JPH11189463A - 半導電性セラミックス及びこれを用いた治工具、磁気ディスク基板用保持部材並びに磁気ディスク装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】静電気を除去することができ、しかも製造が容
易で大量生産が可能な半導電性セラミックスを得る。 【解決手段】ＭｇＯとＳｉＯ₂ の複合酸化物を主体と
し、酸化鉄と、酸化亜鉛・酸化ニオブ・酸化クロムの一
種以上とを含み、体積固有抵抗が１０⁵ 〜１０⁷ Ω・ｃ
ｍ、熱膨張係数が１１×１０^-6／℃以下、曲げ強度が１
０ｋｇ／ｍｍ² 以上の半導電性セラミックスとする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、セラミックスヒ−
タ−、セラミックスセンサ、抵抗用基板等に用いられる
半導電性セラミックスに関し、特にこれを用いた静電気
による過電流防止用治工具、磁気ディスク基板用保持部
材、並びにこの保持部材を用いた磁気ディスク装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】一般にセラミックスは絶縁材であるが、
これに半導電性を付与した半導電性セラミックスが用い
られている。従来、半導電性セラミックスとして用いら
れるセラミックスとしては、炭化珪素質セラミックスや
ランタンクロマイト等のペロブスカイト系セラミックス
があり、これらはセラミックスヒ−タ−やセラミックス
センサ−等に使用されている。

【０００３】また、その他に構造部品材料用セラミック
スに半導電性をもった金属酸化物、金属窒化物、金属炭
化物等を添加した半導電性セラミックスも開発されてお
り、例えば、導電付与材としてＴｉＯ₂ 、ＴｉＣ、Ｎｉ
Ｏ、ＣｏＯ等を添加して還元雰囲気下で焼成したアルミ
ナ質やジルコニア質等の半導電性セラミックスが知られ
ている（特開平２−２９５００９号、特開平１−２４３
３８８号公報参照）。

【０００４】一方、コンピュータの外部記録装置等とし
て使用される磁気ディスク装置は、図１に示すように、
回転軸１３に固定されたハブ１４に、複数枚の磁気ディ
スク基板１５とスペ−サ−１１とを交互に挿入し、最後
にシム１０及びクランプ１２で押さえ付け、ネジ１６で
締め付けることにより固定するようになっている。そし
て、上記固定軸１３の回転により磁気ディスク基板１５
を回転させながら、磁気ヘッド１７が磁気ディスク基板
１５の表面上を非接触状態で移動することにより、磁気
ディスク基板１５の所定位置で情報の書き込みや読み取
りを行っている。

【０００５】近年、このような磁気ディスク装置５０は
情報が高密度で大容量化するに伴って、磁気ヘッド１７
と磁気ディスク基板１５との距離の極小化、磁気ディス
ク基板１５のより高度な平面化と表面の平滑化等が要求
されており、その為、磁気ディスク基板１５の材質とし
て表面強度及び平滑面化が極めて効果的に得られるガラ
スを用いることが提案されている。この場合、磁気ディ
スク基板１５を固定・保持するスペ−サ−１１、シム１
０、及びクランプ１２等の保持部材は熱膨張差に伴う磁
気ディスク基板１５の歪みを防止する為に、セラミック
スやガラスで形成されたものがあった（特公平５−８０
７４５号公報、特開昭６１−１４８６６７号公報）。

【０００６】しかしながら、上記保持部材を構成するセ
ラミックスやガラスは一般的に絶縁性材料である為、こ
れらの保持部材で磁気ディスク基板１５を保持すると、
磁気ディスク基板１５が帯電し、情報の読み込みや書き
込みの際にノイズが発生して、記録内容を破壊してしま
うことが近年知られてきた。その為、保持部材の磁気デ
ィスク基板１５との当接面にアルミニウムや亜鉛などの
金属膜を被覆して静電気を除去することが考えられてい
る。

