JPS6278716A - ジルコニア製磁気デイスク基板及びその製法 - Google Patents
ジルコニア製磁気デイスク基板及びその製法Info
- Publication number
- JPS6278716A JPS6278716A JP60218732A JP21873285A JPS6278716A JP S6278716 A JPS6278716 A JP S6278716A JP 60218732 A JP60218732 A JP 60218732A JP 21873285 A JP21873285 A JP 21873285A JP S6278716 A JPS6278716 A JP S6278716A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- stabilizer
- zirconia
- magnetic disk
- sintered body
- Prior art date
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- Granted
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はジルコニア製基板を磁気ディスクの支持体とし
、基板表面のボイド欠陥を解消した磁気ディスク基板に
関するものである。
、基板表面のボイド欠陥を解消した磁気ディスク基板に
関するものである。
更に本発明はこの基板を得るための製法にも関する。
磁気ディスク装置はコンピュータの情報処理システムの
中で情報記憶の中心的な役割を果しているが、近時、こ
の磁気記録は高密度化及び大容量化の傾向にあるため、
スパッタリングやメッキなどの薄膜技術を利用して磁気
記録媒体の薄層化及び高面積度化をおこない、その要求
に答えようとしている。かかる磁気記録媒体が形成され
る基板にはアルミニウム合金が使用され、その表面を酸
化して得られたアルマイト層が2μ位の厚みで被覆され
ており、このアルマイト層によって基板表面の硬度が大
きくなっているが、この硬質アルマイト層の厚みが小さ
く、且つアルミニウム合金とアルマイトの熱膨張係数が
異なっているため、基板温度が上昇するに伴い、基板に
歪みが発生し易かった。即ち、スパッタリングによって
基板上に磁気記録媒体を形成する際には、スパッタ粒子
や電子が基板上に衝突するため、その衝突上2/レギー
によって基板温度が上昇し、更に、γ−Fez03から
成る磁気記録媒体の場合では、通常、300℃以上に加
熱処理することが行われており、かように基板が被る温
度上昇に伴って、アルミニウム基板に歪みが発生し易く
なり、これにより、このアルミニウム基板に磁気記録媒
体を形成して高密度磁気記録に用いた場合、正確な書き
込みや読み取りが出来にくいという問題があった。
中で情報記憶の中心的な役割を果しているが、近時、こ
の磁気記録は高密度化及び大容量化の傾向にあるため、
スパッタリングやメッキなどの薄膜技術を利用して磁気
記録媒体の薄層化及び高面積度化をおこない、その要求
に答えようとしている。かかる磁気記録媒体が形成され
る基板にはアルミニウム合金が使用され、その表面を酸
化して得られたアルマイト層が2μ位の厚みで被覆され
ており、このアルマイト層によって基板表面の硬度が大
きくなっているが、この硬質アルマイト層の厚みが小さ
く、且つアルミニウム合金とアルマイトの熱膨張係数が
異なっているため、基板温度が上昇するに伴い、基板に
歪みが発生し易かった。即ち、スパッタリングによって
基板上に磁気記録媒体を形成する際には、スパッタ粒子
や電子が基板上に衝突するため、その衝突上2/レギー
によって基板温度が上昇し、更に、γ−Fez03から
成る磁気記録媒体の場合では、通常、300℃以上に加
熱処理することが行われており、かように基板が被る温
度上昇に伴って、アルミニウム基板に歪みが発生し易く
なり、これにより、このアルミニウム基板に磁気記録媒
体を形成して高密度磁気記録に用いた場合、正確な書き
