JPS60138730A - 磁気デイスク用基板 - Google Patents
磁気デイスク用基板Info
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- JPS60138730A JPS60138730A JP58245826A JP24582683A JPS60138730A JP S60138730 A JPS60138730 A JP S60138730A JP 58245826 A JP58245826 A JP 58245826A JP 24582683 A JP24582683 A JP 24582683A JP S60138730 A JPS60138730 A JP S60138730A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセラミック基板を磁気ディスクの支持体とした
磁気ディスク用基板に関する。
磁気ディスク用基板に関する。
磁気ディスク装置はコンピュータの情報処理システムの
中で情報記憶の中心的な役割を果しているが、近時、こ
の磁気記録は高密度化及び大容量化の傾向にあるため、
スパッタリングなどの薄膜技術を利用して磁気記録媒体
の薄層化及び高面精度化をおこない、その要求に答えよ
うとしている。
中で情報記憶の中心的な役割を果しているが、近時、こ
の磁気記録は高密度化及び大容量化の傾向にあるため、
スパッタリングなどの薄膜技術を利用して磁気記録媒体
の薄層化及び高面精度化をおこない、その要求に答えよ
うとしている。
かかる磁気記録媒体が形成される基板には、アルミニウ
ム合金が使用され、その表面を酸化して得へれたアルマ
イト層が２μ位の厚みで被覆されており、このアルマイ
ト層によって基板表面の硬度が大きくなっているが、こ
の硬質アルマイト層の厚みが小さく、且つアルミニウム
合金とアルマイトの熱膨張係数が異なっているため、基
板温度が上昇するに伴い、基板に歪みが発生し易かった
。
ム合金が使用され、その表面を酸化して得へれたアルマ
イト層が２μ位の厚みで被覆されており、このアルマイ
ト層によって基板表面の硬度が大きくなっているが、こ
の硬質アルマイト層の厚みが小さく、且つアルミニウム
合金とアルマイトの熱膨張係数が異なっているため、基
板温度が上昇するに伴い、基板に歪みが発生し易かった
。
即ち、スパッタリングによって基板上に磁気記録媒体を
形成する際には、スパッタ粒子や電子が基板上ｔこ衝突
するため、その衝突エネルギによって基板温度が上昇し
、更に、γ−Ｆｅ２０ａから成る磁気記録媒体の場合で
は、通常、３００℃以上に加熱処理することが行われて
おり、かように基板が被る温度上昇に伴って、アルミニ
ウム基板に歪みがＪＩＬ易＜なり、これにより、このア
ルミニウム基板に磁気記録媒体を形成して高密度磁気記
録に用いた場合、正確な書き込みや読み取りが出来にく
いという問題があった。
形成する際には、スパッタ粒子や電子が基板上ｔこ衝突
するため、その衝突エネルギによって基板温度が上昇し
、更に、γ−Ｆｅ２０ａから成る磁気記録媒体の場合で
は、通常、３００℃以上に加熱処理することが行われて
おり、かように基板が被る温度上昇に伴って、アルミニ
ウム基板に歪みがＪＩＬ易＜なり、これにより、このア
ルミニウム基板に磁気記録媒体を形成して高密度磁気記
録に用いた場合、正確な書き込みや読み取りが出来にく
いという問題があった。
更に、磁気ディスク装置は、同一の回転軸に複数の磁気
ディスクを配置して１０００〜３０００ ｒｐｍ位まで
の高速回転をさせて、読み取り及び書き込みのデータ処
理をおこなっており、この磁気ディスク用基板がアルミ
ニウム合金から形成されていると、基板自体が遠心力に
よって伸び易くなり、これによっても、高密度磁気記録
に適した正確な書き込み及び読み取りが出来ず、このよ
うな書き込み誤差や読み取り誤差の解決が望まれていた
。
ディスクを配置して１０００〜３０００ ｒｐｍ位まで
の高速回転をさせて、読み取り及び書き込みのデータ処
理をおこなっており、この磁気ディスク用基板がアルミ
ニウム合金から形成されていると、基板自体が遠心力に
よって伸び易くなり、これによっても、高密度磁気記録
に適した正確な書き込み及び読み取りが出来ず、このよ
うな書き込み誤差や読み取り誤差の解決が望まれていた
。
その上、アルミニウム合金製磁気ディスク用基板には、