【０００７】しかし、このような保持部材では、磁気デ
ィスク基板１５との当接面の平坦度が損なわれ、磁気デ
ィスク基板１５に歪みを生じたり、磁気ヘッド１７が磁
気ディスク基板１５と接触して傷付けてしまう恐れがあ
った。また、熱膨張差のために被覆した金属膜が剥がれ
る恐れもあり、剥がれてしまうと磁気ディスク基板１５
に帯電する静電気を逃すことが出来なくなるといった課
題もあった。

【０００８】そこで、前述したアルミナ等に導電材を添
加した半導電性セラミックスで保持部材を形成すること
によって、磁気ディスク基板１５の帯電を防止すること
が提案されている（特開平２−２２６５６６号公報）。

【０００９】また、上記磁気記録装置や各種電子部品の
製造工程や取扱工程において、さまざまなハンドリング
治具やピンセット等の治工具が用いられている。この治
工具は、優れた耐摩耗性、耐食性が必要であるととも
に、上記部品に悪影響を及ぼさないように静電気を速や
かに除去する必要があることから、前述したような半導
電性セラミックスを用いることが検討されている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところが、前述した半
導電性セラミックスは、いずれも安価に大量生産するこ
とができなかった。

【００１１】例えば、上記炭化珪素質セラミックスは、
難焼結体であるために非酸化性雰囲気でかつ２０００℃
以上の温度で焼成しなければならず、また、ホットプレ
スや熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）を行う必要があること
から生産性が悪くコストが高くなるという問題点があっ
た。

【００１２】また、ペロブスカイト系セラミックスにつ
いては、酸化雰囲気で焼成可能ではあるが、原料単価が
高くなる問題点がある。しかも、ペロブスカイト系セラ
ミックスは一般的に曲げ強度が１０ｋｇ／ｍｍ² 未満と
低く、構造部品材料としては不向きであった。

【００１３】さらに、導電付与材としてＮｉＯ、ＣｏＯ
等を添加したアルミナ質やジルコニア質の半導電性セラ
ミックスでは、ホットプレスや熱間静水圧プレス（ＨＩ
Ｐ）、或いは酸化雰囲気での焼成後、再度還元雰囲気で
の焼成を行わなければならないことから生産性が悪く、
管理が困難であり、２度焼成を行う必要がある為コスト
が高くなるという問題点があった。

【００１４】一方、静電気除去及び静電気による過電流
防止用の治工具として半導電性セラミックスを使用する
場合、一般的に１０⁵ 〜１０⁷ Ω・ｃｍの体積固有抵抗
が要求されているが、導電付与材としてＴｉＯ₂ やＴｉ
Ｃを添加したアルミナ質の半導電性セラミックスでは１
０^-2Ω・ｃｍしか得られず、酸化雰囲気焼成したアルミ
ナ質セラミックスで所望の体積固有抵抗を得ることは難
しいものであった。

【００１５】また、上述した半導電性セラミックスから
成る保持部材では、ガラス製の磁気ディスク基板との間
に２〜５×１０^-6／℃程度の熱膨張差があるため、磁気
ディスク基板１５に歪みを生じたり、磁気ディスク基板
１５間の平行度が損なわれるといった課題があった。そ
のため、より高密度で大容量化が要求されている磁気デ
ィスク装置５０において、未だ充分満足のいくものが得
られていなかった。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明に係る半導電性セ
ラミックスは、ＭｇＯとＳｉＯ₂ の複合酸化物を主体と
し、導電付与材として酸化鉄（ＦｅＯ、Ｆｅ₂ Ｏ₃ 、Ｆ
ｅ₃ Ｏ₄ ）とともに、酸化亜鉛（ＺｎＯ）・酸化ニオブ
（Ｎｂ₂ Ｏ₃ 、Ｎｂ₂ Ｏ₅ ）・酸化クロム（Ｃｒ
₂ Ｏ₃ ）の一種以上を含んで成り、体積固有抵抗値が１
０⁵ 〜１０⁷ Ω・ｃｍの半導電性を有すると共に、熱膨
張係数が１１×１０^-6／℃以下であり、曲げ強度が１０
ｋｇ／ｍｍ² 以上の特性を有することを特徴とする。

