JPH0352129B2

JPH0352129B2 -

Info

Publication number: JPH0352129B2
Application number: JP60260768A
Authority: JP
Inventors: Toshiaki Wada; Yoshiaki Katsuyama; Junichi Nakaoka
Original assignee: Sumitomo Special Metals Co Ltd
Current assignee: Proterial Ltd
Priority date: 1985-11-20
Filing date: 1985-11-20
Publication date: 1991-08-09
Also published as: DE3639682C2; JPS62120629A; US4808455A; DE3639682A1

Description

【発明の詳細な説明】利用産業分野この発明は、セラミツクス基板からなる磁気デ
イスクに係り、すぐれた表面粗度及び無孔・無歪
表面ガラス層を有するセラミツクス基板からなる
磁気デイスク並びにその製造方法に関する。

背景技術一般に、磁気デイスクとしては、次のような特
性が要求される。

(1) 0.3μｍ以下の低い磁気ヘツド浮上高さに伴な
い磁気ヘツドの安定な浮上と高密度記録特性の
安定性がすぐれていること、 (2) 基板表面に形成される磁性薄膜の欠陥がない
こと、 (3) 使用時の高速・回転に十分耐える機械的強度
を有し、かつ撓みの少ないこと、 (4) 耐食性、耐侯性、及び耐熱性にすぐれるこ
と。

従来、磁気デイスクに使用される基板には、ア
ルミニウム合金が使用されているが、アルミニウ
ム合金基板では、材料の結晶異方性、材料欠陥及
び材料中に存在する非金属介在物等のため、機械
加工や研摩加工において、非金属介在物が基板表
面に突起として残存したり、あるいは脱落して凹
みを生じ、十分な研摩を施しても精々200Å程度
の表面粗度しか得られず、突起や凹み、うねりの
ある表面状態では、高密度記録紙、低浮上高さの
実現が困難であり、高い信頼性を有する高密度磁
気記録用磁気デイスク用基板材としては十分でな
い。

すなわち、磁気デイスク基板表面形状、精度の
加工の良否が、そのまま、磁気デイスクの変位、
加速度成分、媒体の信号エラー等に影響する。

ところで、アルミニウム合金の基板の場合、金
属材料のため、ビツカース硬度も100Kg／mm²程度
（セラミツクの場合600Kg／mm²以上）であり、曲げ
強度も1000Kg／cm²（セラミツクの場合4000Kg／cm²
以上）であつて、高密度磁気記録となるに従つ
て、スクラツチ、疵、平坦度、うねりなどの形状
精度も厳しくなるため、加工は一層困難となつて
いる。

また、アルミニウム合金基板の場合、砥粒加工
の際に、砥粒が表面凹みに埋め込まれやすく、欠
陥となり、さらに、表面の耐食性、耐侯性を高め
て汚染を防ぐ上で、施削工程、ポリツシング工
程、保管の際、清浄度、防錆、汚れ等には十分な
配慮が必要となる。

アルミニウム合金基板の改善のため、その表面
に高硬度の膜を形成する方法が提案されており、
例えば、アルミニウム合金基板表面にアルマイト
層を形成して硬度を増加させ、研摩加工性を向上
させる方法が取られるが、アルマイト形成中にア
ルミニウム合金中の微量不純物（Fe、Mn、Si）
が金属間化合物として析出するため、アルマイト
処理後、上記化合物部分が凹みの発生要因となつ
ている。そのため、Ni、Ｐの下地めつき層を10
〜20μｍ、被着形成して、表面仕上する方法が実
施されている。

また、アルミニウム合金母材の高純度化を計る
ことは、製造工程上至難に近く、さらに、耐食
性、清浄度の面でも取り扱いが問題となる。

また、アルミニウム合金表面にスパツタリング
やメツキによつて薄膜磁性媒体を形成する場合、
該合金と磁性膜との化学反応や拡散の問題を生
じ、更に、磁性膜被着時の熱処理により、基板の
変形と共に基板回転時の面振れ、加速度が増加す
る問題がある。

