JPS62120629A - 磁気ディスク及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 利用産業分野 この発明は、セラミックス基板からなる磁気ディスクに
係り、すぐれた表面粗度及び無孔・無歪表面ガラス層を
有するセラミックス基板からなる磁気ディスク並びにそ
の製造方法に関する。

背景技術 一般に、磁気ディスクとしては、次のような特性が要求
される。

（１）　０．３１Ｉｍ以下の低い磁気ヘッド浮上高さに
伴ない磁気ヘッドの安定な浮上と高密度記録特性の安定
性がすぐれていること、 （２）基板表面に形成される磁性薄膜の欠陥がないこと
、 （３）使用時の高速・回転に十分耐える機械的強度を有
し、かつ撓みの少ないこと、 （４）耐食性、耐候性、及び耐熱性にすぐれること。

従来、磁気ディスクに使用される基板には、アルミニウ
ム合金が使用されているが、アルミニウム合金基板では
、材料の結晶異方性、材料欠陥及び材料中に存在する非
金属介在物等のため、機械加工や研摩加工において、非
金属介在物が基板表面に突起として残存したり、あるい
は脱落して凹みを生じ、十分な研摩を施しても精々２０
ＯＡ程度の表面粗度しか得られず、突起や凹み、うねり
のある表面状態では、高密度記録、低浮上高さの実現が
困難であり、高い信頼性を有する高密度磁気記録用磁気
ディスク用基板材としては十分でない。

すなわち、磁気ディスク基板表面形状、精度の加工の良
否が、そのまま、磁気ディスクの変位、加速度成分、媒
体の信号エラー等に影響する。

ところで、アルミニウム合金の基板の場合、金属材料の
ため、ビッカース硬度も１００に９４程度（セラミック
の場合６００ｋＣＪ４以上〉であり、曲げ強度も１００
０ｋｇ４（セラミックの場合４０００に９４以上）であ
って、高密度磁気記録となるに従って、スクラッチ、疵
、平坦度、うねりなどの形状精度も厳しくなるため、加
工は一層困難となっている。

また、アルミニウム合金基板の場合、砥粒加工の際に、
砥粒が表面凹みに埋め込まれやすく、欠陥となり、ざら
に、表面の耐食性、耐候性を高めて汚染を防ぐ上で、旋
削工程、ポリッシング工程。

保管の際、清浄度、防錆、汚れ等には十分な配慮が必要
となる。

アルミニウム合金基板の改善のため、その表面に高硬度
の膜を形成する方法が提案されており、例えば、アルミ
ニウム合金基板表面にアルマイト層を形成して硬度を増
加させ、研摩加工性を向上させる方法が取られるが、ア
ルマイト形成中にアルミニウム合金中の微量不純物（Ｆ
ａ、　Ｍｎ、　ＳＬ）が金属間化合物として析出するた
め、アルマイト処理後、上記化合物部分が凹みの発生要
因となっている。そのため、Ｎ５Ｐの下地めっき層を１
０〜２０μｍ、被着形成して、表面仕上する方法が実施
されている。

また、アルミニウム合金母材の高純度化を計ることは、
製造工程上至難に近く、さらに、耐食性。

清浄度の面でも取り扱いが問題となる。

また、アルミニウム合金表面にスパッタリングやメッキ
によって薄膜磁性媒体を形成する場合、該合金と磁性膜
との化学反応や拡散の問題を生じ、更に、磁性膜被着時
の熱処理により、基板の変形と共に基板回転時の面撮れ
、加速度が増加する問題がある。

一方、アルミニウム合金基板上に、５ＬＯ２゜Ａｌ２Ｏ
３等の酸化物をスパッタリングによって形成する方法も
提案されているが、該合金基板とスパッタ形成後の被膜
との密着力が弱いという欠点や生産性での問題点がおっ
た。

今日、アルミナ系セラミック材料が、アルミニウム合金
材料に比べて、耐熱性、耐摩耗性、耐候［生、絶縁性、
及び機械的強度のすぐれているため、各種分野の広範囲
な用途に利用されているが、磁気ディスク用基板として
は、基板表面に薄膜磁性媒体を形成する必要並びに、媒
体の薄膜化、高密度化に伴ない、アルミナ系セラミック
基板表面の無孔化・無歪化を計ることが切望されている
。

