JPS62157618A - 透明導電膜の作成方法 - Google Patents
透明導電膜の作成方法Info
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- JPS62157618A JPS62157618A JP21880886A JP21880886A JPS62157618A JP S62157618 A JPS62157618 A JP S62157618A JP 21880886 A JP21880886 A JP 21880886A JP 21880886 A JP21880886 A JP 21880886A JP S62157618 A JPS62157618 A JP S62157618A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は透明薄電膜の作成方法に関する。
従来の透明薄電膜の作成方法は、金属酸化物による透明
薄電膜として不純物全ドープした酸化錫あるいは酸化イ
ンジウムを用いて、真空蒸着法、スパッタリング法など
で作られていた。
薄電膜として不純物全ドープした酸化錫あるいは酸化イ
ンジウムを用いて、真空蒸着法、スパッタリング法など
で作られていた。
スパッタリング法での成膜は酸化インジウムに酸化錫を
混合した焼結体全ターゲットとしてアルゴンイオンでス
パッタする方法またはインジウムと錫の合金ターゲット
として酸素ガスにより反応スパッタで成膜後熱処理を行
なう方法あるいは特開昭５４−１２７５９８の第１表の
ように酸化インジウムに酸化錫をドープしたターゲット
を用いて水素のような還元性気体と不活性気体の混合気
体中で成膜してい念。
混合した焼結体全ターゲットとしてアルゴンイオンでス
パッタする方法またはインジウムと錫の合金ターゲット
として酸素ガスにより反応スパッタで成膜後熱処理を行
なう方法あるいは特開昭５４−１２７５９８の第１表の
ように酸化インジウムに酸化錫をドープしたターゲット
を用いて水素のような還元性気体と不活性気体の混合気
体中で成膜してい念。
また、高分子基体上に成膜する透明４ｔ＠の作成方法で
は特開昭５９−１４９６０５のように高分子基体上に成
膜した後熱処理を行なう必要があり、耐熱性か強い高分
子基体が必要であった。
は特開昭５９−１４９６０５のように高分子基体上に成
膜した後熱処理を行なう必要があり、耐熱性か強い高分
子基体が必要であった。
しかし、前述の従来技術では高温で成膜するが成膜後熱
処理することにより低抵抗−高透過率の透明４を膜？得
ていた。また、従来から透明４電膜には酸化錫および酸
化インジウム等が利用されているが、酸化錫透明薄電膜
はｉｔ性が劣るとともにエツチング性が悪くパターン化
が困難であり、酸化インジウムやインジウム錫酸化物（
工Ｔｏ）テはその主原料であるインジウムが高価であり
、Ｊ。
処理することにより低抵抗−高透過率の透明４を膜？得
ていた。また、従来から透明４電膜には酸化錫および酸
化インジウム等が利用されているが、酸化錫透明薄電膜
はｉｔ性が劣るとともにエツチング性が悪くパターン化
が困難であり、酸化インジウムやインジウム錫酸化物（
工Ｔｏ）テはその主原料であるインジウムが高価であり
、Ｊ。
ＯｏＣ，Ｆａｎ ： Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔ
”、、 ３４． ＰＯ５１５（１９７９） Ｐｉｇ ２
． Ｆｉｇ ４のように室温付近で成膜すると酸素分圧
感度が高いため再現性が劣るという欠点金有していた。
”、、 ３４． ＰＯ５１５（１９７９） Ｐｉｇ ２
． Ｆｉｇ ４のように室温付近で成膜すると酸素分圧
感度が高いため再現性が劣るという欠点金有していた。
そこで本発明はこのような問題点全解決するもので、そ
の目的とするところは原料が安価であるとともに生産性
に富み、活性気体分圧感度が低いことすなわち作成雰囲
気の領域が広いため再現性が良く、低温で成膜して安定
な透明２４電膜七提供するところにある。
の目的とするところは原料が安価であるとともに生産性
に富み、活性気体分圧感度が低いことすなわち作成雰囲
気の領域が広いため再現性が良く、低温で成膜して安定
な透明２４電膜七提供するところにある。
不発明になる透明薄電膜の作成方法は物理蒸着もしくは
化学蒸着による薄膜作成方法において、亜鉛にアルミニ
ウム、ガリウム、インジウムのうち少なくとも１種類以
上の元素および不純物金倉む成膜源または亜鉛金主成分
とする成膜源とアルミニウム、ガリウム、インジウムの
うち少なくとも１種類以上の元素を主成分とする成膜源
を用いて酸素または窒素のうち少なくとも１種類以上か
らなる活性気体または上記の活性気体と不活性気体の混
合気体雰囲気中で作製させることｔ−特徴とする。
化学蒸着による薄膜作成方法において、亜鉛にアルミニ
ウム、ガリウム、インジウムのうち少なくとも１種類以
上の元素および不純物金倉む成膜源または亜鉛金主成分
とする成膜源とアルミニウム、ガリウム、インジウムの
うち少なくとも１種類以上の元素を主成分とする成膜源
を用いて酸素または窒素のうち少なくとも１種類以上か
らなる活性気体または上記の活性気体と不活性気体の混
合気体雰囲気中で作製させることｔ−特徴とする。
亜鉛に含ませるアルミニウム、ガリウム、インジウムは
その割合によって膜の性質が変わる。すなわち、アルミ
ニウム、ガリウム、インジウムのうち少なくとも１種類
以上の元素が亜鉛の総量に対してＩ］、１原子パーセン
ト以下では通常の酸化亜鉛膜と同様に比抵抗の経時変化
が激しく実用に供しない。また、アルミニウム、ガリウ
ム、インジウムのうち少なくとも１種類以上の元素が亜
鉛の総量に対して１０原子パーセント以上では成膜時の
比抵抗が１０’Ω口以上で実用に洪しない。
その割合によって膜の性質が変わる。すなわち、アルミ
ニウム、ガリウム、インジウムのうち少なくとも１種類
以上の元素が亜鉛の総量に対してＩ］、１原子パーセン
ト以下では通常の酸化亜鉛膜と同様に比抵抗の経時変化
が激しく実用に供しない。また、アルミニウム、ガリウ
ム、インジウムのうち少なくとも１種類以上の元素が亜