【００１７】ここで、主体をなすＭｇＯとＳｉＯ₂ の複
合酸化物とは、最終焼結体において主にＭｇ₂ ＳｉＯ₄
（フォルステライト）のことであり、他にＭｇＳｉＯ₃
（ステアタイト）を含んでも良い。通常、Ｍｇ₂ ＳｉＯ
₄ のみから成るセラミックスは１５ｋｇ／ｍｍ₂ 程度の
曲げ強度を持った絶縁材料であるが、本件発明者はこの
セラミックスに酸化鉄（ＦｅＯ、Ｆｅ₂ Ｏ₃ 、Ｆｅ₃ Ｏ
₄ ）と、酸化亜鉛（ＺｎＯ）・酸化ニオブ（Ｎｂ
₂ Ｏ₃ 、Ｎｂ₂ Ｏ₅ ）・酸化クロム（Ｃｒ₂ Ｏ₃ ）の一
種以上とを含有させることで半導電性が得られることを
見出し、その体積固有抵抗値を１０⁵ 〜１０⁷ Ω・ｃｍ
としたものである。

【００１８】即ち、酸化鉄（Ｆｅ₃ Ｏ₄ ）は室温におい
て１０^-2Ω・ｃｍ程度の抵抗値を有するものであり、こ
れを含有することによって半導電性を付与する。また、
酸化亜鉛（ＺｎＯ）は、室温においての抵抗値は期待出
来ないものの粒界相を成すことで他の導電付与材の半導
電性に寄与することができ、酸化ニオブ（ＮｂＯ、Ｎｂ
₂ Ｏ₃ ）は室温において１０^-1〜１０^-2Ω・ｃｍ程度の
抵抗値を有し、酸化クロム（ＣｒＯ₂ 、Ｃｒ₂ Ｏ₃ ）は
１０^-1〜１０⁷ Ω・ｃｍ程度の抵抗値を有することか
ら、上記酸化鉄に加えてこれらの成分を適宜調整して含
有させることで１０⁵ 〜１０⁷ Ω・ｃｍの体積固有抵抗
値をもった半導電性セラミックスとすることができる。
なお、上記導電性付与材は、焼結体中で結晶粒界を形成
する。

【００１９】ところで、このような本発明の半導電性セ
ラミックスを得るには、ＭｇＯとＳｉＯ₂ の複合酸化物
としてＭｇ₂ ＳｉＯ₄ やＭｇＳｉＯ₃ を用意すると共
に、導電付与材として酸化鉄（ＦｅＯ、Ｆｅ₂ Ｏ₃ 、Ｆ
ｅ₃ Ｏ₄ ）と、酸化亜鉛（ＺｎＯ）・酸化ニオブ（Ｎｂ
₂ Ｏ₃ 、Ｎｂ₂ Ｏ₅ ）・酸化クロム（Ｃｒ₂ Ｏ₃ ）の一
種以上を用意する。そして、上記Ｍｇ₂ ＳｉＯ₄ やＭｇ
ＳｉＯ₃ から成る複合酸化物を４０〜９０重量％に対
し、５〜５５重量％の酸化鉄（ＦｅＯ、Ｆｅ₂ Ｏ₃、Ｆ
ｅ₃ Ｏ₄ ）と残部が酸化亜鉛（ＺｎＯ）・酸化ニオブ
（Ｎｂ₂ Ｏ₃ 、Ｎｂ₂Ｏ₅ ）・酸化クロム（Ｃｒ
₂ Ｏ₃ ）を５５〜５重量％の範囲で添加する。

