JPS60229233A - 磁気ディスク用基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （接輪分野」 本発明は、無孔化、無歪表面層を有し、良好なる表面粗
度を有する磁気ディスク用基板及びその製造方法に関す
る。

〔技術的背景〕

一般に磁気ディスク用基板としては、次の様な特性が請
求される。

（１）　０．３１Ｌ■以下の低ヘッド浮、Ｆ高さに伴い
磁気ヘッドの安定な浮上と記録特性の安定性を得るため
研摩後の表面粗度が良好なこと。

（２）基板表面に形成される磁性薄膜の欠陥の要因とな
る突起や礼状へごみがないこと。

（３）機械加工、研摩、或いは使用時の高速・回転に十
分耐える機械的強度を有すること。

（４）耐食性、耐候性、且つ耐熱性を有すること。

従来磁気ディスク用基板にはＡ１合金が使用されている
が、Ａ１合金基板では材料の結晶異方性、ｙ料欠陥及び
材料中に存在する非金属介在物等のため機械加工や研摩
工程において、これらが基板表面に突起として残存した
り或いは、脱落して凹みを生じ十分な研摩を行なっても
表面粗度は、せいぜい２０ＯＡ程度であり、突起や凹み
、うねりのある表面状態で高密度磁気記録用ディスク用
基板材としては十分でない。

磁気ディスク基板の加工の良否が、そのまま、磁気ディ
スクのランアウト、加速度成分、媒体の信号エラー等に
依存する。

ところで、Ａ１合金の場合はメタル材の為、とッカース
硬度も１００程度（セラミックの場合６００以上）であ
り、曲げ強度もｌ０００ｋｇ／ｃｒｎ’　（セラミンク
の場合４０００ｋｇ／ｃｒｎ’以上）であって、高密度
記録になるに従ってスクラッチ、キズ、平坦度、うねり
などの形状精度もきびしくなってきており、加−［は一
層困館となってきている。砥粒加工の際も砥粒がうめ込
まれやすく、欠陥となる。また、Ａ１合金基板の場合、
表面の耐食性、耐候性、汚染を防ぐ上で旋削工程、ポリ
ッシング工程、保管の際、清浄度、防錆、汚れ等で製造
工程上充分な配慮が必要となっている。

Ａ１合金基板の改善のためその表面に硬度の高い膜を形
成することも知られている。−例として、ＡＩ合金表面
にアルマイ）Ｗを形成し硬度を増加して研摩力「工性を
向上するための方法がとられるが、アルマイト形成中に
Ａ１合金中の微量不純物（Ｆｅ、　Ｍｎ、　Ｓｉ）が金
属間化合物として析出するため、アルマイト処理後その
部分が凹みの欠陥の発生要因となっている。母材合金の
高純度化を図ることは製造プロセス上至難に近く、ざら
にＡｔ合金の場合耐食性、清浄度の面でも取りあつかい
が問題となっている。またＡＩ合金表面へのスパッタリ
ングやメッキによる薄膜媒体形成の場合、Ａ１合金と磁
性膜の化学反応や拡散の問題が生じ、さらに磁性膜の熱
処理により基板の変形と共に面振れ、加速度は上昇する
。

なお、ＡＩ基板上にＳｉｎ、、Ａｌ２Ｏ３等の酸化物を
スパッタリングにより形成する方法もあるか、ＡＩ基板
とスパッタ形成後の密着力が弱いという欠点がある。

これらのＡ１合金系ディスク基板に対し、今日アルミナ
系セラミック材料が、Ａ１合金材料に比べ、耐熱性、耐
摩耗性、耐候性、絶縁性、及び機械的強度のすぐれてい
ることにより各種分野に広範囲の用途に使用されるよう
になったが、基板表面に媒体処理の施される磁気ディス
ク用基板では媒体の薄膜化、高密度化に伴って、基板表
面の無孔化、無歪基板の必要性に迫られている。