鉛の総量に対して１０原子パーセント以上では成膜時の
比抵抗が１０’Ω口以上で実用に洪しない。
アルミニウム、ガリウム、インジウムのうち少なくとも
１種類以上の元素が亜鉛の総量に対して０．１〜８原子
パーセントでは比抵抗が１０−ｔΩ口以下の透明薄電膜
ができ、１〜５原子パーセントでは比抵抗がさらに低く
なり、１００α以下となった。
１種類以上の元素が亜鉛の総量に対して０．１〜８原子
パーセントでは比抵抗が１０−ｔΩ口以下の透明薄電膜
ができ、１〜５原子パーセントでは比抵抗がさらに低く
なり、１００α以下となった。
本発明の蒸着法で用いた活性ガスの酸素および窒素は成
膜条件は多少異なるが、酸素の場合、窒素の場合、酸素
と窒素の混合気体の場合いずれの場合もほぼ等しい導電
率、透過率が得られた。しかし、活性ガスが窒素の場合
は成膜した膜の安定性が特にすぐれていた。
膜条件は多少異なるが、酸素の場合、窒素の場合、酸素
と窒素の混合気体の場合いずれの場合もほぼ等しい導電
率、透過率が得られた。しかし、活性ガスが窒素の場合
は成膜した膜の安定性が特にすぐれていた。
上記の活性ガスと上記の不活性ガスの混合気体中で成膜
するスパッタリング法では、酸素とアルゴン、窒素とア
ルゴンあるいは酸素と窒素とアルゴンの場合いずれもほ
ぼ同様の比抵抗、透Ａ率を示して蒸着の場合と同様の傾
向を示し、透明４ｍ！膜として優れ友ものが作製された
。特にスパツタリング法では比抵抗、膜厚、透過率が均
一であり、透明薄電膜として非常に優れている。
するスパッタリング法では、酸素とアルゴン、窒素とア
ルゴンあるいは酸素と窒素とアルゴンの場合いずれもほ
ぼ同様の比抵抗、透Ａ率を示して蒸着の場合と同様の傾
向を示し、透明４ｍ！膜として優れ友ものが作製された
。特にスパツタリング法では比抵抗、膜厚、透過率が均
一であり、透明薄電膜として非常に優れている。
透明薄電膜の主成分である亜鉛は資源的に豊富であり、
安価な元素である。
安価な元素である。
〔実施例１〕
第５囚に本発明に用いたスパッタリング装ｆＩｔ’ｅ示
す。２２はアルミニウム、ガリウム、インジウムのうち
少なくとも１種類以上の元素を含む亜鉛のターゲットで
るり、ターゲット用Ｄｏ電源１９によユ宅圧が印加され
ている。そしてスパッタリングにより基板２０の表面に
透明導′ｄ！Ｌ膜を成膜した。本発明ではアルミニウム
全０〜１０原子パーセント、アルミニウム５ガリウム１
原子パーセント、アルミニウム５インジウム１原子パー
セントおよびアルミニウム５ガリウム１インジウム１原
子パーセント含む亜鉛のターゲット？！−用い、ＤＣマ
グネトロンスパッタリング法により、酸素、窒素るるい
は酸素２０窒素８０のガスとアルゴンの混合ガス全導入
し成膜した。成膜時、基＆温度であつ几。即ち低温で成
膜した。
す。２２はアルミニウム、ガリウム、インジウムのうち
少なくとも１種類以上の元素を含む亜鉛のターゲットで
るり、ターゲット用Ｄｏ電源１９によユ宅圧が印加され
ている。そしてスパッタリングにより基板２０の表面に
透明導′ｄ！Ｌ膜を成膜した。本発明ではアルミニウム
全０〜１０原子パーセント、アルミニウム５ガリウム１
原子パーセント、アルミニウム５インジウム１原子パー
セントおよびアルミニウム５ガリウム１インジウム１原
子パーセント含む亜鉛のターゲット？！−用い、ＤＣマ
グネトロンスパッタリング法により、酸素、窒素るるい
は酸素２０窒素８０のガスとアルゴンの混合ガス全導入
し成膜した。成膜時、基＆温度であつ几。即ち低温で成
膜した。
第１因にアルミニウム、ガリウム、インジウムのうち少
なくとも１種類以上の元素の含有率と比抵抗との関係？
示すが、上記の含有率が１０原子パーセント以上になる
と比抵抗が１０’Ωの以上となり実用に供しない。即ち
実用可能な含有率は１０原子パーセント以下である。
なくとも１種類以上の元素の含有率と比抵抗との関係？
示すが、上記の含有率が１０原子パーセント以上になる
と比抵抗が１０’Ωの以上となり実用に供しない。即ち
実用可能な含有率は１０原子パーセント以下である。
第２図に上記のターゲラトラ用いて８００Ａスパツタし
た後室温で相対湿度５０パーセントの大気組成ガス中に
さらしておいた時間と比抵抗の関係：と示す。上記の含
−にぶ７ｊＳｌ：Ｊ、１原子パーセント以下では比抵抗
の変化が激しく実用に洪しないか、本発明になる炸裂方
法で成膜し之透明薄電膜は経時変化か少なく、安定性が
非常に同上し友。
た後室温で相対湿度５０パーセントの大気組成ガス中に
さらしておいた時間と比抵抗の関係：と示す。上記の含
−にぶ７ｊＳｌ：Ｊ、１原子パーセント以下では比抵抗
の変化が激しく実用に洪しないか、本発明になる炸裂方
法で成膜し之透明薄電膜は経時変化か少なく、安定性が
非常に同上し友。
第６図にアルミニウムに５ｙＸ子パーセントなヒ亜鉛、
酸化亜鉛、酸化錫および酸化錫全１０原子パーセント含
む酸化インジウムのターゲットを用いて室温でスパッタ
し念場合の酸素分圧と比抵抗の関係を示すが、アルミニ
ウムｔ５原子パーセント言む亜鉛のターゲラトラ用いた
万が最も酸素分圧感度が低い。酸素分圧感度が低いため
に辺間電膜の作成が非常に容易になった。
酸化亜鉛、酸化錫および酸化錫全１０原子パーセント含
む酸化インジウムのターゲットを用いて室温でスパッタ
し念場合の酸素分圧と比抵抗の関係を示すが、アルミニ
ウムｔ５原子パーセント言む亜鉛のターゲラトラ用いた
万が最も酸素分圧感度が低い。酸素分圧感度が低いため
に辺間電膜の作成が非常に容易になった。
第４図にアルミニウム七５原子パーセント含む亜鉛を用
いて、活性ガスとして酸素、窒素、酸素２０窒素８０パ
ーセントの混合気体を用いてスパッタしｆｃ場合の比抵
抗と活性ガス分圧上水すが、窒素および酸素と窒素の混
合気体を用いた場合も同様の傾向會示した。本図からも
わかるように、本発明においては活性ガス分圧に対する
感度が低く成膜が容易である。また、第１〜第４図の結
果は低温底膜で得られたものでるり、従ってプラスチッ
ク等の様な基板を使用できる利点がある。
いて、活性ガスとして酸素、窒素、酸素２０窒素８０パ
ーセントの混合気体を用いてスパッタしｆｃ場合の比抵