【００２０】ここで、ＭｇＯとＳｉＯ₂ の複合酸化物の
量を４０〜９０重量％としたのは、９０重量％を超える
と半導電性付与材を添加した効果が乏しくなり体積固有
抵抗値を１０⁵ 〜１０⁷ Ω・ｃｍの範囲にすることがで
きないからであり、逆に４０重量％未満であると機械的
強度が１０ｋｇ／ｍｍ² 未満と大幅に低下する為に構造
部品材料として使用できないからである。

【００２１】また、酸化鉄の含有量を５〜５５重量％と
したのは、５重量％未満では体積固有抵抗を上記範囲と
することができず、５５重量％を超えると曲げ強度が１
０ｋｇ／ｍｍ² 未満と大幅に低下するためである。

【００２２】なお、上記導電性付与材に加えて、酸化
錫、酸化銅、酸化コバルト等を含有することもできる。
また、これらの成分以外に、不純物としてＡｌ₂ Ｏ₃ 、
ＣａＯ、ＴｉＯ₂ 等を０．１重量％以下の範囲で含有し
ても良い。

【００２３】次に、添加混合した原料を型内に充填して
所定形状に成形した後、大気雰囲気中にて１２００〜１
３００℃の温度で１〜２時間程度の焼成を行うことによ
り本発明の半導電性セラミックスを得ることが出来る。

【００２４】このように本発明の半導電性セラミックス
は、大気雰囲気中での焼成が可能であり、特殊な工程を
必要とせず、簡単な工程で容易に大量生産することがで
きる。なお、本発明において焼成雰囲気は大気雰囲気に
限らず、非酸化雰囲気や還元雰囲気であっても構わな
い。

【００２５】以上のように、本発明の半導電性セラミッ
クスを用いれば、帯電する静電気を速やかに除去するこ
とが出来る為、各種用途に使用することができる。

【００２６】例えば、磁気記録装置や各種電子部品の製
造工程や取扱工程において、用いられるハンドリング治
具やピンセット等の治工具において、少なくとも各種部
品との接触面を本発明の半導電性セラミックスで形成す
れば、静電気を除去して悪影響を及ぼすことを防止でき
る。

【００２７】また、図１に示す磁気記録装置に組み込ま
れている複数枚の磁気ディスク基板を所定間隔に位置決
め保持するスペ−サ−、シム、ハブ等の保持部材を本発
明の半導電性セラミックスで形成すれば、磁気ディスク
基板の静電気を速やかに除去することができ、しかもガ
ラス製磁気ディスク基板との熱膨張差が小さいため、磁
気ディスク基板に歪み等を与えることも防止できる。

【００２８】さらに、本発明の半導電性セラミックス
は、磁気テ−プの走行を支持する案内部材、自動車等の
塗装に使用される電着塗装用ノズル等の静電気除去用部
品として好適に使用することができる他、セラミックス
ヒ−タ−やセラミックスセンサ−或いは半導体・薄膜プ
ロセスの抵抗評価用プロ−ブとしても用いることができ
る。

【００２９】

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。

【００３０】実施例１ 出発原料を成す複合酸化物としてフォルステライト（Ｍ
ｇ₂ ＳｉＯ₄ ）を、導電付与材として酸化鉄（Ｆｅ₂ Ｏ
₃ ）と酸化亜鉛（ＺｎＯ）をそれぞれ用意し、表１に示
すように添加量を変化させた。それぞれの原料は水又は
有機溶剤及び結合材を所定の容器内に投入し、約１時間
混合してスプレ−ドライヤ−等でスラリ−を乾燥し、球
形状の２次原料を作製した。次に、得られた２次原料を
乾式プレスにて１．０ｔｏｎ／ｃｍ² の成形圧で所定の
形状に成形した後、大気雰囲気中にて１２００〜１３０
０℃の温度で約２時間焼成を行った。

【００３１】そして、得られたセラミックスを直径６０
ｍｍ×厚さ２ｍｍの寸法に研削加工して体積固有抵抗値
を測定した後、熱膨張係数と曲げ強度の測定を行った。
なお、曲げ強度は、ＪＩＳの規定に基づく３点曲げ試験
により測定するるが、ＪＩＳの規定と異なる寸法の試料
で測定し、これを公知の方法にて換算することもでき
る。また、得られた結果により、体積固有抵抗値が１０
⁵ 〜１０⁷ Ω・ｃｍで、且つ熱膨張係数が１１×１０^-6
／℃以下であり、曲げ強度が１０ｋｇ／ｍｍ² 以上を有
するものを優れたものとした。

【００３２】結果は表２に示す通りである。この結果よ
り、Ｎｏ１、１１では酸化鉄（Ｆｅ₂ Ｏ₃ ）及び酸化亜
鉛（ＺｎＯ）の総含有量が６０重量％である為に体積固
有抵抗値を１×１０⁶ Ω・ｃｍと半導電性を得ることが
出来たものの、その添加量が６０重量％以上である為
に、曲げ強度が９ｋｇ／ｍｍ² と構造部品材料として必
要な曲げ強度１０ｋｇ／ｍｍ² 以上を満足することがで
きなかった。

【００３３】又、試料Ｎｏ１０では酸化鉄（Ｆｅ
₂ Ｏ₃ ）及び酸化亜鉛（ＺｎＯ）は、曲げ強度が１５ｋ
ｇ／ｍｍ² と構造部品材料として使用可能な曲げ強度を
有していたものの、粒界相が連続していない為に、導電
付与材による粒界相が形成されていない為に、体積固有
抵抗値を１０⁷ Ω・ｃｍ以下とすることが出来なかっ
た。

【００３４】これに対し、Ｎｏ２〜９は酸化鉄（Ｆｅ₂
Ｏ₃ ）及び酸化亜鉛（ＺｎＯ）の総含有量が３５〜５５
重量％の範囲にあり、且つ粒界相が連続している為に体
積固有抵抗値を１０⁵ 〜１０⁷ Ω・ｃｍとすることが出
来、又、曲げ強度も１０ｋｇ／ｍｍ² 以上を満足する。

【００３５】

【表１】

【００３６】

【表２】

【００３７】実施例２ 次に、出発原料を成す複合酸化物としてフォルステライ
ト（Ｍｇ₂ ＳｉＯ₄ ）を、導電付与材として酸化鉄（Ｆ
ｅ₂ Ｏ₃ ）と酸化ニオブ（Ｎｂ₂ Ｏ₃ ）をそれぞれ用意
し、表３に示すように添加量を変化させた。その後、実
施例１と同様にしてセラミックスを作成し、各種測定を
行った。

【００３８】結果は表４に示す通りである。この結果よ
り、Ｎｏ２１、２６では酸化鉄（Ｆｅ₂ Ｏ₃ ）及び酸化
ニオブ（Ｎｂ₂ Ｏ₃ ）の総含有量が６０重量％である為
に体積固有抵抗値を５×１０⁵ Ω・ｃｍと半導電性を得
ることが出来たものの、その添加量が６０重量％以上で
ある為に、曲げ強度が８ｋｇ／ｍｍ² と構造部品材料と
して必要な曲げ強度１０ｋｇ／ｍｍ² 以上を満足するこ
とが出来なかった。

【００３９】又、試料Ｎｏ２７では酸化鉄（Ｆｅ
₂ Ｏ₃ ）及び酸化ニオブ（Ｎｂ₂ Ｏ₃ ）は、曲げ強度が
１５ｋｇ／ｍｍ² と構造部品材料として使用可能な曲げ
強度を有していたものの、粒界相が連続していない為
に、導電付与材による粒界相が形成されていない為に、
体積固有抵抗値を１０⁷ Ω・ｃｍ以下とすることが出来
なかった。

【００４０】これに対し、Ｎｏ２２〜２５は酸化鉄（Ｆ
ｅ₂ Ｏ₃ ）及び酸化ニオブ（Ｎｂ₂Ｏ₃ ）の総含有量が
３５〜５５重量％の範囲にあり、且つ粒界相が連続して
いる為に体積固有抵抗値を１０⁵ 〜１０⁷ Ω・ｃｍとす
ることが出来、又、曲げ強度も１０ｋｇ／ｍｍ² 以上を
満足する。

