JP2736458B2 - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
半導体素子収納用パッケージInfo
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- JP2736458B2 JP2736458B2 JP1308607A JP30860789A JP2736458B2 JP 2736458 B2 JP2736458 B2 JP 2736458B2 JP 1308607 A JP1308607 A JP 1308607A JP 30860789 A JP30860789 A JP 30860789A JP 2736458 B2 JP2736458 B2 JP 2736458B2
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- lid
- package
- insulating base
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
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- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
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- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は半導体素子を収容する半導体素子収納用パッ
ケージの改良に関するものである。
ケージの改良に関するものである。
（従来の技術） 従来、半導体素子を収容するためのパッケージ、特に
ガラスの溶着によって封止するガラス封止型半導体素子
収納用パッケージは、絶縁基体と蓋体とから成り、内部
に半導体素子を収容する空所を有する絶縁容器と、該容
器内に収容される半導体素子を外部電気回路に電気的に
接続するための外部リード端子とから構成されており、
絶縁基体及び蓋体の相対向する主面に予め封止用のガラ
ス部材を被着形成すると共に、絶縁基体主面に外部リー
ド端子を固定し、半導体素子の各電極と外部リード端子
とをワイヤボンド接続した後、絶縁基体及び蓋体のそれ
ぞれに被着させた封止用のガラス部材を溶融一体化させ
ることによって内部に半導体素子を気密に封止してい
る。
ガラスの溶着によって封止するガラス封止型半導体素子
収納用パッケージは、絶縁基体と蓋体とから成り、内部
に半導体素子を収容する空所を有する絶縁容器と、該容
器内に収容される半導体素子を外部電気回路に電気的に
接続するための外部リード端子とから構成されており、
絶縁基体及び蓋体の相対向する主面に予め封止用のガラ
ス部材を被着形成すると共に、絶縁基体主面に外部リー
ド端子を固定し、半導体素子の各電極と外部リード端子
とをワイヤボンド接続した後、絶縁基体及び蓋体のそれ
ぞれに被着させた封止用のガラス部材を溶融一体化させ
ることによって内部に半導体素子を気密に封止してい
る。
（発明が解決しようとする課題） しかし乍ら、この従来のガラス封止型半導体素子収納
用パッケージは通常、外部リード端子がコバール（29Wt
％、Ni−16Wt％Co−55Wt％Fe合金）や42Alloy（42Wt％N
i−58Wt％Fe合金）の導電性材料から成っており、該コ
バールや42Alloy等は導電率が低いことから以下に述べ
る欠点を有する。
用パッケージは通常、外部リード端子がコバール（29Wt
％、Ni−16Wt％Co−55Wt％Fe合金）や42Alloy（42Wt％N
i−58Wt％Fe合金）の導電性材料から成っており、該コ
バールや42Alloy等は導電率が低いことから以下に述べ
る欠点を有する。
即ち、 コバールや42Alloyはその導電率が3.0〜3.5％（IAC
S）と低い。そのためこのコバールや42Alloy等から成る
外部リード端子に信号を伝搬させた場合、信号の伝搬速
度が極めて遅いものとなり、高速駆動を行う半導体素子
はその収容が不可となってしまう、 半導体素子収納用パッケージの内部に収容する半導体
素子の高密度化、高集積化の進展に伴い、半導体素子の
電極数が大幅に増大しており、半導体素子の各電極を外
