JPS62123088A - グレ−ズド基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、薄膜抵抗素子、薄膜集積回路、ホール効果素
子、磁気抵抗効果素子、及び、光学素子などの基板とし
て用いられるグレーズド基板に関する。

（従来の技術） 基板上にガラスの被覆層を施した構成のグレーズド基板
は１例えば、薄膜抵抗素子、薄ＩＩ！！集積回路、ホー
ル効果素子、磁気抵抗効果素子、及び、光学素子などの
基板として従来から使用されている。すなわち、例えば
薄膜抵抗素子や薄膜集積回路の基板としては、アルミナ
系のセラミック基板上にガラスの被）１層を構成させた
グレーズド基板が使用されており、例えば、ホール効果
素子、あるいは磁気抵抗効果素子などのような磁気感応
素子の基板としては、Ｎｉ−ＺｎフェライトあるいはＭ
　ｎ　−Ｚ　ｎフェライトの基板上に、ガラスの被覆層
による電気的な絶縁層を構成させたグレーズド基板が使
用されていた。

そして、眞記の構成を有するグレーズド基板におけるガ
ラスの被覆層は、従来、例えば（１）液状のガラス剤（
例えば、東京応化製の０ＣＤ）をスピンナ法の適用によ
って基板上に被覆し、基板上にガラスの被覆層を構成さ
せたり、あるいは（２）ガラス粉末をバインダーに混合
したものをスピンナ法の適用によって基板上に被覆した
り、ガラス粉末をバインダーに混合したものを遠心分は
器で基板上に沈殿させたりした後に焼成してガラスの粉
末を溶融させ、基板上にガラスの被覆層を構成させたり
していた。

（発明が解決しようとする問題点） ところが、前記した（１）のように液状のガラス剤によ
って基板上にガラスの被ｒｔＩ層を構成させた場合には
、基板上に構成されたガラスの被覆層が４００℃程度と
いうような比較的に低い温度までにしか耐えず、また、
被覆層が構成された後における基板に対する加熱時に基
板からの脱ガスが生じる。

また、前記した（２）のようにガラス粉末を溶融させる
場合には、ガラス粉末の溶融のために５例えば５００℃
〜１０００℃（使用されるガラス材の成分及び混合斌に
より溶融温度が異なる）に加熱することが必要とされる
が、その際に基板からの脱ガスによってガラスの被ｒｉ
層にクレータが生じる。

第２図は、ガラス粉末をバインダーに混合したものをス
ピンナ法の適用によって基板上に被覆したり、ガラス粉
末をバインダーに混合したものを遠心分離器で基板上に
沈殿させたりした後に焼成してガラスの粉末を溶融させ
、基板上にガラスの被覆層を構成させるようにする前記
の（２）のやり方に従ってグレーズド基板を製作する際
のグレーズド基板の製作工程を図示説明した図であって
。

第２図の（ａ）は基板１を示し、第２図の（ｂ）は前記
した基板１上に、ガラス粉末３とバインダ２とを混合し
たものの被ｒＲＭを適当な手段によって基板１上に構成
させた状態のものを示している。

前記した第２図の（ｂ）に示されている状態のものを焼
成してガラスの粉末３を溶融させると、基板１上にはガ
ラスの被覆層３ａが形成されるが、ガラスの被覆層３ａ
には基板１からの脱ガスによって多くのクレータ４，４
・・・が発生する。前記のクレータ４，４・・・の大き
さや量は、基板１の成分、水分の吸湿状態、ガラスの成
分、焼成温度などによって異なっている。

前記のように、配板１上に被覆されるガラス層３ａにク
レータ４，４・・・が生じた場合には、前記したガラス
の被覆層３ａ上に所要の材料による薄膜によって構成さ
れるべき素子のパターンに途切れる部分が発生するから
、完成された素子が電子部品の場合には、断線や特性の
変化が生じることになるので、その解決策が求められた
。

（間屈点を解決するための手段） 本発明は、基板上にガラスの被覆層を設けてなるグレー
ズド基板において、基板とガラスの被覆層との間に二酸
化シリコンの薄膜を介在させてなるグレーズド基板を提
供するものである。

（実施例） 以下、添付図面を参照しながら本発明のグレーズド基板
の具体的な内容について詳細に説明する。

第１図の（ｄ）は本発明のグレーズド基板の概略構成を
示す一部の側断面図であって、第１図の（ｄ）において
１は適当な材料によって作られた基板であり、前記の基
板１には二酸化シリコンの薄膜５が付着形成されており
、前記した二酸化シリコンの薄膜５の上面にはガラスの
被覆層３ａが設けられている。

