JPS6312326B2 - - Google Patents
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- JPS6312326B2 JPS6312326B2 JP56144317A JP14431781A JPS6312326B2 JP S6312326 B2 JPS6312326 B2 JP S6312326B2 JP 56144317 A JP56144317 A JP 56144317A JP 14431781 A JP14431781 A JP 14431781A JP S6312326 B2 JPS6312326 B2 JP S6312326B2
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- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 claims description 9
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 5
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N beryllium oxide Inorganic materials O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 8
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 aluminum oxide Chemical class 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910011255 B2O3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 2-iodoquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(I)=CC=C21 FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIERETOOQGIECD-UHFFFAOYSA-N Angelic acid Natural products CC=C(C)C(O)=O UIERETOOQGIECD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Li2O Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000700605 Viruses Species 0.000 description 1
- 229910021431 alpha silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Inorganic materials O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- UQVOJETYKFAIRZ-UHFFFAOYSA-N beryllium carbide Chemical compound [Be][C][Be] UQVOJETYKFAIRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001573 beryllium compounds Chemical class 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(II) oxide Inorganic materials [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N tetraantimony hexaoxide Chemical compound O1[Sb](O2)O[Sb]3O[Sb]1O[Sb]2O3 YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIERETOOQGIECD-ONEGZZNKSA-N tiglic acid Chemical compound C\C=C(/C)C(O)=O UIERETOOQGIECD-ONEGZZNKSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
本発明は電気絶縁性炭化珪素焼結体の製法に関
し、より詳細には、高熱伝導性と電気絶縁性とが
