JPS63234405A - セラミツク基板及びその製造方法 - Google Patents
セラミツク基板及びその製造方法Info
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- JPS63234405A JPS63234405A JP62066989A JP6698987A JPS63234405A JP S63234405 A JPS63234405 A JP S63234405A JP 62066989 A JP62066989 A JP 62066989A JP 6698987 A JP6698987 A JP 6698987A JP S63234405 A JPS63234405 A JP S63234405A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
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- H01F10/28—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the substrate or intermediate layers characterised by the composition of the substrate
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、被加工性及び機械的特性に優れた緻密質のセ
ラミック基板に関する。
ラミック基板に関する。
セラミック基板は優れた絶縁性や化学的安定性を利用し
てＩＣ用絶縁基板等に広く用いられている。更に近年、
磁気デスク装置に用いられる薄膜磁気ヘッドも、セラミ
ック基板上に回路形成して製造されるようになった。
てＩＣ用絶縁基板等に広く用いられている。更に近年、
磁気デスク装置に用いられる薄膜磁気ヘッドも、セラミ
ック基板上に回路形成して製造されるようになった。
例えば、セラミック基板を薄膜磁気ヘッド基板として用
いる場合、その表面は磁気回路を形成するため表面粗さ
Ｒｍａｘ Ｏ，０２μｍ程度に極めて平滑でなければな
らない。そのため従来はアルミナ（Ａｅ２０ａ）等を主
成分とする緻密質なセラミック基材を表面粗さＲｍａｘ
Ｏ，０２μｍ程度に研磨し、この表面にＡｐ２０３や
５ｉ０２等のセラミック膜を被覆して基板とし、薄膜磁
気回路の形成に供していた。
いる場合、その表面は磁気回路を形成するため表面粗さ
Ｒｍａｘ Ｏ，０２μｍ程度に極めて平滑でなければな
らない。そのため従来はアルミナ（Ａｅ２０ａ）等を主
成分とする緻密質なセラミック基材を表面粗さＲｍａｘ
Ｏ，０２μｍ程度に研磨し、この表面にＡｐ２０３や
５ｉ０２等のセラミック膜を被覆して基板とし、薄膜磁
気回路の形成に供していた。
しかし、セラミック基材の表面を研磨して表面粗さＲｍ
ａｘ約０．０２μｍ以下にしても表面の平滑性は信頼性
に乏しい上、その上に形成するセラミック膜は異物の混
入やゲイトの存在等のため表面精度が低いことが多かっ
た。しかも、セラミック膜は機械加工が困難であったり
、研磨等により剥離や欠損が発生しやすい等の理由によ
り表面仕上されていなかったので、研磨したセラミック
基材の表面精度さえ維持できず、所定の性能の磁気回路
が得られないことが多かった。
ａｘ約０．０２μｍ以下にしても表面の平滑性は信頼性
に乏しい上、その上に形成するセラミック膜は異物の混
入やゲイトの存在等のため表面精度が低いことが多かっ
た。しかも、セラミック膜は機械加工が困難であったり
、研磨等により剥離や欠損が発生しやすい等の理由によ
り表面仕上されていなかったので、研磨したセラミック
基材の表面精度さえ維持できず、所定の性能の磁気回路
が得られないことが多かった。
本発明は、上記した従来の事情に鑑み、薄膜磁気ヘッド