部電気回路に接続する外部リード端子の線幅も極めて細
くなってきている。そのため外部リード端子は上記に
記載のコバールや42Alloyの導電率が低いことと相俊っ
て電気抵抗が極めて大きなものになってきており、外部
リード端子に信号を伝搬させると、該外部リード端子の
電気抵抗に起因して信号が大きく減衰し、内部に収容す
る半導体素子に信号を正確に入力することができず、半
導体素子に誤動作を生じさせてしまう、 等の欠点を有していた。
S）と低い。そのためこのコバールや42Alloy等から成る
外部リード端子に信号を伝搬させた場合、信号の伝搬速
度が極めて遅いものとなり、高速駆動を行う半導体素子
はその収容が不可となってしまう、 半導体素子収納用パッケージの内部に収容する半導体
素子の高密度化、高集積化の進展に伴い、半導体素子の
電極数が大幅に増大しており、半導体素子の各電極を外
部電気回路に接続する外部リード端子の線幅も極めて細
くなってきている。そのため外部リード端子は上記に
記載のコバールや42Alloyの導電率が低いことと相俊っ
て電気抵抗が極めて大きなものになってきており、外部
リード端子に信号を伝搬させると、該外部リード端子の
電気抵抗に起因して信号が大きく減衰し、内部に収容す
る半導体素子に信号を正確に入力することができず、半
導体素子に誤動作を生じさせてしまう、 等の欠点を有していた。
（発明の目的） 本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的
は外部リード端子における信号の減衰を極小となし、内
部に収容する半導体素子への信号の入出力を確実に行う
ことを可能として半導体素子を長期間にわたり正常、且
つ安定に作動させることができる半導体素子収納用パッ
ケージを提供することにある。
は外部リード端子における信号の減衰を極小となし、内
部に収容する半導体素子への信号の入出力を確実に行う
ことを可能として半導体素子を長期間にわたり正常、且
つ安定に作動させることができる半導体素子収納用パッ
ケージを提供することにある。
また本発明の他の目的な高速駆動を行う半導体素子を
収容することができる半導体素子収納用パッケージを提
供することにある。
収容することができる半導体素子収納用パッケージを提
供することにある。
（課題を解決するための手段） 本発明は内部に半導体素子を収容するための空所を有
する絶縁容器に外部リード端子をガラス部材を介して取
着して成る半導体素子収納用パッケージにおいて、前記
絶縁基体及び蓋体を酸化アルミニウム質焼結体で、外部
リード端子を熱膨張係数65乃至75×10-7/℃、導電率25
％（IACS）以上の金属で、ガラス部材を酸化鉛60.0乃至
80.0Wt％、酸化ホウ素5.0乃至20.0Wt％、酸化亜鉛5.0乃
至20.0Wt％シリカ1.0乃至10.0Wt％、アルミナ1.0乃至1
0.0Wt％から成るガラスで形成したことを特徴とするも
のである。
する絶縁容器に外部リード端子をガラス部材を介して取
着して成る半導体素子収納用パッケージにおいて、前記
絶縁基体及び蓋体を酸化アルミニウム質焼結体で、外部
リード端子を熱膨張係数65乃至75×10-7/℃、導電率25
％（IACS）以上の金属で、ガラス部材を酸化鉛60.0乃至
80.0Wt％、酸化ホウ素5.0乃至20.0Wt％、酸化亜鉛5.0乃
至20.0Wt％シリカ1.0乃至10.0Wt％、アルミナ1.0乃至1
0.0Wt％から成るガラスで形成したことを特徴とするも
のである。
（実施例） 次に本発明を添付図面に基づき詳細に説明する。
第１図及び第２図は本発明の半導体素子収納用パッケ
ージの一実施例を示し、１は絶縁基体、２は蓋体であ
る。この絶縁基体１と蓋体２とにより絶縁容器３が構成
される。
ージの一実施例を示し、１は絶縁基体、２は蓋体であ
る。この絶縁基体１と蓋体２とにより絶縁容器３が構成
される。
前記絶縁基体１及び蓋体２はそれぞれの中央部に半導
体素子を収容する空所を形成するための凹部が設けてあ
り、絶縁基体１の凹部底面には半導体素子４が樹脂、ガ
ラス、ロウ剤等の接着剤を介し取着固定される。
体素子を収容する空所を形成するための凹部が設けてあ
り、絶縁基体１の凹部底面には半導体素子４が樹脂、ガ
ラス、ロウ剤等の接着剤を介し取着固定される。
前記絶縁基体１及び蓋体２は酸化アルミニウム質焼結