要求される半導体実装基板等に好適な炭化珪素焼
結体の製法に関する。 近年、エレクトロニクス部品の急速な技術革新
により、IC、LSIをはじめとする半導体素子は高
集積化、高出力化が図られ、これに伴い、半導体
素子を塔載するパツケージ、集積回路基板等の半
導体実装基板として高熱伝導性、電気絶縁性を有
する材料が要求されている。 従来の半導体実装基板材料としては、アルミナ
セラミツクスが最も一般的であるが、熱伝導性の
点で要求特性を充分満足しているとは言えない。 他方、炭素と硼素を焼結助剤とした炭化珪素焼
結体や炭素と酸化アルミニウム又は酸化ベリリウ
ムを焼結助剤とした周知の炭化珪素焼結体は熱伝
導性は良好であるが、体積固有抵抗は高々106
Ω・cmであり、電気絶縁性の点で要求特性を満足
していない。 そこで、本発明者等は電気絶縁性に優れ且つ熱
伝導率の大きいセラミツク材料を提供することを
目的として研究を重ねた結果、上述した従来の炭
化珪素焼結体に、体積固有抵抗として108Ω・cm
〜1011Ω・cmの範囲の電気絶縁性を任意に賦与で
きることを知見した。 本発明の製法は、炭化珪素焼結体の表面に金属
酸化物を塗布した後、大気中で高温処理を施し、
これにより炭化珪素焼結体に電気絶縁性を賦与す
ることを特徴とするものである。 本発明方法において素材として用いる炭化珪素
焼結体は従来周知のものでよく、その製法の一例
を挙げると、炭化珪素粉末に、有機化合物等の炭
素源、炭化硼素、窒化硼素のような硼素化合物、
酸化アルミニウムのようなアルミニウム化合物、
炭化ベリリウムのようなベリリウム化合物等から
選ばれた焼結助剤を少量添加し、更に結合剤及び
有機溶剤を加え、充分混合撹拌した後、混合物か
ら溶剤を蒸発させて乾燥粉末とし、この粉末を成
形した後、アルゴンガス等の非酸化性雰囲気中、
1900〜2400℃で焼成もしくはホツトプレスするこ
とにより、炭化珪素焼結体が得られる。 本発明においては、上述した炭化珪素焼結体の
表面に金属酸化物を塗布した後、大気中で高温処
理することが重要である。この処理によつて、炭
化珪素焼結体に電気絶縁性が賦与されるメカニズ
ムは未だ明確ではないが、本発明者等は次のよう
に推定している。 即ち、SiC粉末に焼結助剤として例えばB4Cと
Ｃを用いた場合、焼結体中の個々のSiC結晶粒は
Ｂをドープした状態で焼結しているため、SiCの
バンド内にアクセプタ−レベルを形成し、Ｐ型半
導体としての挙動を示す。このSiC焼結体に金属
酸化物として例えばＮ型半導体であるTiO2を用
いると、TiO2が粒界に沿つて拡散され、Tiイオ
ンはSiやＣに比してイオン半径が大きいため粒内
への拡散は抑制され、粒界にてＮ型半導体TiO2
として偏析すると考えられる。このため、個々の
結晶粒の界面においてＰ−Ｎ−Ｐの接合を形成
し、電気的障壁が作られて高抵抗化するものと考
えられる。ところが、焼結助剤にBe化合物を用
いたＮ型半導体として挙動するSiC焼結体に対し
ても、TiO2を拡散させることにより、或る程度
の高抵抗化が実験上確認されたため、上述の理論
のみでは高抵抗化のメカニズムは完全には説明さ
れ得ない。従つて、上記のＰ／Ｎ界面での電気的
障壁の効果以外に、酸素イオン等の陰イオンが拡
散され、実質的にSiC粒界でのSiO2の粒界巾を広
げ、粒界内部の酸化の効果を持たらし、高抵抗化
に寄与するのではないかと考えられる。 本発明において使用される金属酸化物として
は、BeO、B2O3、MgO、Al2O3、Li2O、TiO2、
Cr2O3、MnO、Fe2O3、CoO、NiO、CuO、
ZnO、Sb2O3、SrO、Bi2O3、CaO、BaO、
Ta2O5、Nb2O5、V2O5、Co2O3、MoO3、ZrO、
WO3、Y2O3のような希土類元素酸化物等もしく
はこれ等の複合物が挙げられるが、就中、BeO、
B2O3、MgO、Al2O3、TiO2、CuO、CoO、NiO、
Bi2O3、Cr2O3が109Ω・cm以上の体積固有抵抗を
賦与するために好適である。 上記金属酸化物はエチルセルロースのような結
合剤及び適当な有機溶剤を加えてペースト化し、
このペーストがSiC焼結体表面に筆、ハケ等によ
り均一に塗布される。 なお、本発明においては、金属酸化物のペース
トに限定されるものではなく、高温処理により金
属酸化物を生成する溶液、例えばTi（SO4）2、Cu
（NO3）2、Mn（CH3COO）2、Mg（mAA）2の如き塩
類、Ni（EDTA）の如き錯体等を用いることもで
きる。なお、mAAはメチルメタアクリル酸であ
る。 金属酸化物の選択に当つて、SiC焼結体中の焼
結助剤との組合せについて厳密には考慮する必要