込みや読み取りが出来にくいという問題があった。
更に、磁気ディスク装置は、同一の回転軸に複数の磁気
ディスクを配置して1ooo〜3000rpm位までの
高速回転をさせて、読み゛取り及び書き込みのデータ処
理をおこなっており、この磁気ディスク基板がアルミニ
ウム合金から形成されていると、基板自体が遠心力によ
って伸び易くなり、これによっても、高密度磁気記録に
適した正確な書き込み及び読み取りが出来ず、このよう
な書き込み誤差や読み取り誤差の解決が望まれていた。
ディスクを配置して1ooo〜3000rpm位までの
高速回転をさせて、読み゛取り及び書き込みのデータ処
理をおこなっており、この磁気ディスク基板がアルミニ
ウム合金から形成されていると、基板自体が遠心力によ
って伸び易くなり、これによっても、高密度磁気記録に
適した正確な書き込み及び読み取りが出来ず、このよう
な書き込み誤差や読み取り誤差の解決が望まれていた。
その上、アルミニウム合金製磁気ディスク基板には、通
常、表面がアルマイト処理されていても、その基板表面
の片面全面に亘って2〜3μのボイド(空隙、Void
)が100個以上もあるため、高密度記録用磁気ディス
ク装置にとっては、このボイド欠陥に起因して正確な書
き込み及び読み取りが出来ないという問題もあり、ボイ
ド欠陥の少ない磁気ディスク用基板材料が望まれていた
。
常、表面がアルマイト処理されていても、その基板表面
の片面全面に亘って2〜3μのボイド(空隙、Void
)が100個以上もあるため、高密度記録用磁気ディス
ク装置にとっては、このボイド欠陥に起因して正確な書
き込み及び読み取りが出来ないという問題もあり、ボイ
ド欠陥の少ない磁気ディスク用基板材料が望まれていた
。
また、前記アルマト処理の他にアルミニウム基板表面を
メッキによりN1−P下地処理することも提案されてい
るが、ボイド欠陥や不均一なメッキのため製造歩留りが
悪く、実用化が難しい。
メッキによりN1−P下地処理することも提案されてい
るが、ボイド欠陥や不均一なメッキのため製造歩留りが
悪く、実用化が難しい。
本発明は上述の難点をすべて解消するために完成された
ものであり、その目的はスパッタリングや熱処理に対し
て基板に何ら歪みが発生せず、且つ基板に加えられる遠
心力に対して基板自体に生じる伸びも小さくなり、更に
、基板表面にボイド欠陥のない高密度磁気記録に相応し
い書き込みや読み取りができる磁気ディスク基板を提供
することにある。
ものであり、その目的はスパッタリングや熱処理に対し
て基板に何ら歪みが発生せず、且つ基板に加えられる遠
心力に対して基板自体に生じる伸びも小さくなり、更に
、基板表面にボイド欠陥のない高密度磁気記録に相応し
い書き込みや読み取りができる磁気ディスク基板を提供
することにある。
更に、本発明の目的は上述の優れた磁気ディスク基板を
得んがための製法を提供することにある。
得んがための製法を提供することにある。
本発明によれば、安定化剤と不可避不純物を含むジルコ
ニア焼結体から成り、該焼結体の平均ボイド径を1μ以
下にしたこと特徴とするジルコニア製磁気ディスク基板
が提供される。
ニア焼結体から成り、該焼結体の平均ボイド径を1μ以
下にしたこと特徴とするジルコニア製磁気ディスク基板
が提供される。
更に本発明によれば、ジルコニアを主成分とし安定化剤
と不可避不純物を含む原料からディスク状に成形し、該
生成形体に対してHIP処理から成る焼成を行って平均
ボイド径を1μ以下にしたことを特徴とするジルコニア
製磁気ディスク基板の製法が提供される。
と不可避不純物を含む原料からディスク状に成形し、該
生成形体に対してHIP処理から成る焼成を行って平均
ボイド径を1μ以下にしたことを特徴とするジルコニア
製磁気ディスク基板の製法が提供される。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明の磁気ディスク基板はアルミニウム合金製基板に
発生したようなボイド欠陥を低減するためジルコニア(
ZrO□)型基板の作製に際し、HIP(Ho−t l
