JPH0449604A - 非磁性酸化物基板とそれを用いた磁気ヘッド - Google Patents
非磁性酸化物基板とそれを用いた磁気ヘッドInfo
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- JPH0449604A JPH0449604A JP2159518A JP15951890A JPH0449604A JP H0449604 A JPH0449604 A JP H0449604A JP 2159518 A JP2159518 A JP 2159518A JP 15951890 A JP15951890 A JP 15951890A JP H0449604 A JPH0449604 A JP H0449604A
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Landscapes
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- Magnetic Heads (AREA)
- Hard Magnetic Materials (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、Ｎｉｐ−Ｔｉ１ｔ系の非磁性酸化物基板と、
それを用いた磁気ヘッドとに関する。
それを用いた磁気ヘッドとに関する。
［従来の技術］
ＶＴＲ・電子スチールカメラ・ディジタルオーディオ（
ＤＡＴ）等に組込まれる磁気ヘッドとして、基板材料（
コア材料）の表面に磁気薄膜を形成した薄膜磁気ヘッド
が広（用いられている。
ＤＡＴ）等に組込まれる磁気ヘッドとして、基板材料（
コア材料）の表面に磁気薄膜を形成した薄膜磁気ヘッド
が広（用いられている。
かかる薄膜磁気ヘッドにおいては、基板材料の熱膨張係
数が薄膜の熱膨張係数と近似していることが必要とされ
る。すなわち、両者の熱膨張係数の差が大きいと、温度
変化によって両材料の接合界面に応力が生じ、亀裂を発
生させたり、磁気特性を低下させたりするおそれがある
。
数が薄膜の熱膨張係数と近似していることが必要とされ
る。すなわち、両者の熱膨張係数の差が大きいと、温度
変化によって両材料の接合界面に応力が生じ、亀裂を発
生させたり、磁気特性を低下させたりするおそれがある
。
ところで、この薄膜として磁気特性に優れたコバルト（
Ｃｏ）系アモルファス薄膜の利用が進められている。こ
のＣｏ系アモルファス合金の熱膨張係数は１００〜１２
０ｘｌＯ−’（ｄｅｇ−’ ）であるので、基板材料と
しても同様の熱膨張係数を有する材料が必要となる。
Ｃｏ）系アモルファス薄膜の利用が進められている。こ
のＣｏ系アモルファス合金の熱膨張係数は１００〜１２
０ｘｌＯ−’（ｄｅｇ−’ ）であるので、基板材料と
しても同様の熱膨張係数を有する材料が必要となる。
かかる、特性を有した基板材料としてＮ１Ｏ−Ｔｉ０２
系酸化物材料が公知である（特開昭６２−９５８１０号
、同６０−２０４６６８号、同６０−２０４６６９号、
同６０−２４６２５８号、同６０−２４６２５９号、同
６０−２６４３６２号、同６０−２６４３６３号、同６
２−１４３８５７号）。
系酸化物材料が公知である（特開昭６２−９５８１０号
、同６０−２０４６６８号、同６０−２０４６６９号、
同６０−２４６２５８号、同６０−２４６２５９号、同
６０−２６４３６２号、同６０−２６４３６３号、同６
２−１４３８５７号）。
特開昭６２−９５８１０号は、ＮｉＯ５０〜９０ｗｔ％
、残部Ｔ ｉ Ｏｔよりなる基板材料と、Ｎｉ０１Ｔ
ｉ ＯｔにさらにＺ ｒ Ｏ＊を少量添加した基板材料