用として所望の表面精度に容易に表面仕上加工できる信
頼性の高いセラミック基板を提供することを目的とする
。
用として所望の表面精度に容易に表面仕上加工できる信
頼性の高いセラミック基板を提供することを目的とする
。
本発明のセラミック基板は、気孔率５チ以下で表面粗さ
Ｒｍａｘｏ、１μｍ以下のセラミック基材と、このセラ
ミック基材の表面に密着して形成された膜厚１〜５０μ
ｍの非晶質アルミナ膜とからなっている。
Ｒｍａｘｏ、１μｍ以下のセラミック基材と、このセラ
ミック基材の表面に密着して形成された膜厚１〜５０μ
ｍの非晶質アルミナ膜とからなっている。
本発明のセラミック基板の製造は、気孔率５％以下のセ
ラミック基材の表面を表面粗さＲｍａｘｏ、１μｍ以下
に機械加工し、このセラミック基材の表面に蒸発物質を
プラズマ状態から付着させる物理的蒸着法により非晶質
アルミナ膜を膜厚１〜５０μｍに形成する方法による。
ラミック基材の表面を表面粗さＲｍａｘｏ、１μｍ以下
に機械加工し、このセラミック基材の表面に蒸発物質を
プラズマ状態から付着させる物理的蒸着法により非晶質
アルミナ膜を膜厚１〜５０μｍに形成する方法による。
セラミック基材色しテハＡＲ２０３、ＺｒＯ２、５ｉ０
２ 。
２ 。
ＳＩＣ、Ｓｉ３Ｎ４等を主成分とする基材が好ましく、
特に緻密に焼結したＴｉＣ含有Ａρ２０３焼結体、及び
ＴｉＣ含有ＴＺＰ （多結晶正方晶ジルコニア）焼結体
が好ましい。これ等のセラミック基材の表面を表面粗さ
Ｒｍａｘｏ、１μｍ以下に仕上るためには、従来から用
いられているポリッシングやラッピング等の方法を使用
できる。
特に緻密に焼結したＴｉＣ含有Ａρ２０３焼結体、及び
ＴｉＣ含有ＴＺＰ （多結晶正方晶ジルコニア）焼結体
が好ましい。これ等のセラミック基材の表面を表面粗さ
Ｒｍａｘｏ、１μｍ以下に仕上るためには、従来から用
いられているポリッシングやラッピング等の方法を使用
できる。
セラミック基材表面に形成する膜としては、通常のセラ
ミック膜は硬度が高すぎるため前記したように表面仕上
加工が困難であるが、本発明で用いる非晶質アルミナ膜
は、核成長が均一でセラミック基材の表面粗さに近い平
滑な表面が形成できる上に、軟質であって表面粗さをＲ
ｍａＸＯ２０２μｍ以下に容易に且つ精度よく表面仕上
することができる。特に、非晶質アルミナ膜の硬さくマ
イクロビッカース）を１０００ｋｇ／Ｎｊ以下に制御す
れば、表面仕上加工が一層容易であり好ましい。
ミック膜は硬度が高すぎるため前記したように表面仕上
加工が困難であるが、本発明で用いる非晶質アルミナ膜
は、核成長が均一でセラミック基材の表面粗さに近い平
滑な表面が形成できる上に、軟質であって表面粗さをＲ
ｍａＸＯ２０２μｍ以下に容易に且つ精度よく表面仕上
することができる。特に、非晶質アルミナ膜の硬さくマ
イクロビッカース）を１０００ｋｇ／Ｎｊ以下に制御す
れば、表面仕上加工が一層容易であり好ましい。
非晶質アルミナ膜は必ずしも化学量論的組成である必要
はなく、実質的にＡｌ２２０３とみなせる限り酸素欠陥
や不純物等を含んでいてもよい。かかる非晶質アルミナ
膜の形成方法は、スパッタリング法やイオンブレーティ
ング法等の蒸発物質をプラズマ状態から付着させる物理
的蒸着法であればよく、特に成膜速度の速いイオンブレ
ーティング法が好ましい。この様なプラズマ状態での物
理的蒸着法を用いる理由は、結晶化を抑制できる低い温
度で成膜でき、基板温度の選択範囲も広くとれ、得られ
た非晶質アルミナ膜の密着性が優れているからである。
はなく、実質的にＡｌ２２０３とみなせる限り酸素欠陥
や不純物等を含んでいてもよい。かかる非晶質アルミナ
膜の形成方法は、スパッタリング法やイオンブレーティ
ング法等の蒸発物質をプラズマ状態から付着させる物理
的蒸着法であればよく、特に成膜速度の速いイオンブレ
ーティング法が好ましい。この様なプラズマ状態での物
理的蒸着法を用いる理由は、結晶化を抑制できる低い温
