JP2691313B2 - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
半導体素子収納用パッケージInfo
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
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- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は半導体素子を収容する半導体素子収納用パッ
ケージの改良に関するものである。
ケージの改良に関するものである。
（従来の技術） 従来、半導体素子を収容するためのパッケージ、特に
ガラスの溶着によって封止するガラス封止型半導体素子
収納用パッケージは、絶縁基体と蓋体とから成り、内部
に半導体素子を収容する空所を有する絶縁容器と、該容
器内に収容される半導体素子を外部電気回路に電気的に
接続するための外部リード端子とから構成されており、
絶縁基体及び蓋体の相対向する主面に予め封止用のガラ
ス部材を被着形成すると共に、絶縁基体主面に外部リー
ド端子を固定し、半導体素子の各電極と外部リード端子
とをワイヤボンド接続した後、絶縁基体及び蓋体のそれ
ぞれに被着させた封止用のガラス部材を溶融一体化させ
ることによって内部に半導体素子を気密に封止してい
る。
ガラスの溶着によって封止するガラス封止型半導体素子
収納用パッケージは、絶縁基体と蓋体とから成り、内部
に半導体素子を収容する空所を有する絶縁容器と、該容
器内に収容される半導体素子を外部電気回路に電気的に
接続するための外部リード端子とから構成されており、
絶縁基体及び蓋体の相対向する主面に予め封止用のガラ
ス部材を被着形成すると共に、絶縁基体主面に外部リー
ド端子を固定し、半導体素子の各電極と外部リード端子
とをワイヤボンド接続した後、絶縁基体及び蓋体のそれ
ぞれに被着させた封止用のガラス部材を溶融一体化させ
ることによって内部に半導体素子を気密に封止してい
る。
（発明が解決しようとする課題） しかし乍ら、この従来のガラス封止型半導体素子収納
用パッケージは通常、外部リード端子がコバール（29Wt
％Ni−16Wt％Co−55Wt％Fe合金）や42Alloy（42Wt％Ni
−58Wt％Fe合金）の導電性材料から成っており、該コバ
ールや42Alloy等は導電率が低いことから以下に述べる
欠点を有する。
用パッケージは通常、外部リード端子がコバール（29Wt
％Ni−16Wt％Co−55Wt％Fe合金）や42Alloy（42Wt％Ni
−58Wt％Fe合金）の導電性材料から成っており、該コバ
ールや42Alloy等は導電率が低いことから以下に述べる
欠点を有する。
即ち、 コバールや42Alloyはその導電率が3.0〜3.5％（IAC
S）と低い。そのためこのコバールや42Alloy等から成る
外部リード端子に信号を伝搬させた場合、信号の伝搬速
度が極めて遅いものとなり、高速駆動を行う半導体素子
はその収容が不可となってしまう、 半導体素子収納用パッケージの内部に収容する半導体
素子の高密度化、高集積化の進展に伴い、半導体素子の
電極数が大幅に増大しており、半導体素子の各電極を外
部電気回路に接続する外部リード端子の線幅も極めて細
くなってきている。そのため外部リード端子は上記に
記載のコバールや42Alloyの導電率が低いことと相俊っ
て電気抵抗が極めて大きなものになってきており、外部
リード端子に信号を伝搬させると、該外部リード端子の
電気抵抗に起因して信号が大きく減衰し、内部に収容す
る半導体素子に信号を正確に入力することができず、半
導体素子に誤動作を生じさせてしまう、 等の欠点を有していた。
S）と低い。そのためこのコバールや42Alloy等から成る
外部リード端子に信号を伝搬させた場合、信号の伝搬速