抗と活性ガス分圧上水すが、窒素および酸素と窒素の混
合気体を用いた場合も同様の傾向會示した。本図からも
わかるように、本発明においては活性ガス分圧に対する
感度が低く成膜が容易である。また、第１〜第４図の結
果は低温底膜で得られたものでるり、従ってプラスチッ
ク等の様な基板を使用できる利点がある。
同、スパッタリング法はＲＦマグネトロン法の場合もＤ
ｏマグネトロン法と同様の傾同を示し、大きな差異がな
いため、ＲＦマグネトロン法でもρ≧まわない。また、
用いる基板によっては、高基板温度（≧１００℃）で成
膜または成膜後高温（≧１００℃〕でアニールして比抵
抗の低減化、透過率の向上にはかつてもかまわない。さ
らに、これらの透明薄電膜は１０ＧＯＡ以下では透過率
は８０パ一セント以上で問題はない。
ｏマグネトロン法と同様の傾同を示し、大きな差異がな
いため、ＲＦマグネトロン法でもρ≧まわない。また、
用いる基板によっては、高基板温度（≧１００℃）で成
膜または成膜後高温（≧１００℃〕でアニールして比抵
抗の低減化、透過率の向上にはかつてもかまわない。さ
らに、これらの透明薄電膜は１０ＧＯＡ以下では透過率
は８０パ一セント以上で問題はない。
〔実施例２〕
第６図に本発明に用いた蒸着装置を示す。３２はアルミ
ニウム、ガリウム、インジウムの蒸発源３３は亜鉛の蒸
発源であり、２元同時蒸着ができる構造になっている。
ニウム、ガリウム、インジウムの蒸発源３３は亜鉛の蒸
発源であり、２元同時蒸着ができる構造になっている。
そして酸素または窒素を導入することにより、基板２９
の表面に透明４電膜全成膜した。
の表面に透明４電膜全成膜した。
第７図に亜鉛を蒸発源として酸素全導入して酸化亜鉛膜
全作製する場合とアルミニウムと亜鉛の２つの蒸発源を
用いて蒸発温度を制御してアルミニウムが亜鉛に対して
５原子パーセントになるようにして酸素全導入して作成
した場合の酸素分圧と比抵抗との関係會示すか、実施例
１のスパッタリング法の場合と同様に、アルミニウム全
含有させることによって比抵抗の低減化、酸素分圧感度
の低下をうながすことができる。
全作製する場合とアルミニウムと亜鉛の２つの蒸発源を
用いて蒸発温度を制御してアルミニウムが亜鉛に対して
５原子パーセントになるようにして酸素全導入して作成
した場合の酸素分圧と比抵抗との関係會示すか、実施例
１のスパッタリング法の場合と同様に、アルミニウム全
含有させることによって比抵抗の低減化、酸素分圧感度
の低下をうながすことができる。
伺、窒素を導入した場合も酸素全導入した場合と同様に
、比抵抗の低減化、酸素分圧感度の低下全うながすこと
ができる。また、抵過率もスパッタリング法と同様に、
１０００Ａ以下でも８０パ−セント以上で問題はない。
、比抵抗の低減化、酸素分圧感度の低下全うながすこと
ができる。また、抵過率もスパッタリング法と同様に、
１０００Ａ以下でも８０パ−セント以上で問題はない。
さらに、不純物として透明薄電膜か酸化物の場合硫黄、
窒化物の場合はリンをαロ１原子パーセント用いると若
干比抵抗を下げることができる。
窒化物の場合はリンをαロ１原子パーセント用いると若
干比抵抗を下げることができる。
〔実施例３゜〕
第８図に本発明に用いたＣ Ｖ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａ
ｔＶａｐｏｕｒ Ｐｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）ｆｔ置（化
学蒸着の一つ）を示す。ＯＶＤガス導入バルブ４２より
ＣｖＤガス全導入し、ＣｖＤガス排出器５９で、装置内
にＣｖＤガス金入れる。ガス導入パルプ３８より活性ガ
スや不活性ガスを導入し、ＯＶＤガス排出器５９と基板
ホルダー４１の間に電圧上印加し、基板４０’の上に透
明薄電膜上作製させる。出発物質の主成分としてジメチ
ル亜鉛およびトリメチルアルミニウムを用いて、酸素ま
ｔＦｉ窒素全導入することにより、プラズマＯＶＤ法に
よって成膜したＯ 第９図に酸素または窒素を導入して作製した透明溝を膜
の反応性気体分圧と比抵抗との関係上水すが、実施例１
および実施例２と同様に亜鉛にアルミニウム全含有する
ことにより、比抵抗全低減させ、また活性ガス分圧感度
で低下させることができる。
ｔＶａｐｏｕｒ Ｐｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）ｆｔ置（化
学蒸着の一つ）を示す。ＯＶＤガス導入バルブ４２より
ＣｖＤガス全導入し、ＣｖＤガス排出器５９で、装置内
にＣｖＤガス金入れる。ガス導入パルプ３８より活性ガ
スや不活性ガスを導入し、ＯＶＤガス排出器５９と基板
ホルダー４１の間に電圧上印加し、基板４０’の上に透
明薄電膜上作製させる。出発物質の主成分としてジメチ
ル亜鉛およびトリメチルアルミニウムを用いて、酸素ま
ｔＦｉ窒素全導入することにより、プラズマＯＶＤ法に
よって成膜したＯ 第９図に酸素または窒素を導入して作製した透明溝を膜
の反応性気体分圧と比抵抗との関係上水すが、実施例１
および実施例２と同様に亜鉛にアルミニウム全含有する
ことにより、比抵抗全低減させ、また活性ガス分圧感度
で低下させることができる。
同、本発明の出発原料はジメチル亜鉛およびトリメチル
アルミニウム上用いたが、ジメチル亜鉛の代わりにジエ
チル亜鉛、トリメチルアルミニウムの代わりにトリメチ
ルガリウム、トリメチルインジウム、トリエチルアルミ
ニウムなどの唾鉛およびアルミニウム、ガリウムまたは
インジウムを用いた金属有機物またはノ・ロゲン化Ｍ機
金・萬でもよく、プラズマＯＶＤが可能なものであれば
何らさしつかえない。
アルミニウム上用いたが、ジメチル亜鉛の代わりにジエ
チル亜鉛、トリメチルアルミニウムの代わりにトリメチ
ルガリウム、トリメチルインジウム、トリエチルアルミ
ニウムなどの唾鉛およびアルミニウム、ガリウムまたは
インジウムを用いた金属有機物またはノ・ロゲン化Ｍ機
金・萬でもよく、プラズマＯＶＤが可能なものであれば
何らさしつかえない。
〔実施例４〕
本発明になる透明薄電膜の作成方法を用いて、バイアス
電極として用いる場合を示す。簡単のため、スパッタリ