度で成膜でき、基板温度の選択範囲も広くとれ、得られ
た非晶質アルミナ膜の密着性が優れているからである。
非晶質アルミナ膜の表面仕上は通常のポリッシングやラ
ッピング等でも可能であるが、表面粗さＲｍａｘ Ｏ，
０２μｍ以下の欠陥のない表面を常に安定して得ること
は難しい。本発明者等は、砥粒を含むスラリー中におい
て被加工物表面を回転するラップ工具と非接触状態で流
動するスラリーのみで加工するＥ ＥＭ （Ｅｌａｓｔ
ｉｃ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｍａｃｈｉｎｉｎｇ ）法（
例えば、森及び山内、精密機械５１ ［１］ １２（１
９８５）参照）により加工すれば、薄い非晶質アルミナ
膜に欠陥を導入することがなく、薄膜磁気ヘッド用とし
て必要なＲｍａｘＯ，０２μｍ以下の表面粗さが安定し
て得られることを見い出した。
ッピング等でも可能であるが、表面粗さＲｍａｘ Ｏ，
０２μｍ以下の欠陥のない表面を常に安定して得ること
は難しい。本発明者等は、砥粒を含むスラリー中におい
て被加工物表面を回転するラップ工具と非接触状態で流
動するスラリーのみで加工するＥ ＥＭ （Ｅｌａｓｔ
ｉｃ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｍａｃｈｉｎｉｎｇ ）法（
例えば、森及び山内、精密機械５１ ［１］ １２（１
９８５）参照）により加工すれば、薄い非晶質アルミナ
膜に欠陥を導入することがなく、薄膜磁気ヘッド用とし
て必要なＲｍａｘＯ，０２μｍ以下の表面粗さが安定し
て得られることを見い出した。
尚、非晶質アルミナ膜の膜厚を１〜５０μｍとするのは
、１μｍ未満では表面仕上加工がむずかしくなる上に欠
陥が発生しやすく、５０μｍを超えると膜中の歪が大き
くなるとともに膜の形成コストが高くなるからである。
、１μｍ未満では表面仕上加工がむずかしくなる上に欠
陥が発生しやすく、５０μｍを超えると膜中の歪が大き
くなるとともに膜の形成コストが高くなるからである。
セラミック基材の気孔率は５チ以下でなければ機械加工
により表面粗さＲｍａｘＱ、１μｍ以下の表面を得るだ
めの緻密さに欠ける。又、セラミック基材の表面粗さを
ＲｍａｘＯ，１μｍ以下とする理由は、これを超えると
セラミック基材の表面状態が非晶質アルミナ膜に顕著に
反映しやすく、後の表面仕上によっても磁気回路形成に
適した平滑な非晶質アルミナ膜表面が得がたいからであ
る。
により表面粗さＲｍａｘＱ、１μｍ以下の表面を得るだ
めの緻密さに欠ける。又、セラミック基材の表面粗さを
ＲｍａｘＯ，１μｍ以下とする理由は、これを超えると
セラミック基材の表面状態が非晶質アルミナ膜に顕著に
反映しやすく、後の表面仕上によっても磁気回路形成に
適した平滑な非晶質アルミナ膜表面が得がたいからであ
る。
第１表に示す組成を有し気孔率１％以下のセラミンク焼
結体からなる各基材を、ダイヤモンドペーストを用いて
表面粗さＲｍＢｘ ９．０５μｍに研磨し、その表面上
に第１表に示した方法によシ各々Ａｆｆｉ ２０３膜を
形成した。尚、非晶質Ａｇ２Ｏ３膜の形成は、蒸発源と
してＡｇ２Ｏ３を用い、５ Ｘ １０ ’ ｔｏｒｒの
酸素雰囲気中において基板温度３００ｔ：’のイオンブ
レーティング法によシ行った。
結体からなる各基材を、ダイヤモンドペーストを用いて
表面粗さＲｍＢｘ ９．０５μｍに研磨し、その表面上
に第１表に示した方法によシ各々Ａｆｆｉ ２０３膜を
形成した。尚、非晶質Ａｇ２Ｏ３膜の形成は、蒸発源と
してＡｇ２Ｏ３を用い、５ Ｘ １０ ’ ｔｏｒｒの
酸素雰囲気中において基板温度３００ｔ：’のイオンブ
レーティング法によシ行った。
得られた各Ａｅ ２０３膜の表面をＥＥＭ法によシ、ラ
ップ工具の回転により流動する粒径０．０１μｍの５ｉ
０２粉末を懸濁したスラリー中で厚さ約１μｍだけ摩耗
させて表面仕上を行った。各Ａｌ１２０３膜の膜厚（μ