通常、表面がアルマイト処理がされていても、その基板
表面の片面全面に亘って２〜３μのボイドが１００個以
上もあるため、高密度記録用磁気ディスク装置にとって
は、このボイド欠陥に起因して正確な書き込み及び読み
取りが出来ないという問題もあり、ボイド欠陥の少ない
磁気ディスク用基板材料が望まれていた。
通常、表面がアルマイト処理がされていても、その基板
表面の片面全面に亘って２〜３μのボイドが１００個以
上もあるため、高密度記録用磁気ディスク装置にとって
は、このボイド欠陥に起因して正確な書き込み及び読み
取りが出来ないという問題もあり、ボイド欠陥の少ない
磁気ディスク用基板材料が望まれていた。
本発明は、上述の難点をすべて解消するために完成され
たものであり、その目的はスパッタリングや熱処理に対
して基板に何ら歪みが発生せず、且つ基板に加わる遠心
力に対して基板自体の伸びが全（生じることもなく、更
に、基板表面にボイド欠陥の少ない材料を用いることに
より、高密度磁気記録に相応しい書き込みや読み取りが
できる磁気ディスク用基板を提供することにある。
たものであり、その目的はスパッタリングや熱処理に対
して基板に何ら歪みが発生せず、且つ基板に加わる遠心
力に対して基板自体の伸びが全（生じることもなく、更
に、基板表面にボイド欠陥の少ない材料を用いることに
より、高密度磁気記録に相応しい書き込みや読み取りが
できる磁気ディスク用基板を提供することにある。
本発明によれば、セラミック基板を支持体とし、磁気記
録媒体が被着される面ｔこグレーズ層が形成されている
ことを特徴とする磁気ディスク用基板が提供される。
録媒体が被着される面ｔこグレーズ層が形成されている
ことを特徴とする磁気ディスク用基板が提供される。
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明に係る典型的・な磁気ディスク用基板１
を示す斜視図であり、第２図はこの磁気ディスク用基板
１の要部断面図であり、セラミック基板２の両面にガラ
スを被覆してグレーズ層３が形成されていることを示す
。
を示す斜視図であり、第２図はこの磁気ディスク用基板
１の要部断面図であり、セラミック基板２の両面にガラ
スを被覆してグレーズ層３が形成されていることを示す
。
本発明者等は、ボイド欠陥の比較的少ないガラス材料を
磁気記録媒体の被着面に用いることにより、アルミニウ
ム合金製基板に発生したボイド欠陥が解決されることを
見い出した。そして、第１図及び第２図のように、この
ガラス材料がグレーズ層３として被覆される支持体にセ
ラミック基板２を用いて、そのセラミック基板２の両面
にグレーズ層３を形成して積層体とした。仁れによれば
、セラミック基板２はアルミニウム合金などの金属に比
べて著しく弾性率が小さいため、セラミック基板２とグ
レーズ層３から成る積層体を３０００ ｒｐｍの高速回
転にしても基板自体が被る遠心力によって基板に全く伸
びが生じることもなかった。
磁気記録媒体の被着面に用いることにより、アルミニウ
ム合金製基板に発生したボイド欠陥が解決されることを
見い出した。そして、第１図及び第２図のように、この
ガラス材料がグレーズ層３として被覆される支持体にセ
ラミック基板２を用いて、そのセラミック基板２の両面
にグレーズ層３を形成して積層体とした。仁れによれば
、セラミック基板２はアルミニウム合金などの金属に比
べて著しく弾性率が小さいため、セラミック基板２とグ
レーズ層３から成る積層体を３０００ ｒｐｍの高速回
転にしても基板自体が被る遠心力によって基板に全く伸
びが生じることもなかった。
更に、このセラミック基板２及びグレーズ層３について
は、両者の熱膨張係数が５００℃位までに至って、実質
上、歪みが生じない範囲でそれぞれの材質が選択され、
そのために、熱膨張係数がほとんど同じとするのがよい
。このセラミック基板２の具体的な材質として、アルミ
ナ、ジルコニア、チタン酸バリウムなど周知の酸化物系
セラミック材料が用いられ、いずれについても、単結晶
、多結晶、非晶質などから選択される。
は、両者の熱膨張係数が５００℃位までに至って、実質
上、歪みが生じない範囲でそれぞれの材質が選択され、
そのために、熱膨張係数がほとんど同じとするのがよい
。このセラミック基板２の具体的な材質として、アルミ
ナ、ジルコニア、チタン酸バリウムなど周知の酸化物系