とを開示している。これ以外の上記公開公報は、 Ｎ
ｉ ＯＴ ｉ Ｏを系において、さらにＣａＯ１Ｍｇ０
１ＡＩ２＊ Ｏｓ 、 Ｚｒ Ｏｘ 、Ｃｒｚ Ｏｓ
、 Ｌ ｉｌ ０、ＣａＭｎＯｓを添加した組成系の基
板材料を開示している。
、残部Ｔ ｉ Ｏｔよりなる基板材料と、Ｎｉ０１Ｔ
ｉ ＯｔにさらにＺ ｒ Ｏ＊を少量添加した基板材料
とを開示している。これ以外の上記公開公報は、 Ｎ
ｉ ＯＴ ｉ Ｏを系において、さらにＣａＯ１Ｍｇ０
１ＡＩ２＊ Ｏｓ 、 Ｚｒ Ｏｘ 、Ｃｒｚ Ｏｓ
、 Ｌ ｉｌ ０、ＣａＭｎＯｓを添加した組成系の基
板材料を開示している。
しかしながら、これら公知の添加物を含む組成において
は得られた焼成体の加工性が悪く、所望の磁気ヘッドを
得るには適していない。非磁性体を基板材料とし、磁気
ヘッドとしてのギャップ相当部にＣｏ系アモルファス薄
膜を配した例として特開昭６０−２３１９０３号が挙げ
られる。該磁気ヘッドは、「磁気記録媒体対向面におけ
る断面形状が突出しているほぼ７字状の突起部を有し、
該突起部の少なくとも両側面と作動ギャップ形成面上に
前記金属磁性体が被着され、該突起部の先端部において
作動ギャップを介して該金属磁性体が相対峙した」構造
となっている。
は得られた焼成体の加工性が悪く、所望の磁気ヘッドを
得るには適していない。非磁性体を基板材料とし、磁気
ヘッドとしてのギャップ相当部にＣｏ系アモルファス薄
膜を配した例として特開昭６０−２３１９０３号が挙げ
られる。該磁気ヘッドは、「磁気記録媒体対向面におけ
る断面形状が突出しているほぼ７字状の突起部を有し、
該突起部の少なくとも両側面と作動ギャップ形成面上に
前記金属磁性体が被着され、該突起部の先端部において
作動ギャップを介して該金属磁性体が相対峙した」構造
となっている。
［発明が解決しようとする課題］
上記従来の磁気ヘッドの製造においては、非磁性基板に
７字状の溝を複数個加工し、この後にＣｏ系アモルファ
ス薄膜を成膜する工程を採用している。しかしながら非
磁性基板の加工性が悪いと、複数個連続的に切り込み加
工を施した際に７字状の溝寸法が変化してしまい精度良
くトラック幅を得ることが困難となる。
７字状の溝を複数個加工し、この後にＣｏ系アモルファ
ス薄膜を成膜する工程を採用している。しかしながら非
磁性基板の加工性が悪いと、複数個連続的に切り込み加
工を施した際に７字状の溝寸法が変化してしまい精度良
くトラック幅を得ることが困難となる。
Ｃｏ系アモルファス薄膜の熱膨張係数に合致した非磁性
基板材料としては、先に本発明者等が出願した「実質的
にＮｉＴｉＯ３相とＮｉＯ相より成り、ＮｉＯ６０〜７
７ ｗ ｔ％、ＴｉＯ□４０〜２３ ｗ ｔ％より成る
」組成があるが、これら組成ではＶ字状溝を複数個加工
した場合の加工性が悪く、Ｖ字状溝の寸法が変化すると
いう欠点があつた◇ 本発明は、磁気ヘッドの基板材料において、突起部作成
のため複数個の溝入れ加工を行う際に溝寸法の変化が著
しいという加工性の悪い点の解決を図り、トラック幅の
精度が良い磁気ヘッドを得られるようにすることを目的
とする。
基板材料としては、先に本発明者等が出願した「実質的
にＮｉＴｉＯ３相とＮｉＯ相より成り、ＮｉＯ６０〜７
７ ｗ ｔ％、ＴｉＯ□４０〜２３ ｗ ｔ％より成る
」組成があるが、これら組成ではＶ字状溝を複数個加工
した場合の加工性が悪く、Ｖ字状溝の寸法が変化すると
いう欠点があつた◇ 本発明は、磁気ヘッドの基板材料において、突起部作成
のため複数個の溝入れ加工を行う際に溝寸法の変化が著
しいという加工性の悪い点の解決を図り、トラック幅の
精度が良い磁気ヘッドを得られるようにすることを目的
とする。
