JPS59172703A - 基板材料 - Google Patents
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- JPS59172703A JPS59172703A JP58047597A JP4759783A JPS59172703A JP S59172703 A JPS59172703 A JP S59172703A JP 58047597 A JP58047597 A JP 58047597A JP 4759783 A JP4759783 A JP 4759783A JP S59172703 A JPS59172703 A JP S59172703A
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- magnetic metal
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- film
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- H01F10/28—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the substrate or intermediate layers characterised by the composition of the substrate
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、金属磁性膜を蒸着づるための非磁性基板材料
に関するものである。
に関するものである。
従来、例えば′a膜磁気ヘッド、集積回路素子等を製造
するに際しては、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウ
ム、アルミゾ。亜鉛フIライ1〜.ガラス等を非磁性基
板材料として用い、該基板材料上に金属磁性膜を形成し
たものが用いられていた。
するに際しては、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウ
ム、アルミゾ。亜鉛フIライ1〜.ガラス等を非磁性基
板材料として用い、該基板材料上に金属磁性膜を形成し
たものが用いられていた。
すなわち、これらの材料を基板材料として鏡面仕上げ加
工を施したあと、1−リフロールエチレン。
工を施したあと、1−リフロールエチレン。
アセ1−ン等の有機溶媒中で洗浄し、この基板上に真空
蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ−フインク法等
の公知の物理黒石法技術を用いて数μ〜数十μmのIf
!f!厚に、Fe−Ni系またハFe −AI−3i系
の金属磁性膜を形成し、その後、磁気特性改善のため5
00〜100℃で真空中加熱にょる熱処理を実施してい
る。
蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ−フインク法等
の公知の物理黒石法技術を用いて数μ〜数十μmのIf
!f!厚に、Fe−Ni系またハFe −AI−3i系
の金属磁性膜を形成し、その後、磁気特性改善のため5
00〜100℃で真空中加熱にょる熱処理を実施してい
る。
しかしながら、上記従来の基板材料の多くは、その・熱
膨服IFf、数が金属磁性膜の熱膨張係数αと大さく異
なっているため、蒸着した金属磁性膜が剥離しF−9い
という欠点を有していた。また、例えば熱膨張係数が金
属磁性膜の熱膨張係数と合ったガラスの場合には、蒸着
膜の剥離の問題点はないが、薄膜磁気ヘラ・ドを構成し
た場合には、ガラスの硬さが低いために磁気テープとの
摺動により摩耗するという欠点があった。
膨服IFf、数が金属磁性膜の熱膨張係数αと大さく異
なっているため、蒸着した金属磁性膜が剥離しF−9い
という欠点を有していた。また、例えば熱膨張係数が金
属磁性膜の熱膨張係数と合ったガラスの場合には、蒸着
膜の剥離の問題点はないが、薄膜磁気ヘラ・ドを構成し
た場合には、ガラスの硬さが低いために磁気テープとの
摺動により摩耗するという欠点があった。
このため[e’−Ni系またはFe’−AI −8i系
金属磁性膜の熱膨張係数α(120−150x 1o−
7/′℃)に近い熱膨張係数を有し、しがも硬さは磁気
テープに含まれる磁性粉の硬さく1−1v = 500
〜700K g / nv )なみの特性を有する非磁
性基板材料の出現が望まれていた。
金属磁性膜の熱膨張係数α(120−150x 1o−
7/′℃)に近い熱膨張係数を有し、しがも硬さは磁気
テープに含まれる磁性粉の硬さく1−1v = 500
〜700K g / nv )なみの特性を有する非磁
性基板材料の出現が望まれていた。
本発明は上記要望に応えるべくなされたものであり、[
二e−Ni系またはFe−△1−8i系金属磁性膜を物
理黒石法により形成するに最適な非磁性基板材料を提供
することを目的とする。
二e−Ni系またはFe−△1−8i系金属磁性膜を物
理黒石法により形成するに最適な非磁性基板材料を提供
することを目的とする。
上記目的を達成するために本発明は、NixMn2−X
(たたし、0.05≦x <:: 1.0)で表わさ
れ岩塩型構造を主どづる酸化物を金属磁り1膜蒸着用非
磁性基板材料として用いたことを特徴とするものである
。
(たたし、0.05≦x <:: 1.0)で表わさ
れ岩塩型構造を主どづる酸化物を金属磁り1膜蒸着用非
磁性基板材料として用いたことを特徴とするものである