一方、アルミニウム合金基板上に、SiO₂、
Al₂O₃等の酸化物をスパツタリングによつて形成
する方法も提案されているが、該合金基板とスパ
ツタ形成後の被膜との密着力が弱いという欠点や
生産性での問題点があつた。

今日、アルミナ系セラミツク材料が、アルミニ
ウム合金材料に比べて、耐熱性、耐摩耗性、耐侯
性、絶縁性、及び機械的強度のすぐれているた
め、各種分野の広範囲な用途に利用されている
が、磁気デイスク用基板としては、基板表面に薄
膜磁性媒体を形成する必要並びに、媒体の薄膜
化、高密度化に伴ない、アルミナ系セラミツク基
板表面の無孔化・無歪化を計ることが切望されて
いる。

一般に、セラミツク基板の製造方法として、単
結晶法、金型成形、ラバープレス、ドクターブレ
ード法等により成形後に焼結する方法、さらに高
密度化のため、ホツトプレス法、熱間静水圧プレ
ス法が知られているが、前者の単結晶化法では製
造コストが高い上に、大口径基板の製造が困難で
あり、また、後者のホツトプレスや熱間静水圧プ
レスにより高密度化された基板であつても、5μ
ｍ以下の微細孔が基板に存在するため、磁気デイ
スク用基板に使用することは、表面微細欠陥によ
るドロツプアウトの発生、ヘツドクラツシユ等の
信頼性を損う等の問題があつた。

また、一般に、磁気デイスク基板等に適用し得
る表面研摩法として、メカノケミカル研摩法は、
シリコン基板、GGG結晶、フエライト等の表面
物性を劣化させることなく精密表面に仕上げる方
法として公知であるが、微細孔の存在するセラミ
ツクス材料にこのメカノケミカル研摩法を適用す
る場合は、微細孔がセラミツクス表面に露出した
状態となり、薄膜媒体を被着する該基板材として
は不十分であり、また、アルミナ系セラミツク材
にメカノケミカル研摩法を適用すると、各材質あ
るいは結晶面での化学浸蝕速度が異なるため、微
細孔の露出と同時に結晶段差を生ずる問題があつ
た。

発明の目的この発明は、上述の問題点に鑑み、セラミツク
ス材料からなる磁気デイスクの欠点を解決し、す
ぐれた表面粗度を有し、かつ無孔で無歪みの表面
のセラミツクス系基板を有する磁気デイスクを目
的とし、さらに、かかる無孔・無歪表面のセラミ
ツクス系基板を有する磁気デイスクを容易にかつ
安価に得ることができる磁気デイスクの製造方法
を目的としている。

発明の構成この発明は、磁気デイスクに使用される基板と
して、要求される無孔・無歪ですぐれた表面粗度
を有するセラミツクス系該基板を目的に種々検討
した結果、アルミナ系セラミツク材料表面に、ガ
ラスコーテイングし、被着後に特定の条件のメカ
ノケミカル研摩を施し、すぐれた表面粗度でかつ
無孔・無歪のガラスコーテイング膜を設け、前記
ガラスコーテイング膜表面に磁性薄膜と保護膜を
被着することによつて、前述した磁気デイスクと
して要求される条件を満足したアルミナ系セラミ
ツク基板を有する磁気デイスクが得られることを
知見したものである。