度が極めて遅いものとなり、高速駆動を行う半導体素子
はその収容が不可となってしまう、 半導体素子収納用パッケージの内部に収容する半導体
素子の高密度化、高集積化の進展に伴い、半導体素子の
電極数が大幅に増大しており、半導体素子の各電極を外
部電気回路に接続する外部リード端子の線幅も極めて細
くなってきている。そのため外部リード端子は上記に
記載のコバールや42Alloyの導電率が低いことと相俊っ
て電気抵抗が極めて大きなものになってきており、外部
リード端子に信号を伝搬させると、該外部リード端子の
電気抵抗に起因して信号が大きく減衰し、内部に収容す
る半導体素子に信号を正確に入力することができず、半
導体素子に誤動作を生じさせてしまう、 等の欠点を有していた。
（発明の目的） 本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的
は外部リード端子における信号の減衰を極小となし、内
部に収容する半導体素子への信号の入出力を確実に行う
ことを可能として半導体素子を長期間にわたり正常、且
つ安定に作動させることができる半導体素子収納用パッ
ケージを提供することにある。
は外部リード端子における信号の減衰を極小となし、内
部に収容する半導体素子への信号の入出力を確実に行う
ことを可能として半導体素子を長期間にわたり正常、且
つ安定に作動させることができる半導体素子収納用パッ
ケージを提供することにある。
また本発明の他の目的は高速駆動を行う半導体素子を
収容することができる半導体素子収納用パッケージを提
供することにある。
収容することができる半導体素子収納用パッケージを提
供することにある。
（課題を解決するための手段） 本発明は内部に半導体素子を収容するための空所を有
する絶縁容器に外部リード端子をガラス部材を介して取
着して成る半導体素子収納用パッケージにおいて、前記
絶縁容器を窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結
体、ジルコン質焼結体の少なくとも１種で、外部リード
端子を熱膨張係数40〜50×10-7/℃、導電率14％（IAC
S）以上の金属で、ガラス部材を酸化鉛70.0乃至90.0Wt
％、酸化ホウ素10.0乃至15.0Wt％、シリカ0.5乃至3.0Wt
％、アルミナ0.5乃至3.0Wt％、酸化亜鉛及び酸化ビスマ
ス3.0Wt％以下から成るガラス成分にフィラーとしての
チタン酸鉛、β−ユークリプタイト、コージライト、ジ
ルコン、酸化錫、ウイレマイト及びチタン酸錫の少なく
とも１種を30.0乃至50.0Vol％添加したガラスで形成し
たことを特徴とするものである。
する絶縁容器に外部リード端子をガラス部材を介して取
着して成る半導体素子収納用パッケージにおいて、前記
絶縁容器を窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結
体、ジルコン質焼結体の少なくとも１種で、外部リード
端子を熱膨張係数40〜50×10-7/℃、導電率14％（IAC
S）以上の金属で、ガラス部材を酸化鉛70.0乃至90.0Wt
％、酸化ホウ素10.0乃至15.0Wt％、シリカ0.5乃至3.0Wt
％、アルミナ0.5乃至3.0Wt％、酸化亜鉛及び酸化ビスマ
ス3.0Wt％以下から成るガラス成分にフィラーとしての
チタン酸鉛、β−ユークリプタイト、コージライト、ジ
ルコン、酸化錫、ウイレマイト及びチタン酸錫の少なく
とも１種を30.0乃至50.0Vol％添加したガラスで形成し
たことを特徴とするものである。
（実施例） 次に本発明を添付図面に基づき詳細に説明する。
第１図及び第２図は本発明の半導体素子収納用パッケ
ージの一実施例を示し、１は絶縁基体、２は蓋体であ
る。この絶縁基体１と蓋体２とにより絶縁容器３が構成
される。
ージの一実施例を示し、１は絶縁基体、２は蓋体であ