【００４１】

【表３】

【００４２】

【表４】

【００４３】実施例３ 次に、出発原料を成す複合酸化物としてフォルステライ
ト（Ｍｇ₂ ＳｉＯ₄ ）を、導電付与材として酸化鉄（Ｆ
ｅ₂ Ｏ₃ ）と酸化クロム（Ｃｒ₂ Ｏ₃ ）をそれぞれ用意
し、表５に示すように添加量を変化させた。その後、実
施例１と同様にしてセラミックスを作成し、各種測定を
行った。

【００４４】結果は表６に示す通りである。この結果よ
り、Ｎｏ３１、３６では酸化鉄（Ｆｅ₂ Ｏ₃ ）及び酸化
クロム（Ｃｒ₂ Ｏ₃ ）の総含有量が６０重量％である為
に体積固有抵抗値を５×１０⁵ Ω・ｃｍと半導電性を得
ることが出来たものの、その添加量が６０重量％以上で
ある為に、曲げ強度が８ｋｇ／ｍｍ² と構造部品材料と
して必要な曲げ強度１０ｋｇ／ｍｍ² 以上を満足するこ
とが出来なかった。

【００４５】又、試料Ｎｏ３７では酸化鉄（Ｆｅ
₂ Ｏ₃ ）及び酸化クロム（Ｃｒ₂ Ｏ₃ ）は、曲げ強度が
１５ｋｇ／ｍｍ² と構造部品材料として使用可能な曲げ
強度を有していたものの、粒界相が連続していない為
に、導電付与材による粒界相が形成されていない為に、
体積固有抵抗値を１０⁷ Ω・ｃｍ以下とすることが出来
なかった。

【００４６】これに対し、Ｎｏ３２〜３５は酸化鉄（Ｆ
ｅ₂ Ｏ₃ ）及び酸化クロム（Ｃｒ₂Ｏ₃ ）の総含有量が
３５〜５５重量％の範囲にあり、且つ粒界相が連続して
いる為に体積固有抵抗値を１０⁵ 〜１０⁷ Ω・ｃｍとす
ることが出来、又、曲げ強度も１０ｋｇ／ｍｍ² 以上を
満足する。

【００４７】

【表５】

【００４８】

【表６】

【００４９】実施例４ 次に、出発原料を成す複合酸化物としてフォルステライ
ト（Ｍｇ₂ ＳｉＯ₄ ）を、導電付与材として酸化鉄（Ｆ
ｅ₂ Ｏ₃ ）と、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ニオブ（Ｎｂ
₂ Ｏ₃ ）、酸化クロム（Ｃｒ₂ Ｏ₃ ）をそれぞれ用意
し、表７に示すように添加量を変化させた。その後、実
施例１と同様にしてセラミックスを作成し、各種測定を
行った。

【００５０】結果は表８に示す通りである。この結果よ
り、試料Ｎｏ４１、４２では酸化鉄（Ｆｅ₂ Ｏ₃ ）と酸
化亜鉛（ＺｎＯ）及び／又は酸化ニオブ（Ｎｂ
₂ Ｏ₃ ）、酸化クロム（Ｃｒ₂ Ｏ₃ ）の複合材料は、曲
げ強度が１５ｋｇ／ｍｍ² と構造部品材料として使用可
能な曲げ強度を有していたものの、粒界相が連続してい
ない為に、導電付与材による粒界相が形成されていない
為に、体積固有抵抗値を１０⁷Ω・ｃｍ以下とすること
が出来なかった。

