458380A (zh) * | 2018-03-21 | 2018-08-28 | 广东美的厨房电器制造有限公司 | 灶具面板及其制作方法和多头灶 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20011113 |