ング法により成模する場合上側にとるが、蒸着、イオン
ブレーティング、ＣＶＤなどの方法によってもかまわな
い。第１０図及び第１１図は本発明になる透明薄電膜の
作成方法を用いて光記録媒体を作成した例である。第１
０崗の４６はポリカーボネートの透光性支持体であ、り
射出成形によりトラッキング用の溝が形成しである。
電極として用いる場合を示す。簡単のため、スパッタリ
ング法により成模する場合上側にとるが、蒸着、イオン
ブレーティング、ＣＶＤなどの方法によってもかまわな
い。第１０図及び第１１図は本発明になる透明薄電膜の
作成方法を用いて光記録媒体を作成した例である。第１
０崗の４６はポリカーボネートの透光性支持体であ、り
射出成形によりトラッキング用の溝が形成しである。
４７は本発明になる透明薄電膜の作成方法（スパッタリ
ング法）により成膜したＺｎＤ （Ａｌ５原子パーセン
ト）膜である０は成膜源のＺｎに含有されるｆｔ−示す
。この４７全底膜しためと５０Ｗで５分ＲＦエツチング
？行ない、真空系ｒｌＯ−’Ｔｏｖｖ以下にして４７に
ＤＣバイアス電圧９０Ｖを印加して％ ４８のＮｄＤｙ
ＦｅＣｏＴｉの記録層を成膜した。この４８の記録層は
ＮｄＤｙＦｅ０ｏＴｉの合金ターケラトを用いて、ＤＣ
マグネトロンスパッタリング法により成膜したものであ
る。次に、４９の５ｉＡｔＮの保護層ｋ、ＥＩｉＡｔの
焼結体ターゲット七用いてＤＣ反応マグネトロンスパッ
タリング法により、成模し１０次に５１のポリカーボネ
ートの透光性支持体上５０の接着層により貼り合わせて
作成した。５２はディスクのセンターホールである。
ング法）により成膜したＺｎＤ （Ａｌ５原子パーセン
ト）膜である０は成膜源のＺｎに含有されるｆｔ−示す
。この４７全底膜しためと５０Ｗで５分ＲＦエツチング
？行ない、真空系ｒｌＯ−’Ｔｏｖｖ以下にして４７に
ＤＣバイアス電圧９０Ｖを印加して％ ４８のＮｄＤｙ
ＦｅＣｏＴｉの記録層を成膜した。この４８の記録層は
ＮｄＤｙＦｅ０ｏＴｉの合金ターケラトを用いて、ＤＣ
マグネトロンスパッタリング法により成膜したものであ
る。次に、４９の５ｉＡｔＮの保護層ｋ、ＥＩｉＡｔの
焼結体ターゲット七用いてＤＣ反応マグネトロンスパッ
タリング法により、成模し１０次に５１のポリカーボネ
ートの透光性支持体上５０の接着層により貼り合わせて
作成した。５２はディスクのセンターホールである。
第１１囚に示す光記録媒体は透光性支持体上に本発明に
なる透明電膜の作成方法（スパッタリング法〕により酸
素ガスとアルプンガス全導入することにより成膜し＆Ｚ
ｎ、Ｑ（ＡＡ５原子パーセント）（）は成膜源Ｚ ｎ
Ｋ含有されるｔ層上！ｃｓｉＡＡＮの第１保護Ｊａを成
膜後、Ｚ ｎ ｏ（Ａ ｔ ５原子パーセント）０は成
膜源Ｚｎに含有される量最にバイアス電圧を印加して記
碌層金成膜し７’Ｃ場合であり、第１０図に示す光記録
媒体と同様に作成したものである。
なる透明電膜の作成方法（スパッタリング法〕により酸
素ガスとアルプンガス全導入することにより成膜し＆Ｚ
ｎ、Ｑ（ＡＡ５原子パーセント）（）は成膜源Ｚ ｎ
Ｋ含有されるｔ層上！ｃｓｉＡＡＮの第１保護Ｊａを成
膜後、Ｚ ｎ ｏ（Ａ ｔ ５原子パーセント）０は成
膜源Ｚｎに含有される量最にバイアス電圧を印加して記
碌層金成膜し７’Ｃ場合であり、第１０図に示す光記録
媒体と同様に作成したものである。
第１１図の５５はポリカーボネートの透光性支持体、５
４は本発明になる透明薄電膜の作成方法（スパッタリン
グ法）により成膜したＺｎ０（Ａｔ５原子バーセン））
（０は成膜源のＺｎに含有ぢれる」ｔ）層、５５ばＳｊ
、ＡｔＮの第１保岐層、５６はＮａＤｙＦｅ０ｏＴｉの
記ａ層、５７（１１，Ｓ ｉ ＡＡＮ 第２保護層、５
８１″ｌ：接着層、５９はポリカーボネートの透光性支
持体、６０はディスクのセンターホールである。
４は本発明になる透明薄電膜の作成方法（スパッタリン
グ法）により成膜したＺｎ０（Ａｔ５原子バーセン））
（０は成膜源のＺｎに含有ぢれる」ｔ）層、５５ばＳｊ
、ＡｔＮの第１保岐層、５６はＮａＤｙＦｅ０ｏＴｉの
記ａ層、５７（１１，Ｓ ｉ ＡＡＮ 第２保護層、５
８１″ｌ：接着層、５９はポリカーボネートの透光性支
持体、６０はディスクのセンターホールである。
第１２［株］に第１０図に示す光記録媒体の作成方法に
おいて、記録層？成膜する際、バイアス電圧？印加して
作成したフを記録媒体６１２よびバイアス電圧全印加し
ないで作成したｆ、記録媒体６２の７０℃９５％ＲＨＦ
でのファラデー回転角の経時変化上水す図上水す。第１
２図の結果かられかるように不発明になる透明溝１！膜
の作成方法により成膜したＺ ｎ Ｏ（Ａ ｔ５原子パ
ーセント）（０は成膜源のＺｎに含有される量で示す）
全バイアス電極として用いた光記録媒体６１はファラデ
ー回転角の経時変化が極めて少ないすなわち長期信頼性
のめる光記録媒体であることがわかる。
おいて、記録層？成膜する際、バイアス電圧？印加して
作成したフを記録媒体６１２よびバイアス電圧全印加し
ないで作成したｆ、記録媒体６２の７０℃９５％ＲＨＦ
でのファラデー回転角の経時変化上水す図上水す。第１
２図の結果かられかるように不発明になる透明溝１！膜
の作成方法により成膜したＺ ｎ Ｏ（Ａ ｔ５原子パ
ーセント）（０は成膜源のＺｎに含有される量で示す）
全バイアス電極として用いた光記録媒体６１はファラデ
ー回転角の経時変化が極めて少ないすなわち長期信頼性
のめる光記録媒体であることがわかる。
第１６図に第１０図に示す光記録媒体のバイアス電極と
して、ＺｎＪ）（Ａｔ １原子バーセントン（６５）。
して、ＺｎＪ）（Ａｔ １原子バーセントン（６５）。
Ｚ ｎ Ｏ（Ｉｎ３原子パーセント） 、 （６４）
ＺｎＯ（Ｇａ 。
ＺｎＯ（Ｇａ 。
４原子パーセント） （６５） 、 ｚ ｒｌ □ （
Ｉｎ６原子パ→ント）（６６）、Ｚｎ０（Ａｔ３原子）
く−セント） （６７）（０は成膜源のＺｎに含有され
る量を示す）添加して作成した光記録媒体？７０℃９５
％ＲＨＦでのファラデー回転角の経時変化２ｚｎＯ（６
８）工ｎ、０３（ＳｎＯ，ｓ Ｍ子パーセント）（６９
）を用い之場合と併せて示す。第１３内の結果かられか
るように、本発明になる透明Ｓ＊膜の作成万ｇｗ用いて