般にセラミンク基板の製造方法としては単結晶法や、金
型成形、ラバープレス、ドクターブレード法等により成
形の後焼結する方法、さらに晶に度化の為、ホｙ）プレ
ス法（ＨＰ）、熱間静水圧ブし・ス法（ＨＰ法）がある
が、前者の単結晶化法では製造コストが高い上に大口径
基板の製造は困難であり、又、）ＩＩＰ法や）ＨＰ法に
より、高密度化された基板にあっても５ル膳以下の微細
孔が基板に存在するため磁気ディスク用基板に使用する
場合は表面微細欠陥によるドロップアウトの発生や、ヘ
ッドクラッシュ等信頼性を損なう問題があった。

また一般にディスク基板等に適用しうる表面研摩法とし
ては、メカ／ケミカル研摩法は、５１基板、ＧＧＧ結晶
、フェライト等の表面物性を劣化させずに仕−りげる方
法として公知であるが、メカノケミカル研摩法を微細孔
の存在するセラミックス材に適用する場合は、微細孔が
セラミック表面に露出した状態となり、薄膜媒体を有す
るディスク用基板としては不十分であり、又アルミナ系
セラミック材にメカ／ケミカル研摩法を適用すると各材
質或いは結晶面での化学侵食の速度が異るため、微細孔
の露出と同時に結晶段差を生ずる恐れがあった。

←νに千乍令） （目的］ 本発明は、Ｌ述の如き従来法の欠点を改良したセラミッ
ク材料を基材とする磁気ディスク用基板及びその製造方
法を提供することを目的とする。

〔発明の構成概要］ 本発明はアルミナ系セラミック基板表面上に形成する被
着磁性膜の特性向上、信頼性を保障する以下から２０Ａ
以下までの無孔化、且つ、無歪層に仕上げた基板及び、
その製造方法を基本的特徴とする。

即ち、本発明の磁気ディスク用基板は、５＃Ｌｍ以Ｆの
微細孔を有する相対理論密度９６％以上のアルミナ系セ
ラミック材料表面Ｅに、表面粗度８０Ａ以下、且つ無孔
化無歪表面の膜厚０．３〜３０μｍのＡｆＬ２０ａ　、
　Ｓ　ｉ　Ｏｚ及び／又は、Ｓｉ：ＩＮ、スパッタリン
グ膜を有することを特徴とする。

また本発明の磁気ディスク用基板の製造方法は、５ＩＬ
ｍ以下の微細孔を有する相対理論密度９６％以上のアル
ミナ系セラミック材料表面上に、０．５　ｇｍ　〜３５
ｇｍ厚（７）　Ａ　ＩＬｙ　Ｏ３、Ｓ　ｉｏ２及び／又
は５ｉｚＮ＋スパツタリング膜を形成後、前記膜表面を
粒径０．１＃Ｌｍ以下の５ｉ０２、ＭｇＯ又はＡ２２０
ｍ微粉の少なくとも１種を、ｏ、ｉ〜２０ｗｔ％純水中
に懸濁した懸濁液で０．０５〜２　ｋ　ｇ　／　ｃゴの
荷重にて研摩加工して表面粗度８０Ａ以下、且つ無孔化
、無歪の表面層にすることを特徴とする。

［好適な実施の態様］ 発明者は種々検討の結果、５ｇｍ以下（好ましくは３ｇ
ｍ以下）の微細孔を表面に有する相対理論密度９６％以
上のアルミナ系セラミック材表面に上部被膜との絶縁性
を保持する上で、０．５ｇｍ〜３０ｇｍ厚（７）Ａ　１
２０３　、　Ｓ　ｉｏｌ及び／又は５ｉｚＯ＋スパツタ
リング薄膜を形成後、前記ａｍ表面を０．１ｇｍ以下の
ＳｉＯ，、ＭｇＯ又はＡＩ、０３微粉の少なくとも１種
を０．１〜２０ｗｔ％純粋中に懸濁した懸濁液で０．０
５〜２　ｋ　ｇ　／　ｃ　ｍ’の荷重にて研摩加工する
ことにより表面粗度８０λ以下（好ましくは５０Ａ以Ｆ
、さらに２０λ以下まで）且つ無孔化、無歪の表面層か
得られ前記基板表面上に形成される被着磁性膜の特性向
上・信頼性の保障が得られることを知見した。