5ostatic Pressing、熱間静水圧加圧
)処理することを特徴とするものである。
発生したようなボイド欠陥を低減するためジルコニア(
ZrO□)型基板の作製に際し、HIP(Ho−t l
5ostatic Pressing、熱間静水圧加圧
)処理することを特徴とするものである。
即ち、後述する通りにII I P処理したジルコニア
製基板はボイドがほとんど皆無となり、ボイドが発生し
たにしてもその径は極端に小さくなった。
製基板はボイドがほとんど皆無となり、ボイドが発生し
たにしてもその径は極端に小さくなった。
本発明者が繰り返して実験を行ったところ、平均ボイド
径を1μ以下、作製条件を良好に設定することにより0
.5μ以下に、更に0.3μ以下にすることができ、H
IP処理したアルミナ焼結体と比較してもボイドの径及
びその含有量を小さくできた。これにより正確な書き込
み及び読み取りの出来る高密度磁気ディスク基板と成る
。
径を1μ以下、作製条件を良好に設定することにより0
.5μ以下に、更に0.3μ以下にすることができ、H
IP処理したアルミナ焼結体と比較してもボイドの径及
びその含有量を小さくできた。これにより正確な書き込
み及び読み取りの出来る高密度磁気ディスク基板と成る
。
ジルコニア(ZrO,)は単斜晶系←正方品系の転移点
が1000℃附近にあり、この転移時に急激な容積変化
を起こし、これにより焼結体は破壊に至る。
が1000℃附近にあり、この転移時に急激な容積変化
を起こし、これにより焼結体は破壊に至る。
本発明においてはYzO3+MgO,Ce0z、CaO
等のそれ自体公知の安定化剤を母材に加え、焼結に際し
て正方品系の固溶体を形成させることで部分安定化ジル
コニア乃至安定化ジルコニアとし、抗折強度、靭性等の
機械的強度の向上を達成している。
等のそれ自体公知の安定化剤を母材に加え、焼結に際し
て正方品系の固溶体を形成させることで部分安定化ジル
コニア乃至安定化ジルコニアとし、抗折強度、靭性等の
機械的強度の向上を達成している。
とりわけ、部分安定化ジルコニアではマルテンサイト変
態により靭性特性が著しく向上し、またアルミナ焼結体
と比べて一段と抗折強度が改善される。
態により靭性特性が著しく向上し、またアルミナ焼結体
と比べて一段と抗折強度が改善される。
Y zo 31 MgO+ CeOz + CaO等の
安定化剤は、一般的に言ってジルコニア焼結体当たり2
乃至55モルχの量で且つジルコニアを部分安定化乃至
安定化させるに十分な量で単独もしくは組合わせて使用
する。
安定化剤は、一般的に言ってジルコニア焼結体当たり2
乃至55モルχの量で且つジルコニアを部分安定化乃至
安定化させるに十分な量で単独もしくは組合わせて使用
する。
具体的な使用量は安定化剤の種類によっても相違するが
、例えば次のようなものである。ジルコニア焼結体に対
しY2O3の成分比が2mo 1%以上9mo lχ未
満の範囲であれば部分安定化ジルコニアとなり、9乃至
55mo 1χの範囲で安定化ジルコニアとなる。
、例えば次のようなものである。ジルコニア焼結体に対
しY2O3の成分比が2mo 1%以上9mo lχ未
満の範囲であれば部分安定化ジルコニアとなり、9乃至
55mo 1χの範囲で安定化ジルコニアとなる。
また、ジルコニア焼結体に対しCaOの成分比が8乃至
12mo lχの範囲であれば好ましい部分安定化ジル
コニアとなり、16乃至29molXの範囲で安定化ジ
ルコニアとなる。ジルコニア焼結体に対しMgOの成分
比が16乃至26mo Iχの範囲であれば部分安定化
ジルコニアとなる。
12mo lχの範囲であれば好ましい部分安定化ジル
コニアとなり、16乃至29molXの範囲で安定化ジ
ルコニアとなる。ジルコニア焼結体に対しMgOの成分
比が16乃至26mo Iχの範囲であれば部分安定化
ジルコニアとなる。
更に、このジルコニア焼結体については原料配合時に5
io2. FeZO:In NazO,Hf0tなどが
1種類以上不可避不純物として混入する場合があるが、