［課題を解決するための手段］
本発明に関するＮ１Ｏ−ＴｉＯｚ系基板の熱膨張係数は
その組成比により異なる。発明者がＮｉ０ＴｉＯ＊基板
（ＣｕＯの添加なし）の試料を作成しその熱膨張係数を
測定したところ、第２図に示した結果となった。１００
〜４００℃における平均熱膨張係数はＴ ｉ Ｏｚ量が
多い程小さくなるが、Ｃｏ系アモルファス薄膜の熱膨張
係数である１ ００〜ｌ ２０Ｘ １０−７ｄｅｇ−’
に合致させるためには、Ｔ ｉ Ｏｚ量として２３〜４
０ｗｔ％残部ＮｉＯとする必要がある。しかしこれらい
ずれの組成比でも試料を強制破壊しその破壊モードを調
べたところ、全て粒内破壊モードを示していた。
その組成比により異なる。発明者がＮｉ０ＴｉＯ＊基板
（ＣｕＯの添加なし）の試料を作成しその熱膨張係数を
測定したところ、第２図に示した結果となった。１００
〜４００℃における平均熱膨張係数はＴ ｉ Ｏｚ量が
多い程小さくなるが、Ｃｏ系アモルファス薄膜の熱膨張
係数である１ ００〜ｌ ２０Ｘ １０−７ｄｅｇ−’
に合致させるためには、Ｔ ｉ Ｏｚ量として２３〜４
０ｗｔ％残部ＮｉＯとする必要がある。しかしこれらい
ずれの組成比でも試料を強制破壊しその破壊モードを調
べたところ、全て粒内破壊モードを示していた。
本発明者らが鋭意研究を重ねたところＣｕＯを少量添加
することにより、破壊モードが粒界破壊モードに転する
ことを見出した。かかるＮｉ０−Ｔ ｉ Ｏを系基板に
おいてはＣｕＯを少量添加することにより、粒界破壊モ
ードに転するという事実は未だ知られていなかった点で
ある。
することにより、破壊モードが粒界破壊モードに転する
ことを見出した。かかるＮｉ０−Ｔ ｉ Ｏを系基板に
おいてはＣｕＯを少量添加することにより、粒界破壊モ
ードに転するという事実は未だ知られていなかった点で
ある。
本発明は、前記目的を達成したものであり、Ｎｉ０Ｔｉ
Ｏｚ系の組成に少量のＣｕＯを添加して焼成することに
より、基板材料の破壊モードを粒界モードにして、加工
性を改善したものである。
Ｏｚ系の組成に少量のＣｕＯを添加して焼成することに
より、基板材料の破壊モードを粒界モードにして、加工
性を改善したものである。
すなわちＮｉＯ６Ｃ）−８６ｗｔ％、Ｔ ｉ Ｏ＊１４
〜４０ｗｔ％の母組成に、ＣｕＯを０．２〜５ｗｔ％添
加して成る非磁性酸化物基板を提供する。ＣｕＯの添加
量を前記範囲としたのは、０．２ｗｔ％に満たないと粒
界破壊モードとするだけの効果がなく、５ｗｔ％を越え
るとＣｕＯを主成分とする異相が急激に多（なり、研摩
時に結晶粒脱落を生じるためである。ＴｉＯｘを１４〜
４０ｗｔ％にしたのは、熱膨張係数をｌＯＯ〜１２０Ｘ
１０−７ｄｅｇ−’にするためである。
〜４０ｗｔ％の母組成に、ＣｕＯを０．２〜５ｗｔ％添
加して成る非磁性酸化物基板を提供する。ＣｕＯの添加
量を前記範囲としたのは、０．２ｗｔ％に満たないと粒
界破壊モードとするだけの効果がなく、５ｗｔ％を越え
るとＣｕＯを主成分とする異相が急激に多（なり、研摩
時に結晶粒脱落を生じるためである。ＴｉＯｘを１４〜
４０ｗｔ％にしたのは、熱膨張係数をｌＯＯ〜１２０Ｘ
１０−７ｄｅｇ−’にするためである。
また本発明は、前記非磁性酸化物基板により一対のコア
を作成し、両コアの間に磁気ギャップを形成し、そのギ
ャップ部を含むコア合せ面に磁性薄膜を形成した磁気ヘ
ッドを提供する。
を作成し、両コアの間に磁気ギャップを形成し、そのギ
ャップ部を含むコア合せ面に磁性薄膜を形成した磁気ヘ
ッドを提供する。
［作用］
上記の非磁性酸化物基板では、■溝などを加工する場合
、粒界破壊をするので加工性が良い。このため磁気ヘッ
ドとして基板に溝を切削してトラックを作成する場合、