本発明におけるアルミナ系セラミック材としてハＡ　ｌ
　ｔ　Ｏ］　、Ａ　ｌ　ｔ　Ｏｉ　Ｔ　Ｉ　Ｃ系、Ａ１
２０３−Ｔｉ０２系、Ａ　Ｉ、０３−Ｆｅ２０３−Ｔｉ
Ｃ系等、Ａｌ２Ｏ２を主成分とするアルミナ系セラミッ
ク材であって、金型成形、ラバープレス、ドクターブレ
ード法等により成形され、さらに熱開成型法　（ＨＰ法
）、熱間静水圧プレス法（ＨＩＰ法）にて焼結処理して
得られるものが好ましい、なおこれらのアルミナ系セラ
ミック材は、ＭｇＯ，ＮｉＯ，Ｃｒ、０３等の公知の粒
成長抑制剤、その他の焼結助剤を含むことができ、アル
ミナ平均結晶粒径は５μｍ以下のものが好ましい、なお
このようなアルミナ系セラミック基材は市販の密度９６
％以上の一般品規格のものとして人手できる。

本発明のアルミナ系セラミック基板において表面の微細
孔が５ｐｍ以上であると前記孔部のスパッタ膜形成に長
時間を要すると共に、スパッタ膜の研摩に長時間を要す
るので、微細孔は５ｇｍ以下（好ましくは３＃Ｌｍ以下
）にする必要がある。又本発明におけるアルミナ系セラ
ミック基板上（７）Ａ　ｌ　ｔ　Ｏ３、Ｓ　ｉ　Ｏｚ又
は、５ｉｊＮ４スパツタリング被膜の厚さは夫々の用途
により選択されるが、被膜厚さ０．５ｐｍ未満では被膜
表面のメカノケミカル研摩法（ＭＣＰ法）により所要の
表面粗度及び無孔化、無歪化ができず、又３０μｍをこ
えるとスパッタリング時間に長時間を要し、又、被膜内
の内部応力により、基板内に歪みを発生する恐れがある
ので膜厚は０．５ｇｍ〜３５ｇｍにする必要があり、好
ましくは１５〜２５ｐｍである。研摩後のスパッタリン
グ膜の厚さは、同様な理由及び研摩取代を考慮して０．
３〜３０ｇｍ（好ましくは１０〜２訂とされる。

又、本発明のＭＣＰ法の条件として純水中に懸濁するＳ
ｉｎ、、ＭｇＯ又はＡＩ、０３１＆粉の粒径は０．１μ
ｍをこえると被研摩スパッタ被膜表面に疵が発生し、表
面粗度を劣化するので好ましくない、ヌ、純水中への前
記微粉の含有量は０．１ｗｔ％未満では研摩効果が少な
く、又２０ｗＬ％をこえると各微粉による水和熱が発生
し易く、或いはゲル化し易く、かつ、活性が大となって
表面状態が劣化するので０．１〜２０ｗｔ％とする。こ
の純水とは、汚濁物、特に有機汚濁物や浮遊物を含まな
い水でイオン交換水、蒸留水等でよい。

ラップ盤としては、Ｓｎハンダ合金、Ｐｂ等の軟質金属
、或いは硬質クロス等が鍛適である。

ラップ萄歌は、０．０５ｋｇ／ｃｒｎ’未満では所要の
表面粗度が得られず、且つ加工能率が低く又、２ｋｇ／
ｃｒｎ’をこえると、加工能率の点では好ましいが研摩
精度が劣化するので好ましくない。