ｍ）及び表面粗さＲｍａｘ（Ｘ）を下表に示した。
ップ工具の回転により流動する粒径０．０１μｍの５ｉ
０２粉末を懸濁したスラリー中で厚さ約１μｍだけ摩耗
させて表面仕上を行った。各Ａｌ１２０３膜の膜厚（μ
ｍ）及び表面粗さＲｍａｘ（Ｘ）を下表に示した。
Ａ 基板材料 膜質（製法） 膜厚 表面粗さ１
＊、 ＴＺＰ−４５ＴｊＣ結晶質（ＣＶＤ） １０
ａｍ １０００ Ｘ２＊ ｓ
（＃ ） ２０４ｍ １００ＯＡ３＊
７１ （：Ｚ’、ＦズマＣＶＤ）
１０Ｊｉｍ ５００ Ｘ４＊ ＃
（＃ ） ２０４ｍ ５００Ｘ５
非晶質 ２０μｍ ３０Ｘ６
３０μｍ ３５Ｘ７＊
５５Ａｍ ６００Ｘ８ Ａ
ｌ１２０３−３０ＴｉＣ＃ ｔｏｌｌｍ
３５Ｘ９ Ｓｉ３Ｎ４ １０
Ａｍ ３５Ｘ１０ ＳｉＣ１０μｍ ４０Ｘ １）” ＴＺＰ−４５ＴｉＣなし ３５０
Ｘ１ｔ 非晶質 ０．５μｍ ２５
０Ｘ（注）本部を付した４１〜４ 、７ 、１）及び１
２は比較例である。
＊、 ＴＺＰ−４５ＴｊＣ結晶質（ＣＶＤ） １０
ａｍ １０００ Ｘ２＊ ｓ
（＃ ） ２０４ｍ １００ＯＡ３＊
７１ （：Ｚ’、ＦズマＣＶＤ）
１０Ｊｉｍ ５００ Ｘ４＊ ＃
（＃ ） ２０４ｍ ５００Ｘ５
非晶質 ２０μｍ ３０Ｘ６
３０μｍ ３５Ｘ７＊
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Ａｍ ３５Ｘ１０ ＳｉＣ１０μｍ ４０Ｘ １）” ＴＺＰ−４５ＴｉＣなし ３５０
Ｘ１ｔ 非晶質 ０．５μｍ ２５
０Ｘ（注）本部を付した４１〜４ 、７ 、１）及び１
２は比較例である。
本発明の実施例はいずれも良好な表面精度が得られたの
に対して、比較例であるＡｎ！ ２０３膜のない例（Ａ
ｌｌ）、及びＡＲ２０３膜が膜厚５０ｔｔｍ以上の例（
Ａ７）と膜厚ＩＡｍ以下の例（＆１２）はいずれも基板
の表面粗さがＲｍａｘｏ、０２μｍ以上と大きく、薄膜
磁気ヘッド用セラミック基板として不適当であった。又
、ＡＰ、２０３膜が結晶質の場合（４１〜４）は表面加
工が困難で、膜の剥離等により必要な表面精度が得られ
なかった。
に対して、比較例であるＡｎ！ ２０３膜のない例（Ａ
ｌｌ）、及びＡＲ２０３膜が膜厚５０ｔｔｍ以上の例（
Ａ７）と膜厚ＩＡｍ以下の例（＆１２）はいずれも基板
の表面粗さがＲｍａｘｏ、０２μｍ以上と大きく、薄膜
磁気ヘッド用セラミック基板として不適当であった。又
、ＡＰ、２０３膜が結晶質の場合（４１〜４）は表面加
工が困難で、膜の剥離等により必要な表面精度が得られ
なかった。
本発明によれば、優れた表面精度に容易にしかも安定し
て表面仕上加工することができる信頼性の高いセラミッ
ク基板を提供することができる。
て表面仕上加工することができる信頼性の高いセラミッ
ク基板を提供することができる。
手続補正書
昭和６２年１２月ｔＯＳ
１、事件の表示
昭和６２年特 許 頼第０６６９８９号２発明の名称
セラミック基板及びその製造方法３、 補正をする者 事件との関係 出願人 住 所 大阪市東区北浜５丁目１５番地アＩｆｆテ 氏 名（名称）（２１３）住友電気工業株式会社４、
代 理 人 。
セラミック基板及びその製造方法３、 補正をする者 事件との関係 出願人 住 所 大阪市東区北浜５丁目１５番地アＩｆｆテ 氏 名（名称）（２１３）住友電気工業株式会社４、
代 理 人 。
住 所 東京都新宿区新宿１丁目１２−１５６、 補
正により増加する発明の数 （１）特許請求の範囲を別紙の通りに訂正する。
正により増加する発明の数 （１）特許請求の範囲を別紙の通りに訂正する。
（２）明細書の第３頁の第１５行目；第４頁の第１行目
、第１５行目、第１９行目；第５頁の第１２行目、第１
４行目；及び第６頁の第２〜３行目、第６行ニウム膜」
と訂正する。
、第１５行目、第１９行目；第５頁の第１２行目、第１
４行目；及び第６頁の第２〜３行目、第６行ニウム膜」
と訂正する。
（３）同 第５頁第２〜４行目の