一般に、セラミック基板の製造方法として、単結晶法、
金型成形、ラバープレス、ドクターブレード法等により
成形俊に焼結する方法、ざらに高密度化のため、ホット
プレス法、熱間静水圧プレス法が知られているが、前者
の単結晶化法では製造コストが高い上に、大口径基板の
製造が困難であり、また、後者のホットプレスや熱間静
水圧プレスにより高密度化された基板であっても、５Ａ
ｍ以下の微細孔が基板に存在するため、磁気ディスク用
基板に使用することは、表面微細欠陥によるドロップア
ウトの発生、ヘッドクラッシュ等の信頼性を損う等の問
題がめった。

また、一般に、磁気ディスク基板等に適用し得る表面研
摩法として、メカノケミカル研摩法は、シリコン基板、
ＧＧＧ結晶、フェライト等の表面物性を劣化させること
なく精密表面に仕上げる方法として公知であるが、微細
孔の存在するセラミックス材料にこのメカノケミカル研
摩法を適用する場合は、微細孔がセラミックス表面に露
出した状態となり、薄膜媒体を被着する該基板材として
は不十分であり、また、アルミナ系セラミック材にメカ
ノケミカル研摩法を適用すると、各材質あるいは結晶面
での化学浸蝕速度が異なるため、微細孔の露出と同時に
結晶段差を生ずる問題がおった。

発明の目的 この発明は、上述の問題点に鑑み、セラミックス材料か
らなる磁気ディスクの欠点を解決し、すぐれた表面粗度
を有し、かつ無孔で無歪みの表面のセラミックス系基板
を有する磁気ディスクを目的とし、さらに、かかる無孔
・無歪表面のセラミックス系基板を有する磁気ディスク
を容易にかつ安価に得ることができる磁気ディスクの製
造方法を目的としている。

発明の構成 この発明は、磁気ディスクに使用される基板として、要
求される無孔・無歪ですぐれた表面粗度を有するセラミ
ックス系該基板を目的に種々検討した結果、アルミナ系
セラミック材料表面に、ガラスコーティングし、被着後
に特定の条件のメカノケミカル研摩を施し、すぐれた表
面粗度でかつ無孔・無歪のガラスコーティング膜を設け
、前記ガラスコーティング膜表面に磁性薄膜と保護膜を
被着することによって、前述した磁気ディスクとして要
求される条件を満足したアルミナ系セラミック基板を有
する磁気ディスクが得られることを知見したものである
。

すなわち、この発明は、 ５μｍ以下の微細孔を有し、相対理論密度が９０％以上
のアルミナ系セラミック材料からなる基板表面に、該基
板との熱膨張係数差が２ｘｌＯ−８／ｄｅｃ＋以下、軟
化点が４００℃以上で、上表面粗度（Ｒｚ　）が１８０
Å以下でかつ無孔無歪表面を有する０、３１Ａ〜２００
虜膜厚みのガラスコーティング膜を介して磁性薄膜及び
保護膜を最外表面に有することを特徴とする磁気ディス
クであり、 また、この発明は、 ５如以下の微細孔を有し、相対理論密度が９０％以上の
アルミナ系セラミック材料からなる基板表面に、該基板
との熱膨張係数差が２Ｘ１０−”　／ｄｅ（Ｊ以下、軟
化点が４００　℃以上の０．５７ｇ〜２２０１１Ｉｎ膜
厚みのガラスコーティング膜を形成した後、該コーティ
ング膜を、粒径１．ＯＩＡ以下の５ＬＯ２，ＭｇＯ。

Ｃｅ　０２または／Ｖ２Ｏ３微粉のうち少なくとも１種
を、ｏ、　ｉｗｔ％〜５０ｗｔ％純水中に懸濁した懸濁
液で、０．０５に９４〜２ｋＭｉｉｆの相対的ラップ荷
重で研摩加工して、前記ガラスコーティング膜を、その
上表面粗度（Ｒｚ　＞が１８０Ａ以下でかつ無孔無歪表
面を有する０、３．ｉｚｍ〜２００μｍ膜厚みにした後
、ガラスコーティング膜上面に磁性薄膜及び保護膜を被
着することを特徴とする磁気ディスクの製造方法である
。