なお、本発明の基板を両面記録用磁気ディ支りに用いる
場合は、アルミナ系セラミック基板内面に、スパッタリ
ング膜を形成し、両面同時にＭＣＰすることにより両面
の薄膜中の内部応力は、相殺され、平担度のすぐれ、且
つ表面粗度及び無孔化、無歪のすぐれた基板が得られる
。

本発明のスパッタリング膜形成アルミナ系セラミック基
板の場合は、Ａ１合金に比べ機械的強度も強く、砥粒加
工での形状精度の管理も比較的容易となる。さらに、耐
食性、耐候性に、特別配慮する必要もなく、表面の汚染
も、絶縁薄膜をさらにスパッタリングにより形成する際
、スパッタクリーニングにより表面の清浄化が可能であ
る。

また、Ａ１合金を旋削加工した際０表面には加工変質層
が残留しているのに対して本発明のアルミナ系セラミッ
ク基板の場合は、メカノケミカルポリッシュ仕上げによ
り表面にバルクでの応力歪の差異は生じず、基板にコー
ティングされる媒体への歪の転写は生じない。

即ち、本発明の基板のスパッタリング膜（表面層）と直
下の基材層（アルミナ系セラミック層）との結晶構造が
ほとんど同じに構成でき、表面の応力層を有しないもの
が得られる。そのために本発明の研摩加工方法により加
工歪も生じないようにすることが可能となった。

このようＡ′磁気ディスク基板を用いることにより信頼
性の高い高密度磁気ディスク記録媒体を製作することが
できる。また、出発アルミナ系セラミック基材としては
、密度９６％以上の規格のものを用いることができ量産
上有利である。

Ｅ実施例］ 以下本発明を実施例により説明する。

実施例１ 基板としてＨＩＰ処理された表面に５＃Ｌｍ以下の微細
孔を有する寸法直径２００ｍｍＸ厚さ２ｍｍの純度９９
．９５％且つ相対理論密度９７％、平均結晶粒径４ｇｍ
のＡｌ２Ｏ３セラミック材を用い、前記基板の表面粗度
を２００Ａ以下に精密ラップ法にて精密研摩した後、前
記基板上に高周波スパッタ装置を用い、ターゲツト板と
して寸法直径３５０ｍｍＸ厚さ６ｍｍの純度９９．９％
のＡｎ２ｏ３板を使用してスパッタＡｒ圧ｌＸｌＯ−５
ｍｂａｒ到達排気の後スパッタリングを行なった。基板
面の洗浄の為、正スパッタ前に表面層を５００λ程度逆
スパッタクリーニングで除去した。

正スパッタの投入パワーは５．５ｋＷである。

基板側に負のバイアス　（−１００Ｖ）　ヲ印加した。

バイアス効果により、セラミックボア部のステップカバ
レージが図られ、ボア部にも、ＡＩ、Ｏ，が付着される
。なおスパッタ膜面の表面粗度は５００Ａ程度あった。

従来の酸化物のスパッタ法ではスパッタ速度が遅く、膜
付けに時間を要したが電極間距離を４０ｍｍとして投入
パワーを大きくしたことにより、スパッタレートは５０
０　Ａ　／　ｍ　ｉ　ｎとし、２０＃Ｌｍ形成するノニ
４００分を要した。

次に形成されたスパッタ膜面を粒径０．０１ｇｍの“Ｓ
ｉｎ、微粉末を５ｗｔ％純粋中に懸濁した懸濁液中でラ
ップ盤としてＳｎａを用いラップ萄重０．５ｋｇ／ａｍ
″にてＭＣＰして表面粗度４ＯＡに仕上げたその時の取
代は３μｍで平担度は１ｕＬｍであった。