体から成り、第１図に示すような絶縁基体１及び蓋体２
に対応した形状を有するプレス型内に、酸化アルミニウ
ム（Al2O3）、シリカ（SiO2）、マグネシア（MgO）等の
原料粉末を充填させるとともに一定圧力を印加して成形
し、しかる後、成形品を約1500℃の温度で焼成すること
によって製作される。
体から成り、第１図に示すような絶縁基体１及び蓋体２
に対応した形状を有するプレス型内に、酸化アルミニウ
ム（Al2O3）、シリカ（SiO2）、マグネシア（MgO）等の
原料粉末を充填させるとともに一定圧力を印加して成形
し、しかる後、成形品を約1500℃の温度で焼成すること
によって製作される。
尚、前記絶縁基体１及び蓋体２を形成する酸化アルミ
ニウム質焼結体はその熱膨張係数が65〜75×10-7/℃で
あり、後述する封止用ガラス部材の熱膨張係数との関係
において絶縁基体１及び蓋体２と封止用ガラス部材間に
大きな熱膨張の差が生じることはない。
ニウム質焼結体はその熱膨張係数が65〜75×10-7/℃で
あり、後述する封止用ガラス部材の熱膨張係数との関係
において絶縁基体１及び蓋体２と封止用ガラス部材間に
大きな熱膨張の差が生じることはない。
また前記絶縁基体１及び蓋体２にはその相対向する主
面に封止用のガラス部材６が予め被着形成されており、
該絶縁基体１及び蓋体２の各々に被着されている封止用
ガラス部材６を加熱溶融させ一体化させることにより絶
縁容器３内の半導体素子４を気密に封止する。
面に封止用のガラス部材６が予め被着形成されており、
該絶縁基体１及び蓋体２の各々に被着されている封止用
ガラス部材６を加熱溶融させ一体化させることにより絶
縁容器３内の半導体素子４を気密に封止する。
前記絶縁基体１及び蓋体２の相対向する主面に被着さ
れる封止用ガラス部材６は、酸化鉛60.0乃至80.0Wt％、
酸化ホウ素5.0乃至20.0Wt％、酸化亜鉛5.0乃至20.0Wt
％、シリカ1.0乃至10.0Wt％、アルミナ1.0乃至10.0Wt％
より形成されるガラスから成り、上記各成分を所定の値
に秤量混合すると共に、該混合粉末を1000〜1100℃の温
度で加熱溶融させることによって製作される。このガラ
ス部材６はその熱膨張係数が70乃至95×10-7/℃であ
る。
れる封止用ガラス部材６は、酸化鉛60.0乃至80.0Wt％、
酸化ホウ素5.0乃至20.0Wt％、酸化亜鉛5.0乃至20.0Wt
％、シリカ1.0乃至10.0Wt％、アルミナ1.0乃至10.0Wt％
より形成されるガラスから成り、上記各成分を所定の値
に秤量混合すると共に、該混合粉末を1000〜1100℃の温
度で加熱溶融させることによって製作される。このガラ
ス部材６はその熱膨張係数が70乃至95×10-7/℃であ
る。
前記封止用ガラス部材６はその熱膨張係数が70乃至95
×10-7/℃であり、絶縁基体１及び蓋体２の各々の熱膨
張係数と近似することから絶縁基体１及び蓋体２の各々
に被着されている封止用ガラス部材６を加熱溶融させ一
体化させることにより絶縁容器３内の半導体素子４を気
密に封止する際、絶縁基体１及び蓋体２と封止用ガラス
部材６との間には両者の熱膨張係数の相違に起因する熱
応力が発生することは殆どなく、絶縁基体１と蓋体２と
を封止用ガラス部材６を介し強固に接合することが可能
となる。
×10-7/℃であり、絶縁基体１及び蓋体２の各々の熱膨
張係数と近似することから絶縁基体１及び蓋体２の各々
に被着されている封止用ガラス部材６を加熱溶融させ一
体化させることにより絶縁容器３内の半導体素子４を気
密に封止する際、絶縁基体１及び蓋体２と封止用ガラス
部材６との間には両者の熱膨張係数の相違に起因する熱
応力が発生することは殆どなく、絶縁基体１と蓋体２と
を封止用ガラス部材６を介し強固に接合することが可能
となる。
尚、前記封止用ガラス部材６は酸化鉛（PbO）が60Wt
％未満であるとガラスの熱膨張が小さくなって絶縁基体
１と蓋体２の熱膨張と合わなくなり、また80Wt％を越え
るとガラスの耐薬品性が劣化して絶縁容器３の気密封止
の信頼性が大きく低下するため酸化鉛（PbO）は60.0乃
至80.0Wt％の範囲に限定される。
％未満であるとガラスの熱膨張が小さくなって絶縁基体
１と蓋体２の熱膨張と合わなくなり、また80Wt％を越え
るとガラスの耐薬品性が劣化して絶縁容器３の気密封止
