JPS62241898A - ダイヤモンド薄膜の形成方法 - Google Patents
ダイヤモンド薄膜の形成方法Info
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- JPS62241898A JPS62241898A JP8462786A JP8462786A JPS62241898A JP S62241898 A JPS62241898 A JP S62241898A JP 8462786 A JP8462786 A JP 8462786A JP 8462786 A JP8462786 A JP 8462786A JP S62241898 A JPS62241898 A JP S62241898A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ダイヤモンド薄膜の形成方法に関する。
例えば耐摩耗性の良好な切削材料、高効率の放熱材料又
は耐蝕性のコーティングを得るため、種々の基体材料に
多結晶のダイヤモンドの薄膜を形成することが知られて
おり、従来は公知のＣＶＤ法やイオン化蒸着法によって
基体材料の表面に直接ダイヤモンド薄膜を成長させるよ
うにして、ダイヤモンド薄膜を基体材料の表面に形成し
ていた。
は耐蝕性のコーティングを得るため、種々の基体材料に
多結晶のダイヤモンドの薄膜を形成することが知られて
おり、従来は公知のＣＶＤ法やイオン化蒸着法によって
基体材料の表面に直接ダイヤモンド薄膜を成長させるよ
うにして、ダイヤモンド薄膜を基体材料の表面に形成し
ていた。
しかしながら、上記従来技術によれば、使用できる基体
材料が、Ｓｉ、５ｉＣＪｏｉ４ａ、Ｎｂ、Ｃ等に限定さ
れてしまい、他の多くの基体材料にダイヤモンド薄膜を
形成することができないと云う問題点がある他、ダイヤ
モンド薄膜が形成される基体材料の表面をダイヤモンド
ペーストによって研磨する等の前処理が必要であり、更
に、ダイヤモンド薄膜が粒子状に成長するため、ダイヤ
モンド薄膜の基体材料に対する付着強度やダイヤモンド
薄膜の表面粗度に解決すべき問題があった。
材料が、Ｓｉ、５ｉＣＪｏｉ４ａ、Ｎｂ、Ｃ等に限定さ
れてしまい、他の多くの基体材料にダイヤモンド薄膜を
形成することができないと云う問題点がある他、ダイヤ
モンド薄膜が形成される基体材料の表面をダイヤモンド
ペーストによって研磨する等の前処理が必要であり、更
に、ダイヤモンド薄膜が粒子状に成長するため、ダイヤ
モンド薄膜の基体材料に対する付着強度やダイヤモンド
薄膜の表面粗度に解決すべき問題があった。
本発明は、上述の事柄に留意してなされたもので、その
目的とするところは、多くの種類の基体材料の表面に、
研磨等の前処理を施さなくても強固かつ均一にダイヤモ
ンド薄膜を形成し得る方法を提供することにある。
目的とするところは、多くの種類の基体材料の表面に、
研磨等の前処理を施さなくても強固かつ均一にダイヤモ
ンド薄膜を形成し得る方法を提供することにある。
上述の目的を達成するため、本発明に係るダイヤモンド
薄膜の形成方法は、基体材料の表面にアモルファスカー
ボン膜を形成し、更に、該“ｒモルファスカーボン１模
の表面にダイヤモンド薄１１りを成長させるようにした
点に特徴がある。
薄膜の形成方法は、基体材料の表面にアモルファスカー
ボン膜を形成し、更に、該“ｒモルファスカーボン１模
の表面にダイヤモンド薄１１りを成長させるようにした
点に特徴がある。
以下、本発明の実施例を図面を参１１＜＋ Ｌながら説
明する。
明する。
第１図は本発明に係るダイＡ・モンド薄膜の形成方法を
説明するための図で、先ず、所定寸法に切断された基体
材料ｌを用意する（同図（八）参照）。
説明するための図で、先ず、所定寸法に切断された基体
材料ｌを用意する（同図（八）参照）。
この基体材料ｌの表面に、イオンブレーティング（イオ
ン化メッキ）法又はイオンビーｌ、スパッタ法により、
大気圧〜１０−’ｔｏｌｌの圧力下において、アモルフ
ァスカーボン薄膜２を形成する（同図（Ｂ）参照）、こ
のとき用いられる１１り材料はグラファイトである。又
、基体材料１の温度は室温〜１５０℃に保持される。こ
のようにして形成されるアモルファスカーボン膜２の膜
厚は０．０１〜１ミクロンである。
ン化メッキ）法又はイオンビーｌ、スパッタ法により、
大気圧〜１０−’ｔｏｌｌの圧力下において、アモルフ
ァスカーボン薄膜２を形成する（同図（Ｂ）参照）、こ
のとき用いられる１１り材料はグラファイトである。又
、基体材料１の温度は室温〜１５０℃に保持される。こ
のようにして形成されるアモルファスカーボン膜２の膜
厚は０．０１〜１ミクロンである。
尚、前記アモルファスカーボン膜２の形成方法として上
記方法の他、スパッタ法やＣＶＤ法があり、スパッタ法
の場合、膜材料や形成条件は前記イオンブレーティング
法等と同様であり、又、ＣＶＤ法の場合、膜材料として
はメタン、プロパン、ベンゼン等の炭化水素やエチルア
ルコール等の有機化合物を用い、前記と同様の条件下で
行う。
記方法の他、スパッタ法やＣＶＤ法があり、スパッタ法
の場合、膜材料や形成条件は前記イオンブレーティング