る。この絶縁基体１と蓋体２とにより絶縁容器３が構成
される。
前記絶縁基体１及び蓋体２はそれぞれの中央部に半導
体素子を収容する空所を形成するための凹部が設けてあ
り、絶縁基体１の凹部底面には半導体素子４が樹脂、ガ
ラス、ロウ剤等の接着剤を介し取着固定される。
体素子を収容する空所を形成するための凹部が設けてあ
り、絶縁基体１の凹部底面には半導体素子４が樹脂、ガ
ラス、ロウ剤等の接着剤を介し取着固定される。
前記絶縁基体１及び蓋体２は窒化アルミニウム質焼結
体、ムライト質焼結体、ジルコン質焼結体の少なくとも
１種から成り、第１図に示すような絶縁基体１及び蓋体
２に対応した形状を有するプレス型内に、窒化アルミニ
ウム質焼結体の場合は窒化アルミニウム（AlN）、イッ
トリア（Y2O3）等の原料粉末を、ムライト質焼結体の場
合はアルミナ（Al2O3）、シリカ（SiO2）等の原料粉末
を、ジルコン質焼結体の場合は酸化ジルコニウム（Zr
O2）、シリカ（SiO2）等の原料粉末を充填させるととも
に一定圧力を印加して成形し、しかる後、成形品を約13
00〜1800℃の温度で焼成することによって製作される。
体、ムライト質焼結体、ジルコン質焼結体の少なくとも
１種から成り、第１図に示すような絶縁基体１及び蓋体
２に対応した形状を有するプレス型内に、窒化アルミニ
ウム質焼結体の場合は窒化アルミニウム（AlN）、イッ
トリア（Y2O3）等の原料粉末を、ムライト質焼結体の場
合はアルミナ（Al2O3）、シリカ（SiO2）等の原料粉末
を、ジルコン質焼結体の場合は酸化ジルコニウム（Zr
O2）、シリカ（SiO2）等の原料粉末を充填させるととも
に一定圧力を印加して成形し、しかる後、成形品を約13
00〜1800℃の温度で焼成することによって製作される。
尚、前記絶縁基体１及び蓋体２を形成する窒化アルミ
ニウム質焼結体、ムライト質焼結体、ジルコン質焼結体
はその熱膨張係数が40乃至50×10-7/℃であり、後述す
る封止用ガラス部材の熱膨張係数との関係において絶縁
基体１及び蓋体２と封止用ガラス部材間に大きな熱膨張
の差が生じることはない。
ニウム質焼結体、ムライト質焼結体、ジルコン質焼結体
はその熱膨張係数が40乃至50×10-7/℃であり、後述す
る封止用ガラス部材の熱膨張係数との関係において絶縁
基体１及び蓋体２と封止用ガラス部材間に大きな熱膨張
の差が生じることはない。
また前記絶縁基体１及び蓋体２にはその相対向する主
面に封止用のガラス部材６が予め被着形成されており、
該絶縁基体１及び蓋体２の各々に被着されている封止用
ガラス部材６を加熱溶融させ一体化させることにより絶
縁容器３内の半導体素子４を気密に封止する。
面に封止用のガラス部材６が予め被着形成されており、
該絶縁基体１及び蓋体２の各々に被着されている封止用
ガラス部材６を加熱溶融させ一体化させることにより絶
縁容器３内の半導体素子４を気密に封止する。
前記絶縁基体１及び蓋体２の相対向する主面に被着さ
れる封止用ガラス部材６は、酸化鉛70.0乃至90.0Wt％、
酸化ホウ素10.0乃至15.0Wt％、シリカ0.5乃至3.0Wt％、
アルミナ0.5乃至3.0Wt％、酸化亜鉛及び酸化ビスマス3.
0Wt％以下から成るガラス成分にフィラーとしてのチタ
ン酸鉛、β−ユークリプタイト、コージライト、ジルコ
ン、酸化錫、ウイレマイト及びチタン酸錫の少なくとも
１種を30.0乃至50.0Vol％添加したガラスより成り、上
記各成分を所定の値となるように秤量混合すると共に、
該混合粉末を950〜1100℃の温度で加熱溶融させること
によって製作される。このガラス部材６の熱膨張係数は
40乃至60×10-7/℃である。
れる封止用ガラス部材６は、酸化鉛70.0乃至90.0Wt％、
酸化ホウ素10.0乃至15.0Wt％、シリカ0.5乃至3.0Wt％、
アルミナ0.5乃至3.0Wt％、酸化亜鉛及び酸化ビスマス3.