第１図（Ａ）に本発明のスパッタ膜の表面状況を同図　
（Ｂ）にスパッタ前の基板の表面状況を示す。

第１図における表面状況は触針径０　、　ｌ　＃ＬｍＲ
の薄膜段差測定器（Ｔａｌｙｓｔｅｐ）にて測定した結
果である。

第１図よりセラミック基板表面の微細孔は本発明により
スパッタ膜のＭＣＰにより表面層の無孔化が得られ、表
面粗度４０Ａに仕上げられたことは明らかである。

膜と、基板の付着力を判定する方法として硬度計を用い
て何重を５０ｇより順次１０００ｇまで増大しＡＩ、Ｏ
ｊ膜が剥離するかを判定基準としたところ、ｔ　０００
ｇまで剥離はなく、強固な付着力を示した。

実施例２ 基板としてＨＩＰ処理された表面に３ルｍ以下の微細孔
を有する寸法直径１００ｍｍＸ厚さ２ｇｍのＡ　１２０
３６５ｗｔ％のＡ１２０ｊ−ＴｉＣ系セラミック材（ア
ルミナ平均結晶粒径４ｐｍ）を用い、前記基板の表面粗
度を２００Ａ以下に精密研摩後、前記基板上に実施例１
と同じく高周波スパッタ装置を用い、ターゲツト板とし
て寸法直径３５０　ｍｓＸ厚さ６ｍｍ（７）純度９９．
９％ｃｙ）ＳｉＯ７を使用し、実施例１と同一のスパッ
タ条件にてスパッタリングして基板上に表面粗度３００
Ａ程度のスパッタリング５ｉ０２膜を１５μｍ形成した
。１！ＩＩ形成時間は１００ｍ１ｎであった。形成され
たスパッタリング膜面を、粒径０．０２ｇｍのＭｇＯ微
粉末を２ｗｔ％純水中に懸濁した懸濁液中でラップ盤と
して硬質クロスを使用しラップ荷重１ｋｇ／ｃｍ″にて
ＭＣＰにより表面粗度を４ＯＡに仕上げたそのときの取
代は５ｇｍであった。

本実施例により得られたスパッタ条件の表面状況、スパ
ッタ前の基板の表面状況は、夫々第１図（Ａ）、（Ｂ）
とほぼ同様であった。なお表面状況は実施例１と同一の
薄膜段差測定器を使用した。