すなわち、この発明は、 5μｍ以下の微細孔を有し、相対理論密度が90
％以上のアルミナ系セラミツク材料からなる基板
表面に、該基板との熱膨張係数差が２×10^-6／
deg以下、軟化点が400℃以上で、上表面粗度
（Rz）が180Å以下でかつ無孔無歪表面を有する
0.3μｍ〜200μｍ膜厚みのガラスコーテイング膜を
介して磁性薄膜及び保護膜を最外表面に有するこ
とを特徴とする磁気デイスクであり、また、この発明は、 5μｍ以下の微細孔を有し、相対理論密度が90
％以上のアルミナ系セラミツク材料からなる基板
表面に、該基板との熱膨張係数差が２×10^-6／
deg以下、軟化点が400℃以上の0.5μｍ〜220μｍ膜
厚みのガラスコーテイング膜を形成した後、該コ
ーテイング膜を、粒径0.1〜1.0μｍのSiO₂、MgO、
CeO₂またはAl₂O₃微粉のうち少なくとも１種を、 0.1wt％〜50wt％純水中に懸濁した懸濁液で、 0.05Kg／cm²〜２Kg／cm²の相対的ラツプ荷重で研
摩加工して、前記ガラスコーテイング膜を、その
上表面粗度（Rz）が180Å以下でかつ無孔無歪表
面を有する0.3μｍ〜200μｍ膜厚みにした後、ガラ
スコーテイング膜上面に磁性薄膜及び保護膜を被
着することを特徴とする磁気デイスクの製造方法
である。

この発明による磁気デイスクは、研摩後の基板
表面粗度がすぐれているため、0.3μｍ以下の浮上
高さにおける磁気ヘツドの安定な浮上と記録特性
の安定性が得られ、また、基板表面に形成される
磁性薄膜の欠陥がなく、さらに、使用時の高速・
回転に十分耐える機械的強度を有し、耐食性、耐
侯性、及び耐熱性にすぐれており、磁気デイスク
に要求される条件をすべて満足する。

発明の限定条件この発明において、基板のアルミナ系セラミツ
ク材は、Al₂O₃を主成分とし、その他に金属酸化
物を含有するもので、金型成形、押出成形、射出
成形、シート成形等により成型され、焼成処理さ
れて得られるものである。また、アルミナ系セラ
ミツク材料の微細孔大きさが5μｍを越えると、
材料表面にガラスコーテイングした際に、微細孔
部に気泡が発生してガラス膜精度が劣化するた
め、微細孔は5μｍ以下が望ましく、好ましくは
3μｍ以下にする必要がある。

さらに、アルミナ系セラミツク材料の相対理論
密度を90％以上としたのは、相対理論密度が90％
未満では、上記した微細孔の大きさが5μｍ以上
となりやすいためである。

ガラスコーテイング膜に用いるガラスには、基
板との熱膨張係数差が２×10^-6／deg以下、軟化
点が400℃以上を満足する、ソーダ石灰ガラス（Na₂O−CaO−SiO₂系）、鉛ガラス（PbO−SiO₂系）、バリウムガラス（BaO−Al₂O₃−SiO₂系）、ホウケイ酸ガラス（Na₂O−B₂O₃−SiO₂系）、アルミナケイ酸ガラス（Al₂O₃−SiO₂系）、リチヤアルミナケイ酸ガラス（Li₂O−Al₂O₃−
SiO₂系）等のケイ酸塩系ガラス、及び鉛ホウ酸ガラス（PbO−B₂O₃−SiO₂）、アルミナホウ酸ガラス（RO−Al₂O₃−B₂O₃）
等のホウ酸塩系ガラス、アルミナリン酸ガラス（R₂O−RO−Al₂O₃−
P₂O₃）、などを用いることができる。

この発明におけるガラスの軟化点を400℃以上
としたのは、400℃未満では熱膨脹係数が大きく
なりすぎて、基板のそれに合致せず、化学的に安
定性を欠き好ましくないためである。また、耐熱
性の点でも、400℃以上が好ましい。

このガラスコーテイング膜と前記基板との熱膨
張係数｛20℃〜歪点（ガラスの粘度約10^14.5ポイ
ズに相当する温度）｝の差は、その差が大きくな
ると相互応力が増し、そりや破壊等の問題が生じ
るため、両者の熱膨張係数の相対差が２×10^-6／
deg以下であることが必要であり、また、ガラス
コーテイング膜表面に圧縮応力が掛る方が好まし
いため、コーテイング膜材料の熱膨張係数が、該
基板材料の熱膨張係数より小さいほうが望まし
い。また、ガラスコーテイング膜と前記基板との
熱膨張係数（20℃〜歪点）は、同一傾向を有する
ものが最も好ましい。