磁気ディスク基板のジルコニア特性に何ら影響を及ぼさ
ない範囲でそれぞれ最大の含有量が決められる。
io2. FeZO:In NazO,Hf0tなどが
1種類以上不可避不純物として混入する場合があるが、
磁気ディスク基板のジルコニア特性に何ら影響を及ぼさ
ない範囲でそれぞれ最大の含有量が決められる。
本発明のジルコニア焼結体によれば、ジルコニアと安定
化剤との組合わせに加えて、本発明の効果を損わない範
囲でアルミナ、チタニア等の焼成促進剤等を配合し得る
。
化剤との組合わせに加えて、本発明の効果を損わない範
囲でアルミナ、チタニア等の焼成促進剤等を配合し得る
。
次に本発明の磁気ディスク基板の製法を述べる。
本発明に用いるZrO□原料粉末は一次平均粒子系とし
て小さいほどよ<、0.5μ以下がよい。或いは水酸化
ジルコニウムなど仮焼に伴ってZrO,粉末になるよう
なものであってもよい。
て小さいほどよ<、0.5μ以下がよい。或いは水酸化
ジルコニウムなど仮焼に伴ってZrO,粉末になるよう
なものであってもよい。
安定化剤については平均粒径2μ以下、好ましくは1μ
以下のものを用いるのがよい。
以下のものを用いるのがよい。
更に安定化剤が所定量加えられた安定他剤共沈ZrO2
粉末を用いてもよく、この粉末を用いると安定化剤とZ
rO□成分が一層緻密且つ均一に分布した混合状態にな
るため、焼結体の結晶粒径が均一化されるという利点を
有する。
粉末を用いてもよく、この粉末を用いると安定化剤とZ
rO□成分が一層緻密且つ均一に分布した混合状態にな
るため、焼結体の結晶粒径が均一化されるという利点を
有する。
本発明によれば、ZrO□粉末に上述に従って安定化剤
を添加し、均一になるように十分混合する。
を添加し、均一になるように十分混合する。
この混合粉末を乾燥造粒してディスク状に成形し、予備
焼成を行う、この予備焼成は一般に1250乃至160
0℃の温度で1乃至4時間行う。次いで、予備焼結体は
HIP処理される。尚、予備焼成は不可決でなく、ディ
スク状成形体をシールしてHIP処理してもよい。
焼成を行う、この予備焼成は一般に1250乃至160
0℃の温度で1乃至4時間行う。次いで、予備焼結体は
HIP処理される。尚、予備焼成は不可決でなく、ディ
スク状成形体をシールしてHIP処理してもよい。
HIP装置は静水圧圧縮と加熱とを同時に行う点に特徴
があり、圧力媒体である不活性ガスを圧縮する部分と加
熱部を内蔵する高圧容器および温度圧力制御部分とに大
別できる。このうちガス圧力の発生方法は、機械的圧縮
によっており、不活性ガスとして化学的に安定であるH
e、 Arをもちいる。
があり、圧力媒体である不活性ガスを圧縮する部分と加
熱部を内蔵する高圧容器および温度圧力制御部分とに大
別できる。このうちガス圧力の発生方法は、機械的圧縮
によっており、不活性ガスとして化学的に安定であるH
e、 Arをもちいる。
前記予備焼成体はHIP装置内部に配置され、その内部
に不活性ガスを圧入すると共に加熱を行う。
に不活性ガスを圧入すると共に加熱を行う。
この際、一般に1500乃至2000a Lmの加圧と
1250乃至1600℃への加熱が有効である。
1250乃至1600℃への加熱が有効である。
かくして得られたHIP処理ジルコニア製基板をラッピ
ング、ポリッシングなどの研摩処理手段を用いて、磁気
ディスク基板とする。
ング、ポリッシングなどの研摩処理手段を用いて、磁気
ディスク基板とする。
共沈法で作ったY、023molχ含有のZrO□粉末
にワックスエマジョンの有機質バインダーを添加し、十
分に均一混合し、然る後、スプレードライヤーにて乾燥
造粒をした。次いで、この粉体を油圧プレス(圧力1.
5ton/c+++”)でドーナツ状の円板(外径18
0mm 、内径52mm、厚み41IIII+)である
成形体を得た。この成形体を1500℃の温度で3時間
焼成を行ってディスク状焼成品を得た。
にワックスエマジョンの有機質バインダーを添加し、十
分に均一混合し、然る後、スプレードライヤーにて乾燥
造粒をした。次いで、この粉体を油圧プレス(圧力1.