以上の通り、本発明は基板欠陥に起因した素子の歩留低
下を防止すると共に、無孔化基板面に形成される被着磁
性膜の特性保障、信頼性向上に有効である。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）、（Ｂ）は、夫々本発明の実施例の表面状
況の測定結果を示すグラフである。 （Ａ）は研摩後のスパッタリング膜表面、　（Ｂ）はア
ルミナ基材表面を示す。 出願人　住友特殊金属株式会社 代理人　弁理士　加　藤　朝　道 第１図 （Ａ） （Ｂ） 手続１１市正書（自発） 昭和６０年７月２６日 特許庁長官　宇賀　送部　殿 １　事件の表示 昭和５９年特許願第０８５６５５号 （昭和５９年４月２７日出願） ２　発明の名称 磁気ディスク用基板及びその製造方法 ３　補正をする者 事件との関係　特許出願人 名称　住友特殊金属株式会社 ４　代理人 住所　〒１０５東京都港区西新橋１丁目１２番６号富士
アネックスビル４階 ６　補正により増加する発明の数　な　し７　補正の対
象 明細書の特許請求の範囲２発明の詳細な説明。 図面の簡単な説明の各欄及び図面第２図（Ａ）　、　（
、ＦＤ８　補正の内容　別紙の通り 補正の内容 １、明細書の特許請求の範囲を別紙の通り補正する。 ２、明細書の発明の詳細な説明の欄を次の通り補正する
。 （１）第３頁第９行、「依存」を「影響」に補正する。 （２）第４頁第１５行〜１６行、「さらに・・・上昇す
る。」を「さらに工程により磁性膜に熱処理を加える必
要があるが、ＡＪ合金基板は変形し易く。 形状精度が悪くなると共に面振れ、加速度が上昇するた
め、熱処理を行うことは困難である。」に補正する。 （３）第６頁第２行、「とじては」を「とじての」に補
正する。 （４）第６頁第１０行、「材質」を「成分粒子」に補正
する。 （５）第８頁第４〜５行、「成後、前記・・・少なくと
も１」を「成後、前記膜表面を粒径０゜１μｍ以下、純
度９９％以上のＳ　ｉ　Ｏ２，ＭｇＯ。 Ａ１０　、ＣｅＯ又はＦ　ｅ　２０　ｇ微粉の少な２　
３　２ くとも１」に補正する〇 （６）第８頁第８〜９行、「シて表面粗度・・・特徴と
する。」を［して膜厚０．３μｍ〜３０μｍ１表面粗度
８０Å以下、且つ無孔化、無歪の表面層にすることを特
徴とする。」に補正する。 （７）第８頁第１４行、「保持する上で」を「保持する
ための中間層として」に補正する。 （８）第８頁第１５行、ｒ３０Ｊを「３５」に補正する
。 （９）第８頁第１７行〜２０行、「記薄膜表面を・・・
することにより」を「記薄膜表面を粒径０．１μｍ以下
、純度９９％以上のＳｉＯ２，ＭｇＯ。 Ａ　、ｅ　Ｏ、Ｃｅ　０２又はＦｅ２Ｏ３微粉の少な３ くともＩＮを０．１〜２Ｄｖｔ％純水中に懸濁した懸濁
液で０．０５〜２　ｋｇ　／　ｃ−の荷重にて研摩加工
することにより膜厚０．３〜８０μｍ＋Ｊに補正する。 （ｌＯ）第１Ｏ頁第２行、「以上である」を「をこえる
」に補正する。 （１１）第１０頁第７行、「又は」を［及び又はＪに補
正する。 （１２）第１０頁第１１行、ｒ３０Ｊを「３５」に補正
する。 （工３）第１Ｏ頁第２０行、「濁する・・・の粒」を「
濁するＳｉＯ、ＭｇＯ，Ａ１０　、ＣｅＯ２又は２　２
３ Ｆｅ２０３微粉の粒」に補正する。 （１４）第１１頁第８行、「この純水とは、」を「この
純水とは、金属イオン、無機物、」に補正する。 （１５）第１１頁第１１行、　「ラップ盤としては」を
ｒＭＣＰはラップ盤を用いて行うことが好ましく、ラッ
プ盤としては」に補正する。 （ＩＢ）第１１頁第１５行、「好まし」を「よいかも知
れな」に補正する。 （１７）第１２頁第１９〜２０行、「応力層・・・生じ
ないよう」を［応力層の少ないものが得られる。さらに
スパッタ条件の選択によっては、圧縮応力を持つ膜形成