ガラスコーテイング膜の厚みは、アルミナ基板
が表面に露出せず、均一にコーテイングされてい
ることが必要で、かつ研摩精度を考慮すると0.3μ
ｍ以上の膜厚みが必要であるが、200μｍを越え
ると、基板との熱膨張係数の差によつて生じる応
力が、基板内に大きな歪みをもたらす恐れがある
ため、0.3μｍ〜200μｍとする。

また、ガラスコーテイング膜表面粗度を180Å
以下としたのは、180Åを越えるとデイスクの特
性を劣化させるため好ましくない。好ましい表面
粗度の範囲は、50Å〜150Åである。

また、ガラスコーテイング膜の研摩加工前の被
着膜厚みを、0.5μｍ〜220μｍとしたのは、グレー
ジング法、スパツタ法、蒸着法、イオンプレーテ
イング法等による被着方法で、均一な膜厚みを得
て表面の研摩加工を可能ならしめるのに必要な膜
厚みであり、さらに熱膨張係数差に起因して基板
内に歪が発生するのを防止するためである。

ガラスコーテイング膜の研摩加工方法の条件
は、粒径0.1〜1.0μｍのSiO₂、MgO、CeO₂または
Al₂O₃微粉のうち少なくとも１種を、0.1wt％〜
50wt％純水中に懸濁した懸濁液で、0.05Kg／cm²〜
２Kg／cm²の相対的ラツプ荷重で研摩加工するが、
粒径が1.0μｍを越えるとコーテイング膜表面に疵
が発生し、表面粗度が劣化するため好ましくな
く、また粒径0.1μｍ未満では研摩能率の低下と共
に磁気デイスクとして有効な平坦度が得られな
い。また、懸濁液の該微粉末含有量が0.1wt％未
満であると研摩効果が少なく、50wt％を越える
と微粉末による粘性の増加にともない、研摩抵抗
が増加するため、0.1wt％〜50wt％とする。

また、純水には、有機汚濁物や浮遊物を含まな
い水で、イオン交換水や蒸溜水がよく、ラツプ盤
には、Sn、はんだ合金、Pb等の軟質金属あるい
は硬質クロス等が適しており、ラツプ荷重は、
0.05Kg／cm²未満では所要の表面粗度が得られず、
かつ加工能率が悪く、また、２Kg／cm²を越える
と、加工能率の点では望ましいが、研摩精度が劣
化するため、0.05Kg／cm²〜２Kg／cm²の相対的ラツ
プ荷重とする。

この発明において、特定の熱膨脹係数差、軟化
点、表面粗度を有し、かつ無効無歪表面のガラス
コーテイング膜面に被着する磁性薄膜あるいは下
地膜として、γ−Fe₂O₃、Co−Cr、Cr−Ni、Co
−Ｐ、Ba−フエライト、Cr、Fe−Ni等が使用さ
れる。

さらに、保護膜としては、SiO₂、Ｃ、Si₃N₄、
Al₂O₃膜等が、スパツタ法、スピンコート法で形
成される。また、グロー放電重合法による保護膜
も使用されるが、磁性薄膜との密着性が小さく、
剥離しやすい。薄膜形成方法には、一般的に、ス
パツタ法が適用され、下地膜、磁性薄膜、保護膜
を連続して形成する。