「非晶質アルミナ膜は・・・・みなせる限り」を「非晶
質酸化アルミニウム膜は必ずしも化学量論組成のＡｔ
Ｏである必要はなく、」に訂正する。
質酸化アルミニウム膜は必ずしも化学量論組成のＡｔ
Ｏである必要はなく、」に訂正する。
（４）同 第５頁第４行目の
「含んでいてもよい。」と「かかる」の間に、次の文を
加入する。
加入する。
「ここで非晶質という制限は、結晶相を全く含まないと
いう厳しいものではなく、例えばＸ線的に調べて結晶相
が同定できない程度であればよい。」（５）同 第５頁
第５〜７行目の 「非晶質アルミナ膜の形成方法は・・・・物理的蒸着法
」を 「非晶質酸化アルミニウム膜の形成方法は、ス／＜ツタ
リング法、イオンブレーティング法）プラズマＣＶＤ法
等の蒸発物質をプラズマ状態から付着させる物理的蒸着
法」に訂正する。
いう厳しいものではなく、例えばＸ線的に調べて結晶相
が同定できない程度であればよい。」（５）同 第５頁
第５〜７行目の 「非晶質アルミナ膜の形成方法は・・・・物理的蒸着法
」を 「非晶質酸化アルミニウム膜の形成方法は、ス／＜ツタ
リング法、イオンブレーティング法）プラズマＣＶＤ法
等の蒸発物質をプラズマ状態から付着させる物理的蒸着
法」に訂正する。
（６）同 第７頁の第３行目、第８行目、第１）行目；
及び第８頁の第１７行目、第１８行目の「ＡＩＯ」をそ
れぞれ「非晶質酸化アルミニウム」に訂正する。
及び第８頁の第１７行目、第１８行目の「ＡＩＯ」をそ
れぞれ「非晶質酸化アルミニウム」に訂正する。
（力 同 第７頁第４行目の「非晶質ＡＩＯ」を「非晶
質酸化アルミニウム」に訂正下る。
質酸化アルミニウム」に訂正下る。
（８） 同 第９頁第２行目の［Ａｌ０Ｊを「酸化ア
ルミニウム」に訂正する。
ルミニウム」に訂正する。
（９） 同 第８頁の第１〜１５行目の表を次の通り
訂正する。
訂正する。
１※ ＴＺＰ−４５ＴｉＣ結晶質（ＣＶＤ） １０μ
ｍ １００ＯＫ２’ ｔｔ ｔｔ
ｔｔ ２０４＋ｍ １０００χ３ 〃
非晶質 ２０μｍ ３０χ４
３０μｍ ３ｓ、ｇ？５５
μｍ ６００ｊ？ ６ ＡＩＯ−３０ＴｉＧ 非晶質 １０μｍ
３５Ｚ７ ５ｔ３ｕ、
１０ＪＪｍ ３ｓＸｓ ｓｌａ
＃ １０／Ｊｍ ４ｏＸ９※ＴＺＰ−
４５ＴｉＣなし −３５０χ１０※ 〃
非晶質 ０．５μｍ ｚｓｏｆ（注）
※印を付した７１ｉ１．２．５．９及び１゜は比較例で
あるシ ００）同 第８頁第１８行目の「煮１）」を「扁９」に
、第１９行目の「屋７」を「＆５」に、同行のｒＡ１２
ＪをｒＡｌｏＪに、及び第９頁第２行目の「Ａ１〜４」
を「洗１及び２」にそれぞれ訂正する。
ｍ １００ＯＫ２’ ｔｔ ｔｔ
ｔｔ ２０４＋ｍ １０００χ３ 〃
非晶質 ２０μｍ ３０χ４
３０μｍ ３ｓ、ｇ？５５
μｍ ６００ｊ？ ６ ＡＩＯ−３０ＴｉＧ 非晶質 １０μｍ
３５Ｚ７ ５ｔ３ｕ、
１０ＪＪｍ ３ｓＸｓ ｓｌａ
＃ １０／Ｊｍ ４ｏＸ９※ＴＺＰ−
４５ＴｉＣなし −３５０χ１０※ 〃
非晶質 ０．５μｍ ｚｓｏｆ（注）
※印を付した７１ｉ１．２．５．９及び１゜は比較例で
あるシ ００）同 第８頁第１８行目の「煮１）」を「扁９」に
、第１９行目の「屋７」を「＆５」に、同行のｒＡ１２
ＪをｒＡｌｏＪに、及び第９頁第２行目の「Ａ１〜４」
を「洗１及び２」にそれぞれ訂正する。
特許請求の範囲
（１）気孔率５％以下で表面粗さＲｍａｘｏ、１μｍ以
下のセラミック基材と、セラミック基材表面に密着して
形成された膜厚１〜５０μｍの非晶質酸化アルミニウム
膜とからなるセラミック基板。
下のセラミック基材と、セラミック基材表面に密着して
形成された膜厚１〜５０μｍの非晶質酸化アルミニウム
膜とからなるセラミック基板。
以下であることを特徴とする特許請求の範囲（１）項記
載のセラミック基板。
載のセラミック基板。
（３） 気孔率５％以下のセラミック基材の表面を表
面粗さＲｍａｘＯ，１μｍ以下に機械加工し、このセラ