の信頼性が大きく低下するため酸化鉛（PbO）は60.0乃
至80.0Wt％の範囲に限定される。
また酸化ホウ素（B2O3）が5.0tWt％未満であるとガラ
スの結晶化が進んで絶縁容器３の気密封止が困難とな
り、また20.0Wt％を越えるとガラスの耐薬品性が劣化し
て絶縁容器３の気密封止の信頼性が大きく低下するため
酸化ホウ素（B2O3）は5.0乃至20.0Wt％の範囲に限定さ
れる。
スの結晶化が進んで絶縁容器３の気密封止が困難とな
り、また20.0Wt％を越えるとガラスの耐薬品性が劣化し
て絶縁容器３の気密封止の信頼性が大きく低下するため
酸化ホウ素（B2O3）は5.0乃至20.0Wt％の範囲に限定さ
れる。
また酸化亜鉛（ZnO）が0.5Wt％未満であるとガラス化
が困難となってガラス部材６としての機能が喪失してし
まい、また20.0Wt％を越えるとガラスの結晶化が進んで
絶縁容器３の気密封止が困難となることから酸化亜鉛
（ZnO）は0.5乃至20.0Wt％の範囲に限定される。
が困難となってガラス部材６としての機能が喪失してし
まい、また20.0Wt％を越えるとガラスの結晶化が進んで
絶縁容器３の気密封止が困難となることから酸化亜鉛
（ZnO）は0.5乃至20.0Wt％の範囲に限定される。
またシリカ（SiO2）が1.0Wt％未満であるとガラスの
結晶化が進んで絶縁容器３の気密封止が困難となり、ま
た10.0Wt％を越えるとガラスの溶融温度が上がり、絶縁
容器３内に半導体素子を気密に封止する際、ガラス溶融
させるための熱が内部に収容した半導体素子に作用し半
導体素子の特性に熱劣化を招来してしまうことからシリ
カ（SiO2）は1.0乃至10.0Wt％の範囲に限定される。
結晶化が進んで絶縁容器３の気密封止が困難となり、ま
た10.0Wt％を越えるとガラスの溶融温度が上がり、絶縁
容器３内に半導体素子を気密に封止する際、ガラス溶融
させるための熱が内部に収容した半導体素子に作用し半
導体素子の特性に熱劣化を招来してしまうことからシリ
カ（SiO2）は1.0乃至10.0Wt％の範囲に限定される。
またアルミナ（Al2O3）が1.0Wt％未満であるとガラス
の結晶化が進んで絶縁容器３の気密封止が困難となり、
また10.0Wt％を越えるとガラスの熱膨張が小さくなって
絶縁基体１と蓋体２の熱膨張と合わなくなることからア
ルミナ（Al2O3）は1.0乃至10.0Wt％の範囲に限定され
る。
の結晶化が進んで絶縁容器３の気密封止が困難となり、
また10.0Wt％を越えるとガラスの熱膨張が小さくなって
絶縁基体１と蓋体２の熱膨張と合わなくなることからア
ルミナ（Al2O3）は1.0乃至10.0Wt％の範囲に限定され
る。
前記封止用ガラス部材６は前述した成分から成るガラ
スの粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加して得たガラス
ペーストを従来周知の厚膜手法を採用することによって
絶縁基体１及び蓋体２の相対向する主面に被着形成され
る。
スの粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加して得たガラス
ペーストを従来周知の厚膜手法を採用することによって
絶縁基体１及び蓋体２の相対向する主面に被着形成され
る。
前記絶縁基体１と蓋体２との間には導電性材料から成
る外部リード端子５が配されており、該外部リード端子
５は半導体素子４の各電極がワイヤ７を介し電気的に接
続され、外部リード端子５を外部電気回路に接続するこ
とによって半導体素子４が外部電気回路に接続されるこ
ととなる。
る外部リード端子５が配されており、該外部リード端子
５は半導体素子４の各電極がワイヤ７を介し電気的に接
続され、外部リード端子５を外部電気回路に接続するこ
とによって半導体素子４が外部電気回路に接続されるこ
ととなる。
前記外部リード端子５は絶縁基体１と蓋体２の相対向
する主面に被着させた封止用ガラス部材６を溶融一体化
させ、絶縁容器３を気密封止する際に同時に絶縁基体１
と蓋体２との間に取着される。
する主面に被着させた封止用ガラス部材６を溶融一体化
させ、絶縁容器３を気密封止する際に同時に絶縁基体１
と蓋体２との間に取着される。
前記外部リード端子５は42Alloy（Ni−Co合金）から
成る芯体の外表面に非磁性体金属である銅（Cu）を被着