好ましい実施態様この発明におけるアルミナ系セラミツク材料の
組成は、スパツター法によりガラスコーテイング
膜を形成する場合には、Al₂O₃、Al₂O₃−TiC系、
Al₂O₃−TiO₂系、Al₂O₃−Fe₂O₃−TiC系等、
Al₂O₃を主成分とし、そのほかに金属酸化物を含
有するアルミナ系セラミツクス材が好ましく、ま
た、グレージング法によりガラスコーテイング膜
を形成する場合には、Al₂O₃、Al₂O₃−TiO₂系
等、Al₂O₃を主成分とし、そのほかに金属酸化物
を含有するアルミナ系セラミツクス材が好まし
く、金型成形、ラバープレス、ドクターブレード
法等により成形され、さらに熱間成形法（HP
法）、熱間静水圧プレス法（HIP）にて焼結処理
して得られるものが好ましい。また、該組成に
MgO、NiO、Cr₂O₃等の公知の粒成長抑制剤やそ
の他の焼結助剤を含有させることができる。

また、アルミナ系セラミツク基板材の平均結晶
粒径は、5μｍ以下が好ましく、理論密度90％以
上の一般市販規格品を用いることができる。

この発明において、アルミナ系セラミツク基板
へのガラスコーテイング膜は、グレージング法、
スパツタ法、蒸着法、イオンプレーテイング法等
の被着方法で、均一な膜厚みを得て表面の研摩加
工を可能ならしめるが、コーテイング膜の形成に
際し、SiO₂膜を先に形成したのち、所要のガラ
スコーテイングを行なうと、基板とコーテイング
ガラスとの濡れ性を改善することができる。

また、スパツタ用ガラスとしては、前述した
種々のガラスのうち軟化点が500℃以上の高融点
ガラスが、ターゲツト強度が高くなり、ターゲツ
トへの負荷電圧を高くできるため好ましく、グレ
ージング用ガラスとしては、軟化点が400℃〜750
℃のガラスが好ましく、400℃未満では熱膨脹係
数が大きくなりすぎて、基板の熱膨脹係数に合致
せず、化学的に安定性を欠き好ましくなく、ま
た、750℃を越えると、熱処理温度が高くなりす
ぎるため好ましくない。

また、この発明のガラスコーテイング膜の厚み
は、用途や使用する材質等に応じて種々選定され
るが、基板への被着方法としてグレージング法を
用いた場合は、膜厚みが10μｍ未満では、均一な
コーテイング膜とすることが困難であり、前述し
た条件のメカノケミカル研摩によつて所要の表面
粗度及び無孔化無歪化が得られず、また、220μ
ｍを越えると、基板との熱膨張係数差により生じ
る応力によつて基板内に大きな歪を発生させる恐
れがあり、さらに、コーテイング膜厚精度が悪く
なるため、膜厚みは10μｍ〜220μｍとする必要が
ある。

スパツタ法の場合は、膜厚みが0.5μｍ未満で
は、均一なコーテイング膜とすることが困難であ
り、前述した条件のメカノケミカル研摩によつて
所要の表面粗度及び無孔化無歪化が得られず、ま
た、220μｍを越えると、基板との熱膨張係数差
により生じる応力によつて基板内に大きな歪を発
生させる恐れがあるため、膜厚みは0.5μｍ〜220μ
ｍとする必要があり、さらに、膜形成速度の点か
ら、好ましくは15μｍ〜25μｍ厚みである。

また、コーテイング膜のメカノケミカル研摩後
の厚みは、研摩精度を考慮して、被着方法がグレ
ージング法の場合は、3μｍ〜200μｍであり、ス
パツタ法の場合は、0.3μｍ〜200μｍであり、さら
に好ましくは10μｍ〜20μｍである。

ガラスコーテイング膜上に被着する下地膜、磁
性薄膜、保護膜の厚みは、Co−Ni薄膜の場合、
下地膜としてCr層を1000〜4000Å、Co−Ni膜を
400〜1000Å、保護膜は200〜800Å形成される。
γ−Fe₂O₃の場合は、磁性薄膜は500〜2000Å形
成される。Ba−フエライトの場合は、磁性薄膜
は500〜4000Å形成される。