0Wt％以下から成るガラス成分にフィラーとしてのチタ
ン酸鉛、β−ユークリプタイト、コージライト、ジルコ
ン、酸化錫、ウイレマイト及びチタン酸錫の少なくとも
１種を30.0乃至50.0Vol％添加したガラスより成り、上
記各成分を所定の値となるように秤量混合すると共に、
該混合粉末を950〜1100℃の温度で加熱溶融させること
によって製作される。このガラス部材６の熱膨張係数は
40乃至60×10-7/℃である。
前記封止用ガラス部材６は、その熱膨張係数が40乃至
60×10-7/℃であり、絶縁基体１及び蓋体２の各々の熱
膨張係数と近似することから絶縁基体１及び蓋体２の各
々に被着されている封止用ガラス部材６を加熱溶融させ
一体化させることにより絶縁容器３内の半導体素子４を
気密に封止する際、絶縁基体１及び蓋体２と封止用ガラ
ス部材６との間には両者の熱膨張係数の相違に起因する
熱応力が発生することは殆どなく、絶縁基体１と蓋体２
とを封止用ガラス部材６を介し強固に接合することが可
能となる。
60×10-7/℃であり、絶縁基体１及び蓋体２の各々の熱
膨張係数と近似することから絶縁基体１及び蓋体２の各
々に被着されている封止用ガラス部材６を加熱溶融させ
一体化させることにより絶縁容器３内の半導体素子４を
気密に封止する際、絶縁基体１及び蓋体２と封止用ガラ
ス部材６との間には両者の熱膨張係数の相違に起因する
熱応力が発生することは殆どなく、絶縁基体１と蓋体２
とを封止用ガラス部材６を介し強固に接合することが可
能となる。
尚、前記封止用ガラス部材６は酸化鉛（PbO）が70.0W
t％未満であるとガラスの熱膨張が小さくなって絶縁基
体１と蓋体２の熱膨張と合わなくなり、また90.0Wt％を
越えるとガラスの耐薬品性が劣化して絶縁容器３の気密
封止の信頼性が大きく低下するため酸化鉛（PbO）は70.
0乃至90.0Wt％の範囲に限定される。
t％未満であるとガラスの熱膨張が小さくなって絶縁基
体１と蓋体２の熱膨張と合わなくなり、また90.0Wt％を
越えるとガラスの耐薬品性が劣化して絶縁容器３の気密
封止の信頼性が大きく低下するため酸化鉛（PbO）は70.
0乃至90.0Wt％の範囲に限定される。
また酸化ホウ素（B2O3）が10.0Wt％未満であるとガラ
スの熱膨張が大きくなって絶縁基体１と蓋体２の熱膨張
と合わなくなり、また15.0Wt％を越えるとガラスの耐薬
品性が劣化して絶縁容器３の気密封止の信頼性が大きく
低下するため酸化ホウ素（B2O3）は10.0乃至15.0Wt％の
範囲に限定される。
スの熱膨張が大きくなって絶縁基体１と蓋体２の熱膨張
と合わなくなり、また15.0Wt％を越えるとガラスの耐薬
品性が劣化して絶縁容器３の気密封止の信頼性が大きく
低下するため酸化ホウ素（B2O3）は10.0乃至15.0Wt％の
範囲に限定される。
またアルミナ（Al2O3）が0.5Wt％未満であるとガラス
の結晶化が進んで絶縁容器３の気密封止が困難となり、
また3.0Wt％を越えるとガラスの熱膨張が小さくなって
絶縁基体１と蓋体２の熱膨張と合わなくなることからア
ルミナ（Al2O3）は0.5乃至3.0Wt％の範囲に限定され
る。
の結晶化が進んで絶縁容器３の気密封止が困難となり、
また3.0Wt％を越えるとガラスの熱膨張が小さくなって
絶縁基体１と蓋体２の熱膨張と合わなくなることからア
ルミナ（Al2O3）は0.5乃至3.0Wt％の範囲に限定され
る。
またシリカ（SiO2）が0.5Wt％未満であるとガラスの
結晶化が進んで絶縁容器３の気密封止が困難となり、ま
た3.0Wt％を越えると絶縁容器３に外部リード端子５を
ガラス部材６を介して取着する際、ガラスの溶融温度が
上がり、絶縁容器３内部に収容する半導体素子に熱劣化
を招来させることからシリカ（SiO2）は0.50乃至3.0Wt
％の範囲に限定される。
結晶化が進んで絶縁容器３の気密封止が困難となり、ま
た3.0Wt％を越えると絶縁容器３に外部リード端子５を
ガラス部材６を介して取着する際、ガラスの溶融温度が
上がり、絶縁容器３内部に収容する半導体素子に熱劣化
を招来させることからシリカ（SiO2）は0.50乃至3.0Wt
％の範囲に限定される。
また酸化亜鉛（ZnO）が3.0Wt％を越えるとガラスの結
晶化が進んで絶縁容器３の気密封止が困難となることか
ら酸化亜鉛（ZnO）は3.0Wt％以下に限定される。
晶化が進んで絶縁容器３の気密封止が困難となることか
ら酸化亜鉛（ZnO）は3.0Wt％以下に限定される。