法等と同様であり、又、ＣＶＤ法の場合、膜材料として
はメタン、プロパン、ベンゼン等の炭化水素やエチルア
ルコール等の有機化合物を用い、前記と同様の条件下で
行う。
次いで、熱フィラメントＣＶＤ法やマイクロプラズマＣ
ＶＤ法等のＣＶＤ法やイオン化蒸着法により、大気圧〜
ｌｏ”ｔａｌｌの圧力下において、前記アモルファスカ
ーボン薄膜２の表面にダイヤモンド薄膜３を成長させる
ことによりダイヤモンド薄膜３を基体材料ｌに形成する
（同図（Ｃ）参照）、このとき用いられる膜材料はメタ
ン、プロパン、ベンゼン等の炭化水素やエチルアルコー
ル等の有機化合物である。又、基体材料ｌの温度は４０
０−１０００℃に保持される。このようにして形成され
るダイヤモンド薄膜３の膜厚は１〜２０ミクロンである
。
ＶＤ法等のＣＶＤ法やイオン化蒸着法により、大気圧〜
ｌｏ”ｔａｌｌの圧力下において、前記アモルファスカ
ーボン薄膜２の表面にダイヤモンド薄膜３を成長させる
ことによりダイヤモンド薄膜３を基体材料ｌに形成する
（同図（Ｃ）参照）、このとき用いられる膜材料はメタ
ン、プロパン、ベンゼン等の炭化水素やエチルアルコー
ル等の有機化合物である。又、基体材料ｌの温度は４０
０−１０００℃に保持される。このようにして形成され
るダイヤモンド薄膜３の膜厚は１〜２０ミクロンである
。
而して、上記イオンブレーティング法等によって形成さ
れたアモルファスカーボン薄膜２は、それが付着する下
地（この場合は、基体材料ｌ）に対する選択性がなく、
しかも下地に対する付着力が極めて大きいので、従来方
法では困難であったＦｅ。
れたアモルファスカーボン薄膜２は、それが付着する下
地（この場合は、基体材料ｌ）に対する選択性がなく、
しかも下地に対する付着力が極めて大きいので、従来方
法では困難であったＦｅ。
Ｎｉ、ステンレス、−〇の如き耐摩耗性に優れた基体材
料ｌに対してもアモルファスカーボン１Ｍ２を介してダ
イヤモンドｆｌｌ１３を形成することができるようにな
ったのである。
料ｌに対してもアモルファスカーボン１Ｍ２を介してダ
イヤモンドｆｌｌ１３を形成することができるようにな
ったのである。
そして、前記ダイヤモンド薄膜３はアモルファスカーボ
ン薄膜２上では膜状に成長し、アモルファスカーボン薄
膜２に対する付着力も大きいので、研磨等の前処理を施
さなくても所望のダイヤモンド薄膜３を多くの種類の基
体材料１に形成することができる。
ン薄膜２上では膜状に成長し、アモルファスカーボン薄
膜２に対する付着力も大きいので、研磨等の前処理を施
さなくても所望のダイヤモンド薄膜３を多くの種類の基
体材料１に形成することができる。
第２図はダイヤモンドＷｉＷｉがＳｉ基板の鏡面研磨面
上には全く成長しないことにより、ダイヤモンド薄膜を
選択成長させ得ることを示すもので、先ず、公知の方法
によって基体材料であるＳｉ基板４上に、フォトレジス
トより成るレジストパターン５を形成する（同図（Ａ）
参照）。
上には全く成長しないことにより、ダイヤモンド薄膜を
選択成長させ得ることを示すもので、先ず、公知の方法
によって基体材料であるＳｉ基板４上に、フォトレジス
トより成るレジストパターン５を形成する（同図（Ａ）
参照）。
次に、前記レジストパターン５上からイオンブレーティ
ング法又はイオンビームスパッタ法によって、Ｓｉ基板
４上にアモルファスカーボンＦｌ［ＦＩ６を形成する（
同図（Ｂ）参照）。
ング法又はイオンビームスパッタ法によって、Ｓｉ基板
４上にアモルファスカーボンＦｌ［ＦＩ６を形成する（
同図（Ｂ）参照）。
そして、薬品処理によってアモルファスカーボン薄膜６
より成るカーボンパターン７を形成する（同図（Ｃ）参
照）。
より成るカーボンパターン７を形成する（同図（Ｃ）参
照）。
最後に、ＣＶＤ法やイオン化蒸着法によってダイヤモン
ド薄膜８を前記カーボンパターン７上に成長させる（同
図（Ｄ）参照）。
ド薄膜８を前記カーボンパターン７上に成長させる（同
図（Ｄ）参照）。
以上説明したように、本発明に係るダイヤモンド薄膜の
形成方法は、基体材料の表面にアモルファスカーボン膜
を形成し、更に、該アモルファスカーボン膜の表面にダ
イヤモンド薄膜を成長させるようにしているので、多く
の種類の基体材料の表面に、研磨等の前処理を施さなく
ても強固かつ均一にダイヤモンド薄膜を形成することが
できる。
形成方法は、基体材料の表面にアモルファスカーボン膜
を形成し、更に、該アモルファスカーボン膜の表面にダ
イヤモンド薄膜を成長させるようにしているので、多く
の種類の基体材料の表面に、研磨等の前処理を施さなく
ても強固かつ均一にダイヤモンド薄膜を形成することが
できる。
第１図、第２図はそれぞれ本発明に係るダイヤモンド薄
膜の形成方法を説明するためのプロセス図である。 １．４・・・基体材料、２．６・・・アモルファスカー
ボン薄膜、３．８・・・ダイヤモンド薄膜。
膜の形成方法を説明するためのプロセス図である。 １．４・・・基体材料、２．６・・・アモルファスカー
ボン薄膜、３．８・・・ダイヤモンド薄膜。
Claims (1)
- 基体材料の表面にアモルファスカーボン膜を形成し、更
に、該アモルファスカーボン膜の表面にダイヤモンド薄