発明の効果この発明による磁気デイスクは、基板表面粗度
がすぐれているため、0.3μｍ以下の浮上高さにお
ける磁気ヘツドの安定な浮上と記録特性の安定性
が得られ、また、基板表面に形成される磁性薄膜
の欠陥がなく、さらに、使用時の高速・回転に十
分耐える機械的強度を有し、耐食性、耐侯性、及
び耐熱性にすぐれており、磁気デイスクに要求さ
れる条件のすべてを満足する。

また、この発明の磁気デイスクを、両面記録用
磁気デイスクに用いる場合は、アルミナ系基板両
面にガラスコーテイング膜を形成し、両面を同時
にメカノケミカル研摩加工することにより、両面
のガラス薄膜中の内部応力は相殺され、平坦度が
すぐれ、かつ表面粗度並びに無孔化無歪化のすぐ
れた基板が得られる。

所定のガラスコーテイング膜を被着したアルミ
ナ系セラミツク基板の最外表面に磁性薄膜を有す
るこの発明の磁気デイスクは、前記基板の研摩加
工での形状精度の管理が従来と比較して容易であ
り、さらに、基板自体の耐食性、耐侯性に特別配
慮する必要がなく、表面の汚染も、ガラスコーテ
イングをスパツタで行なう際に、スパツタクリー
ニングによつて清浄化することができる利点があ
る。

また、従来のアルミニウム合金基板を有する磁
気デイスクは、合金基板を施削加工した際に、表
面に加工変質層残存するのに対して、この発明に
よるアルミナ系セラミツク基板を有する磁気デイ
スクの場合は、該基板がメカノケミカル研摩仕上
げによつて、その表面にバルクでの応力歪が生じ
ることがなく、セラミツク基板に被着される磁性
薄膜への歪みの転写が生じない利点がある。

上述したように、この発明の磁気デイスク用基
板を用いることにより、信頼性が著しく向上した
高密度磁気デイスク記録媒体を製作することがで
き、また、レーザー光を用いて記録再生を行なう
光磁気記録においても、従来のアルミ合金基板を
有する磁気デイスクに比べて、耐熱性にすぐれて
いる。

実施例実施例１基板には、組成がAl₂O₃96％で、圧縮成形後、
HIP処理を施し、5μｍ以下の微細孔を有し、平均
結晶粒径が4.0μｍで、相対理論密度が97％で、熱
膨張係数が72×10^-7／deg、寸法130mmφ×２mmの
厚みのアルミナ系セラミツク基板を用いた。

つぎに、上記のアルミナ系セラミツク基板の表
面を精密ラツプ法により表面粗度1μｍ以下に精
密研摩したのち、前記基板の表面に、熱膨張係数
（20℃〜歪点）が65×10^-7／deg、軟化点590℃、
平均粉末粒径が300メツシユスルーのPbO₂−SiO₂
−B₂O₃系ガラスをペースト状にして、100μｍ厚
み、回転数800rpmでスピンコーテイングし、空
気中、1050℃、４時間保持する条件でガラスコー
テイングした。

コーテイング時の昇温速度は300℃／hr、冷却
速度はガラス歪点までは300℃／hrであり、歪点
にて１時間保持し歪取りを行なつてから徐冷し
た。このときのガラスコーテイング膜の膜厚みは
60μｍで気泡は見られなかつた。

次に、形成されたガラスコーテイング膜を、粒
径0.3μｍのCeO₂微粉末を、純水中に20wt％懸濁
した懸濁液で、ラツプ盤にSn盤を用い、0.5Kg／
cm²の相対的ラツプ荷重で研摩加工し、表面粗度を
160Åに仕上げた。この際の研摩代は20μｍで平
坦度は1μｍであつた。

接触針径0.1μｍＲの薄膜段差測定器
（Talystep）により、上記の研摩後のコーテイン
グ膜の表面状況を測定し、その結果を第１図Ａに
示す。また、同様に、コーテイング前の基板の表
面状況を測定し、その結果を第１図Ｂに示す。