また酸化ビスマス（Bi2O3）が3.0Wt％を越えるとガラ
スの耐薬品性が劣化して絶縁容器３の気密封止の信頼性
が大きく低下するため酸化ビスマス（Bi2O3）は3.0Wt％
以下に限定される。
スの耐薬品性が劣化して絶縁容器３の気密封止の信頼性
が大きく低下するため酸化ビスマス（Bi2O3）は3.0Wt％
以下に限定される。
更にフィラーとして添加されるチタン鉛（PbTiO3）、
β−ユークタプタイト（Li2Al2Si2O8）、コージライト
（Mg2Al4Si5O18）、ジルコン（ZrSiO4）、酸化錫（Sn
O2）、ウイレマイト（Zn2SiO4）及びチタン酸錫（Sn4Si
O4）の少なくとも１種が30.0Vol％未満、或いは50.0Vol
％を越えるとガラスの熱膨張が絶縁基体１と蓋体２の熱
膨張に合わなくなることからその添加は30.0乃至50.0Vo
l％の範囲に限定される。
β−ユークタプタイト（Li2Al2Si2O8）、コージライト
（Mg2Al4Si5O18）、ジルコン（ZrSiO4）、酸化錫（Sn
O2）、ウイレマイト（Zn2SiO4）及びチタン酸錫（Sn4Si
O4）の少なくとも１種が30.0Vol％未満、或いは50.0Vol
％を越えるとガラスの熱膨張が絶縁基体１と蓋体２の熱
膨張に合わなくなることからその添加は30.0乃至50.0Vo
l％の範囲に限定される。
前記封止用ガラス部材６は前述した成分から成るガラ
スに適当な有機溶剤、溶媒を添加して得たガラスペース
トを従来周知の厚膜手法を採用することによって絶縁基
体１及び蓋体２の相対向する主面に被着形成される。
スに適当な有機溶剤、溶媒を添加して得たガラスペース
トを従来周知の厚膜手法を採用することによって絶縁基
体１及び蓋体２の相対向する主面に被着形成される。
前記絶縁基体１と蓋体２との間には導電性材料から成
る外部リード端子５が配されており、該外部リード端子
５は半導体素子４の各電極がワイヤ７を介して電気的に
接続され、外部リード端子５を外部電気回路に接続する
ことによって半導体素子４が外部電気回路に接続される
こととなる。
る外部リード端子５が配されており、該外部リード端子
５は半導体素子４の各電極がワイヤ７を介して電気的に
接続され、外部リード端子５を外部電気回路に接続する
ことによって半導体素子４が外部電気回路に接続される
こととなる。
前記外部リード端子５は絶縁基体１と蓋体２の相対向
する主面に被着させた封止用ガラス部材６を溶融一体化
させ、絶縁容器３を気密封止する際に同時に絶縁基体１
と蓋体２との間に取着される。
する主面に被着させた封止用ガラス部材６を溶融一体化
させ、絶縁容器３を気密封止する際に同時に絶縁基体１
と蓋体２との間に取着される。
前記外部リード端子５は非磁性金属である銅（Cu）か
ら成る芯体の外表面にニッケル−コバルト−鉄合金（Ni
−Co−Fe合金）を被着させたもの、或いは非磁性体金属
である銅（Cu）の上下面にニッケル−コバルト−鉄合金
（Ni−Co−Fe合金）を接合させたもの等から成り、その
導電率は14％（AICS）以上、熱膨張係数は40乃至50×10
-7/℃の導電性材料から成る。
ら成る芯体の外表面にニッケル−コバルト−鉄合金（Ni
−Co−Fe合金）を被着させたもの、或いは非磁性体金属
である銅（Cu）の上下面にニッケル−コバルト−鉄合金
（Ni−Co−Fe合金）を接合させたもの等から成り、その
導電率は14％（AICS）以上、熱膨張係数は40乃至50×10
-7/℃の導電性材料から成る。
前記外部リード端子５はその導電率が14％（IACS）以
上であり、電気を流し易いことから外部リード端子５の
信号伝搬速度を極めて速いものとなすことができ、絶縁
容器３内に収容した半導体素子４を高速駆動させたとし
ても半導体素子４と外部電気回路との間における信号の
出し入れは常に安定、且つ確実となすことができる。
上であり、電気を流し易いことから外部リード端子５の
信号伝搬速度を極めて速いものとなすことができ、絶縁
容器３内に収容した半導体素子４を高速駆動させたとし
ても半導体素子４と外部電気回路との間における信号の
出し入れは常に安定、且つ確実となすことができる。
また外部リード端子５の導電率が高いことから外部リ
ード端子５の線幅が細くなったとしても外部リード端子
５の電気抵抗を低く抑えることができ、その結果、外部
リード端子５における信号の減衰を極小として内部に収
容する半導体素子４に外部電気回路から供給される電気