次に、第１図の（ａ）〜（ｄ）を参照して前記した本発
明のグレーズド基板の製作法の一例について説明する。

第１図の（ａ、）は、例えばＮｉ−Ｚｎフェライトの基
板１であり、この第１図示の基板１には、それの−面に
対して例えば、ＣＶ　Ｄ　？Ａ　（ケミカル・ベーパー
・ディポジション法・・・気相成長法）あるいは蒸着法
、またはスパッタリング法などを適用して１例えば３０
００オングストロ一ム程度の厚さの二酸化シリコンの薄
膜５を付着形成させる。

前記した二酸化シリコンの薄膜５をＣＶＤ法によって基
板１に付着形成させる場合を例にして、二酸化シリコン
の薄Ｉ！３５を基板１に付着形成させる工程の詳細につ
いて説明すると次のとおりである。

まず、洗浄した基板１を高温反応炉に入れ、モノシラン
ガスと酸素ガスとを高温反応炉に導入して、基板１上に
所定の厚さ、例えば３０００オングストロームの厚さの
二酸化シリコンの薄膜５を成膜する。第１図の（ｂ）は
基板１に二酸化シリコンの薄膜５が付着形成された状態
の基板を示している。

第３図は温度と成膜速度との関係を示す図表であり、こ
の第３図より４００℃〜５００℃の温度で成膜が行なわ
れるようにすればよいことが判かる６前記した工程によ
って厚さが３０００オングストロ一ム程度の二酸化シリ
コンの薄膜５が付着形成された基板１における前記した
二酸化シリコンの薄［５上に、ガラス粉末３をバインダ
ーに混合させたものをスピンナ法、あるいは遠心分離法
によって所定の厚さに被覆するのであるが４前記したガ
ラス粉末とバインダーとの調合は１例えばイソプロピル
アルコールと、粘結剤（例えば、中外電気産業製の５Ｐ
Ｂ−１０Ｆ）とにガラス粉末３を混合して、適当な粘度
（例えば、　２０〜３０ＣＰＳ′ｊＦｉｉ度）となるよ
うに調合し、それをスピナーによって毎分２００回転し
ている基板上に３０秒間にわたって被覆すると、第１図
の（Ｃ）に示されている状態のものが得られろ９ 焼成は、まず３００度で１時間の仮焼成を行なってバイ
ンダー成分を蒸着させた後に、第４Ｍに示されているよ
うに最高温度の９００℃で２０分間経過するような温度
プロファイルに設定して行なう。

その後、ゆっくりと冷却すると、基板１−１−に付着形
成された二酸化シリコンの薄膜５上にガラスの被ｒｊＩ
層３Ｑが付着形された状態のｆ！Ｓ】図の（ｄ）に示さ
れるような完成品が得られるのである。

このようにして作られたグレーズド基板では、基板１に
付着形成された二酸化シリコンの薄膜５の存在によって
、基板１からの脱ガスがガラス被覆層３ａに悪影響を与
えることがない。

（効果） 以上、詳細に説明したところから明らかなように、本発
明のグレーズド基板は基板上にガラスの被覆層を設けて
なるグレーズド基板において、基板とガラスの被覆層と
の間に二酸化シリコンの薄膜を介在させてなるものであ
るから、セラミックス、あるいはフェライト製の基板１
にガラス被覆層を付着形成させるときの高温処理に際し
て基板１に生じる脱ガスが、ガラス被覆層の方にぬける
ことが二酸化シリコンの９８５によって阻止されるため
に、ガラス被覆層３ａにはクレータが発生することがな
く、したがって、この本発明のグレーズド基板に付着形
成される薄膜素子では、従来問題になっていたような所
要の材料による薄膜によって構成されるべき素子のパタ
ーンに途切れる部分が発生することがないから、グレー
ズド基板上に構成される薄膜素子が電子部品の場合でも
、それに断線や特性の変化が生じることはない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のグレーズド基板の製作工程を説明する
ための図、第２図は従来のグレーズド基板の製作工程を
説明するための図、第３図及び第４図は説明のための特
性側図である。 １・・・基板、　３ａ・・・ガラスの被ｒｉ層、５・・
・二酸化シリコンの薄膜。 特許出願人　　日本ビクター株式会社 代理人弁理士今間孝生１’／’ｉ’、−、］゛・。 （５シ・１′ 〜Ｖ−一／

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板上にガラスの被覆層を設けてなるグレーズド基板に
   おいて、基板とガラスの被覆層との間に二酸化シリコン
   の薄膜を介在させてなるグレーズド基板