成膜しｔ膜ｔバイアス電極として用いることにより、長
期信頼性のある光記録媒体が作製されることがわかる。
Ｉｎ６原子パ→ント）（６６）、Ｚｎ０（Ａｔ３原子）
く−セント） （６７）（０は成膜源のＺｎに含有され
る量を示す）添加して作成した光記録媒体？７０℃９５
％ＲＨＦでのファラデー回転角の経時変化２ｚｎＯ（６
８）工ｎ、０３（ＳｎＯ，ｓ Ｍ子パーセント）（６９
）を用い之場合と併せて示す。第１３内の結果かられか
るように、本発明になる透明Ｓ＊膜の作成万ｇｗ用いて
成膜しｔ膜ｔバイアス電極として用いることにより、長
期信頼性のある光記録媒体が作製されることがわかる。
同、実施例４では光記録媒体の作成方法における例を示
したが、これに限定されるものでなく、本発明の主旨全
逸脱しない限り種々の変更は可能である。
したが、これに限定されるものでなく、本発明の主旨全
逸脱しない限り種々の変更は可能である。
以上述べたように本発明によれば、スパッタリング、蒸
着などの物理蒸着やＣＶＤなどの化学蒸着において、亜
鉛にアルミニウム、ガリウム、インジウムのうち少なく
とも１種類以上の元素および不純物を含む成膜源、また
は亜鉛を主成分とする成膜源とアルミニウム、ガリウム
、インジウムのうち少なくとも１種類以上の元素金主成
分とする成膜源を用いて酸素ま友は窒素のうち少なくと
も１ａ類以上からなる活性気体または上記の活性気体と
不活性気体の混合気体中で作成させることにより下記の
効果”ｋｌｉｉｆする。
着などの物理蒸着やＣＶＤなどの化学蒸着において、亜
鉛にアルミニウム、ガリウム、インジウムのうち少なく
とも１種類以上の元素および不純物を含む成膜源、また
は亜鉛を主成分とする成膜源とアルミニウム、ガリウム
、インジウムのうち少なくとも１種類以上の元素金主成
分とする成膜源を用いて酸素ま友は窒素のうち少なくと
も１ａ類以上からなる活性気体または上記の活性気体と
不活性気体の混合気体中で作成させることにより下記の
効果”ｋｌｉｉｆする。
（１１本発明になる透明薄電膜の生成分である亜鉛は資
源的にも豊富であり、安価であるため、低コストと透明
４電膜が得られる。
源的にも豊富であり、安価であるため、低コストと透明
４電膜が得られる。
（２）本発明になる透明薄電膜は成膜時の活性気体分圧
感度が低いため、再現性が良く成膜し易く生産性全向上
できる。
感度が低いため、再現性が良く成膜し易く生産性全向上
できる。
（３）本発明になる透明薄電膜は比抵抗の経時変化が少
く安定性がすぐれている。
く安定性がすぐれている。
（４）本発明になる透明薄電膜は低温で成膜できる念め
プラスチック等種々の基＆全使用できる。
プラスチック等種々の基＆全使用できる。
本発明は上記のような利点を有するもので、薄膜表示装
置、液晶表示装置、エレクトロクロシック表示装置、タ
ッチパネル、面発熱体、帯電防止体、静電気障害の防止
体、電子写真記録媒体のペース、センサなどの透明４を
膜を用いるあらゆる分野に適用できる。
置、液晶表示装置、エレクトロクロシック表示装置、タ
ッチパネル、面発熱体、帯電防止体、静電気障害の防止
体、電子写真記録媒体のペース、センサなどの透明４を
膜を用いるあらゆる分野に適用できる。
第１図はアルミニウム、ガリウム、インジウムのうち少
なくとも１種類以上の元素の亜鉛に対する含有率と比抵
抗との関係図。 第２図はアルミニウム、ガリウム、インジウムのうち少
なくとも１種類以上の元素を含む亜鉛および純亜鉛のタ
ーゲット全周いて８００Ａスパツタした後室温で相対湿
度５０パーセントの大気組成ガス中にさらしておいた時
間と比抵抗との経時変化図。 第３図はアルミニウムを５原子パーセント含む亜鉛、純
亜鉛、酸化亜鉛、酸化錫および酸化錫を１０ｗ、子パー
セント含む酸化インジウムのターゲットを用いて室温で
スパッタし文場合のｖｌ＆素分圧と比抵抗の関係図。 第４内はアルミニウム七５原子パーセント含む亜鉛を用
いて、活性ガスとして酸素、窒素、酸素２０窒素８０パ
ーセントの混合気体を用いてスパッタした場合の比抵抗
と反応性ガス分圧の関係図。 第５図はスパッタ装置の概略図。 第６図は蒸着装置の概略図。 第７融は亜鉛を蒸発源として酸素を導入して酸化亜鉛膜
七作委する場合とアルミニウムと亜鉛の２つの蒸発源金
側いてアルミニウムが亜鉛に対して５原子パーセントに
なるようにして酸素全導入して作製した場合の酸素分圧
と比抵抗の関係図。 第８因はＣｖＤ装置の概略図。 第９図は酸素または窒素上導入して作製し定透明薄電膜
の活性気体分圧と比抵抗との関係図。 第１０自および第１１図は本発明になる透明薄電膜の作
成方法音用いて光記録媒体全作成する場合の光記録媒体
の基本構成図。 第１２図は本発明になる透明薄電膜の作製方法により製
膜したＺ ｎ Ｑ （Ａ Ｌ ５原子パーセント）０は
成膜源のＺｎに含有される量にバイアス電圧全印加して
記録層ｋｒｆｆ膜して光記録媒体を作成した場合とバイ
アス電圧を印加しないで記録層全成膜して光記録媒体全
作成し几場合の７０℃９３％ＲＨＦでのファラデー回転
角の経時変化図。 第１６図は本発明になる透明薄電膜の作成方法？用いて
、種々の透明薄電膜全作成して、それにバイアス′（正
金印加して記録層全成膜して光記録媒体７作成し北場合
と、ＺｎΩ、 Ｉｎ、０３ （Ｓｎ０２５重量パーセン
ト）の２種の透明薄電膜？作成後、それにバイアス電圧
ケ印加して記録層を成膜して光記録媒体？作成した場合
の７０℃９５％ＲＨＦでのファラデー回転角の経時変化
図。 第１図、第２図、第６図、第１１図、第１６図の説明に
おいて０は成膜源に含有される量？示している。 １・・・亜鉛に対するアルミニウム含有車力ＳＯ〜１０
原子パーセントの場合。 ２・・・亜鉛に対する含有率が、アルミニウム５ガリウ
ム１原子パーセントの場合。 ６・・・亜鉛に対する含有率力、アルミニウム５インジ
ウム１原子パーセントの場合。 ４・・・亜鉛に対する含有率が、アルミニウム５ガリウ
ム１インジウム１原子パーセントの場合。 ５・・・亜鉛だけ全周いた場合。 ６・・・亜鉛に対するアルミニウムの含有率が０．０５
原子パーセントの場合。 ７・・・亜鉛に対するアルミニウムの含有率が０．１原