トラック幅は精度の良いものとなる。
、粒界破壊をするので加工性が良い。このため磁気ヘッ
ドとして基板に溝を切削してトラックを作成する場合、
トラック幅は精度の良いものとなる。
［実施例］
通常の粉末冶金的手段により作製したＣｕＯ粉末と、試
薬特級のＮｉＯ及び７ ｉ ０ ＊とを第１表に示す種
々の割合となるように秤量及び混合（湿式ボールミルに
よる。）し、乾燥後ポリビニルアルコール水溶液を１０
ｗ ｔ％加えて造粒し、加圧成形した。
薬特級のＮｉＯ及び７ ｉ ０ ＊とを第１表に示す種
々の割合となるように秤量及び混合（湿式ボールミルに
よる。）し、乾燥後ポリビニルアルコール水溶液を１０
ｗ ｔ％加えて造粒し、加圧成形した。
第１表
この成形体を１１００〜１３００℃で２時間空気中にて
焼結した。さらに、焼結体を１５００ａｔｍ、１３００
℃、１時間、熱間静水圧加圧（ＨＩＰ）処理した。焼結
温度はなるべく密度が高くなるように添加したＣｕＯの
量に合わせて選定すれば良（、この様な調製は当該業者
には自明である。
焼結した。さらに、焼結体を１５００ａｔｍ、１３００
℃、１時間、熱間静水圧加圧（ＨＩＰ）処理した。焼結
温度はなるべく密度が高くなるように添加したＣｕＯの
量に合わせて選定すれば良（、この様な調製は当該業者
には自明である。
この様にして得られた各焼結体よりなる基板材料につい
てアルキメデス法により密度を測定した結果、いずれも
９９．５％以上の相対密度を有することが認められた。
てアルキメデス法により密度を測定した結果、いずれも
９９．５％以上の相対密度を有することが認められた。
各焼結体から試料を切り出し、熱膨張計により室温から
５００℃まで加熱し、１００〜４００℃の間の平均熱膨
張係数を測定し、結果を第１表に示した。
５００℃まで加熱し、１００〜４００℃の間の平均熱膨
張係数を測定し、結果を第１表に示した。
基板に対するＶ字状の溝入れ加工試験は、得られた焼結
体基板を鏡面仕上げにした後、ダイシング機を用い、第
３図に示すように基板ｌに砥石２で複数個の■溝３を次
々と切削することによりなされる。加工条件としては砥
石ＳＤＩ５００Ｍ （５２φ）、回転数３０．ＯＯＯｒ
ｐｍ、切込み量０．２５ａ＋ｍ、切込み速度Ｑ 、 ２
ｖｓｗＩ／ ｓｅｅを採用した。この加工条件は磁気
ヘッドとして加工する際の標準的条件である。加工性の
評価は前記第３図に示すように、加工されたＶ字状溝の
深さの変化で行われる。加工性が悪いと砥石が摩耗して
溝深さが浅くなる。
体基板を鏡面仕上げにした後、ダイシング機を用い、第
３図に示すように基板ｌに砥石２で複数個の■溝３を次
々と切削することによりなされる。加工条件としては砥
石ＳＤＩ５００Ｍ （５２φ）、回転数３０．ＯＯＯｒ
ｐｍ、切込み量０．２５ａ＋ｍ、切込み速度Ｑ 、 ２
ｖｓｗＩ／ ｓｅｅを採用した。この加工条件は磁気
ヘッドとして加工する際の標準的条件である。加工性の
評価は前記第３図に示すように、加工されたＶ字状溝の
深さの変化で行われる。加工性が悪いと砥石が摩耗して
溝深さが浅くなる。
第１図は、本発明によるＮＩＯ７０Ｔｉ１ｔ３０ ｗ
ｔ％の組成にＣｕＯを２ｗｔ％添加したもの、及び添加
しないものについて１６本のＶ溝加工を施した時のＶ溝
深さの変化量を測定した結果である。明らかにＣｕＯを
添加した方が■溝深さの変化が少ないことがわかる。第
１表は、ＮｉＯ、ＴｉＯｘの比率を変え、さらにＣｕＯ
の添加量を変化させて作製した試料について溝深さの変
化量を測定した結果である。なお第１表の溝深さの変化
量は、１６本口のＶ溝加工での値である。いずれの組成
比においてもＣｕＯを添加しないものでは、溝深さ変化