膜を成長させるようにしたことを特徴とするダイヤモン
ド薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8462786A JPH0723278B2 (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | ダイヤモンド薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8462786A JPH0723278B2 (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | ダイヤモンド薄膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62241898A true JPS62241898A (ja) | 1987-10-22 |
| JPH0723278B2 JPH0723278B2 (ja) | 1995-03-15 |
Family
ID=13835913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8462786A Expired - Fee Related JPH0723278B2 (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | ダイヤモンド薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0723278B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63102801A (ja) * | 1986-10-21 | 1988-05-07 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | ダイヤモンド工具部材 |
| JPH01157412A (ja) * | 1987-12-15 | 1989-06-20 | Nippon Soken Inc | ダイヤモンド膜付基板の製造方法 |
| JPH02263789A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-26 | Kanagawa Pref Gov | ダイヤモンド単結晶膜を有するシリコン基板とその製造方法 |
| US5075094A (en) * | 1990-04-30 | 1991-12-24 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method of growing diamond film on substrates |
| JP2003027214A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-01-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 非晶質炭素被膜と非晶質炭素被膜の製造方法および非晶質炭素被膜の被覆部材 |
-
1986
- 1986-04-11 JP JP8462786A patent/JPH0723278B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63102801A (ja) * | 1986-10-21 | 1988-05-07 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | ダイヤモンド工具部材 |
| JPH01157412A (ja) * | 1987-12-15 | 1989-06-20 | Nippon Soken Inc | ダイヤモンド膜付基板の製造方法 |
| JPH02263789A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-26 | Kanagawa Pref Gov | ダイヤモンド単結晶膜を有するシリコン基板とその製造方法 |
| US5075094A (en) * | 1990-04-30 | 1991-12-24 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method of growing diamond film on substrates |
| JP2003027214A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-01-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 非晶質炭素被膜と非晶質炭素被膜の製造方法および非晶質炭素被膜の被覆部材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0723278B2 (ja) | 1995-03-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |