JP2008275456A - 濃度測定装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】濃度測定装置(1)は、液体が注入される領域を構成するグレーズド基板(5)であって、セラミック基板(13)と、セラミック基板(13)上に形成した第1のガラス層(14)と、を有するグレーズド基板(5)と、液体と接触するように、第1のガラス層(14)の上に互いに間隔を空けて配置された第1の電極(8)及び第2の電極(7)と、を備える。濃度測定装置(1)は、第1のガラス層(14)の上面ならびに第1の電極(8)および第2の電極(7)の外縁を被服する第2のガラス層(15)を更に含むことが好ましい。
【選択図】図4
Description
液体と接触するように、第1のガラス層14の上に互いに間隔を空けて配置された第1の電極8及び第2の電極7と、
を備える。
二酸化ケイ素(SiO2)と酸化カルシウム(CaO)を含む複数の酸化物を混合する工程(S501)と、
混合物を溶融してガラス化する工程(S503)と、
固化したガラスを粉砕してガラス粉を生成する工程(S505)と、
樹脂を溶剤に加えて溶解し、ビヒクルを生成する工程(S507)と、
ガラス粉をビヒクルと共に混練して、ガラスペーストを生成する工程(S509)と、
ガラスペーストを印刷によってセラミック基板13上に塗布する工程(S511)と、
塗布したガラスペーストを焼成する工程(S513)と、
を含む方法によって形成される。
溶解した第1の金属を第1の有機化合物と混合して反応させ、第1のレジネートを生成する工程(S603)であって、第1の金属が金(Au)であり、第1のレジネートが金レジネートである工程と、
溶解した第2の金属を第2の有機化合物と混合して反応させ、第2のレジネートを生成する工程(S607)と、
第1のレジネート、第2のレジネート、及び溶剤を混練し、レジネートペーストを生成する工程(S609)と、
レジネートペーストを用いて第1のガラス層14上に電極パターンを印刷する工程(S611)と、
印刷されたレジネートペーストを焼成する工程(S613)と、
を含む方法によって形成される。
酸化ビスマス(Bi2O3)と、酸化亜鉛(ZnO)及び酸化ホウ素(B2O3)を混合する工程(S801)と、
混合物を溶融してガラス化する工程(S803)と、
固化したガラスを粉砕してガラス粉を生成するする工程(S805)と、
樹脂を溶剤に加えて溶解し、ビヒクルを生成する工程(S807)と、
ガラス粉をビヒクルと共に混練して、ガラスペーストを生成する工程(S809)と、
ガラスペーストを第1のガラス層14の上面及び第1の電極8及び第2の電極7の外縁上に塗布する工程(S811)と、
塗布したガラスペーストを焼成する工程(S813)と、
を含む方法によって形成される。
第1の電極8と第2の電極7との間の電圧または第1の電極8と第2の電極7との間に流れる電流のうちの少なくとも一方を測定する検出手段24,25と、
検出手段24,25で検出された電流値または電圧値に基づいて、測定対象物の濃度を求める濃度測定手段28と、
求められた濃度を表示する表示手段9と、
を更に含む。
2 上ケース
3 下ケース
4 基板
5 電極基板
7 第2の電極
8 第1の電極
9 表示部(表示手段)
10a,10b 操作スイッチ
11 サンプルステージ
12 Oリング
13 セラミック基板
14 グレーズ層(第1のガラス層)
15 オーバーコートガラス層(第2のガラス層)
21 シャント抵抗
22 信号発生器
23 出力増幅回路
24 電流検出回路(電流検出手段)
25 電圧検出回路(電圧検出手段)
27 AD変換回路
28 CPU(濃度測定手段)
29 第3の電極
30 第4の電極
31 セラミック基板(従来)
32 電極(従来)
33 オーバーコートガラス層(従来)
Claims (8)
- 液体中に溶解している測定対象物の濃度を測定する濃度測定装置(1)であって、
液体が注入される領域を構成するグレーズド基板(5)であって、セラミック基板(13)と、前記セラミック基板(13)上に形成した第1のガラス層(14)と、を有するグレーズド基板(5)と、
前記液体と接触するように、前記第1のガラス層(14)の上に互いに間隔を空けて配置された第1の電極(8)及び第2の電極(7)と、
を備える濃度測定装置。 - 前記第1のガラス層(14)が、二酸化ケイ素(SiO2)及び酸化カルシウム(CaO)を含む、請求項1に記載の濃度測定装置。
- 前記第1のガラス層(14)が4〜16μmの厚さを有する、請求項1又は2のいずれか1項に記載の濃度測定装置。
- 前記第1の電極(8)及び第2の電極(7)が、35〜45重量%の有機金化合物を含む有機金ペーストを焼成することにより形成される、請求項1〜3のいずれか1項に記載の濃度測定装置。
- 前記第1の電極(8)及び第2の電極(7)が0.2〜0.3μmの厚さを有する、請求項1〜4のいずれか1項に記載の濃度測定装置。
- 前記第1のガラス層(14)の上面及び前記第1の電極(8)及び第2の電極(7)の外縁を被覆する第2のガラス層(15)を更に含み、前記第2のガラス層(15)が、65〜75重量%のBi2O3−ZnO−B2O3系ガラスを含むガラスペーストを焼成することにより形成される、請求項1〜5のいずれか1項に記載の濃度測定装置。
- 前記第2のガラス層(15)が3〜5μmの厚さを有する、請求項6に記載の濃度測定装置。
- 前記第2のガラス層(15)が
酸化ビスマス(Bi2O3)と、酸化亜鉛(ZnO)及び酸化ホウ素(B2O3)を混合する工程(S801)と、
混合物を溶融してガラス化する工程(S803)と、
固化したガラスを粉砕してガラス粉を生成するする工程(S805)と、
樹脂を溶剤に加えて溶解し、ビヒクルを生成する工程(S807)と、
前記ガラス粉を前記ビヒクルと共に混練して、ガラスペーストを生成する工程(S809)と、
前記ガラスペーストを第1のガラス層(14)の上面及び第1の電極(8)及び第2の電極(7)の外縁上に塗布する工程(S811)と、
塗布したガラスペーストを焼成する工程(S813)と、
を含む方法によって形成される、請求項6又は7に記載の濃度測定装置。
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