量１７μｍ以上であり、ＣｕＯを添加したものが８μｍ
以下に比べ格段に大きな値である。
ｔ％の組成にＣｕＯを２ｗｔ％添加したもの、及び添加
しないものについて１６本のＶ溝加工を施した時のＶ溝
深さの変化量を測定した結果である。明らかにＣｕＯを
添加した方が■溝深さの変化が少ないことがわかる。第
１表は、ＮｉＯ、ＴｉＯｘの比率を変え、さらにＣｕＯ
の添加量を変化させて作製した試料について溝深さの変
化量を測定した結果である。なお第１表の溝深さの変化
量は、１６本口のＶ溝加工での値である。いずれの組成
比においてもＣｕＯを添加しないものでは、溝深さ変化
量１７μｍ以上であり、ＣｕＯを添加したものが８μｍ
以下に比べ格段に大きな値である。
これらの試料の破壊モードをみると、溝深さ変化量の小
さいものは全て粒界破壊モードを呈しており、加工性の
向上は、粒界破壊モードとなったためであることが明確
である。このＮｉＯ−Ｔｉ０２系基板で粒界破壊モード
とするためにＣｕＯを添加すれば良いことは、金遣に知
られておらず本発明に到る研究の結果明らかになったこ
とである。なおＣｕＯの添加量として０．２ｗｔ％に満
だないと粒界破壊モードとするだけの効果がなく、また
５ｗｔ％を超えるとＣｕＯを主成分とする異相が急激に
数多く存在する様になることによると考えられる研摩時
の結晶粒脱落がみられるため試験は行わなかった。
さいものは全て粒界破壊モードを呈しており、加工性の
向上は、粒界破壊モードとなったためであることが明確
である。このＮｉＯ−Ｔｉ０２系基板で粒界破壊モード
とするためにＣｕＯを添加すれば良いことは、金遣に知
られておらず本発明に到る研究の結果明らかになったこ
とである。なおＣｕＯの添加量として０．２ｗｔ％に満
だないと粒界破壊モードとするだけの効果がなく、また
５ｗｔ％を超えるとＣｕＯを主成分とする異相が急激に
数多く存在する様になることによると考えられる研摩時
の結晶粒脱落がみられるため試験は行わなかった。
熱膨張係数は第１表およびＣｕＯ無添加の場合を表わす
第２図かられかるように、無添加に比べＣｕＯを０．５
ｗｔ％添加すると極めて僅か低下し、３ｗｔ添加で約５
Ｘ １０−７ｄｅｇ−’ 、５ｗｔ％添加で６Ｘ １０
−７ｄｅｇ−’程度の低下である。従って熱膨張係数を
ＣＯ系アモルファス薄膜の１００〜１２０Ｘ１０−７ｄ
ｅｇ−’に合致させるには、コノＣｕＯの添加量に応じ
てこの範囲の熱膨張係数となる様にＮ ｉ Ｏ−Ｔ ｉ
Ｏｔの比率を多少変えれば良い。ＣｕＯ添加量０．２
〜５ｗｔ％では、Ｎｉ０６０〜８３ｗｔ％、Ｔ ｉ Ｏ
ｘ １４〜４０ ｗ ｔ％となる。
第２図かられかるように、無添加に比べＣｕＯを０．５
ｗｔ％添加すると極めて僅か低下し、３ｗｔ添加で約５
Ｘ １０−７ｄｅｇ−’ 、５ｗｔ％添加で６Ｘ １０
−７ｄｅｇ−’程度の低下である。従って熱膨張係数を
ＣＯ系アモルファス薄膜の１００〜１２０Ｘ１０−７ｄ
ｅｇ−’に合致させるには、コノＣｕＯの添加量に応じ
てこの範囲の熱膨張係数となる様にＮ ｉ Ｏ−Ｔ ｉ
Ｏｔの比率を多少変えれば良い。ＣｕＯ添加量０．２
〜５ｗｔ％では、Ｎｉ０６０〜８３ｗｔ％、Ｔ ｉ Ｏ
ｘ １４〜４０ ｗ ｔ％となる。
本発明の磁気ヘッドは、上記のようにして製造された基
板材料にて１対のコアを作成し、その−対のコアをガラ
ス接合（ガラスボンディング）することにより製造され
る。これらのコアには、それらの合せ面に磁気ギャップ
が形成され、その磁気ギャップを含むコア合わせ面に高
透磁率の磁性薄膜がスパッタリング・蒸着・ＣＶＤ・め
っき等の手法により形成される。
板材料にて１対のコアを作成し、その−対のコアをガラ
ス接合（ガラスボンディング）することにより製造され