はないが、前述したＰ／Ｎ界面での電気的障壁の
効果による高抵抗化を期待するためには、例え
ば、焼結助剤としてＢ又はAlの化合物を用いた
SiC焼結体に対しては、これがＰ型半導体の挙動
を示すため、拡散させる元素はSiCに固溶してＮ
型半導体の挙動を示すBe、Ti等の酸化物が好適
である。これとは逆に焼結助剤にBe化合物を用
いたSiC焼結体に対しては、Ｂ、Al、Co、Ni、
Cu等の酸化物が好適である。 次に高温処理工程は大気中で1000〜1600℃の温
度範囲で焼成することにより行われる。1000℃以
下では金属酸化物の拡散係数が小さくSiC粒界に
沿つて充分に拡散しないため、所望の高抵抗化は
達成されない。また、1600℃以上で焼成すると、
SiC粒界層のSiO2とSiCとが反応してSiO2を還元
し、その結果、粒界のSiO2量が欠乏して高抵抗
化効果が失なわれる。 高温処理時間は温度及び拡散元素の拡散速度に
より異なるため明確にはできないが、実験によれ
ば1500〜1600℃の高温領域では１〜３時間程度で
充分であつた。 本発明は、SiC焼結体に金属酸化物を塗布し、
高温処理したことにより、前述したようにＮ−Ｐ
接合の形成、酸素イオンの拡散による高抵抗化が
達成されるという新規な知見に基づくものであ
り、SiC焼結体の製造時の原料バツチに同様の金
属酸化物を添加したものでは上記の高抵抗化効果
が期待できないという点で区別されるべきであ
る。 以下、本発明の実施例について説明する。 〔SiC焼結体試料の製法〕 平均粒径0.6μのα−SiC粉末100ｇに平均粒径5μ
のB4C0.5ｇ、カーボンブラツク３ｇを加え、更
に溶剤としてアセトン200c.c.を添加した後、充分
混合撹拌し、次いで、この混合物からアセトンを
蒸発させた。得られた乾燥粉末を40メツシユ・パ
スさせて成形用の粉末を得た。次に、この粉末を
ホツトプレス型に充填し、アルゴン雰囲気中、
250Kg／cm2の圧力で2150℃の温度に20分間保持し
て円板状（50φ×4t）のSiC焼結体を得た。この
焼結体の嵩比重は3.18ｇ／c.c.であり緻密質であつ
た。 実施例 １ 上記の製法により得たSiC焼結体試料の上下両
面に表に示す各種の金属酸化物ペーストを筆塗
りにより塗布し、これを大気中1500℃で３時間焼
成処理した。次いで、処理後の焼結体試料の上下
両面を0.5mmづつ研削した後、In−Ga電極を付け
てそれぞれの体積固有抵抗を測定した。 この結果も合わせて表に示した。 なお、熱伝導率については、上記の処理前と処
理後において実質上差異がなく、すべて0.15〜
0.5cal／cm・sec・℃の範囲であつた。 更に、表中の試料No.5と比較試料について
螢光Ｘ線分析装置によりTi／Siの強度比を測定
したところ、前者は6.3、後者は1.0であり、本発
明品ではTiがSiC焼結体中に拡散されていること
が確認された。
し、より詳細には、高熱伝導性と電気絶縁性とが
要求される半導体実装基板等に好適な炭化珪素焼
結体の製法に関する。 近年、エレクトロニクス部品の急速な技術革新
により、IC、LSIをはじめとする半導体素子は高
集積化、高出力化が図られ、これに伴い、半導体
素子を塔載するパツケージ、集積回路基板等の半
導体実装基板として高熱伝導性、電気絶縁性を有
する材料が要求されている。 従来の半導体実装基板材料としては、アルミナ
セラミツクスが最も一般的であるが、熱伝導性の
点で要求特性を充分満足しているとは言えない。 他方、炭素と硼素を焼結助剤とした炭化珪素焼
結体や炭素と酸化アルミニウム又は酸化ベリリウ
ムを焼結助剤とした周知の炭化珪素焼結体は熱伝
導性は良好であるが、体積固有抵抗は高々106
Ω・cmであり、電気絶縁性の点で要求特性を満足
していない。 そこで、本発明者等は電気絶縁性に優れ且つ熱
伝導率の大きいセラミツク材料を提供することを
目的として研究を重ねた結果、上述した従来の炭
化珪素焼結体に、体積固有抵抗として108Ω・cm
〜1011Ω・cmの範囲の電気絶縁性を任意に賦与で
きることを知見した。 本発明の製法は、炭化珪素焼結体の表面に金属
酸化物を塗布した後、大気中で高温処理を施し、
これにより炭化珪素焼結体に電気絶縁性を賦与す
ることを特徴とするものである。 本発明方法において素材として用いる炭化珪素
焼結体は従来周知のものでよく、その製法の一例
を挙げると、炭化珪素粉末に、有機化合物等の炭
素源、炭化硼素、窒化硼素のような硼素化合物、
酸化アルミニウムのようなアルミニウム化合物、
炭化ベリリウムのようなベリリウム化合物等から
選ばれた焼結助剤を少量添加し、更に結合剤及び