信号を正確に入力することができる。
ード端子５の線幅が細くなったとしても外部リード端子
５の電気抵抗を低く抑えることができ、その結果、外部
リード端子５における信号の減衰を極小として内部に収
容する半導体素子４に外部電気回路から供給される電気
信号を正確に入力することができる。
更に前記外部リード端子５はその熱膨張係数が40〜50
×10-7/℃であり、封止用ガラス部材６の熱膨張係数と
近似することから外部リード端子５を絶縁基体１と蓋体
２の間に封止用ガラス部材６を用いて固定する際、外部
リード端子５と封止用ガラス部材６との間には両者の熱
膨張係数の相違に起因する熱応力が発生することはな
く、外部リード端子５を封止用ガラス部材６で強固に固
定することも可能となる。
×10-7/℃であり、封止用ガラス部材６の熱膨張係数と
近似することから外部リード端子５を絶縁基体１と蓋体
２の間に封止用ガラス部材６を用いて固定する際、外部
リード端子５と封止用ガラス部材６との間には両者の熱
膨張係数の相違に起因する熱応力が発生することはな
く、外部リード端子５を封止用ガラス部材６で強固に固
定することも可能となる。
かくして、この半導体素子収納用パッケージによれば
絶縁基体１の凹部底面に半導体素子４を取着固定すると
ともに該半導体素子４の各電極をボンディングワイヤ７
により外部リード端子５に接続させ、しかる後、絶縁基
体１と蓋体２とを該絶縁基体１及び蓋体２の相対向する
主面に予め被着させておいた封止用ガラス部材６を溶融
一体化させることによって接合させ、これによって最終
製品としての半導体装置が完成する。
絶縁基体１の凹部底面に半導体素子４を取着固定すると
ともに該半導体素子４の各電極をボンディングワイヤ７
により外部リード端子５に接続させ、しかる後、絶縁基
体１と蓋体２とを該絶縁基体１及び蓋体２の相対向する
主面に予め被着させておいた封止用ガラス部材６を溶融
一体化させることによって接合させ、これによって最終
製品としての半導体装置が完成する。
（発明の効果） 本発明の半導体素子収納用パッケージによれば、半導
体素子を収容するための絶縁容器を窒化アルミニウム質
焼結体、ムライト質焼結体、ジルコン質焼結体の少なく
とも１種で、外部リード端子を導電率が14％（IACS）以
上、熱膨張係数が40〜50×10-7/℃の金属で、ガラス部
材を酸化鉛70.0乃至90.0Wt％、酸化ホウ素10.0乃至15.0
Wt％、シリカ0.5乃至3.0Wt％、アルミナ0.5乃至3.0Wt
％、酸化亜鉛及び酸化ビスマス3.0Wt％以下から成るガ
ラス成分にフィラーとしてのチタン酸鉛、β−ユークリ
プタイト、コージライト、ジルコン、酸化錫、ウイレマ
イト及びチタン酸錫の少なくとも１種を30.0乃至50.0Vo
l％添加したガラスで形成したことから外部リード端子
の信号伝搬速度を極めて速いものとなすことができ、絶
縁容器内に収容した半導体素子を高速駆動させたとして
も半導体素子と外部電気回路との間における信号の出し
入れを常に安定、且つ確実となすことが可能となる。
体素子を収容するための絶縁容器を窒化アルミニウム質
焼結体、ムライト質焼結体、ジルコン質焼結体の少なく
とも１種で、外部リード端子を導電率が14％（IACS）以
上、熱膨張係数が40〜50×10-7/℃の金属で、ガラス部
材を酸化鉛70.0乃至90.0Wt％、酸化ホウ素10.0乃至15.0
Wt％、シリカ0.5乃至3.0Wt％、アルミナ0.5乃至3.0Wt
％、酸化亜鉛及び酸化ビスマス3.0Wt％以下から成るガ
ラス成分にフィラーとしてのチタン酸鉛、β−ユークリ
プタイト、コージライト、ジルコン、酸化錫、ウイレマ
イト及びチタン酸錫の少なくとも１種を30.0乃至50.0Vo
l％添加したガラスで形成したことから外部リード端子
の信号伝搬速度を極めて速いものとなすことができ、絶
縁容器内に収容した半導体素子を高速駆動させたとして
も半導体素子と外部電気回路との間における信号の出し
入れを常に安定、且つ確実となすことが可能となる。
また外部リード端子の線幅が細くなったとしても外部
リード端子の電気抵抗を低く抑えることができ、その結
果、外部リード端子における信号の減衰を極小として内
部に収容する半導体素子に外部電気回路から供給される
電気信号を正確に入力することが可能となる。
リード端子の電気抵抗を低く抑えることができ、その結
果、外部リード端子における信号の減衰を極小として内
部に収容する半導体素子に外部電気回路から供給される