ミック基材の表面に蒸発物質をプラズマ状態から付着さ
せる物理的蒸着法により非晶質酸化アルミニウム膜を膜
厚１〜５０μｍに形成することを特徴とするセラミック
基板の製造方法。
面粗さＲｍａｘＯ，１μｍ以下に機械加工し、このセラ
ミック基材の表面に蒸発物質をプラズマ状態から付着さ
せる物理的蒸着法により非晶質酸化アルミニウム膜を膜
厚１〜５０μｍに形成することを特徴とするセラミック
基板の製造方法。
Claims (3)
- （１）気孔率５％以下で表面粗さＲｍａｘ０．１μｍ以
下のセラミック基材と、セラミック基材表面に密着して
形成された膜厚１〜５０μｍの非晶質アルミナ膜とから
なるセラミック基板。 - （２）非晶質アルミナ膜の硬さが１０００ｋｇ／以下で
あることを特徴とする特許請求の範囲（１）項記載のセ
ラミック基板。 - （３）気孔率５％以下のセラミック基材の表面を表面粗
さＲｍａｘ０．１μｍ以下に機械加工し、このセラミッ
ク基材の表面に蒸発物質をプラズマ状態から付着させる
物理的蒸着法により非晶質アルミナ膜を膜厚１〜５０μ
ｍに形成することを特徴とするセラミック基板の製造方
法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62066989A JPS63234405A (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | セラミツク基板及びその製造方法 |
| KR1019880002738A KR900006677B1 (ko) | 1987-03-20 | 1988-03-16 | 세라믹기판 및 그 제조방법 |
| DE3854008T DE3854008T2 (de) | 1987-03-20 | 1988-03-18 | Keramisches Substrat und Herstellung desselben. |
| EP88104358A EP0283033B1 (en) | 1987-03-20 | 1988-03-18 | Ceramic substrate and preparation of the same |
| US07/746,093 US5165981A (en) | 1987-03-20 | 1991-08-12 | Ceramic substrate and preparation of the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62066989A JPS63234405A (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | セラミツク基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63234405A true JPS63234405A (ja) | 1988-09-29 |
Family
ID=13331933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62066989A Pending JPS63234405A (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | セラミツク基板及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0283033B1 (ja) |
| JP (1) | JPS63234405A (ja) |
| KR (1) | KR900006677B1 (ja) |