。
上記と類似した組成の酸化物は、ノJライ1−磁気ヘツ
トの製造技術において、ノエライ]−との接合に関連す
る構造材料どして、先に木(’l出願人が提案したこと
があるものである(特開昭52−145797号公報参
照)。
トの製造技術において、ノエライ]−との接合に関連す
る構造材料どして、先に木(’l出願人が提案したこと
があるものである(特開昭52−145797号公報参
照)。
しかしながら、先に提案したどきはI6気ヘッドの構造
材料どしての特性に着目したものであり、当該材料が金
属磁性膜蒸着用基板材料として適しているか否かは必ず
しも明確ではなかった。
材料どしての特性に着目したものであり、当該材料が金
属磁性膜蒸着用基板材料として適しているか否かは必ず
しも明確ではなかった。
本発明者等は、前記従来技術の欠点を解消する新規な材
料を実現すべく種々検討した結果、上記組成範囲外の非
磁性材料が特にFe Ni系またはFe −AI−8
i系金属磁性膜蒸着用基板材料どして最適なものである
ことを見出し本発明を完成したものである。
料を実現すべく種々検討した結果、上記組成範囲外の非
磁性材料が特にFe Ni系またはFe −AI−8
i系金属磁性膜蒸着用基板材料どして最適なものである
ことを見出し本発明を完成したものである。
一木発明において0.05≦x < 1.0としたの
は、この組成範囲では熱膨張係数αが130〜150x
lO−77′℃程度の特性となり、Fe−Ni系または
「e−△1−3i系金属磁性膜のαとほぼ同等どなるた
めである。
は、この組成範囲では熱膨張係数αが130〜150x
lO−77′℃程度の特性となり、Fe−Ni系または
「e−△1−3i系金属磁性膜のαとほぼ同等どなるた
めである。
また、本発明において、上記組成を主成分としC,AI
、Cr 、Si 、3n 、 Ba等の添加物を含有
さけた場合には、より高密度化出来る利点があるので、
αがFe−Ni系またはFe −AI −3i系金属磁
性膜のαとほぼ同等のものであれば、同様に本発明の効
果を得ることができる。
、Cr 、Si 、3n 、 Ba等の添加物を含有
さけた場合には、より高密度化出来る利点があるので、
αがFe−Ni系またはFe −AI −3i系金属磁
性膜のαとほぼ同等のものであれば、同様に本発明の効
果を得ることができる。
以下、本発明を実施例に基づき詳述する。
実施例1
組成式N ixM II、−xo 2で表わされる酸化
物非磁性材料のうちA (X = 1.0) 、 B
(、X = 0.8) 。
物非磁性材料のうちA (X = 1.0) 、 B
(、X = 0.8) 。
C(x = 0.6)およびD (X = 0.05
)の各組成のものについて、各素原料Zll O,Ml
l Co、およびNiOを秤量し、所望する酸化物をそ
れぞれ500g製造した。混合、粉砕は水またはアルニ
°]−ル。
)の各組成のものについて、各素原料Zll O,Ml
l Co、およびNiOを秤量し、所望する酸化物をそ
れぞれ500g製造した。混合、粉砕は水またはアルニ
°]−ル。
アセトン等の有機溶媒中ボールミルで10へ、20h処
理した。また、」−記A、(X’= 1.0)の組成
のものにAl2O3を粉砕時に4重量%添加したものも
同様に製造処理した。
理した。また、」−記A、(X’= 1.0)の組成
のものにAl2O3を粉砕時に4重量%添加したものも
同様に製造処理した。
仮焼は700〜1200℃で実施し、金型成形後、窒素
ガス中1150〜1300℃の温度範囲で焼結した。得
られた材料についてX線解析し、NaCl1M造が主た
るものであることを確認した。次に、これらの材料より
片面を鏡面什tげした10X 20X 2tなる形状の
基板を□加工し、これらの鏡面仕上げ面上にスパッタリ
ング法にてFe−Ni系金属磁性膜(パーマロイ膜)ま
たはFe −AI−8i系金属磁性膜(センタスト膜)
を約5μm厚みに形成した。こうして得られたものを、
真空中600℃10分間保持の炉冷条件で熱処理を施し
た。(の結果を第1表に示す。
ガス中1150〜1300℃の温度範囲で焼結した。得
られた材料についてX線解析し、NaCl1M造が主た
るものであることを確認した。次に、これらの材料より
片面を鏡面什tげした10X 20X 2tなる形状の
基板を□加工し、これらの鏡面仕上げ面上にスパッタリ
ング法にてFe−Ni系金属磁性膜(パーマロイ膜)ま
たはFe −AI−8i系金属磁性膜(センタスト膜)
を約5μm厚みに形成した。こうして得られたものを、
真空中600℃10分間保持の炉冷条件で熱処理を施し
た。(の結果を第1表に示す。
また、比較のために、従来材としてチタン酸バリウム系
の基板も上記と同様にして作製処理した。
の基板も上記と同様にして作製処理した。
第1表
○:はがれ無し、×:はがれあり
E:A12034重量%添加オオ
P:パーマロイ膜
S:センダメ1〜膜
第1表より明らかな如く、従来材で生じていた金属磁性
膜の熱処理時の剥離は、本発明の材料では皆無である。
膜の熱処理時の剥離は、本発明の材料では皆無である。
また、副成分としてAl2O3を添加しものもαが14
2X IQ”/”Cであり、問題なく有効であることが
明らかであり、極めて高い密瓜を有するどい)利点と相
俟つで有用な基板材料であること明白で゛ある。
2X IQ”/”Cであり、問題なく有効であることが
明らかであり、極めて高い密瓜を有するどい)利点と相
俟つで有用な基板材料であること明白で゛ある。
以上群’rlL Lだ如く、本発明非磁性基板材料・を
用いることにより、金属磁性薄膜形成後に、磁気特性の
改善のための熱処理を施すことが望ましい金属磁性膜に
対しτ、膜の剥離を心配することなく任意の熱処理が可
能となり、磁気特性の優れた膜を有する電子部品素子を
生産することが出来る利点がある。このため本発明の工
業的1i11i値は極めて人なるものがある。
用いることにより、金属磁性薄膜形成後に、磁気特性の
改善のための熱処理を施すことが望ましい金属磁性膜に
対しτ、膜の剥離を心配することなく任意の熱処理が可
能となり、磁気特性の優れた膜を有する電子部品素子を
生産することが出来る利点がある。このため本発明の工
業的1i11i値は極めて人なるものがある。
手続補正書
昭和′ゝ′年6 月16□
昭和58年 特訂願 第1I7597号光明の名称 基
板材料 補正をする者 事件どの関1系 特許出願人 11所 東京都千代田区丸ノ内二丁目1番2号名称 (
508)日立金属株式会社 電話 東京03−284−4642 明細代の「発明の詳細な説明1の欄。
板材料 補正をする者 事件どの関1系 特許出願人 11所 東京都千代田区丸ノ内二丁目1番2号名称 (
508)日立金属株式会社 電話 東京03−284−4642 明細代の「発明の詳細な説明1の欄。
補正の内容
明細書第5頁第3行のI’7n□」を削除する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 、 N iX、M n7−202 (ただし、0.
05≦×〈1.0)で表わされ岩塩型構造が主たること
を特徴とする金属ぼ性膜蒸着用非磁性基板材料。 2、上記金属磁性膜がFe−Nr系またはFe −AI
−3t系高透磁率磁性膜であることを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載の金属磁性膜蒸着用非財性基板材料
。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58047597A JPS59172703A (ja) | 1983-03-22 | 1983-03-22 | 基板材料 |
US06/591,592 US4540638A (en) | 1983-03-22 | 1984-03-20 | Non-magnetic substrate material |
EP84301931A EP0119869B1 (en) | 1983-03-22 | 1984-03-21 | Non-magnetic substrate material |
DE8484301931T DE3473680D1 (de) | 1983-03-22 | 1984-03-21 | Non-magnetic substrate material |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58047597A JPS59172703A (ja) | 1983-03-22 | 1983-03-22 | 基板材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59172703A true JPS59172703A (ja) | 1984-09-29 |
Family
ID=12779651
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58047597A Pending JPS59172703A (ja) | 1983-03-22 | 1983-03-22 | 基板材料 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4540638A (ja) |
EP (1) | EP0119869B1 (ja) |
JP (1) | JPS59172703A (ja) |
DE (1) | DE3473680D1 (ja) |
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JPS6222411A (ja) * | 1985-07-22 | 1987-01-30 | Hitachi Metals Ltd | 非磁性基板材料及び磁気ヘツド |
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-
1983
- 1983-03-22 JP JP58047597A patent/JPS59172703A/ja active Pending
-
1984
- 1984-03-20 US US06/591,592 patent/US4540638A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-03-21 EP EP84301931A patent/EP0119869B1/en not_active Expired
- 1984-03-21 DE DE8484301931T patent/DE3473680D1/de not_active Expired
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0119869B1 (en) | 1988-08-24 |
EP0119869A2 (en) | 1984-09-26 |
US4540638A (en) | 1985-09-10 |
DE3473680D1 (de) | 1988-09-29 |
EP0119869A3 (en) | 1985-10-23 |
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