セラミック材料が用いられ、いずれについても、単結晶
、多結晶、非晶質などから選択される。
このうち、多結晶から成るセラミック基板２については
、製造コストの面で最も安価に製作できるが、この多結
晶体の平均結晶粒径を１００μ以下にすることが重要で
あり、平均結晶粒径が１００μを越えたセラミック基板
２にグレーズ層３を形成すると、この多結晶体の材質と
は無関係に、グレーズ層３中にピンホールや気胞が発生
し易くなることが、本発明者等の種々の実験ｔこよって
寿判明しており、この平均結晶粒径の最適条件は６０μ
以下とするのがよい。
、製造コストの面で最も安価に製作できるが、この多結
晶体の平均結晶粒径を１００μ以下にすることが重要で
あり、平均結晶粒径が１００μを越えたセラミック基板
２にグレーズ層３を形成すると、この多結晶体の材質と
は無関係に、グレーズ層３中にピンホールや気胞が発生
し易くなることが、本発明者等の種々の実験ｔこよって
寿判明しており、この平均結晶粒径の最適条件は６０μ
以下とするのがよい。
更に、このグレーズ層３の厚ろは１５０μ以下がよく、
１５０μを越えると、グレーズ層３を形成するに際し、
ガラス自体に気胞などの欠陥が発生し易くなると共に、
均一「こガラスをコートスルことができないということ
も判った。
１５０μを越えると、グレーズ層３を形成するに際し、
ガラス自体に気胞などの欠陥が発生し易くなると共に、
均一「こガラスをコートスルことができないということ
も判った。
本発明の磁気ディスク用基板工によれば、磁気記録媒体
がグレーズ層３上ｔこ被着される前処理として、グレー
ズ層３の表面を所望の表面粗さにまで研摩することがで
き、そこで、本発明者等の実験によって確かめたところ
、中心線平均粗さくＲａ）でｏ、ｏｉμの表面粗さにま
で達成できることを知得した。これにより、スパッタリ
ングなどによって形成された磁気記録媒体が著しく薄く
なっても、基板表面の表面粗さに起因して記録媒体の表
面に凹凸がほとんど発生せず、高密度磁気記録に向く磁
気ディスク用基板となることが判った。
がグレーズ層３上ｔこ被着される前処理として、グレー
ズ層３の表面を所望の表面粗さにまで研摩することがで
き、そこで、本発明者等の実験によって確かめたところ
、中心線平均粗さくＲａ）でｏ、ｏｉμの表面粗さにま
で達成できることを知得した。これにより、スパッタリ
ングなどによって形成された磁気記録媒体が著しく薄く
なっても、基板表面の表面粗さに起因して記録媒体の表
面に凹凸がほとんど発生せず、高密度磁気記録に向く磁
気ディスク用基板となることが判った。
まだ、本発明の磁気ディスク用基板については、セラミ
ック基板２とグレーズ層３の間に、これらと熱膨張係数
が近似している範囲内で材料を選択しながら、高密度磁
気記録に効果的な介在層を設けてもよい。
ック基板２とグレーズ層３の間に、これらと熱膨張係数
が近似している範囲内で材料を選択しながら、高密度磁
気記録に効果的な介在層を設けてもよい。
かくして、本発明の磁気ディスク用基板では、磁気記録
媒体が被着される素地にガラス材料を使うことによって
、７／Ｌ／ミニウム合金製基板に比べてボイド欠陥を著
しく低減させ、加えて、セラミック基板を磁気ディスク
の支持体ｔこ使うと、磁気グイスフが高速回転してディ
スク自体に遠心力が加わっても、伸びが生じることもな
く、且つ、磁気記録媒体が形成されるに際して基板温度
が上昇しても歪みがな（、その結果、正確な書き込みや
読み取りができる高密度記録用の磁気ディスク用基板が
提供できることになった。
媒体が被着される素地にガラス材料を使うことによって
、７／Ｌ／ミニウム合金製基板に比べてボイド欠陥を著
しく低減させ、加えて、セラミック基板を磁気ディスク
の支持体ｔこ使うと、磁気グイスフが高速回転してディ
スク自体に遠心力が加わっても、伸びが生じることもな
く、且つ、磁気記録媒体が形成されるに際して基板温度
が上昇しても歪みがな（、その結果、正確な書き込みや
読み取りができる高密度記録用の磁気ディスク用基板が
提供できることになった。
更に、磁気ディスク用基板の支持体に多結晶体のセラミ
ック基板を用いることｔこついては、その平均結晶粒径
を１００μ以下にすれば、良質なグレーズ層が形成され
ることも判った。
ック基板を用いることｔこついては、その平均結晶粒径
を１００μ以下にすれば、良質なグレーズ層が形成され