有機溶剤を加え、充分混合撹拌した後、混合物か
ら溶剤を蒸発させて乾燥粉末とし、この粉末を成
形した後、アルゴンガス等の非酸化性雰囲気中、
1900〜2400℃で焼成もしくはホツトプレスするこ
とにより、炭化珪素焼結体が得られる。 本発明においては、上述した炭化珪素焼結体の
表面に金属酸化物を塗布した後、大気中で高温処
理することが重要である。この処理によつて、炭
化珪素焼結体に電気絶縁性が賦与されるメカニズ
ムは未だ明確ではないが、本発明者等は次のよう
に推定している。 即ち、SiC粉末に焼結助剤として例えばB4Cと
Ｃを用いた場合、焼結体中の個々のSiC結晶粒は
Ｂをドープした状態で焼結しているため、SiCの
バンド内にアクセプタ−レベルを形成し、Ｐ型半
導体としての挙動を示す。このSiC焼結体に金属
酸化物として例えばＮ型半導体であるTiO2を用
いると、TiO2が粒界に沿つて拡散され、Tiイオ
ンはSiやＣに比してイオン半径が大きいため粒内
への拡散は抑制され、粒界にてＮ型半導体TiO2
として偏析すると考えられる。このため、個々の
結晶粒の界面においてＰ−Ｎ−Ｐの接合を形成
し、電気的障壁が作られて高抵抗化するものと考
えられる。ところが、焼結助剤にBe化合物を用
いたＮ型半導体として挙動するSiC焼結体に対し
ても、TiO2を拡散させることにより、或る程度
の高抵抗化が実験上確認されたため、上述の理論
のみでは高抵抗化のメカニズムは完全には説明さ
れ得ない。従つて、上記のＰ／Ｎ界面での電気的
障壁の効果以外に、酸素イオン等の陰イオンが拡
散され、実質的にSiC粒界でのSiO2の粒界巾を広
げ、粒界内部の酸化の効果を持たらし、高抵抗化
に寄与するのではないかと考えられる。 本発明において使用される金属酸化物として
は、BeO、B2O3、MgO、Al2O3、Li2O、TiO2、
Cr2O3、MnO、Fe2O3、CoO、NiO、CuO、
ZnO、Sb2O3、SrO、Bi2O3、CaO、BaO、
Ta2O5、Nb2O5、V2O5、Co2O3、MoO3、ZrO、
WO3、Y2O3のような希土類元素酸化物等もしく
はこれ等の複合物が挙げられるが、就中、BeO、
B2O3、MgO、Al2O3、TiO2、CuO、CoO、NiO、
Bi2O3、Cr2O3が109Ω・cm以上の体積固有抵抗を
賦与するために好適である。 上記金属酸化物はエチルセルロースのような結
合剤及び適当な有機溶剤を加えてペースト化し、
このペーストがSiC焼結体表面に筆、ハケ等によ
り均一に塗布される。 なお、本発明においては、金属酸化物のペース
トに限定されるものではなく、高温処理により金
属酸化物を生成する溶液、例えばTi（SO4）2、Cu
（NO3）2、Mn（CH3COO）2、Mg（mAA）2の如き塩
類、Ni（EDTA）の如き錯体等を用いることもで
きる。なお、mAAはメチルメタアクリル酸であ
る。 金属酸化物の選択に当つて、SiC焼結体中の焼
結助剤との組合せについて厳密には考慮する必要
はないが、前述したＰ／Ｎ界面での電気的障壁の
効果による高抵抗化を期待するためには、例え
ば、焼結助剤としてＢ又はAlの化合物を用いた
SiC焼結体に対しては、これがＰ型半導体の挙動
を示すため、拡散させる元素はSiCに固溶してＮ
型半導体の挙動を示すBe、Ti等の酸化物が好適
である。これとは逆に焼結助剤にBe化合物を用
いたSiC焼結体に対しては、Ｂ、Al、Co、Ni、
Cu等の酸化物が好適である。 次に高温処理工程は大気中で1000〜1600℃の温
度範囲で焼成することにより行われる。1000℃以
下では金属酸化物の拡散係数が小さくSiC粒界に
沿つて充分に拡散しないため、所望の高抵抗化は
達成されない。また、1600℃以上で焼成すると、
SiC粒界層のSiO2とSiCとが反応してSiO2を還元
し、その結果、粒界のSiO2量が欠乏して高抵抗
化効果が失なわれる。 高温処理時間は温度及び拡散元素の拡散速度に
より異なるため明確にはできないが、実験によれ
ば1500〜1600℃の高温領域では１〜３時間程度で
充分であつた。 本発明は、SiC焼結体に金属酸化物を塗布し、
高温処理したことにより、前述したようにＮ−Ｐ
接合の形成、酸素イオンの拡散による高抵抗化が
達成されるという新規な知見に基づくものであ
り、SiC焼結体の製造時の原料バツチに同様の金
属酸化物を添加したものでは上記の高抵抗化効果
が期待できないという点で区別されるべきであ
る。 以下、本発明の実施例について説明する。 〔SiC焼結体試料の製法〕 平均粒径0.6μのα−SiC粉末100ｇに平均粒径5μ
のB4C0.5ｇ、カーボンブラツク３ｇを加え、更