させたもの、非磁性体金属である銅（Cu）から成る芯体
の外表面にニッケル−コバルト−鉄合金（Ni−Co−Fe合
金）を被着させたもの、或いは板状のニッケル−コバル
ト−鉄合金（Ni−Co−Fe合金）もしくはインバー合金
（36.5Wt％Ni−63.5Wt％Fe合金）の上下面に非磁性体金
属である銅（Cu）を接合させたもの等から成り、その導
電率は25％（IACS）以上、熱膨張係数は65乃至75×10-7
/℃である。
成る芯体の外表面に非磁性体金属である銅（Cu）を被着
させたもの、非磁性体金属である銅（Cu）から成る芯体
の外表面にニッケル−コバルト−鉄合金（Ni−Co−Fe合
金）を被着させたもの、或いは板状のニッケル−コバル
ト−鉄合金（Ni−Co−Fe合金）もしくはインバー合金
（36.5Wt％Ni−63.5Wt％Fe合金）の上下面に非磁性体金
属である銅（Cu）を接合させたもの等から成り、その導
電率は25％（IACS）以上、熱膨張係数は65乃至75×10-7
/℃である。
前記外部リード端子５はその導電率が25.0％（IACS）
以上であり、電気を流し易いことから外部リード端子５
の信号伝搬速度を極めて速いものとなすことができ、絶
縁容器３内に収容した半導体素子４を高速駆動させたと
しても半導体素子４と外部電気回路との間における信号
の出し入れは常に安定、且つ確実となすことができる。
以上であり、電気を流し易いことから外部リード端子５
の信号伝搬速度を極めて速いものとなすことができ、絶
縁容器３内に収容した半導体素子４を高速駆動させたと
しても半導体素子４と外部電気回路との間における信号
の出し入れは常に安定、且つ確実となすことができる。
また外部リード端子５の導電率が高いことから外部リ
ード端子５の線幅が細くなったとしても外部リード端子
５の電気抵抗を低く抑えることができ、その結果、外部
リード端子５における信号の減衰を極小として内部に収
容する半導体素子４に外部電気回路から供給される電気
信号を正確に入力することができる。
ード端子５の線幅が細くなったとしても外部リード端子
５の電気抵抗を低く抑えることができ、その結果、外部
リード端子５における信号の減衰を極小として内部に収
容する半導体素子４に外部電気回路から供給される電気
信号を正確に入力することができる。
更に前記外部リード端子５はその熱膨張係数が65乃至
75×10-7/℃であり、封止用ガラス部材６の熱膨張係数
と近似することから外部リード端子５を絶縁基体１と蓋
体２の間に封止用ガラス部材６を用いて固定する際、外
部リード端子５と封止用ガラス部材６との間には両者の
熱膨張係数の相違に起因する熱応力が発生することはな
く、外部リード端子５を封止用ガラス部材６で強固に固
定することも可能となる。
75×10-7/℃であり、封止用ガラス部材６の熱膨張係数
と近似することから外部リード端子５を絶縁基体１と蓋
体２の間に封止用ガラス部材６を用いて固定する際、外
部リード端子５と封止用ガラス部材６との間には両者の
熱膨張係数の相違に起因する熱応力が発生することはな
く、外部リード端子５を封止用ガラス部材６で強固に固
定することも可能となる。
かくして、この半導体素子収納用パッケージによれば
絶縁基体１の凹部底面に半導体素子４を取着固定すると
ともに該半導体素子４の各電極をボンディングワイヤ７
により外部リード端子５に接続させ、しかる後、絶縁基
体１と蓋体２とを該絶縁基体１及び蓋体２の相対向する
主面に予め被着させておいた封止用ガラス部材６を溶融
一体化させることによって接合させ、これによって最終
製品としての半導体装置が完成する。
絶縁基体１の凹部底面に半導体素子４を取着固定すると
ともに該半導体素子４の各電極をボンディングワイヤ７
により外部リード端子５に接続させ、しかる後、絶縁基
体１と蓋体２とを該絶縁基体１及び蓋体２の相対向する
主面に予め被着させておいた封止用ガラス部材６を溶融
一体化させることによって接合させ、これによって最終
製品としての半導体装置が完成する。
（発明の効果） 本発明の半導体素子収納用パッケージによれば、絶縁
基体及び蓋体を酸化アルミニウム質焼結体で、外部リー
ド端子を熱膨張係数65乃至75×10-7/℃、導電率25％（I
ACS）以上の金属で、ガラス部材を酸化鉛60.0乃至80.0W
t％、酸化ホウ素5.0乃至20.0Wt％、酸化亜鉛5.0乃至20.