| DE (1) | DE3854008T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110983295A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-04-10 | 江苏师范大学 | 一种汽车厚膜陶瓷基板耐腐蚀复合涂层及其制备方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6165600A (en) * | 1998-10-06 | 2000-12-26 | General Electric Company | Gas turbine engine component having a thermal-insulating multilayer ceramic coating |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4219853A (en) * | 1978-12-21 | 1980-08-26 | International Business Machines Corporation | Read/write thin film head |
| JPS5971112A (ja) * | 1982-10-15 | 1984-04-21 | Comput Basic Mach Technol Res Assoc | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS60171617A (ja) * | 1984-02-15 | 1985-09-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 薄膜磁気ヘツド用セラミツク基板 |
| JPS60229233A (ja) * | 1984-04-27 | 1985-11-14 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 磁気ディスク用基板の製造方法 |
-
1987
- 1987-03-20 JP JP62066989A patent/JPS63234405A/ja active Pending
-
1988
- 1988-03-16 KR KR1019880002738A patent/KR900006677B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1988-03-18 EP EP88104358A patent/EP0283033B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-03-18 DE DE3854008T patent/DE3854008T2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110983295A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-04-10 | 江苏师范大学 | 一种汽车厚膜陶瓷基板耐腐蚀复合涂层及其制备方法 |
| CN110983295B (zh) * | 2019-12-31 | 2022-02-22 | 江苏师范大学 | 一种汽车厚膜陶瓷基板耐腐蚀复合涂层及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0283033A3 (en) | 1990-03-28 |
| DE3854008D1 (de) | 1995-07-27 |
| KR880012126A (ko) | 1988-11-03 |
| KR900006677B1 (ko) | 1990-09-17 |
| EP0283033A2 (en) | 1988-09-21 |
| EP0283033B1 (en) | 1995-06-21 |
| DE3854008T2 (de) | 1995-12-14 |
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