に溶剤としてアセトン200c.c.を添加した後、充分
混合撹拌し、次いで、この混合物からアセトンを
蒸発させた。得られた乾燥粉末を40メツシユ・パ
スさせて成形用の粉末を得た。次に、この粉末を
ホツトプレス型に充填し、アルゴン雰囲気中、
250Kg／cm2の圧力で2150℃の温度に20分間保持し
て円板状（50φ×4t）のSiC焼結体を得た。この
焼結体の嵩比重は3.18ｇ／c.c.であり緻密質であつ
た。 実施例 １ 上記の製法により得たSiC焼結体試料の上下両
面に表に示す各種の金属酸化物ペーストを筆塗
りにより塗布し、これを大気中1500℃で３時間焼
成処理した。次いで、処理後の焼結体試料の上下
両面を0.5mmづつ研削した後、In−Ga電極を付け
てそれぞれの体積固有抵抗を測定した。 この結果も合わせて表に示した。 なお、熱伝導率については、上記の処理前と処
理後において実質上差異がなく、すべて0.15〜
0.5cal／cm・sec・℃の範囲であつた。 更に、表中の試料No.5と比較試料について
螢光Ｘ線分析装置によりTi／Siの強度比を測定
したところ、前者は6.3、後者は1.0であり、本発
明品ではTiがSiC焼結体中に拡散されていること
が確認された。
【表】
実施例 ２
SiC焼結体試料の製法においてB4Cに代えて１
％のBN、0.5％のY2O3を添加して製造した嵩比
重3.15ｇ／c.c.の緻密なSiC焼結体（50φ×4t）を用
い、上下両面にTiO2とBeOのペーストをそれぞ
れ塗布した２つの焼結体試料を大気中1400℃で６
時間焼成処理した。 この処理後の試料を実施例１と同様の方法で体
積固有抵抗を測定したところ、TiO2塗布試料は
3.7×1011Ω・cm、BeO塗布試料は3.0×1011Ω・
cmの高抵抗を示した。なお、これ等の試料の処理
前の体積個有抵抗はいずれも4.7×106Ω・cmであ
つた。 実施例 ３ SiC焼結体試料の製法においてB4Cに代えて５
％のBeOを添加して製造した嵩比重3.08ｇ／c.c.の
緻密なSiC焼結体（50φ×4t）を用い、上下両面
に表に示す各種の金属酸化物ペーストを筆塗り
し、これを大気中1550℃で２時間焼成処理し、そ
の後実施例１と同様の方法で体積固有抵抗を測定
し、その結果を表に示した。なお、処理前の各
試料の体積固有抵抗はいずれも3.0〜7.0×105Ω・
cmの範囲であつた。
％のBN、0.5％のY2O3を添加して製造した嵩比
重3.15ｇ／c.c.の緻密なSiC焼結体（50φ×4t）を用
い、上下両面にTiO2とBeOのペーストをそれぞ
れ塗布した２つの焼結体試料を大気中1400℃で６
時間焼成処理した。 この処理後の試料を実施例１と同様の方法で体
積固有抵抗を測定したところ、TiO2塗布試料は
3.7×1011Ω・cm、BeO塗布試料は3.0×1011Ω・
cmの高抵抗を示した。なお、これ等の試料の処理
前の体積個有抵抗はいずれも4.7×106Ω・cmであ
つた。 実施例 ３ SiC焼結体試料の製法においてB4Cに代えて５
％のBeOを添加して製造した嵩比重3.08ｇ／c.c.の
緻密なSiC焼結体（50φ×4t）を用い、上下両面
に表に示す各種の金属酸化物ペーストを筆塗り
し、これを大気中1550℃で２時間焼成処理し、そ
の後実施例１と同様の方法で体積固有抵抗を測定
し、その結果を表に示した。なお、処理前の各
試料の体積固有抵抗はいずれも3.0〜7.0×105Ω・
cmの範囲であつた。
【表】
本発明によれば、前述した実施例から明らかな
ように、電気絶縁性ではない炭化珪素焼結体に金
属酸化物を塗布した後、高温処理を施すことによ
り熱伝導率が大きいという利点を維持したまま、
108〜1011Ω・cmの範囲の所望の電気絶縁性を賦
与することができ、半導体実装基板等の要求特性
を満足するセラミツク材料が提供される。
ように、電気絶縁性ではない炭化珪素焼結体に金
属酸化物を塗布した後、高温処理を施すことによ
り熱伝導率が大きいという利点を維持したまま、
108〜1011Ω・cmの範囲の所望の電気絶縁性を賦
与することができ、半導体実装基板等の要求特性
を満足するセラミツク材料が提供される。
Claims (1)
- １ 炭化珪素焼結体の表面に金属酸化物を塗布し
た後、1000〜1600℃の大気中で高温処理を施すこ
とによつて該金属酸化物を該焼結体の粒界に拡散
させ、これにより炭化珪素焼結体に電気絶縁性を
賦与することを特徴とする電気絶縁性炭化珪素焼