この発明による磁気ディスクは、研摩後の基板表面粗度
がすぐれているため、０．３々ｍ以下の浮上高さにおけ
る磁気ヘッドの安定な浮上と記録特性の安定性が得られ
、また、基板表面に形成される磁性薄膜の欠陥がなく、
ざらに、使用時の高速・回転に」−分耐える機械的強度
を有し、耐食性、耐候性、及び耐熱性にすぐれており、
磁気ディスクに要求される条件をすべて満足する。

発明の限定条件 この発明において、基板のアルミナ系セラミック材は、
／Ｖ２Ｏ３を主成分とし、その他に金属酸化物を含有す
るもので１、金型成形、押出成形、射出成形、シート成
形等により成型され、焼成処理されて得られるものであ
る。また、アルミナ系セラミック材料の微細孔大きさが
５項を越えると、材料表面にガラスコーティングした際
に、微細孔部に気泡が発生してガラス膜精度が劣化する
ため、微細孔は５μｍ以下が望ましく、好ましくは３項
以下にする必要がおる。

さらに、アルミナ系セラミック材料の相対理論密度を９
０％以上としたのは、相対理論密度が９０％未満では、
上記した微細孔の大きさが５１Ｊｒｒ１以上となりやす
いためである。

ガラスコーティング膜に用いるガラスには、基板との熱
膨張係数差が２Ｘ１０−６／ｄｅｇ以下、軟化点が４０
０℃以上を満足する、 ソーダ石灰ガラス（Ｎａ２０　　ＣａＯ−５ＬＯ２系）
、鉛ガラス（ＰｂＯ５ｊＯ２系）、 バリウムガラス（ＢａＯ／Ｖ２Ｏ３５ｊ０２系）、ホウ
ケイ酸ガラス（Ｎａ２０　　Ｂ　２０３　　Ｓｈｏ、、
系）、アルミナケイ酸ガラス（’Ｍ２Ｏ３３ＬＱ２系）
、リチャアルミナケイ酸ガラス（Ｌｉ２０　　Ａｌ２Ｏ
３−３ｊＯ２系）等のケイ酸塩系ガラス、及び 鉛ホウ酸ガラス（ＰｂＯＢ２Ｏ３５ＬＯｚ＞、アルミナ
ホウ酸ガラス（ＲＯＡｂ０３Ｂ２０３　）等のホウ酸塩
系ガラス、 アルミナリン酸ガラス（Ｒ２０ＲＯＡｂＯ３−Ｂ２Ｏ３
＞、 などを用いることができる。

この発明におけるガラスの軟化点を４００°Ｃ以上とし
たのは、４００℃未満では熱膨張係数が大きくなりすぎ
て、基板のそれに合致せず、化学的に安定性を欠き好ま
しくないためでおる。また、耐熱性の点でも、４００℃
以上が好ましい。

このガラスコーティング膜と前記基板との熱膨張係数（
２０℃〜歪点（ガラスの粘度的１０１４・５ポイズに相
当する温度））の差は、その差が大きくなると相互応力
が増し、そりや破壊等の問題が生じるため、両者の熱膨
張係数の相対差が２Ｘ１０−６　／ｄｅｇ以下であるこ
とが必要であり、また、ガラスコーティング膜表面に圧
縮応力が掛る方が好ましいため、コーティング膜材料の
熱膨張係数が、該基板材料の熱膨張係数より小さいほう
が望ましい。また、ガラスコーティング膜と前記基板と
の熱膨張係数（２０°Ｃ〜歪点）は、同一傾向を有する
ものが最も好ましい。

ガラスコーティング膜の厚みは、アルミナ基板が表面に
露出せず、均一にコーティングされていることが必要で
、かつ研摩精度を考慮すると０．３加以上の膜厚みが必
要であるが、２００μｍを越えると、基板との熱膨張係
数の差によって生じる応力が、基板内に大きな歪みをも
たらす恐れがあるため、０．３．ｉｚｍ〜２００１ｊｍ
とする。