子パーセントの場合。 ８・・・亜鉛に対するアルミニウムの含有率が０．２原
子パーセントの場合。 ９・・・亜鉛に対する含有率が、アルミニウム５インジ
ウム１原子パーセントの場合。 １０・・・亜鉛に対する含有率が、アルミニウム５ガリ
ウム１原子パーセントの場合。 １１・・・亜鉛に対する含有率が、アルミニウム５原子
パーセントの場合。 １２・・・アルミニウム上５原子パーセント含む亜鉛の
ターゲット金円いた場合。 １６・・・亜鉛のターゲットで用いた場合。 １４・・・酸化亜鉛のターゲラ）１−用いた場合。 １５・・・酸化錫ｉ１０原子パーセント含む酸化インジ
ウム（工ＴＯ）のターゲットを用いた場合。 １６・・・酸素ガスを用いｔ場合。 １７・・・酸素２０パーセント窒素８０パーセントの混
合ガスを用いた場合。 １８・・・窒素ガスを用いた場合。 １９・・・ターゲット用ＤＣ電源 ２０・・・基板 ２１・・・基板セット用治具 ２２・・・アルミニウム、ガリウム、インジウムのうち
少くとも１種類以上の元素？含む亜鉛のターゲット ２３・・・シールド版 ２４・・・ホルダー ２５・・・チャンバー ２６・・・パツキン ２７・・・活性ガス導入パルプ ２８・・・基板ホルダー ２９・・・基板 ３０・・・シャッター ３１・・・蒸発源支持用治具 ３２・・・アルミニウム、ガリウム、インジウムの蒸発
源 ３５・・・亜鉛の蒸発源 ３４・・・チャンバー ６５・・・リークおよび排気バルブ ３６・・・亜鉛の蒸発源を用いた場合 ３７・・・亜鉛とアルミニウムの蒸発源音用いた場６８
・・・ガス導入バルブ ３９・・・ＣＶＤガス排出器 ４０・・・基板 ４１・・・基板ホルダー ４２・・・ＣＶＤガス導入バルブ ４５・・・排気バルブ ４４・・・酸素ガス全周いた場合 ４５・・・窒素ガスを用いた場合 ４６・・・ポリカーボネートの透光性支持体４７−−−
ＺｎＯ（Ａｔ５原子パーセント）層４８−−・ＮｄＤ
ｙＦｅＣｏＴｉの記録層４９・・・５ｉＡｔＮの保護層 ５０ ・・・接ア１墾トノ−１１ ５１・・・ポリカーボネートの透光性支持体５２・・・
ディスクのセンターホール ５３・・・ポリカーボネートの透光性支持体５４・・・
Ｚ ｎ Ｏ（Ａ ｔ５原子パーセント）層５５・・・５
ｉＡｔＩＪの第１保穫層 ５６− ＮｄＤｙＦｅＣｏＴｉの記録層５７・・・５ｉ
ＡｔＮの第２保護層 ５８・・・接着層 ５９・・・ポリカーボネートの透光性支持体６０・・・
ディスクのセンターホール ６１・・・バイアススパッタした場合 ６２・・・バイアススパッタしなかった場合６３・・・
Ｚ ｎ Ｏ（Ａ Ｌ １原子パーセント）層全用いた場
合 ６４ ・−ＺｎＯ（Ｉｎ５原子パーセント）７ａｋ用い
た場合 ６５・・・Ｚ ｎ Ｏ（Ｇ ａ ４原子パーセント）層
？用いた場合 ６６・・・Ｚ ｎ Ｏ（Ｉｎ６原子パーセント）ノーｅ
用いた場合 ６７・・・ＺｎＯ（Ａｌ ３ 原子パーセント）属音用
いた場合 ６８・・・Ｚ ｎ ０層を用いた場合 ６９・・・工ｎ２０３（Ｓｎ０，５重量パーセント）層
を用いた場合 葛１図 発２１図 烙３図 名４図 粥ダ図 栢−こ素子プ／Ｉ（％） 藁７図 芸別図 垢を図 ４３ Ｍ、０ＣＡＩＩαｔｏ／、） ６４ ムＯに３峠ｈ） ６５ ”ｉ！、Ｄ（Ｇａ４０包） ６６ 乙０（１，１，ｃｔ４必） 乙７ ２Ｍ０（Ａ／３α＋Ｚン ７θ’ｃ ？５外ＲＨ下の刷り寺時間 名１３１７
なくとも１種類以上の元素の亜鉛に対する含有率と比抵
抗との関係図。 第２図はアルミニウム、ガリウム、インジウムのうち少
なくとも１種類以上の元素を含む亜鉛および純亜鉛のタ
ーゲット全周いて８００Ａスパツタした後室温で相対湿
度５０パーセントの大気組成ガス中にさらしておいた時
間と比抵抗との経時変化図。 第３図はアルミニウムを５原子パーセント含む亜鉛、純
亜鉛、酸化亜鉛、酸化錫および酸化錫を１０ｗ、子パー
セント含む酸化インジウムのターゲットを用いて室温で
スパッタし文場合のｖｌ＆素分圧と比抵抗の関係図。 第４内はアルミニウム七５原子パーセント含む亜鉛を用
いて、活性ガスとして酸素、窒素、酸素２０窒素８０パ
ーセントの混合気体を用いてスパッタした場合の比抵抗
と反応性ガス分圧の関係図。 第５図はスパッタ装置の概略図。 第６図は蒸着装置の概略図。 第７融は亜鉛を蒸発源として酸素を導入して酸化亜鉛膜
七作委する場合とアルミニウムと亜鉛の２つの蒸発源金
側いてアルミニウムが亜鉛に対して５原子パーセントに
なるようにして酸素全導入して作製した場合の酸素分圧
と比抵抗の関係図。 第８因はＣｖＤ装置の概略図。 第９図は酸素または窒素上導入して作製し定透明薄電膜
の活性気体分圧と比抵抗との関係図。 第１０自および第１１図は本発明になる透明薄電膜の作
成方法音用いて光記録媒体全作成する場合の光記録媒体
の基本構成図。 第１２図は本発明になる透明薄電膜の作製方法により製
膜したＺ ｎ Ｑ （Ａ Ｌ ５原子パーセント）０は
成膜源のＺｎに含有される量にバイアス電圧全印加して
記録層ｋｒｆｆ膜して光記録媒体を作成した場合とバイ
アス電圧を印加しないで記録層全成膜して光記録媒体全
作成し几場合の７０℃９３％ＲＨＦでのファラデー回転
角の経時変化図。 第１６図は本発明になる透明薄電膜の作成方法？用いて
、種々の透明薄電膜全作成して、それにバイアス′（正
金印加して記録層全成膜して光記録媒体７作成し北場合
と、ＺｎΩ、 Ｉｎ、０３ （Ｓｎ０２５重量パーセン
ト）の２種の透明薄電膜？作成後、それにバイアス電圧
ケ印加して記録層を成膜して光記録媒体？作成した場合
の７０℃９５％ＲＨＦでのファラデー回転角の経時変化
図。 第１図、第２図、第６図、第１１図、第１６図の説明に
おいて０は成膜源に含有される量？示している。 １・・・亜鉛に対するアルミニウム含有車力ＳＯ〜１０
原子パーセントの場合。 ２・・・亜鉛に対する含有率が、アルミニウム５ガリウ
ム１原子パーセントの場合。 ６・・・亜鉛に対する含有率力、アルミニウム５インジ
ウム１原子パーセントの場合。 ４・・・亜鉛に対する含有率が、アルミニウム５ガリウ
ム１インジウム１原子パーセントの場合。 ５・・・亜鉛だけ全周いた場合。 ６・・・亜鉛に対するアルミニウムの含有率が０．０５
原子パーセントの場合。 ７・・・亜鉛に対するアルミニウムの含有率が０．１原