ることも判った。
次に、本発明の実施例を述べる。
〔実施例１〕
アルミナ粉末を母材ｔこし、シリカ等の周知の焼結助剤
を加えてプレス成型し、１６００〜１８００℃で焼成す
ることにより、外径２１０ＩＩｍ、内径１００ｆｆの大
きさの中空状円板で、厚み１．８５ ａｌｌの多結晶ア
ルミナ基板を作り、この製作に際して原料粒子径、成分
組成及び焼成条件など種々の条件を変えることによって
、第１表に示す通り、平均結晶粒径の異なったアルミナ
基板を９種類製作した。次いで、それぞれのアルミナ基
板をダイヤモンド砥石で表面粗さ７８以下になるまで研
摩し、その後、これらの基板の両面にＳｉＯ２を主成分
とするガラス粉末を被覆し、１３５０℃でガラス溶融し
、８０μの厚みにグレーズした。そして、このグレーズ
層の表面を研摩し、中心線平均粗さく Ｒａ ） ０．
０１μの磁気ディスク用基板とした。
を加えてプレス成型し、１６００〜１８００℃で焼成す
ることにより、外径２１０ＩＩｍ、内径１００ｆｆの大
きさの中空状円板で、厚み１．８５ ａｌｌの多結晶ア
ルミナ基板を作り、この製作に際して原料粒子径、成分
組成及び焼成条件など種々の条件を変えることによって
、第１表に示す通り、平均結晶粒径の異なったアルミナ
基板を９種類製作した。次いで、それぞれのアルミナ基
板をダイヤモンド砥石で表面粗さ７８以下になるまで研
摩し、その後、これらの基板の両面にＳｉＯ２を主成分
とするガラス粉末を被覆し、１３５０℃でガラス溶融し
、８０μの厚みにグレーズした。そして、このグレーズ
層の表面を研摩し、中心線平均粗さく Ｒａ ） ０．
０１μの磁気ディスク用基板とした。
尚、このグレーズ層は５０％以上の８１０２を含有する
ケイ酸塩ガラスであり、上記アルミナ基板と熱膨張係数
ができるだけ近づくように成分が調整されている。
ケイ酸塩ガラスであり、上記アルミナ基板と熱膨張係数
ができるだけ近づくように成分が調整されている。
かくして得られた磁気ディスク用基板について、それぞ
れの両面のグレーズ層に発生したピンホールや気胞など
の欠陥数を測定したところ、第１表に示す結果となった
。
れの両面のグレーズ層に発生したピンホールや気胞など
の欠陥数を測定したところ、第１表に示す結果となった
。
第１表
Φ印のものは本発明の範囲外である。
第１表によれば、平均結晶粒径が大きくなるに伴って、
ピンホールや気胞などの欠陥の数が多くなることは明ら
かであり、後述の通り、欠陥数がせいぜい３００ぐらい
までであれば、高密度磁気記録に支障がない許容範囲で
あることを本発明者等は、実験上、確認しており、そこ
で、基板番号ｌ乃至６のように、平均結晶粒径を１００
μ以下に設定するのがよく、特に、基板番号ｌ乃至４で
は、欠陥数が一層小さくなっているため、更に、高密度
記録に優れた磁気ディスク用基板か提供された。
ピンホールや気胞などの欠陥の数が多くなることは明ら
かであり、後述の通り、欠陥数がせいぜい３００ぐらい
までであれば、高密度磁気記録に支障がない許容範囲で
あることを本発明者等は、実験上、確認しており、そこ
で、基板番号ｌ乃至６のように、平均結晶粒径を１００
μ以下に設定するのがよく、特に、基板番号ｌ乃至４で
は、欠陥数が一層小さくなっているため、更に、高密度
記録に優れた磁気ディスク用基板か提供された。
本実施例を更に詳述すると、基板番号ｌ乃至９の磁気デ
ィスク用基板上に、それぞれＣｏを含んだＦｅをターゲ
ットとした反応スパッタリングによってα−Ｆ０２０８
膜（厚さ０．２μ）を被着し、次いで、水素雰囲気中に
て３２０℃で還元するのに伴って、Ｆｅａｓ４膜に変換
し、空気中ｔこで３２０℃で酸化してｒ −Ｆｅ＋Ｏａ
膜に変換し、高密度磁気ディスクを作成した。かように
して得られた磁気ディスクについて、浮上量が０．２μ
でヘッドを浮上させたところ、ヘッドが磁気ディスクに
衝突せず、そして、それぞれについて、信号エラーを確
かめたところ、基板番号１乃至６は、基板番ｔ７乃至９
に比べ、一段とエラーが減少したことが確かめられ、高
密度記録の実用上、何ら支障がないことが判った。
ィスク用基板上に、それぞれＣｏを含んだＦｅをターゲ
ットとした反応スパッタリングによってα−Ｆ０２０８
膜（厚さ０．２μ）を被着し、次いで、水素雰囲気中に
て３２０℃で還元するのに伴って、Ｆｅａｓ４膜に変換
し、空気中ｔこで３２０℃で酸化してｒ −Ｆｅ＋Ｏａ