また、ガラスコーティング膜表面粗度を１８０Å以下と
したのは、１８０八を越えるとディスクの特性を劣化さ
せるため好ましくない。好ましい表面粗度の範囲は、５
０人〜１５０八である。

また、ガラスコーティング膜の研摩加工前の被着膜厚み
を、０．５μｍ〜２２０．ｃａｍとしたのは、グレージ
ング法、スパッタ法、蒸着法、イオンブレーティング法
等による被着方法で、均一な膜厚みを得て表面の研摩加
工を可能ならしめるのに必要な膜厚みでおり、ざらに熱
膨張係数差に起因して基板内に歪が発生するのを防止す
るためでおる。

ガラスコーティング膜の研摩加工方法の条件は、粒径１
．０．ｇｍ以下の５ＬＯ２，ＭｇＯ、ＣｅＯ２またはＡ
ｌ２Ｏ３微粉のうち少なくとも１種を、０．１ｗｔ％〜
５０ｗｔ％純水中に懸濁した懸濁液で、０．０５−４〜
２ｋｉＪの相対的ラップ荷重で研摩加工するが、粒径が
１．０μｍを越えるとコーティング膜表面に疵が発生し
、表面粗度が劣化するため好ましくなく、また、懸濁液
の該微粉末含有量が０．１ｗｔ％未満でおると研摩効果
が少なく、５０ｗｔ％を越えると微粉末による粘性の増
加にともない、研摩抵抗が増加するため、０．１ｗｔ％
〜５０ｗｔ％とする。

また、純水には、有機汚濁物や浮遊物を含まない水で、
イオン交換水や蒸溜水がよく、ラップ盤には、Ｓｎ　、
はんだ合金、Ｐｂ等の軟質金属あるいは硬質クロス等が
適しており、ラップ荷重は、０．０５　ｋｉｄ未満では
所要の表面粗度が得られず、かつ加工能率が悪く、また
、２均召を越えると、加工能率の点では望ましいが、研
摩精度が劣化するため、０．０５　ｒ４〜２に５着の相
対的ラップ荷重とする。

この発明において、特定の熱膨張係数差、軟化点１表面
粗度を有し、かつ無効無歪表面のガラスコーティング膜
面に被着する磁性薄膜あるいは下地膜として、γ−Ｆｅ
２Ｏ３、Ｃｏ−Ｃｒ、　Ｃｏ−Ｎ５Ｃｏ−Ｐ、Ｂａ−フ
ェライト、　Ｃｒ、　Ｆａ　　ＮＬ等が使用される。

ざらに、保護膜としては、５ＬＯ２，Ｃ，５Ｌ３Ｎ４＊
Ｍ２Ｏ３膜等が、スパッタ法、スピンコード法で形成さ
れる。また、グロー放電重合法による保護膜も使用され
るが、磁性薄膜との密着性が小さく、剥離しやすい。薄
膜形成方法には、一般的に、スパッタ法が適用され、下
地膜、１性薄膜、保護膜を連続して形成する。

好ましい実施態様 この発明におけるアルミナ系セラミック材料の組成は、
スパッター法によりガラスコーティング膜を形成する場
合には、ＡｂＯｇ　、Ｍ２Ｏ５ＴＬＣ系、／Ｖ２０：＋
　　ＴｉＯ２系、Ａ＆２０３−Ｆｅ２０３−ＴｉＣ系等
、／Ｖ２Ｏ３を主成分とし、そのほかに金属酸化物を含
有するアルミナ系セラミックス材が好ましく、また、グ
レージング法によりガラスコーティング膜を形成する場
合には、Ａ＆２０３　、　Ａｇ２Ｏ３ＴｉＯ２系等、Ａ
Ｎ２０３を主成分とし、そのほかに金属酸化物を含有す
るアルミナ系セラミックス材が好ましく、金型成形、ラ
バープレス、ドクターブレード法等により成形され、ざ
らに熱間成形法（１」Ｐ法）、熱間静水圧プレス法（Ｈ
ＩＰ＞にて焼結処理して（ｑられるものが好ましい。ま
た、該組成に一０２ＮｊＯ、Ｃｒ２Ｏ３等の公知の粒成
長抑制剤やその他の焼結助剤を含有させることができる
。