5ton/c+++”)でドーナツ状の円板(外径18
0mm 、内径52mm、厚み41IIII+)である
成形体を得た。この成形体を1500℃の温度で3時間
焼成を行ってディスク状焼成品を得た。
前記ディスク状焼成品を複数個製作し、そのうち幾つか
の焼成品をHIP処理してHIP処理の有無による二種
類の磁気ディスク基板を得た。
の焼成品をHIP処理してHIP処理の有無による二種
類の磁気ディスク基板を得た。
いずれも研摩はラッピング、ポリッシングの順で行い、
最終製品として外径130mn+ 、内径40mm、厚
み1.9mmの形状とし平面度3μ、表面粗さ0.01
Ra、同軸度10μ、平行度10μの精度の5.25イ
ンチ磁気ディスク基板を得た。
最終製品として外径130mn+ 、内径40mm、厚
み1.9mmの形状とし平面度3μ、表面粗さ0.01
Ra、同軸度10μ、平行度10μの精度の5.25イ
ンチ磁気ディスク基板を得た。
かくして得られた基板について、画像解析装置(ルーゼ
ックス500 )及び金属顕微鏡(400倍)を用いて
測定面積8.OXIO’μm2に亘ってボイドを調べた
結果、第1表に示す通りとなった。
ックス500 )及び金属顕微鏡(400倍)を用いて
測定面積8.OXIO’μm2に亘ってボイドを調べた
結果、第1表に示す通りとなった。
第1表
第1表中、ボイドの円相当径とは種々の形状の面積を円
に相当する面積に換算し、その径の大きさを表す。
に相当する面積に換算し、その径の大きさを表す。
第1表より明らかな通り、HIP処理した本発明の磁気
ディスク基板は0.3 μ以上のボイドは全く見あたら
なかった。
ディスク基板は0.3 μ以上のボイドは全く見あたら
なかった。
上述の通り、本発明の磁気ディスク基板では1μ以上、
望ましくは0.5 μ以上のボイドをなくし、薄膜磁気
記録媒体の高密度記録に好適な磁気ディスク基板が提供
される。
望ましくは0.5 μ以上のボイドをなくし、薄膜磁気
記録媒体の高密度記録に好適な磁気ディスク基板が提供
される。
この基板は次に述べるような効果も有することから、更
に望ましい磁気ディスク基板となることは明らかである
。
に望ましい磁気ディスク基板となることは明らかである
。
■基板上の磁気記録媒体以外の周辺に微量な磁性が存在
しても信号の消失やノイズの原因となるが、本発明の基
板は非磁性であり、磁気ディスク装置の信頬正を高める
。
しても信号の消失やノイズの原因となるが、本発明の基
板は非磁性であり、磁気ディスク装置の信頬正を高める
。
■1(IP処理ジルコニア基板ではビツカーズ硬度Hv
で1400にg/mm”という高硬度特性を示している
ため、アルミニウム基板のようにアルマイト処理やN1
−P下地処理を必要とせず、直にメッキやスパッタリン
グなどにより磁気記録媒体を形成することができ、これ
により、製造コストの低減ができる。
で1400にg/mm”という高硬度特性を示している
ため、アルミニウム基板のようにアルマイト処理やN1
−P下地処理を必要とせず、直にメッキやスパッタリン
グなどにより磁気記録媒体を形成することができ、これ
により、製造コストの低減ができる。
■剛性が高いため、基板自体の加工に際して変形を受け
に< < 、3000rpm以上の高速回転を行っても
基板自体が被る遠心力によって基板自体に生じる伸びが
小さくなる。ディスクのクランプや回転時の変形が大き
いディスク面にヘッドが追従できず、信号が乱れたり、
ヘッドクラッシュの発生原因となるが、この問題は全く
解消される。
に< < 、3000rpm以上の高速回転を行っても
基板自体が被る遠心力によって基板自体に生じる伸びが
小さくなる。ディスクのクランプや回転時の変形が大き
いディスク面にヘッドが追従できず、信号が乱れたり、
ヘッドクラッシュの発生原因となるが、この問題は全く
解消される。
■高密度記録化に伴って磁気記録媒体は増々薄くなる傾
向にあり、メッキやスパッタリングによるとその厚みは
0.3μ以下が普通である。このように薄い膜をジルコ
ニア製基板上に直に形成しても、ヘッドとの数万回にも
及ぶC55(Contact−Start−3top)
に耐えることができる。
向にあり、メッキやスパッタリングによるとその厚みは
0.3μ以下が普通である。このように薄い膜をジルコ
ニア製基板上に直に形成しても、ヘッドとの数万回にも
及ぶC55(Contact−Start−3top)
に耐えることができる。
■超精密加工型や形状精度に優れており、基板表面を研
摩することにより中心線平均粗さくRa)で0.01μ
以下の表面粗さにまで達成でき、その結果、スパッタリ
ングやメッキなどによって形成された磁気記録媒体が著
しく薄くなっても基板の表面粗さに起因して記録媒体の
表面に凹凸がほとんど発生せず高密度磁気記録に好適で
ある。
摩することにより中心線平均粗さくRa)で0.01μ
以下の表面粗さにまで達成でき、その結果、スパッタリ
ングやメッキなどによって形成された磁気記録媒体が著
しく薄くなっても基板の表面粗さに起因して記録媒体の
表面に凹凸がほとんど発生せず高密度磁気記録に好適で
ある。
■アルマイト処理アルミニウム基板などアルミニウム基
板に下地処理したものについてはアルマイト層とアルミ
ルラム基板との熱膨張係数の差に起因したクラック発生
が問題となったが、本発明の磁気ディスク基板は全体に
亘って単一材料であり、かかる問題は発生しない。
板に下地処理したものについてはアルマイト層とアルミ
ルラム基板との熱膨張係数の差に起因したクラック発生
が問題となったが、本発明の磁気ディスク基板は全体に
亘って単一材料であり、かかる問題は発生しない。
■通常、スパッタリングにより磁気記録媒体を形成する
場合、スパッタ時に基板温度を上げた方が成膜速度を高
めることができ、またr −Fez03膜を形成するに
際して成膜後の熱処理温度が高い方が磁気特性に優れた
ものが得られるが、N1−P下地処理アルミニウム基板
では280℃以上で磁性をおびるためにこの温度が限界
であり、アルマイト処理基板の耐熱限界はせいぜい約3
50℃である。これに対して本発明の基板は一段と耐熱
性に優れており、優れた磁気特性を有する磁気記録媒体
が高速成膜で形成することができる。
場合、スパッタ時に基板温度を上げた方が成膜速度を高
めることができ、またr −Fez03膜を形成するに
際して成膜後の熱処理温度が高い方が磁気特性に優れた
ものが得られるが、N1−P下地処理アルミニウム基板
では280℃以上で磁性をおびるためにこの温度が限界
であり、アルマイト処理基板の耐熱限界はせいぜい約3
50℃である。これに対して本発明の基板は一段と耐熱