0Wt％、シリカ1.0乃至10.0Wt％、アルミナ1.0乃至10.0W
t％から成るガラスで形成したことから外部リード端子
の信号伝搬速度を極めて速いものとなすことができ、絶
縁容器内に収容した半導体素子を高速駆動させたとして
も半導体素子と外部電気回路との間における信号の出し
入れを常に安定、且つ確実となすことが可能となる。
基体及び蓋体を酸化アルミニウム質焼結体で、外部リー
ド端子を熱膨張係数65乃至75×10-7/℃、導電率25％（I
ACS）以上の金属で、ガラス部材を酸化鉛60.0乃至80.0W
t％、酸化ホウ素5.0乃至20.0Wt％、酸化亜鉛5.0乃至20.
0Wt％、シリカ1.0乃至10.0Wt％、アルミナ1.0乃至10.0W
t％から成るガラスで形成したことから外部リード端子
の信号伝搬速度を極めて速いものとなすことができ、絶
縁容器内に収容した半導体素子を高速駆動させたとして
も半導体素子と外部電気回路との間における信号の出し
入れを常に安定、且つ確実となすことが可能となる。
また外部リード端子の線幅が細くなったとしても外部
リード端子の電気抵抗を低く抑えることができ、その結
果、外部リード端子における信号の減衰を極小として内
部に収容する半導体素子に外部電気回路から供給される
電気信号を正確に入力することが可能となる。
リード端子の電気抵抗を低く抑えることができ、その結
果、外部リード端子における信号の減衰を極小として内
部に収容する半導体素子に外部電気回路から供給される
電気信号を正確に入力することが可能となる。
更に外部リード端子はその熱膨張係数が絶縁基体、蓋
体及び封止用ガラス部材の各々の熱膨張係数と近似し、
絶縁基体と蓋体との間に外部リード端子を挟み、各々を
封止用ガラス部材で取着接合したとしても絶縁基体及び
蓋体と封止用ガラス部材との間、外部リード端子と封止
用ガラス部材との間のいずれにも熱膨張係数の相違に起
因する熱応力は発生せず、すべてを強固に取着接合する
ことも可能となる。
体及び封止用ガラス部材の各々の熱膨張係数と近似し、
絶縁基体と蓋体との間に外部リード端子を挟み、各々を
封止用ガラス部材で取着接合したとしても絶縁基体及び
蓋体と封止用ガラス部材との間、外部リード端子と封止
用ガラス部材との間のいずれにも熱膨張係数の相違に起
因する熱応力は発生せず、すべてを強固に取着接合する
ことも可能となる。
【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の半導体素子収納用パッケージの一実施
例を示す断面図、第２図は第１図に示すパッケージの絶
縁基体上面より見た平面図である。 １……絶縁基体、２……蓋体 ３……絶縁容器 ５……外部リード端子 ６……封止用ガラス部材
例を示す断面図、第２図は第１図に示すパッケージの絶
縁基体上面より見た平面図である。 １……絶縁基体、２……蓋体 ３……絶縁容器 ５……外部リード端子 ６……封止用ガラス部材
Claims (1)
- 【請求項１】内部に半導体素子を収容するための空所を
有する絶縁容器に外部リード端子をガラス部材を介して
取着して成る半導体素子収納用パッケージにおいて、前
記絶縁容器を酸化アルミニウム質焼結体で、外部リード
端子を熱膨張係数65乃至75×10-7/℃、導電率25％（IAC
S）以上の金属で、ガラス部材を酸化鉛60.0乃至80.0Wt
％、酸化ホウ素5.0乃至20.0Wt％、酸化亜鉛5.0乃至20.0
Wt％、シリカ1.0乃至10.0Wt％、アルミナ1.0乃至10.0Wt
％から成るガラスで形成したことを特徴とする半導体素
子収納用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1308607A JP2736458B2 (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | 半導体素子収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1308607A JP2736458B2 (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | 半導体素子収納用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03167846A JPH03167846A (ja) | 1991-07-19 |
| JP2736458B2 true JP2736458B2 (ja) | 1998-04-02 |
Family
ID=17983078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1308607A Expired - Lifetime JP2736458B2 (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | 半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2736458B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5851405A (ja) * | 1981-09-12 | 1983-03-26 | 京セラ株式会社 | 電気絶縁性炭化珪素焼結体の製法 |
| JPS58130546A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-08-04 | Ibiden Co Ltd | 炭化珪素質基板およびその製造方法 |
| JPS6265954A (ja) * | 1985-09-18 | 1987-03-25 | Nippon Electric Glass Co Ltd | アルミナ封着用硼珪酸ガラス |
-
1989
- 1989-11-27 JP JP1308607A patent/JP2736458B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03167846A (ja) | 1991-07-19 |
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