また、アルミナ系セラミック基板材の平均結晶粒径は、
５如以下が好ましく、理論密度９０％以上の一般市販規
格品を用いることができる。

この発明において、アルミナ系セラミック基板へのガラ
スコーティング膜は、グレージング法。

スパッタ法、蒸着法、イオンブレーティング法等の被着
方法で、均一な膜厚みを得て表面の研摩加工を可能なら
しめるが、コーティング膜の形成に際し、５ｊＯｅ膜を
先に形成したのち、所要のガラスコーティングを行なう
と、基板とコーティングガラスとの濡れ性を改善するこ
とができる。

また、スパッタ用ガラスとしては、前述した種々のガラ
スのうち軟化点が５００℃以上の高融点ガラスが、ター
ゲット強度が高くなり、ターゲットへの負荷電圧を高く
できるため好ましく、グレージング用ガラスとしては、
軟化点が４００℃〜７５０°Ｃのガラスが好ましく、４
００℃未満では熱膨張係数が大きくなりすぎて、基板の
熱膨張係数に合致ぜず、化学的に安定性を欠き好ましく
なく、また、７５０℃を越えると、熱処理温度が高くな
りすぎるため好ましくない。

また、この発明のガラスコーティング膜の厚みは、用途
や使用する材質等に応じて種々選定されるが、基板への
被着方法としてグレージング法を用いた場合は、膜厚み
が１０通未満では、均一なコーティング膜とすることが
困難でおり、前述した条件のメカノケミカル研摩によっ
て所要の表面粗度及び無孔化無歪化が得られず、また、
２２０μｍを越えると、基板との熱膨張係数差により生
じる応力によって基板内に大きな歪を発生させる恐れが
あり、ざらに、コーティング膜厚精度が悪くなるため、
膜厚みは１０．ａｍ〜２２０ＪＪｍとする必要がある。

スパッタ法の場合は、膜厚みが０．５通未満では、均一
なコーティング膜とすることが困難であり、前述した条
件のメカノケミカル研摩によって所要の表面粗度及び無
孔化無歪化が得られず、また、２２０１１１Ｔｌを越え
ると、基板との熱膨張係数差により生じる応力によって
基板内に大きな歪を発生させる恐れがあるため、膜厚み
は０．５μｍ〜２２０ｍとする必要があり、ざらに、膜
形成速度の点から、好ましくは１５μｍ〜２５〃ｍ厚み
である。

また、コーティング膜のメカノケミカル研摩後の厚みは
、研摩精度を考慮して、被着方法がグレージング法の場
合は、３．ａｍ〜２００．ａｍでおり、スパッタ法の場
合は、０．３Ｊ１〜２００μｍでおり、ざらに好ましく
は１０１ｓ〜２０項でおる。

ガラスコーティング股上に被着する下地膜、磁性薄膜、
保護膜の厚みは、ら−ＮＬ薄膜の場合、下地膜としてＣ
ｒＦを１０００〜４０００人、Ｃｏ　　ＮＬ膜を４００
〜１０００人、保護膜は２００〜８００人形成される。

７　　Ｆｅ２０ｊの場合は、磁性薄膜は５００〜２００
０人形成される。Ｂａ−フェライトの場合は、磁性薄膜
は５００〜４０００人形成される。

発明の効果 この発明による磁気ディスクは、基板表面粗度がすぐれ
ているため、０．３Ｂｍ以下の浮上高さにおける磁気ヘ
ッドの安定な浮上と記録特性の安定性が得られ、また、
基板表面に形成される磁性薄膜の欠陥がなく、さらに、
使用時の高速・回転に十分耐える機械的強度を有し、耐
食性、耐候性、及び耐熱性にすぐれており、磁気ディス
クに要求される条件のすべてを満足する。