【００５１】又、Ｎｏ４７、４８では酸化鉄（Ｆｅ₂ Ｏ
₃ ）と酸化亜鉛（ＺｎＯ）及び／又は酸化ニオブ（Ｎｂ
₂ Ｏ₃ ）、酸化クロム（Ｃｒ₂ Ｏ₃ ）の総含有量が６０
重量％である為に体積固有抵抗値を３×１０⁶ Ω・ｃｍ
以下と半導電性を得ることが出来たものの、その添加量
が６０重量％以上である為に、曲げ強度が８ｋｇ／ｍｍ
² と構造部品材料として必要な曲げ強度１０ｋｇ／ｍｍ
² 以上を満足することが出来なかった。

【００５２】これに対し、Ｎｏ４３〜４６は酸化鉄（Ｆ
ｅ₂ Ｏ₃ ）と酸化亜鉛（ＺｎＯ）及び／又は酸化ニオブ
（Ｎｂ₂ Ｏ₃ ）、酸化クロム（Ｃｒ₂ Ｏ₃ ）の総含有量
が１５〜５５重量％の範囲にあり、且つ粒界相が連続し
ている為に体積固有抵抗値を１０⁵ 〜１０⁷ Ω・ｃｍと
することが出来、又、曲げ強度も１０ｋｇ／ｍｍ² 以上
を満足する。

【００５３】

【表７】

【００５４】

【表８】

【００５５】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ＭｇＯ
とＳｉＯ₂ の複合酸化物を主体とし、酸化鉄と、酸化亜
鉛・酸化ニオブ・酸化クロムの一種以上とを含み、体積
固有抵抗が１０⁵ 〜１０⁷ Ω・ｃｍ、熱膨張係数が１１
×１０^-6／℃以下、曲げ強度が１０ｋｇ／ｍｍ² 以上の
半導電性セラミックスとすることによって、静電気を除
去することができ、しかも製造が容易で大量生産を可能
にすることができる。

【００５６】また、上記半導電性セラミックスを用い
て、各種治工具を形成すれば、静電気を除去して悪影響
を防止することができる。

【００５７】さらに、上記半導電性セラミックスを用い
て、磁気ディスク基板用保持部材を形成すれば、磁気デ
ィスク基板の熱膨張係数と近似させることが出来、高速
回転時に高温になっても熱膨張差に伴う不都合を生じる
ことが無く、又、磁気ディスク基板に帯電した静電気を
効率良く逃すことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】一般的な磁気ディスク装置を示す縦断面図であ
る。

【符号の説明】

１０：シム １１：スペ−サ− １２：クランプ １３：回転軸 １４：ハブ １５：磁気ディスク基板 １７：磁気ヘッド

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ＭｇＯとＳｉＯ₂ の複合酸化物を主体と
   し、酸化鉄と、酸化亜鉛・酸化ニオブ・酸化クロムの一
   種以上とを含み、体積固有抵抗が１０⁵ 〜１０⁷ Ω・ｃ
   ｍ、熱膨張係数が１１×１０^-6／℃以下、曲げ強度が１
   ０ｋｇ／ｍｍ²以上であることを特徴とする半導電性セ
   ラミックス。
2. 【請求項２】ＭｇＯとＳｉＯ₂ の複合酸化物を４０〜９
   ０重量％と、酸化鉄を５〜５５重量％と、残部が酸化亜
   鉛・酸化ニオブ・酸化クロムの一種以上から成ることを
   特徴とする請求項１記載の半導電性セラミックス。
3. 【請求項３】磁気記録装置用部品や各種電子部品等の製
   造工程や取り扱い工程等で使用する治工具であって、請
   求項１記載の半導電性セラミックスにより形成したこと
   を特徴とする治工具。
4. 【請求項４】磁気ディスク基板を所定位置に保持するた
   めの保持部材であって、請求項１記載の半導電性セラミ
   ックスにより形成し、磁気ディスクとの接触面の平面度
   を３μｍ以下としたことを特徴とする磁気ディスク基板
   用保持部材。
5. 【請求項５】請求項４記載の保持部材を用いて、ガラス
   製の磁気ディスク基板を保持したことを特徴とする磁気
   ディスク装置。