子パーセントの場合。 ８・・・亜鉛に対するアルミニウムの含有率が０．２原
子パーセントの場合。 ９・・・亜鉛に対する含有率が、アルミニウム５インジ
ウム１原子パーセントの場合。 １０・・・亜鉛に対する含有率が、アルミニウム５ガリ
ウム１原子パーセントの場合。 １１・・・亜鉛に対する含有率が、アルミニウム５原子
パーセントの場合。 １２・・・アルミニウム上５原子パーセント含む亜鉛の
ターゲット金円いた場合。 １６・・・亜鉛のターゲットで用いた場合。 １４・・・酸化亜鉛のターゲラ）１−用いた場合。 １５・・・酸化錫ｉ１０原子パーセント含む酸化インジ
ウム（工ＴＯ）のターゲットを用いた場合。 １６・・・酸素ガスを用いｔ場合。 １７・・・酸素２０パーセント窒素８０パーセントの混
合ガスを用いた場合。 １８・・・窒素ガスを用いた場合。 １９・・・ターゲット用ＤＣ電源 ２０・・・基板 ２１・・・基板セット用治具 ２２・・・アルミニウム、ガリウム、インジウムのうち
少くとも１種類以上の元素？含む亜鉛のターゲット ２３・・・シールド版 ２４・・・ホルダー ２５・・・チャンバー ２６・・・パツキン ２７・・・活性ガス導入パルプ ２８・・・基板ホルダー ２９・・・基板 ３０・・・シャッター ３１・・・蒸発源支持用治具 ３２・・・アルミニウム、ガリウム、インジウムの蒸発
源 ３５・・・亜鉛の蒸発源 ３４・・・チャンバー ６５・・・リークおよび排気バルブ ３６・・・亜鉛の蒸発源を用いた場合 ３７・・・亜鉛とアルミニウムの蒸発源音用いた場６８
・・・ガス導入バルブ ３９・・・ＣＶＤガス排出器 ４０・・・基板 ４１・・・基板ホルダー ４２・・・ＣＶＤガス導入バルブ ４５・・・排気バルブ ４４・・・酸素ガス全周いた場合 ４５・・・窒素ガスを用いた場合 ４６・・・ポリカーボネートの透光性支持体４７−−−
ＺｎＯ（Ａｔ５原子パーセント）層４８−−・ＮｄＤ
ｙＦｅＣｏＴｉの記録層４９・・・５ｉＡｔＮの保護層 ５０ ・・・接ア１墾トノ−１１ ５１・・・ポリカーボネートの透光性支持体５２・・・
ディスクのセンターホール ５３・・・ポリカーボネートの透光性支持体５４・・・
Ｚ ｎ Ｏ（Ａ ｔ５原子パーセント）層５５・・・５
ｉＡｔＩＪの第１保穫層 ５６− ＮｄＤｙＦｅＣｏＴｉの記録層５７・・・５ｉ
ＡｔＮの第２保護層 ５８・・・接着層 ５９・・・ポリカーボネートの透光性支持体６０・・・
ディスクのセンターホール ６１・・・バイアススパッタした場合 ６２・・・バイアススパッタしなかった場合６３・・・
Ｚ ｎ Ｏ（Ａ Ｌ １原子パーセント）層全用いた場
合 ６４ ・−ＺｎＯ（Ｉｎ５原子パーセント）７ａｋ用い
た場合 ６５・・・Ｚ ｎ Ｏ（Ｇ ａ ４原子パーセント）層
？用いた場合 ６６・・・Ｚ ｎ Ｏ（Ｉｎ６原子パーセント）ノーｅ
用いた場合 ６７・・・ＺｎＯ（Ａｌ ３ 原子パーセント）属音用
いた場合 ６８・・・Ｚ ｎ ０層を用いた場合 ６９・・・工ｎ２０３（Ｓｎ０，５重量パーセント）層
を用いた場合 葛１図 発２１図 烙３図 名４図 粥ダ図 栢−こ素子プ／Ｉ（％） 藁７図 芸別図 垢を図 ４３ Ｍ、０ＣＡＩＩαｔｏ／、） ６４ ムＯに３峠ｈ） ６５ ”ｉ！、Ｄ（Ｇａ４０包） ６６ 乙０（１，１，ｃｔ４必） 乙７ ２Ｍ０（Ａ／３α＋Ｚン ７θ’ｃ ？５外ＲＨ下の刷り寺時間 名１３１７
Claims (6)
- （１）物理蒸着もしくは化学蒸着による薄膜作成方法に
おいて、亜鉛（Ｚｎ）にアルミニウム（Ａｌ）ガリウム
（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）のうち少なくとも１種類
以上の元素および不純物を含む成膜源又は亜鉛を主成分
とする成膜源とアルミニウム、ガリウム、インジウムの
うち少なくとも１種類以上の元素を主成分とする金属ま
たは金属有機物の成膜源を用いて酸素または窒素のうち
少なくとも１種類以上からなる活性気体または前記活性
気体と不活性気体の混合気体中で作成させることを特徴
とする透明薄電膜の作成方法。 - （２）亜鉛にアルミニウム、ガリウム、インジウムのう
ち少なくとも１種類以上の元素および不純物が０．１〜
１０原子パーセントの割合で含むことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の透明導電膜の作成方法。 - （３）前記物理蒸着がスパッタリングもしくは蒸着であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の透明導
電膜の作成方法。 - （４）亜鉛にアルミニウム、ガリウム、インジウムのう
ち少なくとも１種類以上の元素および不純物が０．１〜
１０原子パーセントの割合で含み、前記物理蒸着がスパ
ッタリングもしくは蒸着であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の透明導電膜の作成方法。 - （５）前記化学蒸着がＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａ
ｐｏｕｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の透明導電膜の作成方法。 - （６）亜鉛にアルミニウム、ガリウム、インジウムのう
ち少なくとも１種類以上の元素および不純物が０．１〜
１０原子パーセントの割合で含み、前記化学蒸着がＣＶ
Ｄであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
透明導電膜の作成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60-205635 | 1985-09-18 | ||
| JP20563585 | 1985-09-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62157618A true JPS62157618A (ja) | 1987-07-13 |
Family