第１図より、アルミナ系セラミツク基板表面の
微細孔は、コーテイング膜の研摩により表面の無
孔化が得られており、表面粗度160Åに仕上げら
れたことが明らかである。

また、ガラスコーテイング膜と基板との付着力
を判定する方法として、硬度計を用い、荷重を50
ｇから1000ｇまで順次増大させて、ガラスコーテ
イング膜の剥離の有無を判定基準として測定した
ところ、1000ｇまで剥離はなく、強固な付着力を
示した。

次に、基板に上記のガラスコーテイング膜を形
成したのち、該コーテイング膜上に、下地膜、磁
性薄膜及び保護膜を、RFマグネトロンスパツタ
装置（ターゲツト寸法355mmφ）を用いて、以下
の方法で被着形成した。

基板を真空容器内に装入し、10^-7torr台まで真
空排気したのち、Arガスを導入し、圧力を５×10^-3torrに調整した。

基板は絶縁体であるため、RFスパツタエツチ
を実施し、基板表面を清浄化し、さらに、Co−
Ni磁性膜を被着するに際して、磁性薄膜ののエ
ピタキシヤル成長を促進し、保磁力HCを向上さ
せる目的で、Cr下地膜を2500Å厚みで被着形成
した後、連続して、下地膜上に、Co−Ni膜を500
Å厚みで被着形成し、さらに、保護膜として、Ｃ
を500Å厚みで被着形成し、この発明による磁気
デイスクを作成した。モジユレーシヨンを良好に
するため、基板を固定し、連続して上記３薄膜を
形成した。

得られたこの発明による磁気デイスクは、めつ
き媒体と異なり、突起物がないため、バニシング
の必要はなかつた。また、磁気特性は、V.S.M
（振動試料式磁力計）によつて測定したところ、
保磁力HCが7500e、角型比0.8であつた。なお、
保磁力の値は、Co−Niの組成比、膜厚、Cr下地
膜厚を適宜選定することにより、300〜1200Oeま
で調整することができる。

またサーテイフアイヤーを用いたモジユレーシ
ヨンは、±５％以内であつた。薄膜ヘツドを用い
た浮上性は、スペーシング0.15μｍに減少させて
も問題はなく、耐C.S.S（コンタクト・スタート・
ストツプ・テスト）性に関しても、30000回以上
の寿命を確認した。

磁気デイスクは、一般に、3600rpmという高速
回転で使用され、アルミ合金は延性材料である
が、この発明によるセラミツクデイスクの場合、
クラツクの伸展による脆性破壊が予想されるた
め、10000rpmなる実用条件の３倍程度の超高速
回転で磁気デイスクの機械的動的精度試験を行な
つたところ、破損はなかつた。

つぎに、磁気デイスク基板表面の垂直方向の変
位、加速度を、1000枚の磁気デイスクで測定した
ところ、最外周で変位5μｍ以下、加速度５ｍ／sec²以下であつた。これをオシロ
スコープで観測した結果のオシロスコープ写真を
第２図Ａ図に示す。なお、測定には、静電容量型
センサー（センサー径1.7mmφ、ADE社製）と測
定器（3132A型、ADE社製）を使用した。

比較のため、アルミ合金基板を使用した従来磁
気デイスクの変位及び加速度を同様に測定し、オ
シロスコープ写真を第２図Ｂ図に示す。

第２図から明らかなように、この発明による磁
気デイスクは、従来のアルミ合金基板の磁気デイ
スクに比べ、ヘツドクラツシユの恐れがなく、
0.3μｍ以下の低浮上型スライダーにも対応でき、
さらには、応力変形に耐え得る高ヤング率を有
し、かつNi−Ｐめつきよりも硬度が高く、今後
さらに進展する高密度記録に対して、高い信頼性
で対応できる磁気デイスクであることがわかる。