も可能で、基板からの膜のハガレ、クラックの生じにく
い機械的強度に優れた膜形成も行える。また１本発明の
研摩加工方法により表面加工歪も生じないよう」に補正
する。 （１８）第１３頁第５行、「密度」を「相対理論密度」
に補正する。 （１９）第１３頁第１９行、ｒｌＯＪを［１Ｏ−６Ｊに
補正５ する。 （２０）第１４頁第７行、「なおスパッタ膜面」を「な
お、この時の膜の内部応力は、圧縮応力で５　ｘ　１０
８ｄｙｎ／ｃ−あり、スパッタ膜面」に補正する。 （２１）第１４頁第１２行、ｒａｉｎとし」を「Ｉｉｎ
で」に補正する。 （２２）第１４頁第２０行、　「スパッタ膜」をｒＭＣ
Ｐ研摩後研摩後ッタ膜」に補正する。 （２３）第１５頁第１７行、　「２−鳳」を「２關、相
対理論密度９８％」に補正する。 （２４）第１Ｂ頁第４行、「同一の」を「その地間−の
」に補正する。 （２５）第１６頁第１４行〜１８行、「本実施例・・・
使用した。」を「第２図（＾）に本発明のＭＣＰ後のス
パッタ膜の表面状況を同図（Ｂ）にスパッタ前の基板の
表面状況を示す。なお表面状況は実施例１と同一の薄膜
段差測定器を使用した。 第２図より実施例１と同様、セラミック基板表面の微細
孔は本発明によりスパッタ膜のＭＣＰにより表面層の無
孔化が得られ１表面粗度４０人に仕上げられたことは明
らかである。」に補正する。 ３、明細書の図面の簡単な説明を次の通り補正する。 第１７頁第４行、「第１図・・・実施例」を「第１図及
び第２図の（Ａ）　、　（Ｂ）は、夫々本発明の実施例
１及び２」に補正する。 ４、図面の第２図（Ａ）、（Ｂ）を別紙の通り加入する
。 以　−Ｌ 特許請求の範囲 ■）５μｍ以下の微細孔を有する相対理論密度９６％以
上のアルミナ系セラミック材料表面上に。 表面粗度８０Å以下、且つ無孔化無歪表面の膜厚０．３
Ｂ　ｍ　〜３０μｍのＡ　ｆ　Ｏ、Ｓ　１０２及び／３ 又は、Ｓ　ｓ　ａ　Ｎ　４スパツタリング膜を有するこ
とを特徴とする磁気ディスク用基板。 ２）５μｍ以下の微細孔を有する相対理論密度９６％以
」二のアルミナ系セラミック材料表面上に０．５μｍ　
〜３５．ｕ　ｍ厚のＡ　ｊ！　Ｏ、Ｓ　ｔ　０２及び３ ／又はＳｉ３Ｎ４スパッタリング膜を形成後。 前記膜表面を粒径０．１μｍ以下、純度９９％以上のＳ
ｉＯ、ＭｇＯ，Ａｊ！　Ｏ、ＣｅＯ２又は２　２３ Ｆ　ｅ　２０　ａ微粉の少なくとも１種を０．１〜２０
ｖｔ％純水中に懸濁した懸濁液で０．０５〜２　ｋｇ　
／　ｃ−の萄重にて研摩加工して膜厚０．３〜３０μｍ
１表面粗度８０Å以下且つ無孔化、無歪の表面層にする
ことを特徴とする磁気ディスク用基板の製造方法。 ＣＢ） コＰｍ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ＩＪ　５ｇｍ以下の微細孔を有する相対理論密度９６％
   以上のアルミナ系セラミック材料表面上に、表面粗［８
   ０Ａ以）、且つ無孔化無歪表面の膜厚０．３ｇｍ　〜３
   ０ＪＬｍのＡｌ）０３．ＳｉＯ２反び／′又は、５ｉＩ
   Ｎ４スパツタリング膜を有することを特徴とする磁気デ
   ィスク用基板。 ２）　５＃Ｌｍ以下の微細孔を有する相対理論密度９６
   ％以上のアルミナ系セラミック材料表面上に０．５　μ
   ｍ〜３５ｕＬｍ厚のＡ１２０３　、Ｓ　ｉ０２及び、′
   又はＳｉ３Ｎ４スパッタリング膜を形成倹、前記膜表面
   を粒径０．１ｇｍ以下のＳｔＯ，、ＭｇＯ又はＡｌ７０
   ｍ微粉の少なくとも１種を０．１〜２０ｗｔ％純水中に
   懸濁した懸濁液で０．０５〜２ｋｇ／ｃｒｎ’の荷重に
   て研摩加工して表面粗度８０Ａ以下且つ無孔化、無歪の
   表面層にすることを特徴とする磁気ディスク用基板の製
   造方法。