電気信号を正確に入力することが可能となる。
更に、外部リード端子はその熱膨張係数が絶縁基体、
蓋体及び封止用ガラス部材の各々の熱膨張係数と近似
し、絶縁基体と蓋体との間に外部リード端子を挟み、各
々を封止用ガラス部材で取着接合したとしても絶縁基体
及び蓋体と封止用ガラス部材との間、外部リード端子と
封止用ガラス部材との間のいずれにも熱膨張係数の相違
に起因する熱応力は発生せず、すべてを強固に取着接合
することも可能となる。
蓋体及び封止用ガラス部材の各々の熱膨張係数と近似
し、絶縁基体と蓋体との間に外部リード端子を挟み、各
々を封止用ガラス部材で取着接合したとしても絶縁基体
及び蓋体と封止用ガラス部材との間、外部リード端子と
封止用ガラス部材との間のいずれにも熱膨張係数の相違
に起因する熱応力は発生せず、すべてを強固に取着接合
することも可能となる。
第１図は本発明の半導体素子収納用パッケージの一実施
例を示す断面図、第２図は第１図に示すパッケージの絶
縁基体上面より見た平面図である。 １……絶縁基体、２……蓋体 ３……絶縁容器 ５……外部リード端子 ６……封止用ガラス部材
例を示す断面図、第２図は第１図に示すパッケージの絶
縁基体上面より見た平面図である。 １……絶縁基体、２……蓋体 ３……絶縁容器 ５……外部リード端子 ６……封止用ガラス部材
Claims (1)
- 【請求項１】内部に半導体素子を収容するための空所を
有する絶縁容器に外部リード端子をガラス部材を介して
取着して成る半導体素子収納用パッケージにおいて、前
記絶縁容器を窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼
結体、ジルコン質焼結体の少なくとも１種で、外部リー
ド端子を熱膨張係数40乃至50×10-7/℃、導電率14％（I
ACS）以上の金属で、ガラス部材を酸化鉛70.0乃至90.0W
t％、酸化ホウ素10.0乃至15.0Wt％、シリカ0.5乃至3.0W
t％、アルミナ0.5乃至3.0Wt％、酸化亜鉛及び酸化ビス
マス3.0Wt％以下から成るガラス成分にフィラーとして
のチタン酸鉛、β−ユークリプタイト、コージライト、
ジルコン、酸化錫、ウイレマイト及びチタン酸錫の少な
くとも１種を30.0乃至50.0Vol％添加したガラスで形成
したことを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1312731A JP2691313B2 (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | 半導体素子収納用パッケージ |
| US07/574,472 US5168126A (en) | 1989-08-25 | 1990-08-27 | Container package for semiconductor element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1312731A JP2691313B2 (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | 半導体素子収納用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03173163A JPH03173163A (ja) | 1991-07-26 |
| JP2691313B2 true JP2691313B2 (ja) | 1997-12-17 |
Family
ID=18032746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1312731A Expired - Fee Related JP2691313B2 (ja) | 1989-08-25 | 1989-11-30 | 半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2691313B2 (ja) |
-
1989
- 1989-11-30 JP JP1312731A patent/JP2691313B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03173163A (ja) | 1991-07-26 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |