JPS62242372A - 光導電素子の製造方法 - Google Patents
光導電素子の製造方法Info
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- JPS62242372A JPS62242372A JP61084378A JP8437886A JPS62242372A JP S62242372 A JPS62242372 A JP S62242372A JP 61084378 A JP61084378 A JP 61084378A JP 8437886 A JP8437886 A JP 8437886A JP S62242372 A JPS62242372 A JP S62242372A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、セラミック、ガラス等の基板上に真空蒸着に
よりＣｄ Ｓ、Ｃｄ Ｓｅ等のＣｄ系光導電素子材料の
薄膜を形成する際に、基板との密着性が優れた薄膜形成
を可能にすることを目的としたもので、Ｃｄ系光導電素
子材料に金属Ｃｄを添加したものを母材として使用して
蒸着を行うようにして目的の達成を図っている。
よりＣｄ Ｓ、Ｃｄ Ｓｅ等のＣｄ系光導電素子材料の
薄膜を形成する際に、基板との密着性が優れた薄膜形成
を可能にすることを目的としたもので、Ｃｄ系光導電素
子材料に金属Ｃｄを添加したものを母材として使用して
蒸着を行うようにして目的の達成を図っている。
本発明は光導電素子の製造方法に係り、特にセラミック
、ガラス等の基板との密着性に優れたＣｄ系薄膜の形成
方法に関する。
、ガラス等の基板との密着性に優れたＣｄ系薄膜の形成
方法に関する。
光導電素子は、Ｃｄ Ｓ、Ｃｄ Ｓｅ等のＣｄ系光導電
素子材料の薄膜をセラミック、ガラス等の基板上に形成
して構成されている。
素子材料の薄膜をセラミック、ガラス等の基板上に形成
して構成されている。
この光導電素子は、光のエネルギを吸収したときに該光
の強弱によって抵抗値が変化する性質を有しており、イ
メージセンサ等に使用されている。
の強弱によって抵抗値が変化する性質を有しており、イ
メージセンサ等に使用されている。
従来、この基板上へのＣｄ系材料の薄膜形成は真空蒸着
により行われている。
により行われている。
ところが、上述のような薄膜形成方法では、形成された
薄膜の基板に対する密着力が劣るという欠点があった。
薄膜の基板に対する密着力が劣るという欠点があった。
本発明は上述の問題点を解決することのできる光導電素
子の製造方法を提供するもので、そのための手段として
、Ｃｄ系光導電素子材料に金属Ｃｄを添加したものを母
材として使用して蒸着を行うようにしている。
子の製造方法を提供するもので、そのための手段として
、Ｃｄ系光導電素子材料に金属Ｃｄを添加したものを母
材として使用して蒸着を行うようにしている。
上述のように金属Ｃｄを添加した母材を用いて真空蒸着
を行うと、まず沸点の低いＣｄが基板上に薄膜として形
成され、さらにその上にＣｄ Ｓｅ（またはＣｄ５）の
薄膜が形成される。
を行うと、まず沸点の低いＣｄが基板上に薄膜として形
成され、さらにその上にＣｄ Ｓｅ（またはＣｄ５）の
薄膜が形成される。
一般にＣｄはセラミックやガラスの基板との密着に優れ
た材料であるため、上述のようにＣｄ Ｓｅと基板との
間に形成されたＣｄ膜は密着強化層としての役割を果た
すことができ、しかもＣｄ Ｓｅ膜の膜厚と比べて薄い
膜厚で十分な密着力強化が実現される。
た材料であるため、上述のようにＣｄ Ｓｅと基板との
間に形成されたＣｄ膜は密着強化層としての役割を果た
すことができ、しかもＣｄ Ｓｅ膜の膜厚と比べて薄い
膜厚で十分な密着力強化が実現される。
また、このように形成された薄膜を光導電素子として使
用する場合、薄膜蒸着後に５００〜７００℃の温度で熱
処理することになるが、この場合、添加元素としてＣｒ
やＡＡを用いると素子特性に劣化を生じるが、本発明で
使用するＣｄはＣｄ Ｓｅの構成元素であるため素子特
性への影響は無視できる。
用する場合、薄膜蒸着後に５００〜７００℃の温度で熱
処理することになるが、この場合、添加元素としてＣｒ
やＡＡを用いると素子特性に劣化を生じるが、本発明で
使用するＣｄはＣｄ Ｓｅの構成元素であるため素子特
性への影響は無視できる。
以下、図面に関連して本発明の詳細な説明する。
本発明では、基板への密着力の改良材として金属Ｃｄを
Ｃｄ系光導電素子材料に添加し、これを母材として真空
蒸着を行うことにより、形成薄膜の基板との密着力を改
善したものである。
Ｃｄ系光導電素子材料に添加し、これを母材として真空
蒸着を行うことにより、形成薄膜の基板との密着力を改
善したものである。
次に本発明に係る光導電素子の製造方法の具体的な実施
例を作用効果と関連して説明する。
例を作用効果と関連して説明する。
ｔイン
のＣｄ Ｓｅ粉末及び純度３−ｎ＋ｒｒｅ−の金属Ｃｄ
粉末を使用し、これを例えばＣｄ Ｓｅ ： Ｃｄ
＝ １ ：０．０２のモル比で混合する。そして、この
混合物をＮ２中で５００〜６００℃で焼成し粉砕したも
のを蒸着源として用いる。
粉末を使用し、これを例えばＣｄ Ｓｅ ： Ｃｄ
＝ １ ：０．０２のモル比で混合する。そして、この
混合物をＮ２中で５００〜６００℃で焼成し粉砕したも
のを蒸着源として用いる。
次に蒸着を行うが、蒸着に際しては、まず上記のように
用意された蒸着源をタンタルあるいはモリブデンのボー
トに入れ、２ Ｘ １０−５ｔｏｒｒ程度の真空度で真
空蒸着を開始する。基板としてはセラミック基板あるい
はガラス基板を用いる。この場合、ポートに１２０〜１
３０Ａの電流を流して加ところで、一般にＣｄはセラミ
ック、ガラス等の基板との密着に優れた材料であるため
、上述のようにＣｄ Ｓｅの薄膜３と基板２との間に形
成されたＣｄの薄膜ｌは密着強化層としての役割を果た
す。すなわち、本発明の方法によれば、Ｃｄ系光導電素
子材料で形成された薄膜の基板に対する密着力を強化す
ることができ、しかもこの場合のＣｄ薄膜の膜厚はＣｄ
Ｓｅ薄膜の膜厚に比べ薄い膜厚で良い（Ｃｄ Ｓｅに
対するＣｄの混合割合は少なくて良い）。
用意された蒸着源をタンタルあるいはモリブデンのボー
トに入れ、２ Ｘ １０−５ｔｏｒｒ程度の真空度で真
空蒸着を開始する。基板としてはセラミック基板あるい
はガラス基板を用いる。この場合、ポートに１２０〜１
３０Ａの電流を流して加ところで、一般にＣｄはセラミ
ック、ガラス等の基板との密着に優れた材料であるため
、上述のようにＣｄ Ｓｅの薄膜３と基板２との間に形
成されたＣｄの薄膜ｌは密着強化層としての役割を果た
す。すなわち、本発明の方法によれば、Ｃｄ系光導電素
子材料で形成された薄膜の基板に対する密着力を強化す
ることができ、しかもこの場合のＣｄ薄膜の膜厚はＣｄ
Ｓｅ薄膜の膜厚に比べ薄い膜厚で良い（Ｃｄ Ｓｅに
対するＣｄの混合割合は少なくて良い）。
第２図は本発明の詳細な説明する信鯨性試験結果を示し
、曲線Ａは従来のＣｄなしの場合の試験結果で、曲線Ｂ
は本発明のＣｄ添加の場合の試験結果である。試験とし
ては、それぞれの場合の試験品（基板上に蒸着膜を形成
したもの）を６０℃。
、曲線Ａは従来のＣｄなしの場合の試験結果で、曲線Ｂ
は本発明のＣｄ添加の場合の試験結果である。試験とし
ては、それぞれの場合の試験品（基板上に蒸着膜を形成
したもの）を６０℃。
９０％ＲＨの恒温恒湿状態に所定時放置した後テープテ
ストを行って密着程度を調べた。基板はセラミック基板
である。本図に明らかなように、従来の場合は試験時間
（放置時間）の経過とともに良品率が低下するが、本発
明の場合は試験時間と無関係に１００％の良品率（薄膜
が完全に密着している）が保たれる。
ストを行って密着程度を調べた。基板はセラミック基板
である。本図に明らかなように、従来の場合は試験時間
（放置時間）の経過とともに良品率が低下するが、本発
明の場合は試験時間と無関係に１００％の良品率（薄膜
が完全に密着している）が保たれる。
また、このようにして形成されたＣｄ系光導電素子材料
の薄膜を光導電素子として使う場合、蒸着後に５００〜
７００℃の温度で熱処理を行うことになる。この場合、
添加元素としてＣｒやＡｌを用いると素子特性に劣化を
生じるが、本発明で使用するＣｄはＣｄ Ｓｅの構成要
素であるため素子特性への影響は無視できる。
の薄膜を光導電素子として使う場合、蒸着後に５００〜
７００℃の温度で熱処理を行うことになる。この場合、
添加元素としてＣｒやＡｌを用いると素子特性に劣化を
生じるが、本発明で使用するＣｄはＣｄ Ｓｅの構成要
素であるため素子特性への影響は無視できる。
以上述べたように、本発明によれば、Ｃｄ系の光導電素
子材料の薄膜と基板との密着力を向上させることができ
るので、信頼性の高い光導電素子を得ることが可能であ
る。
子材料の薄膜と基板との密着力を向上させることができ
るので、信頼性の高い光導電素子を得ることが可能であ
る。
第１図は本発明の実施例の薄膜形成要領説明図、第２図
は本発明の効果（信顛性試験結果）を示すグラフで、 図中、 １はＣｄの薄膜、 ２は基板、 ３はＣｄ Ｓｅの薄膜である。
は本発明の効果（信顛性試験結果）を示すグラフで、 図中、 １はＣｄの薄膜、 ２は基板、 ３はＣｄ Ｓｅの薄膜である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上に真空蒸着によりＣｄ系の光導電素子材料の薄膜
を形成する光導電素子の製造方法において、 前記光導電素子材料に金属Ｃｄを添加したものを母材と
して使用して蒸着を行うことを特徴とする光導電素子の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61084378A JPS62242372A (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | 光導電素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61084378A JPS62242372A (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | 光導電素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62242372A true JPS62242372A (ja) | 1987-10-22 |
Family
ID=13828878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61084378A Pending JPS62242372A (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | 光導電素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62242372A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102978572A (zh) * | 2011-09-07 | 2013-03-20 | 无锡尚德太阳能电力有限公司 | 制备CdTe薄膜的方法及热蒸发设备 |
-
1986
- 1986-04-14 JP JP61084378A patent/JPS62242372A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102978572A (zh) * | 2011-09-07 | 2013-03-20 | 无锡尚德太阳能电力有限公司 | 制备CdTe薄膜的方法及热蒸发设备 |
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