また、この発明の磁気ディスクを、両面記録用磁気ディ
スクに用いる場合は、アルミナ系基板両面にガラスコー
ティング膜を形成し、両面を同時にメカノケミカル研摩
加工することにより、両面のガラス薄膜中の内部応力は
相殺され、平坦度がすぐれ、かつ表面粗度並びに無孔化
無歪化のすぐれた基板が得られる。

所定のガラスコーティング膜を被着したアルミナ系セラ
ミック基板の最外表面に磁性薄膜を有するこの発明の磁
気ディスクは、前記基板の研摩加工での形状精度の管理
が従来と比較して容易であり、さらに、基板自体の耐食
性、耐候性に特別配慮する必要がなく、表面の汚染も、
ガラスコーティングをスパッタで行なう際に、スパッタ
クリーニングによって清浄化することができる利点があ
る。

また、従来のアルミニウム合金基板を有する磁気ディス
クは、合金基板を旋削ｈ０工した際に、表面に加工変質
層が残存するのに対して、この発明によるアルミナ系セ
ラミック基板を有する磁気ディスクの場合は、該基板が
メカノケミカル研摩仕上げによって、その表面にバルク
での応力歪が生じることがなく、セラミック基板に被着
される磁性薄膜への歪みの転写が生じない利点がおる。

上述したように、この発明の磁気ディスク用基板を用い
ることにより、信頼性が著しく向上した高密度磁気ディ
スク記録媒体を製作することができ、また、レーザー光
を用いて記録再生を行なう光磁気記録においても、従来
のアルミ合金基板を有する磁気ディスクに比べて、耐熱
性にすぐれている。

実施例 叉塵■ユ 基板には、組成がＭ２Ｏ３９Ｂ％で、圧縮成形後、ＨＩ
Ｐ処理を施し、５７７ｍ以下の微細孔を有し、平均結晶
粒径が４．０ａｍで、相対理論密度が９７％で、熱膨張
係数が７２ｘｌＯ−７／ｄｅｇ　、寸法１３０ｍｍφ×
２ｍｍ厚みのアルミナ系セラミック基板を用いた。

つぎに、上記のアルミナ系セラミック基板の表面を精密
ラップ法により表面粗度ＩＡｔｍ以下に精密研摩したの
ち、前記基板の表面に、熱膨張係数（２０′Ｃ〜歪点）
が６５Ｘ１０−７　／ｄｅｇ、軟化点５９０°Ｃ１平均
粉末粒径が３００メツシユスルーのＰＰｂ０２−３ＬＯ
−８２０３系ガラスをペースト状にして、１００如厚み
、回転数８０Ｏｒｐｍでスピンコーティングし、空気中
、　１０５０℃、４時間保持する条件でガラスコーティ
ングした。

コーティング時の昇温速度は３００°Ｃ／ｈｒ、冷却速
度はガラス歪点までは３００℃／ｈｒであり、歪点にて
１時間保持し歪取りを行なってから徐冷した。

このときのガラスコーティング膜の膜厚みは６０１Ｘｒ
ｌで気泡は見られなかった。

次に、形成されたガラスコーティング膜を、粒径０．３
．ｃ（ｍのＣｅＯ２微粉末を、純水中に２０ｗｔ％懸濁
した懸濁液で、ラップ盤にＳｎ盤を用い、０．５”ｉ４
の相対的ラップ荷重で研摩加工し、表面粗度を１６０人
に仕上げた。この際の研摩代は２０１．５μｍで平坦度
は１μｍであった。

接触針径０．１．ａｍＲの薄膜段差測定器（Ｔａｌｙｓ
ｔ−ｅｐ）により、上記の研摩後のコーティング膜の表
面状況を測定し、その結果を第１図Ａに示す。また、同
様に、コーティング前の基板の表面状況を測定し、その
結果を第１図Ｂに示す。

第１図より、アルミナ系セラミック基板表面の微細孔は
、コーティング膜の研摩により表面の無孔化が得られて
おり、表面粗度１６０人に仕上げられたことが明らかで
ある。

また、ガラスコーティング膜と基板との付着力を判定す
る方法として、硬度計を用い、荷重を５０９から１００
０　！ＩＩまで順次増大させて、ガラスコーティング膜
の剥離の有無を判定基準として測定したところ、１００
０　（ｌまで剥離はなく、強固な付着力を示した。

