JP2691311B2 - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
半導体素子収納用パッケージInfo
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- JP2691311B2 JP2691311B2 JP1312724A JP31272489A JP2691311B2 JP 2691311 B2 JP2691311 B2 JP 2691311B2 JP 1312724 A JP1312724 A JP 1312724A JP 31272489 A JP31272489 A JP 31272489A JP 2691311 B2 JP2691311 B2 JP 2691311B2
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は半導体素子を収容する半導体素子収納用パッ
ケージの改良に関するものである。
ケージの改良に関するものである。
（従来の技術） 従来、半導体素子を収容するためのパッケージ、特に
ガラスの溶着によって封止するガラス封止型半導体素子
収納用パッケージは、絶縁基体と蓋体とから成り、内部
に半導体素子を収容する空所を有する絶縁容器と、該容
器内に収容される半導体素子を外部電気回路に電気的に
接続するための外部リード端子とから構成されており、
絶縁基体及び蓋体の相対向する主面に予め封止用のガラ
ス部材を被着形成すると共に、絶縁基体主面に外部リー
ド端子を固定し、半導体素子の各電極と外部リード端子
とをワイヤボンド接続した後、絶縁基体及び蓋体のそれ
ぞに被着させた封止用のガラス部材を溶融一体化させる
ことによって内部に半導体素子を気密に封止している。
ガラスの溶着によって封止するガラス封止型半導体素子
収納用パッケージは、絶縁基体と蓋体とから成り、内部
に半導体素子を収容する空所を有する絶縁容器と、該容
器内に収容される半導体素子を外部電気回路に電気的に
接続するための外部リード端子とから構成されており、
絶縁基体及び蓋体の相対向する主面に予め封止用のガラ
ス部材を被着形成すると共に、絶縁基体主面に外部リー
ド端子を固定し、半導体素子の各電極と外部リード端子
とをワイヤボンド接続した後、絶縁基体及び蓋体のそれ
ぞに被着させた封止用のガラス部材を溶融一体化させる
ことによって内部に半導体素子を気密に封止している。
（発明が解決しようとする課題） しかし乍ら、この従来のガラス封止型半導体素子収納
用パッケージは通常、外部リード端子がコバール（29Wt
％ Ni−16Wt％ Co−55Wt％Fe合金）や42Alloy（42Wt％
Ni−58Wt％Fe合金）の導電性材料から成っており、該コ
バールや42Alloy等は透磁率が高いことから以下に述べ
る欠点を有する。
用パッケージは通常、外部リード端子がコバール（29Wt
％ Ni−16Wt％ Co−55Wt％Fe合金）や42Alloy（42Wt％
Ni−58Wt％Fe合金）の導電性材料から成っており、該コ
バールや42Alloy等は透磁率が高いことから以下に述べ
る欠点を有する。
即ち、コバールや42Alloyは鉄（Fe）、ニッケル（N
i）、コバルト（Co）といった強磁性体金属のみから成
っており、その透磁率は250〜700（CGS）と高い。その
ためこのコバールや42Alloy等から成る外部リード端子
に電流が流れると外部リード端子中に透磁率に比例した
大きな自己インダクタンスが発生し、これが逆起電力を
誘発してノイズとなると共に、該ノイズが半導体素子に
入力されて半導体素子に誤動作を生じさせるという欠点
を有していた。
i）、コバルト（Co）といった強磁性体金属のみから成
っており、その透磁率は250〜700（CGS）と高い。その
ためこのコバールや42Alloy等から成る外部リード端子
に電流が流れると外部リード端子中に透磁率に比例した
大きな自己インダクタンスが発生し、これが逆起電力を
誘発してノイズとなると共に、該ノイズが半導体素子に
入力されて半導体素子に誤動作を生じさせるという欠点
を有していた。
（発明の目的） 本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的
は外部リード端子で発生するノイズを極小となし、内部
に収容する半導体素子への信号の入出力を確実に行うこ
とを可能として半導体素子を長期間にわたり正常、且つ
安定に作動させることができる半導体素子収納用パッケ
ージを提供することにある。
は外部リード端子で発生するノイズを極小となし、内部
に収容する半導体素子への信号の入出力を確実に行うこ
とを可能として半導体素子を長期間にわたり正常、且つ
安定に作動させることができる半導体素子収納用パッケ
ージを提供することにある。
（課題を解決するための手段） 本発明は内部に半導体素子を収容するための空所を有
する絶縁容器に外部リード端子をガラス部材を介して取
着して成る半導体素子収納用パッケージにおいて、前記
絶縁容器をフォルステライト質焼結体もしくはジルコニ
ア質焼結体で、外部リード端子を透磁率150（CGS）以
下、熱膨張係数95乃至110×10-7/℃の金属で、ガラス部
材を酸化鉛70.0乃至90.0Wt％、酸化ホウ素10.0乃至15.0
Wt％、シリカ0.5乃至3.0Wt％、アルミナ0.5乃至3.0Wt
％、酸化亜鉛及び酸化ビスマス3.0Wt％以下から成るガ
ラス成分にフィラーとしてのチタン酸鉛、β−ユークリ
プタイト、コージライト、ジルコン、酸化錫、ウイレマ
イト及びチタン酸錫の少なくとも１種を15Vol％以下添
加したガラスで形成したことを特徴とするものである。
する絶縁容器に外部リード端子をガラス部材を介して取
着して成る半導体素子収納用パッケージにおいて、前記
絶縁容器をフォルステライト質焼結体もしくはジルコニ
ア質焼結体で、外部リード端子を透磁率150（CGS）以
下、熱膨張係数95乃至110×10-7/℃の金属で、ガラス部
材を酸化鉛70.0乃至90.0Wt％、酸化ホウ素10.0乃至15.0
Wt％、シリカ0.5乃至3.0Wt％、アルミナ0.5乃至3.0Wt
％、酸化亜鉛及び酸化ビスマス3.0Wt％以下から成るガ
ラス成分にフィラーとしてのチタン酸鉛、β−ユークリ
プタイト、コージライト、ジルコン、酸化錫、ウイレマ
イト及びチタン酸錫の少なくとも１種を15Vol％以下添
加したガラスで形成したことを特徴とするものである。
（実施例） 次に本発明を添付図面に基づき詳細に説明する。
第１図及び第２図は本発明の半導体素子収納用パッケ
ージの一実施例を示し、１は絶縁基体、２は蓋体であ
る。この絶縁基体１と蓋体２とにより絶縁容器３が構成
される。
ージの一実施例を示し、１は絶縁基体、２は蓋体であ
る。この絶縁基体１と蓋体２とにより絶縁容器３が構成
される。
前記絶縁基体１及び蓋体２はそれぞれの中央部に半導
体素子を収容する空所を形成するための凹部が設けてあ
り、絶縁基体１の凹部底面には半導体素子４が樹脂、ガ
ラス、ロウ剤等の接着剤を介し取着固定される。
体素子を収容する空所を形成するための凹部が設けてあ
り、絶縁基体１の凹部底面には半導体素子４が樹脂、ガ
ラス、ロウ剤等の接着剤を介し取着固定される。
前記絶縁基体１及び蓋体２はフォルステライト質焼結
体もしくはジルコニア質焼結体から成り、第１図に示す
ような絶縁基体１及び蓋体２に対応した形状を有するプ
レス型内に、フォルステライト質焼結体の場合はマグネ
シア（MgO）、シリカ（SiO2）等の原料粉末を、ジルコ
ニア質焼結体の場合は酸化ジルコニウム（ZrO2）、イッ
トリア（Y2O3）等の原料粉末を充填させるとともに一定
圧力を印加して成形し、しかる後、成形品を約1200〜15
00℃の温度で焼成することによって製作される。
体もしくはジルコニア質焼結体から成り、第１図に示す
ような絶縁基体１及び蓋体２に対応した形状を有するプ
レス型内に、フォルステライト質焼結体の場合はマグネ
シア（MgO）、シリカ（SiO2）等の原料粉末を、ジルコ
ニア質焼結体の場合は酸化ジルコニウム（ZrO2）、イッ
トリア（Y2O3）等の原料粉末を充填させるとともに一定
圧力を印加して成形し、しかる後、成形品を約1200〜15
00℃の温度で焼成することによって製作される。
尚、前記絶縁基体１及び蓋体２を形成するフォルステ
ライト質焼結体もしくはジルコニア質焼結体はその熱膨
張係数が100乃至110×10-7/℃であり、後述する封止用
ガラス部材の熱膨張係数との関係において絶縁基体１及
び蓋体２と封止用ガラス部材間に大きな熱膨張の差が生
じることはない。
ライト質焼結体もしくはジルコニア質焼結体はその熱膨
張係数が100乃至110×10-7/℃であり、後述する封止用
ガラス部材の熱膨張係数との関係において絶縁基体１及
び蓋体２と封止用ガラス部材間に大きな熱膨張の差が生
じることはない。
また前記絶縁基体１及び蓋体２にはその相対向する主
面に封止用のガラス部材６が予め被着形成されており、
該絶縁基体１及び蓋体２の各々に被着されている封止用
ガラス部材６を加熱溶融させ一体化させることにより絶
縁容器３内の半導体素子４を気密に封止する。
面に封止用のガラス部材６が予め被着形成されており、
該絶縁基体１及び蓋体２の各々に被着されている封止用
ガラス部材６を加熱溶融させ一体化させることにより絶
縁容器３内の半導体素子４を気密に封止する。
前記絶縁基体１及び蓋体２の相対向する主面に被着さ
れる封止用ガラス部材６は、酸化鉛70.0乃至90.0Wt％、
酸化ホウ素10.0乃至15.0Wt％、シリカ0.5乃至3.0Wt％、
アルミナ0.5乃至3.0Wt％、酸化亜鉛及び酸化ビスマス3.
0Wt％以下から成るガラス成分にフィラーとしてのチタ
ン酸鉛、β−ユークリプタイト、コージライト、ジルコ
ン、酸化錫、ウイレマイト及びチタン酸錫の少なくとも
１種を15Vol％以下添加したガラスより成り、上記各成
分を所定の値となるように秤量混合すると共に、該混合
粉末を950〜1100℃の温度で加熱溶融させることによっ
て製作される。このガラス部材６の熱膨張係数は90乃至
120×10-7/℃である。
れる封止用ガラス部材６は、酸化鉛70.0乃至90.0Wt％、
酸化ホウ素10.0乃至15.0Wt％、シリカ0.5乃至3.0Wt％、
アルミナ0.5乃至3.0Wt％、酸化亜鉛及び酸化ビスマス3.
0Wt％以下から成るガラス成分にフィラーとしてのチタ
ン酸鉛、β−ユークリプタイト、コージライト、ジルコ
ン、酸化錫、ウイレマイト及びチタン酸錫の少なくとも
１種を15Vol％以下添加したガラスより成り、上記各成
分を所定の値となるように秤量混合すると共に、該混合
粉末を950〜1100℃の温度で加熱溶融させることによっ
て製作される。このガラス部材６の熱膨張係数は90乃至
120×10-7/℃である。
前記封止用ガラス部材６は、その熱膨張係数が90〜12
0×10-7/℃であり、絶縁基体１及び蓋体２の各々の熱膨
張係数と近似することから絶縁基体１及び蓋体２の各々
に被着されている封止用ガラス部材６を加熱溶融させ一
体化させることにより絶縁容器３内の半導体素子４を気
密に封止する際、絶縁基体１及び蓋体２と封止用ガラス
部材６との間には両者の熱膨張係数の相違に起因する熱
応力が発生することは殆どなく、絶縁基体１と蓋体２と
を封止用ガラス部材６を介し強固に接合することが可能
となる。
0×10-7/℃であり、絶縁基体１及び蓋体２の各々の熱膨
張係数と近似することから絶縁基体１及び蓋体２の各々
に被着されている封止用ガラス部材６を加熱溶融させ一
体化させることにより絶縁容器３内の半導体素子４を気
密に封止する際、絶縁基体１及び蓋体２と封止用ガラス
部材６との間には両者の熱膨張係数の相違に起因する熱
応力が発生することは殆どなく、絶縁基体１と蓋体２と
を封止用ガラス部材６を介し強固に接合することが可能
となる。
尚、前記封止用ガラス部材６は酸化鉛（PbO）が70.0W
t％未満であるとガラスの熱膨張が小さくなって絶縁基
体１と蓋体２の熱膨張と合わなくなり、また90.0Wt％を
越えるとガラスの耐薬品性が劣化して絶縁容器３の気密
封止の信頼性が大きく低下するため酸化鉛（PbO）は70.
0乃至90.0Wt％の範囲に限定される。
t％未満であるとガラスの熱膨張が小さくなって絶縁基
体１と蓋体２の熱膨張と合わなくなり、また90.0Wt％を
越えるとガラスの耐薬品性が劣化して絶縁容器３の気密
封止の信頼性が大きく低下するため酸化鉛（PbO）は70.
0乃至90.0Wt％の範囲に限定される。
また酸化ホウ素（B2O3）が10.0Wt％未満であるとガラ
スの熱膨張が大きくなって絶縁基体１と蓋体２の熱膨張
と合わなくなり、また15.0Wt％を越えるとガラスの耐薬
品性が劣化して絶縁容器３の気密封止の信頼性が大きく
低下するため酸化ホウ素（B2O3）は10.0乃至15.0Wt％の
範囲に限定される。
スの熱膨張が大きくなって絶縁基体１と蓋体２の熱膨張
と合わなくなり、また15.0Wt％を越えるとガラスの耐薬
品性が劣化して絶縁容器３の気密封止の信頼性が大きく
低下するため酸化ホウ素（B2O3）は10.0乃至15.0Wt％の
範囲に限定される。
またアルミナ（Al2O3）が0.5Wt％未満であるとガラス
の結晶化が進んで絶縁容器３の気密封止が困難となり、
また3.0Wt％を越えるとガラスの熱膨張が小さくなって
絶縁基体１と蓋体２の熱膨張と合わなくなることからア
ルミナ（Al2O3）は0.5乃至3.0Wt％の範囲に限定され
る。
の結晶化が進んで絶縁容器３の気密封止が困難となり、
また3.0Wt％を越えるとガラスの熱膨張が小さくなって
絶縁基体１と蓋体２の熱膨張と合わなくなることからア
ルミナ（Al2O3）は0.5乃至3.0Wt％の範囲に限定され
る。
またシリカ（SiO2）が0.5Wt％未満であるとガラスの
結晶化が進んで絶縁容器３の気密封止が困難となり、ま
た3.0Wt％を越えると絶縁容器３に外部リード端子５を
ガラス部材６を介して取着する際、ガラスの溶融温度が
上がり、絶縁容器３内部に収容する半導体素子に熱劣化
を招来させることからシリカ（SiO2）は0.50〜3.0Wt％
の範囲に限定される。
結晶化が進んで絶縁容器３の気密封止が困難となり、ま
た3.0Wt％を越えると絶縁容器３に外部リード端子５を
ガラス部材６を介して取着する際、ガラスの溶融温度が
上がり、絶縁容器３内部に収容する半導体素子に熱劣化
を招来させることからシリカ（SiO2）は0.50〜3.0Wt％
の範囲に限定される。
また酸化亜鉛（ZnO）が3.0Wt％を越えるとガラスの結
晶化が進んで絶縁容器３の気密封止が困難となることか
ら酸化亜鉛（ZnO）は3.0Wt％以下に限定される。
晶化が進んで絶縁容器３の気密封止が困難となることか
ら酸化亜鉛（ZnO）は3.0Wt％以下に限定される。
また酸化ビスマス（Bi2O3）が3.0Wt％を越えるとガラ
スの耐薬品性が劣化して絶縁容器３の気密封止の信頼性
が大きく低下するため酸化ビスマス（Bi2O3）は3.0Wt％
以下に限定される。
スの耐薬品性が劣化して絶縁容器３の気密封止の信頼性
が大きく低下するため酸化ビスマス（Bi2O3）は3.0Wt％
以下に限定される。
更にフィラーとして添加されるチタン鉛（PbTiO3）、
β−ユークタプタイト（Li2Al2Si2O8）、コージライト
（Mg2Al4Si5O18）、ジルコン（ZrSiO4）、酸化錫（Sn
O2）、ウイレマイト（Zn2SiO4）及びチタン酸錫（Sn4Si
O4）の少なくとも１種が15Vol％を越えるとガラスの熱
膨張が絶縁基体１と蓋体２の熱膨張に合わなくなること
からその添加は15Vol％以下に限定される。
β−ユークタプタイト（Li2Al2Si2O8）、コージライト
（Mg2Al4Si5O18）、ジルコン（ZrSiO4）、酸化錫（Sn
O2）、ウイレマイト（Zn2SiO4）及びチタン酸錫（Sn4Si
O4）の少なくとも１種が15Vol％を越えるとガラスの熱
膨張が絶縁基体１と蓋体２の熱膨張に合わなくなること
からその添加は15Vol％以下に限定される。
前記封止用ガラス部材６は前述した成分から成るガラ
スに適用な有機溶剤、溶媒を添加して得たガラスペース
トを従来周知の厚膜手法を採用することによって絶縁基
体１及び蓋体２の相対向する主面に被着形成される。
スに適用な有機溶剤、溶媒を添加して得たガラスペース
トを従来周知の厚膜手法を採用することによって絶縁基
体１及び蓋体２の相対向する主面に被着形成される。
前記絶縁基体１と蓋体２との間には導電性材料から成
る外部リード端子５が配されており、該外部リード端子
５は半導体素子４の各電極がワイヤ７を介し電気的に接
続され、外部リード端子５を外部電気回路に接続するこ
とによって半導体素子４が外部電気回路に接続されるこ
ととなる。
る外部リード端子５が配されており、該外部リード端子
５は半導体素子４の各電極がワイヤ７を介し電気的に接
続され、外部リード端子５を外部電気回路に接続するこ
とによって半導体素子４が外部電気回路に接続されるこ
ととなる。
前記外部リード端子５は絶縁基体１と蓋体２の相対向
する主面に被着させた封止用ガラス部材６を溶融一体化
させ、絶縁容器３を気密封止する際に同時に絶縁基体１
と蓋体２との間に取着される。
する主面に被着させた封止用ガラス部材６を溶融一体化
させ、絶縁容器３を気密封止する際に同時に絶縁基体１
と蓋体２との間に取着される。
前記外部リード端子５はクロム−鉄合金（17.5乃至1
8.5Wt％Cr−81.5乃至82.5Wt％Fe合金）等から成り、そ
の透磁率は150（CGS）以下、熱膨張係数は95乃至110×1
0-7/℃の導電性材料から成る。
8.5Wt％Cr−81.5乃至82.5Wt％Fe合金）等から成り、そ
の透磁率は150（CGS）以下、熱膨張係数は95乃至110×1
0-7/℃の導電性材料から成る。
前記外部リード端子５はその透磁率が150（CGS）以下
であり、透磁率が低いことから外部リード端子５に電流
が流れたとしても外部リード端子５中には大きな自己イ
ンダクタンスが発生することはなく、その結果、前記自
己インダクタンスにより誘発される逆起電力に起因した
ノイズを極小となし、内部に収容する半導体素子４を常
に正常に作動させることができる。
であり、透磁率が低いことから外部リード端子５に電流
が流れたとしても外部リード端子５中には大きな自己イ
ンダクタンスが発生することはなく、その結果、前記自
己インダクタンスにより誘発される逆起電力に起因した
ノイズを極小となし、内部に収容する半導体素子４を常
に正常に作動させることができる。
また前記外部リード端子５はその熱膨張係数が95乃至
110×10-7/℃であり、封止用ガラス部材６の熱膨張係数
と近似することから外部リード端子５を絶縁基体１と蓋
体２の間に封止用ガラス部材６を用いて固定する際、外
部リード端子５と封止用ガラス部材６との間には両者の
熱膨張係数の相違に起因する熱応力が発生することはな
く、外部リード端子５を封止用ガラス部材６で強固に固
定することも可能となる。
110×10-7/℃であり、封止用ガラス部材６の熱膨張係数
と近似することから外部リード端子５を絶縁基体１と蓋
体２の間に封止用ガラス部材６を用いて固定する際、外
部リード端子５と封止用ガラス部材６との間には両者の
熱膨張係数の相違に起因する熱応力が発生することはな
く、外部リード端子５を封止用ガラス部材６で強固に固
定することも可能となる。
かくして、この半導体素子収納用パッケージによれば
絶縁基体１の凹部底面に半導体素子４を取着固定すると
ともに該半導体素子４の各電極をボンディングワイヤ７
により外部リード端子５に接続させ、しかる後、絶縁基
体１と蓋体２とを該絶縁基体１及び蓋体２の相対向する
主面に予め被着させておいた封止用ガラス部材６を溶融
一体化させることによって接合させ、これによって最終
製品としての半導体装置が完成する。
絶縁基体１の凹部底面に半導体素子４を取着固定すると
ともに該半導体素子４の各電極をボンディングワイヤ７
により外部リード端子５に接続させ、しかる後、絶縁基
体１と蓋体２とを該絶縁基体１及び蓋体２の相対向する
主面に予め被着させておいた封止用ガラス部材６を溶融
一体化させることによって接合させ、これによって最終
製品としての半導体装置が完成する。
（発明の効果） 本発明の半導体素子収納用パッケージによれば、半導
体素子を収容するための絶縁容器をフォルステライト質
焼結体もしくはジルコニア質焼結体で、外部リード端子
を透磁率150（CGS）以下、熱膨張係数95乃至110×10-7/
℃の金属で、ガラス部材を酸化鉛70.0乃至90.0Wt％、酸
化ホウ素10.0乃至15.0Wt％、シリカ0.5乃至3.0Wt％、ア
ルミナ0.5乃至3.0Wt％、酸化亜鉛および酸化ビスマス3.
0Wt％以下から成るガラス成分にフィラーとしてのチタ
ン酸鉛、β−ユークリプタイト、コージライト、ジルコ
ン、酸化錫、ウイレマイト及びチタン酸錫の少なくとも
１種を15Vol％以下添加したガラスで形成したことから
外部リード端子に電流を流したとしても該外部リード端
子中に大きな自己インダクタンスが発生することはな
く、その結果、前記自己インダクタンスにより誘発され
る逆起電力に起因したノイズを極小となし、内部に収容
する半導体素子を常に正常に作動させることが可能とな
る。
体素子を収容するための絶縁容器をフォルステライト質
焼結体もしくはジルコニア質焼結体で、外部リード端子
を透磁率150（CGS）以下、熱膨張係数95乃至110×10-7/
℃の金属で、ガラス部材を酸化鉛70.0乃至90.0Wt％、酸
化ホウ素10.0乃至15.0Wt％、シリカ0.5乃至3.0Wt％、ア
ルミナ0.5乃至3.0Wt％、酸化亜鉛および酸化ビスマス3.
0Wt％以下から成るガラス成分にフィラーとしてのチタ
ン酸鉛、β−ユークリプタイト、コージライト、ジルコ
ン、酸化錫、ウイレマイト及びチタン酸錫の少なくとも
１種を15Vol％以下添加したガラスで形成したことから
外部リード端子に電流を流したとしても該外部リード端
子中に大きな自己インダクタンスが発生することはな
く、その結果、前記自己インダクタンスにより誘発され
る逆起電力に起因したノイズを極小となし、内部に収容
する半導体素子を常に正常に作動させることが可能とな
る。
また前記外部リード端子はその熱膨張係数が絶縁基
体、蓋体及び封止用ガラス部材の各々の熱膨張係数と近
似し、絶縁基体と蓋体との間に外部リード端子を挟み、
各々を封止用ガラス部材で取着接合したとしても絶縁基
体及び蓋体と封止用ガラス部材との間、外部リード端子
と封止用ガラス部材との間のいずれにも熱膨張係数の相
違に起因する熱応力は発生せず、すべてを強固に取着接
合することも可能となる。
体、蓋体及び封止用ガラス部材の各々の熱膨張係数と近
似し、絶縁基体と蓋体との間に外部リード端子を挟み、
各々を封止用ガラス部材で取着接合したとしても絶縁基
体及び蓋体と封止用ガラス部材との間、外部リード端子
と封止用ガラス部材との間のいずれにも熱膨張係数の相
違に起因する熱応力は発生せず、すべてを強固に取着接
合することも可能となる。
第１図は本発明の半導体素子収納用パッケージの一実施
例を示す断面図、第２図は第１図に示すパッケージの絶
縁基体上面より見た平面図である。 １……絶縁基体、２……蓋体 ３……絶縁容器 ５……外部リード端子 ６……封止用ガラス部材
例を示す断面図、第２図は第１図に示すパッケージの絶
縁基体上面より見た平面図である。 １……絶縁基体、２……蓋体 ３……絶縁容器 ５……外部リード端子 ６……封止用ガラス部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭50−146899（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−123080（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−5041（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−256741（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−185318（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭55−100239（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】内部に半導体素子を収容するための空所を
有する絶縁容器に外部リード端子をガラス部材を介して
取着して成る半導体素子収納用パッケージにおいて、前
記絶縁容器をフォルステライト質焼結体もしくはジルコ
ニア質焼結体で、外部リード端子を透磁率150（CGS）以
下、熱膨張係数95乃至110×10-7/℃の金属で、ガラス部
材を酸化鉛70.0乃至90.0Wt％、酸化ホウ素10.0乃至15.0
Wt％、シリカ0.5乃至3.0Wt％、アルミナ0.5乃至3.0Wt
％、酸化亜鉛及び酸化ビスマス3.0Wt％以下から成るガ
ラス成分にフィラーとしてのチタン酸鉛、β−ユークリ
プタイト、コージライト、ジルコン、酸化錫、ウイレマ
イト及びチタン酸錫の少なくとも１種を15Vol％以下添
加したガラスで形成したことを特徴とする半導体素子収
納用パッケージ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1312724A JP2691311B2 (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | 半導体素子収納用パッケージ |
| US07/574,470 US5140109A (en) | 1989-08-25 | 1990-08-27 | Container package for semiconductor element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1312724A JP2691311B2 (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | 半導体素子収納用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03173158A JPH03173158A (ja) | 1991-07-26 |
| JP2691311B2 true JP2691311B2 (ja) | 1997-12-17 |
Family
ID=18032657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1312724A Expired - Fee Related JP2691311B2 (ja) | 1989-08-25 | 1989-11-30 | 半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2691311B2 (ja) |
-
1989
- 1989-11-30 JP JP1312724A patent/JP2691311B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03173158A (ja) | 1991-07-26 |
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