実施例２基板には、組成Al₂O₃65wt％、残部TiO₂から
なり、成形後、ホツトプレス処理を施し、3μｍ
以下の微細孔を有し、平均粒経4μｍ、相対理論
密度が99％で、熱膨張係数（20℃〜ガラス歪点）
が78×10^-7／deg、寸法90mmφ×1.5mm厚みの
Al₂O₃−TiO₂系セラミツク基板を用いた。

つぎに、上記の基板表面を精密ラツプ法により
表面粗度200Å以下に精密研摩した後、前記基板
上に、熱膨張係数（20℃〜ガラス歪点）が65×
10^-7／deg、軟化点850℃、歪点670℃のCao−
BaO−SiO₂系ガラスからなる寸法直径350mm×厚
み６mmのターゲツト板を用い、高周波スパツタ装
置により、スパツタアルゴン圧１×10^-5mbarに
到達排気後に、正スパツタの投入パワー5kW、
基板側への負のバイアス（−50V）を印加して、
スパツタリングを行ない、前記基板に20μｍ厚み
のガラスコーテイングを施した。

次に、該コーテイング膜を、粒径0.5μｍのSiO₂
微粉末を、純水中に20wt％懸濁した懸濁液で、
ラツプ盤に硬質クロスを用い、１Kg／cm²の相対的
ラツプ荷重で研摩加工し、表面粗度を140Åに仕
上げた。この際の研摩代は10μｍで平坦度は1μｍ
であつた。

接触針径0.1μｍＲの薄膜段差測定器
（Talystep）により、上記の研摩後のコーテイン
グ膜の表面状況及びコーテイング前の基板の表面
状況を測定したところ、第１図と同様の結果を得
た。

また、実施例１と同様の下地膜、磁性薄膜及び
保護膜を形成したところ、同一の特が得られた。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ図とＢ図は、実施例において、薄膜段
差測定器（Talystep）により、基板表面に被着
して研摩後のコーテイング膜の表面状況と、コー
テイング前の基板の表面状況を示すグラフであ
る。第２図Ａ図とＢ図は、実施例において、磁気
テイスク基板表面の垂直方向の変位、加速度をオ
シログラフで観察した際のオシロスコープ写真で
あり、Ａ図はこの発明磁気デイスクの場合であ
り、Ｂ図は従来磁気デイスクの場合である。

Claims

【特許請求の範囲】１ 5μｍ以下の微細孔を有し、相対理論密度が
90％以上のアルミナ系セラミツク材料からなる基
板表面に、該基板との熱膨張係数差が２×10^-6／
deg以下、軟化点が400℃以上で、上表面粗度
（Rz）が180Å以下でかつ無孔無歪表面を有する
0.3μｍ〜200μｍ膜厚みのガラスコーテイング膜を
介して磁性薄膜及び保護膜を最外表面に有するこ
とを特徴とする磁気デイスク。２ 5μｍ以下の微細孔を有し、相対理論密度が
90％以上のアルミナ系セラミツク材料からなる基
板表面に、該基板との熱膨張係数差が２×10^-6／
deg以下、軟化点が400℃以上の0.5μｍ〜220μｍ膜
厚みのガラスコーテイング膜を形成した後、該コ
ーテイング膜を、粒径0.1〜1.0μｍのSiO₂、MgO、
CeO₂またはAl₂O₃微粉のうち少なくとも１種を、
0.1wt％〜50wt％純水中に懸濁した懸濁液で、
0.05Kg／cm²〜２Kg／cm²の相対的ラツプ荷重で研摩
加工して、前記ガラスコーテイング膜を、その上
表面粗度（Rz）が180Å以下でかつ無孔無歪表面
を有する0.3μｍ〜200μｍ膜厚みにした後、ガラス
コーテイング膜上面に磁性薄膜及び保護膜を被着
することを特徴とする磁気デイスクの製造方法。