る。これらのコアには、それらの合せ面に磁気ギャップ
が形成され、その磁気ギャップを含むコア合わせ面に高
透磁率の磁性薄膜がスパッタリング・蒸着・ＣＶＤ・め
っき等の手法により形成される。
この磁性薄膜としては１００〜１２０Ｘ１０−７ｄｅｇ
−’の熱膨張係数を有する合金の薄膜が好適であり、特
にＣｏ系アモルファス合金の薄膜が好適である。好適な
Ｃｏ系アモルファス合金の組成としてはｃｏ８３〜８６
、Ｎｂ１０〜１２、Ｚｒ２〜７ａｔ％が例示される。
−’の熱膨張係数を有する合金の薄膜が好適であり、特
にＣｏ系アモルファス合金の薄膜が好適である。好適な
Ｃｏ系アモルファス合金の組成としてはｃｏ８３〜８６
、Ｎｂ１０〜１２、Ｚｒ２〜７ａｔ％が例示される。
実施例に従って製造された基板材料からＣ形コア及び工
形コアを切り出し、これらの接合される側の面にＣｏ系
アモルファス合金（組成：Ｃ０８４、Ｎｂ１２、Ｚｒ４
ａｔ％、熱膨張係数１１０Ｘ Ｉ Ｏ−７ｄｅｇ−’
）を厚さ３０μｍにスパッタリングした。スパッタリン
グ前には第３図に示すＶ満をＣ形及び工形コアに加工（
各々のブロックについて２５本）した。なおスパッタリ
ング後にＣ。
形コアを切り出し、これらの接合される側の面にＣｏ系
アモルファス合金（組成：Ｃ０８４、Ｎｂ１２、Ｚｒ４
ａｔ％、熱膨張係数１１０Ｘ Ｉ Ｏ−７ｄｅｇ−’
）を厚さ３０μｍにスパッタリングした。スパッタリン
グ前には第３図に示すＶ満をＣ形及び工形コアに加工（
各々のブロックについて２５本）した。なおスパッタリ
ング後にＣ。
系アモルファス膜のＶ溝を削って作成した突起部をトラ
ック幅とした。これら１対のＣ形及び工形コアをガラス
ボンディング（ガラス組成はＶ、０゜６０．２２０％２
０、Ｔｉ２．Ｏ１５，５ｂｔＯｓ５ ｗ ｔ％、ボンデ
ィング温度４５０℃）した。か（して得られた磁気ヘッ
ドのトラック幅の誤差は±２μｍの範囲内にあり、Ｃｕ
Ｏ無添加の従来材を使用した場合が±５μｍの範囲内で
あったのに対し、誤差が半分以下であって精度の良いも
のであった。
ック幅とした。これら１対のＣ形及び工形コアをガラス
ボンディング（ガラス組成はＶ、０゜６０．２２０％２
０、Ｔｉ２．Ｏ１５，５ｂｔＯｓ５ ｗ ｔ％、ボンデ
ィング温度４５０℃）した。か（して得られた磁気ヘッ
ドのトラック幅の誤差は±２μｍの範囲内にあり、Ｃｕ
Ｏ無添加の従来材を使用した場合が±５μｍの範囲内で
あったのに対し、誤差が半分以下であって精度の良いも
のであった。
［発明の効果］
以上詳述した様に、本発明の非磁性酸化物基板材料はＴ
ｉ０ｚ−ＮｉＯ母材にＣｕＯを少量添加して焼結される
ことにより、基板が粒界破壊するようにしたので、加工
性が良くｖ溝加工を施した時の溝深さ変化量が小さい。
ｉ０ｚ−ＮｉＯ母材にＣｕＯを少量添加して焼結される
ことにより、基板が粒界破壊するようにしたので、加工
性が良くｖ溝加工を施した時の溝深さ変化量が小さい。
よって、その基板材料を用いた磁気ヘッドは、トラック
幅精度が優れるので工業的利用価値穴である。
幅精度が優れるので工業的利用価値穴である。
第１図は基板材料のＶ溝加工における溝深さの変化量を
表わすグラフ、第２図は従来の無添加ＮｉＯＴｘ（）、
系基板におけるＴ ｉ Ｏを量と熱膨張係数の関係を示
すグラフ、第３図は基板へのＶ満加工法を示す説明図で
ある。 ｌ；基板 ２；砥石 ３． Ｖ湧出願人 日
立 金 属 株式会社 株式会社 日 立 製 作 所 代理人 弁理士 牧 克 次 第１ 図 ｖｆＲ加工加工 茶３図 第２図 ＴｉＯ虐量（ｗｔ％）
表わすグラフ、第２図は従来の無添加ＮｉＯＴｘ（）、
系基板におけるＴ ｉ Ｏを量と熱膨張係数の関係を示
すグラフ、第３図は基板へのＶ満加工法を示す説明図で
ある。 ｌ；基板 ２；砥石 ３． Ｖ湧出願人 日
立 金 属 株式会社 株式会社 日 立 製 作 所 代理人 弁理士 牧 克 次 第１ 図 ｖｆＲ加工加工 茶３図 第２図 ＴｉＯ虐量（ｗｔ％）
Claims (3)
- （１）ＴｉＯ＿２１４〜４０ｗｔ％残部ＮｉＯからなる
組成に、ＣｕＯをＴｉＯ＿２とＮｉＯ全量に対して０．
２〜５ｗｔ％添加して焼成したことを特徴とする非磁性
酸化物基板。 - （２）熱膨張係数が１００〜１２０×１０＾−＾７ｄｅ
ｇ＾−＾１であることを特徴とする請求項１に記載の非
磁性酸化物基板。 - （３）１対のコアの間に磁気ギャップが形成され、その
磁気ギャップ部を含むコアの合せ面に磁性薄膜を形成し
た磁気ヘッドにおいて、ＴｉＯ＿２１４〜４０ｗｔ％残
部ＮｉＯからなる組成に、ＣｕＯをＴｉＯ＿２とＮｉＯ
全量に対して０．２〜５ｗｔ％添加して焼成してなる非
磁性酸化物基板からコアが形成されていることを特徴と
する磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2159518A JPH0449604A (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | 非磁性酸化物基板とそれを用いた磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2159518A JPH0449604A (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | 非磁性酸化物基板とそれを用いた磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0449604A true JPH0449604A (ja) | 1992-02-19 |
Family
ID=15695521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2159518A Pending JPH0449604A (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | 非磁性酸化物基板とそれを用いた磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0449604A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5585984A (en) * | 1993-09-16 | 1996-12-17 | Alps Electric Co., Ltd. | Magnetic head |
| JPH0960291A (ja) * | 1995-08-25 | 1997-03-04 | K A M:Kk | 恒久足場を有する高架橋 |
-
1990
- 1990-06-18 JP JP2159518A patent/JPH0449604A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5585984A (en) * | 1993-09-16 | 1996-12-17 | Alps Electric Co., Ltd. | Magnetic head |
| JPH0960291A (ja) * | 1995-08-25 | 1997-03-04 | K A M:Kk | 恒久足場を有する高架橋 |
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