膜に変換し、高密度磁気ディスクを作成した。かように
して得られた磁気ディスクについて、浮上量が０．２μ
でヘッドを浮上させたところ、ヘッドが磁気ディスクに
衝突せず、そして、それぞれについて、信号エラーを確
かめたところ、基板番号１乃至６は、基板番ｔ７乃至９
に比べ、一段とエラーが減少したことが確かめられ、高
密度記録の実用上、何ら支障がないことが判った。
〔実施例２〕
実施例１で述べた基板番号３（平均結晶粒径２５μ）に
ついて、他の条件はすべて実施例１と同一にして第２表
に示すようなグレーズ層の厚みでグレーズし、然る後、
このグレーズ層の表面を研摩して、中心線平均粗さでｏ
、ｏｉ ＃にした磁気ディスク用基板を６種類製作した
。
ついて、他の条件はすべて実施例１と同一にして第２表
に示すようなグレーズ層の厚みでグレーズし、然る後、
このグレーズ層の表面を研摩して、中心線平均粗さでｏ
、ｏｉ ＃にした磁気ディスク用基板を６種類製作した
。
こうして得られた磁気ディスク用基板について、それぞ
れの両面のグレーズ層に発生した気胞などの欠陥を数え
たところ、第２表に示す通りの結果となった。
れの両面のグレーズ層に発生した気胞などの欠陥を数え
たところ、第２表に示す通りの結果となった。
第２表によれば、グレーズ層の厚みが大きくなるに伴っ
て、気胞などの欠陥の数か多くなることは明らかであり
、基板番号１０乃至１４では欠陥数が少ないため、実施
例１で述べたようなｒ −Ｆｅｌ１０３膜を被着した場
合、信号エラーの少ない良質な磁気記録媒体が形成でき
た。然るｔこ、基板番号１５では欠陥数が著しく多いた
め、これを用いた磁気ディスクでは信号エラーが目立っ
た。
て、気胞などの欠陥の数か多くなることは明らかであり
、基板番号１０乃至１４では欠陥数が少ないため、実施
例１で述べたようなｒ −Ｆｅｌ１０３膜を被着した場
合、信号エラーの少ない良質な磁気記録媒体が形成でき
た。然るｔこ、基板番号１５では欠陥数が著しく多いた
め、これを用いた磁気ディスクでは信号エラーが目立っ
た。
尚、１５０μ以下のグレーズ層としたことについては、
多結晶の非アルミナ基板の他、単結晶、非晶質などから
成る種、々の材質のセラミック基板についても、実験上
、確かめられている。
多結晶の非アルミナ基板の他、単結晶、非晶質などから
成る種、々の材質のセラミック基板についても、実験上
、確かめられている。
また、本発明によれば、上述した実施例以外に、磁気デ
ィスク用基板の支持体に、単結晶や非晶質など非多結晶
体のセラミック基板を用いた場合についても、実験をお
こなっており、これによれば、ボイド欠陥のほとんどで
きないガラス材料をその基板に形成してグレーズ層とで
きるため、実施例１で述べたようなピンホールや気胞な
どの欠陥がほとんど発生せず、優れた磁気ディスクが提
供できることが判った。
ィスク用基板の支持体に、単結晶や非晶質など非多結晶
体のセラミック基板を用いた場合についても、実験をお
こなっており、これによれば、ボイド欠陥のほとんどで
きないガラス材料をその基板に形成してグレーズ層とで
きるため、実施例１で述べたようなピンホールや気胞な
どの欠陥がほとんど発生せず、優れた磁気ディスクが提
供できることが判った。
上述の通り、本発明の磁気ディスク用基板では、磁気記
録媒体の？１１着素地にグレーズ層を用い、その支持体
にセラミック基板を用いたことにより、スパッタリング
や熱処理に対して磁気ディスク用基板に歪みが発生せず
、且つ基板に加わる遠心力に対して基板自体の伸びが生
じることもなく、信頼性の高い高密度磁気記録の書き込
み及び読み取りができる磁気ディスク用基板が提供でき
た。
録媒体の？１１着素地にグレーズ層を用い、その支持体
にセラミック基板を用いたことにより、スパッタリング
や熱処理に対して磁気ディスク用基板に歪みが発生せず
、且つ基板に加わる遠心力に対して基板自体の伸びが生
じることもなく、信頼性の高い高密度磁気記録の書き込
み及び読み取りができる磁気ディスク用基板が提供でき
た。
加えて、このグレーズ層は中心線平均粗さくＲａ）０、
Ｏ１μの表面粗さにまで表面処理することができると共
に、その表面に現出した欠陥数がアルミニウム合金製基
板に比べて減少でき、単結晶、非晶質は勿論の事、多結
晶体についても、平均結晶粒径を小さくすれば、欠陥数
を少くすることができることが判った。
Ｏ１μの表面粗さにまで表面処理することができると共