性に優れており、優れた磁気特性を有する磁気記録媒体
が高速成膜で形成することができる。
■優れた耐食性の基板であるため、酸やアルカリを使っ
た洗浄が可能である。また、不温体であるため金属磁気
媒体と基板との間でElectrochemicalC
orrosinが発生せず、これに起因したノイズや信
号エラーを解消することができ長期信頼性を高めること
ができる。
た洗浄が可能である。また、不温体であるため金属磁気
媒体と基板との間でElectrochemicalC
orrosinが発生せず、これに起因したノイズや信
号エラーを解消することができ長期信頼性を高めること
ができる。
■磁気ディスク1よ非常に高度な信頼性が要求されるた
めにクラックの発生や破損等は決して起きてはならない
。本発明の基板によれば、部分安定化ジルコニアを用い
ると靭性を著しく向上させることができ、長期信頼性を
十分に満足させるものである。
めにクラックの発生や破損等は決して起きてはならない
。本発明の基板によれば、部分安定化ジルコニアを用い
ると靭性を著しく向上させることができ、長期信頼性を
十分に満足させるものである。
Claims (2)
- (1)安定化剤と不可避不純物を含むジルコニア焼結体
から成り、該焼結体の平均ボイド径を1μ以下にしたこ
とを特徴とするジルコニア製磁気ディスク基板。 - (2)ジルコニアを主成分とし安定化剤と不可避不純物
を含む原料からディスク状に成形し、該生成形体に対し
てHIP処理から成る焼成を行って平均ボイド径を1μ
以下にしたことを特徴とするジルコニア製磁気ディスク
基板の製法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60218732A JPH06101115B2 (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | ジルコニア製磁気デイスク基板及びその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60218732A JPH06101115B2 (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | ジルコニア製磁気デイスク基板及びその製法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6278716A true JPS6278716A (ja) | 1987-04-11 |
JPH06101115B2 JPH06101115B2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=16724564
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60218732A Expired - Lifetime JPH06101115B2 (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | ジルコニア製磁気デイスク基板及びその製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06101115B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999034151A1 (fr) | 1997-12-25 | 1999-07-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Procede d'affichage des informations de commande de climatisation d'air et unite de commande de climatisation d'air |
US6069103A (en) * | 1996-07-11 | 2000-05-30 | Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation | LTD resistant, high strength zirconia ceramic |
US6180201B1 (en) | 1998-01-06 | 2001-01-30 | Imation Corp. | Rewritable optical data storage disk having enhanced flatness |
US6238763B1 (en) | 1998-01-06 | 2001-05-29 | Imation Corp. | Rewritable optical data storage disk having enhanced flatness |
-
1985
- 1985-09-30 JP JP60218732A patent/JPH06101115B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6069103A (en) * | 1996-07-11 | 2000-05-30 | Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation | LTD resistant, high strength zirconia ceramic |
WO1999034151A1 (fr) | 1997-12-25 | 1999-07-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Procede d'affichage des informations de commande de climatisation d'air et unite de commande de climatisation d'air |
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US6238763B1 (en) | 1998-01-06 | 2001-05-29 | Imation Corp. | Rewritable optical data storage disk having enhanced flatness |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06101115B2 (ja) | 1994-12-12 |
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