次に、基板に上記のガラスコーティング膜を形成したの
ち、該コーティング膜上に、下地膜、磁性１１１ａ及び
保護膜を、ＲＦマグネトロンスバッタ装置（ターゲット
寸法３５５ｍｍφ）を用いて、以下の方法で被着形成し
た。

基板を真空容器内に装入し、１ｏ−７ｔｏｒｒ台まで真
空排気したのち、Ａｒガスを導入し、 圧力を５Ｘ　１０−３　ｔｏｒｒに調整した。

基板は絶縁体でおるため、ＲＦスパッタエッチを実施し
、基板表面を清浄化し、ざらに、Ｃｏ　　ＮＬ磁性膜を
被着するに際して、磁性薄膜ののエピタキシャル成長を
促進し、保磁力Ｈｃを向上させる目的で、Ｃｒ下地膜を
２５００人厚みで被着形成した俊、連続して、下地膜上
に、ら−Ｎｊ膜を５００人厚みで被着形成し、さらに、
保護膜として、Ｃを５００人厚みで被着形成し、この発
明による磁気ディスクを作成した。モジュレーションを
良好にするため、基板を固定し、連続して上記３薄膜を
形成した。

得られたこの発明による磁気ディスクは、めっき媒体と
異なり、突起物がないため、バニシングの必要はなかっ
た。また、磁気特性は、Ｖ、　Ｓ、　Ｈ（振動試料式磁
力計）によって測定しただところ、保磁力Ｈｃが７５０
０８、角型比０．８であった。なお、保磁力の値は、Ｃ
ｏ　　ｈＬの組成比、膜厚、　Ｃｒ下地膜厚を適宜選定
することにより、３００〜１２０００ａまで調整するこ
とができる。

また、サーテイファイヤ−を用いたモジュレーションは
、±５％以内でめった。薄膜ヘッドを用いた浮上性は、
スペーシング０．１５ＩＪｍに減少させても問題はなく
、耐Ｃ，Ｓ、Ｓ　　（コンタクト・スタート・ストップ
・テスト）性に関しても、３００００回以上の寿命を確
認した。

磁気ディスクは、一般に、３６００ｒｐｍという高速回
転で使用され、アルミ合金は延性材料であるが、この発
明によるセラミックディスクの場合、クランクの伸展に
よる脆性破壊が予想されるため、ＴＯＯＯＯｒｐｍなる
実用条件の３程度度の超高速回転で磁気ディスクの機械
的動的精度試験を行なったところ、破損はなかった。

つぎに、磁気ティスフ基板表面の垂直方向の変位、加速
度を、１ｏｏｏ枚の磁気ディスクで測定したところ、最
外周で変位５ｔｔｍ以下、 加速度５　ｍ／５ｅＣ２以下であった。これをオシロス
コープで観測した結果のオシロスコープ写真を第２図Ａ
図に示す。なお、測定には、静電容量型センサー（セン
サー径１．７ｍｍφ、　ＡＤＥ社製）と測定器（３１３
２Ａ型、　ＡＤＥ社製）を使用した。

比較のため、アルミ合金基板を使用した従来磁気ディス
クの変位及び加速度を同様に測定し、オシロスコープ写
真を第２図Ｂ図に示す。

第２図から明らかなように、この発明による磁気ディス
クは、従来のアルミ合金基板の磁気ディスクに比へ、ヘ
ッドクラッシュの恐れがなく、”０．３μｍ以下の低浮
上型スライダーにも対応でき、ざらには、応力変形に耐
え得る高ヤング率を右し、かつＮＬ　　Ｐめっきよりも
硬度が高く、今後ざらに進展する高密度記録に対して、
高い信頼性で対応できる磁気ディスクでおることがわか
る。

実施例２ 基板には、組成はＮ２Ｏ３６５ｗｔ％、残部ＴＬ　０２
がらなり、成形後、ホットプレス処理を施し、３Ｂｍ以
下の微細孔を有し、平均粒径４μｍ１相対理論密度が９
９％で、熱膨張係数（２０℃〜ガラス歪点）が７８Ｘ１
０−’　／ｄｅｒＪ　、寸法９０ｍｍφＸ　１．５ｍｍ
厚みのＪＶ２０３　　Ｔｊ○２系セラミック基板を用い
た。

つぎに、上記の基板表面を精密ラップ法により表面粗度
２００Å以下に精密研摩した後、前記基板上に、熱膨張
係数（２０℃〜ガラス歪点）が６５ｘｌＯ−’　／ｄｅ
ｇ　、軟化点８５０℃１歪点６７０℃（７）ＣａＯＢａ
Ｏ−３ｊ０２系ガラスからなる寸法直径３５０ｍｍＸ厚
みｆ３ｍｍのターゲツト板を用い、高周波スパッタ装置
により、スパッタアルゴン圧１Ｘ１０’″５ｍｂａｒに
到達排気１変に、正スパッタの投入パワー５ｋＷ、基板
側への負のバイアス（−５０Ｖ）を印加して、スパッタ
リングを行ない、前記基板に２０７７ｍ厚みのガラスコ
ーティングを施した。

次に、該コーティング膜を、粒径０．５項の５ＬＯ２微
粉末を、純水中に２０ｗｔ％懸濁した懸濁液で、ラップ
盤に硬質クロスを用い、１均４の相対的ラップ荷重で研
摩加工し、表面粗度を１４０人に仕上げた。この際の研
摩代は１０Ｂｒ＋で平坦度は１虜であった。

接触針径０．１．ｉｚｍＲの薄膜段差測定器（Ｔａｌｙ
ｓｔ−ｅｏ）により、上記の研摩後のコーティング膜の
表面状況及びコーティング前の基板の表面状況を測定し
たところ、第１図と同様の結果を得た。

また、実施例１と同様の下地膜、磁性薄膜及び保護膜を
形成したところ、同一の特性が得られた。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ図とＢ図は、実施例において、薄膜段差測定器
（ＴａｌＶＳｔｅｐ）により、基板表面に被着して研摩
後のコーティング膜の表面状況と、コーティング前の基
板の表面状況を示すグラフである。 第２図Ａ図とＢ図は、実施例において、磁気ティスフ基
板表面の垂直方向の変位、加速度をオシログラフで１［
した際のオシロスコープ写真でおり、Ａ図はこの発明磁
気ディスクの場合であり、Ｂ図は従来磁気ディスクの場
合である。 第１図 （Ａ） （Ｂ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ ５μｍ以下の微細孔を有し、相対理論密度が９０％以上
   のアルミナ系セラミック材料からなる基板表面に、該基
   板との熱膨張係数差が２×１０＾−＾６／ｄｅｇ以下、
   軟化点が４００℃以上で、上表面粗度（Ｒｚ）が１８０
   Å以下でかつ無孔無歪表面を有する０．３μｍ〜２００
   μｍ膜厚みのガラスコーティング膜を介して磁性薄膜及
   び保護膜を最外表面に有することを特徴とする磁気ディ
   スク。 ２ ５μｍ以下の微細孔を有し、相対理論密度が９０％以上
   のアルミナ系セラミック材料からなる基板表面に、該基
   板との熱膨張係数差が２×１０＾−＾６／ｄｅｇ以下、
   軟化点が４００℃以上の０．５μｍ〜２２０μｍ膜厚み
   のガラスコーティング膜を形成した後、該コーティング
   膜を、粒径１．０μｍ以下のＳｉＯ＿２、ＭｇＯ、Ｃｅ
   Ｏ＿２またはＡｌ＿２Ｏ＿３微粉のうち少なくとも１種
   を、０．１ｗｔ％〜５０ｗｔ％純水中に懸濁した懸濁液
   で、０．０５ｋｇ／ｃｍ＾２〜２ｋｇ／ｃｍ＾２の相対
   的ラップ荷重で研摩加工して、前記ガラスコーティング
   膜を、その上表面粗度（Ｒｚ）が１８０Å以下でかつ無
   孔無歪表面を有する０．３μｍ〜２００μｍ膜厚みにし
   た後、ガラスコーティング膜上面に磁性薄膜及び保護膜
   を被着することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。