に、その表面に現出した欠陥数がアルミニウム合金製基
板に比べて減少でき、単結晶、非晶質は勿論の事、多結
晶体についても、平均結晶粒径を小さくすれば、欠陥数
を少くすることができることが判った。
第１図は本発明ｔこ係る磁気ディスク用基板の斜視図で
あり、第２図はこの磁気ディスク用基板の要部断面図で
ある。 １・・・磁気ディスク用基板、２・・・セラミック基板
、３・・・グレーズ層 特許出願人 京セラ株式会社 代表者稲盛和夫
あり、第２図はこの磁気ディスク用基板の要部断面図で
ある。 １・・・磁気ディスク用基板、２・・・セラミック基板
、３・・・グレーズ層 特許出願人 京セラ株式会社 代表者稲盛和夫
Claims (3)
- （１） セラミック基板を支持体とし、磁気記録媒体が
被着される面にグレーズ層が形成されていることを特徴
とする磁気ディスク用基板。 - （２） 前記セラミック基板を平均結晶粒径１００μ以
下の多結晶体としたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の磁気ディスク用基板。 - （３） 前記グレーズ層の厚みを１５０μ以下としたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気ディス
ク用基板。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58245826A JPS60138730A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 磁気デイスク用基板 |
| US06/888,794 US4808463A (en) | 1983-12-27 | 1986-07-22 | Substrate for magnetic disks |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58245826A JPS60138730A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 磁気デイスク用基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60138730A true JPS60138730A (ja) | 1985-07-23 |
| JPH0364933B2 JPH0364933B2 (ja) | 1991-10-09 |
Family
ID=17139424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58245826A Granted JPS60138730A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 磁気デイスク用基板 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4808463A (ja) |
| JP (1) | JPS60138730A (ja) |
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- 1983-12-27 JP JP58245826A patent/JPS60138730A/ja active Granted
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1986
- 1986-07-22 US US06/888,794 patent/US4808463A/en not_active Expired - Lifetime
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| JPH0352129B2 (ja) * | 1985-11-20 | 1991-08-09 | Sumitomo Spec Metals |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4808463A (en) | 1989-02-28 |
| JPH0364933B2 (ja) | 1991-10-09 |
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