ID=16510153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21880886A Pending JPS62157618A (ja) | 1985-09-18 | 1986-09-17 | 透明導電膜の作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62157618A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06234565A (ja) * | 1992-12-15 | 1994-08-23 | Idemitsu Kosan Co Ltd | ターゲットおよびその製造方法 |
| US5972527A (en) * | 1992-12-15 | 1999-10-26 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Transparent electrically conductive layer, electrically conductive transparent substrate and electrically conductive material |
| JP2003007134A (ja) * | 2001-06-22 | 2003-01-10 | Univ Kanagawa | 透明電極材料 |
| WO2007080738A1 (ja) * | 2006-01-11 | 2007-07-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 透明導電膜および透明導電膜の製造方法 |
| JP2007250470A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Tosoh Corp | 酸化亜鉛系透明導電膜及びそれを用いた液晶ディスプレイ並びに酸化亜鉛系スパッタリングターゲット |
| JP2007280756A (ja) * | 2006-04-06 | 2007-10-25 | Tosoh Corp | 酸化亜鉛系透明導電膜及びそれを用いた液晶ディスプレイ並びに酸化亜鉛系スパッタリングターゲット |
| WO2008013238A1 (fr) * | 2006-07-28 | 2008-01-31 | Ulvac, Inc. | Procédé de formation de film conducteur transparent |
| US7928946B2 (en) | 1991-06-14 | 2011-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method of driving the same |
| JP2012132101A (ja) * | 2012-04-13 | 2012-07-12 | Mitsubishi Materials Corp | 透明導電膜形成用スパッタリングターゲット |
-
1986
- 1986-09-17 JP JP21880886A patent/JPS62157618A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7928946B2 (en) | 1991-06-14 | 2011-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method of driving the same |
| JPH06234565A (ja) * | 1992-12-15 | 1994-08-23 | Idemitsu Kosan Co Ltd | ターゲットおよびその製造方法 |
| US5972527A (en) * | 1992-12-15 | 1999-10-26 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Transparent electrically conductive layer, electrically conductive transparent substrate and electrically conductive material |
| JP2003007134A (ja) * | 2001-06-22 | 2003-01-10 | Univ Kanagawa | 透明電極材料 |
| WO2007080738A1 (ja) * | 2006-01-11 | 2007-07-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 透明導電膜および透明導電膜の製造方法 |
| JP2007250470A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Tosoh Corp | 酸化亜鉛系透明導電膜及びそれを用いた液晶ディスプレイ並びに酸化亜鉛系スパッタリングターゲット |
| JP4702126B2 (ja) * | 2006-03-17 | 2011-06-15 | 東ソー株式会社 | 酸化亜鉛系透明導電膜及びそれを用いた液晶ディスプレイ並びに酸化亜鉛系スパッタリングターゲット |
| JP2007280756A (ja) * | 2006-04-06 | 2007-10-25 | Tosoh Corp | 酸化亜鉛系透明導電膜及びそれを用いた液晶ディスプレイ並びに酸化亜鉛系スパッタリングターゲット |
| WO2008013238A1 (fr) * | 2006-07-28 | 2008-01-31 | Ulvac, Inc. | Procédé de formation de film conducteur transparent |
| JP2012132101A (ja) * | 2012-04-13 | 2012-07-12 | Mitsubishi Materials Corp | 透明導電膜形成用スパッタリングターゲット |
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