結体の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14431781A JPS5851405A (ja) | 1981-09-12 | 1981-09-12 | 電気絶縁性炭化珪素焼結体の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14431781A JPS5851405A (ja) | 1981-09-12 | 1981-09-12 | 電気絶縁性炭化珪素焼結体の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5851405A JPS5851405A (ja) | 1983-03-26 |
| JPS6312326B2 true JPS6312326B2 (ja) | 1988-03-18 |
Family
ID=15359271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14431781A Granted JPS5851405A (ja) | 1981-09-12 | 1981-09-12 | 電気絶縁性炭化珪素焼結体の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5851405A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01320022A (ja) * | 1988-06-22 | 1989-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コーヒ抽出器 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5869946U (ja) * | 1981-11-06 | 1983-05-12 | 日本電気株式会社 | 半導体素子用容器 |
| JP2736457B2 (ja) * | 1989-11-27 | 1998-04-02 | 京セラ株式会社 | 半導体素子収納用パッケージ |
| JP2736461B2 (ja) * | 1989-11-30 | 1998-04-02 | 京セラ株式会社 | 半導体素子収納用パッケージ |
| JP2736460B2 (ja) * | 1989-11-30 | 1998-04-02 | 京セラ株式会社 | 半導体素子収納用パッケージ |
| JP2736456B2 (ja) * | 1989-11-27 | 1998-04-02 | 京セラ株式会社 | 半導体素子収納用パッケージ |
| JP2736459B2 (ja) * | 1989-11-30 | 1998-04-02 | 京セラ株式会社 | 半導体素子収納用パッケージ |
| JP2736458B2 (ja) * | 1989-11-27 | 1998-04-02 | 京セラ株式会社 | 半導体素子収納用パッケージ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5516407A (en) * | 1978-07-21 | 1980-02-05 | Toshiba Corp | Mold transformer |
| JPS5666086A (en) * | 1979-11-05 | 1981-06-04 | Hitachi Ltd | Electrically insulating board |
-
1981
- 1981-09-12 JP JP14431781A patent/JPS5851405A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5516407A (en) * | 1978-07-21 | 1980-02-05 | Toshiba Corp | Mold transformer |
| JPS5666086A (en) * | 1979-11-05 | 1981-06-04 | Hitachi Ltd | Electrically insulating board |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01320022A (ja) * | 1988-06-22 | 1989-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コーヒ抽出器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5851405A (ja) | 1983-03-26 |
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