KR101629149B1 - 정전기 소산용 반도성 세라믹스 조성물 및 이의 제조방법 - Google Patents

정전기 소산용 반도성 세라믹스 조성물 및 이의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 정전기의 소산을 위한 전도성을 갖는 세라믹스 조성물을 개시한다. 이러한 세라믹스 조성물은 ZnO와 Al2O3가 혼합된 ZnO-Al2O3 복합체 조성으로 이루어질 수 있다. 이때, 상기 Al2O3는 상기 ZnO-Al2O3 복합체 조성의 총량대비 1~20 vol%의 범위로 함유될 수 있다. 또한, 상기 ZnO-Al2O3 복합체 조성에 Mn, Co 및 Cr의 금속 이온을 포함하는 금속 산화물들로 이루어진 군에서 하나 이상 선택된 성분이 첨가될 수 있고, 상기 성분의 첨가량은 상기 ZnO-Al2O3 복합체 조성의 총량대비 0.01~2.0 wt%의 범위로 될 수 있다. 이러한 세라믹스 조성물로 되는 기판은 테입 캐스팅, 슬립 캐스팅 및 필터 캐스팅 등의 통상적인 후막공정으로 제조될 수 있다.

Description

정전기 소산용 반도성 세라믹스 조성물 및 이의 제조방법 {SEMICONDUCTING CERAMICS COMPOSITION FOR ELECTROSTATIC DISSIPATION AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 반도성 세라믹스 조성물에 관한 것으로, 특히 정전기를 소산하기 위해 저항값이 제어되면서도 내마모성이 향상된 세라믹스 기판을 위한 반도성 세라믹스 조성물에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 이러한 반도성 세라믹스 조성물의 제조방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 반도성 세라믹스 조성물의 제조방법에 의해 형성된 세라믹스 기판에 관한 것이다.
일반적으로 반도체나 디스플레이 디바이스의 제조공정에서 사용되는 여러 장비에는 이들 디바이스와 접촉하는 기판이 있으며, 이러한 기판과의 접촉과정에서 정전기 방전(ESD: Electrostatic Discharge)이 발생할 수 있다. 그리고, 이러한 정전기 방전은 미세 전기회로를 포함하는 반도체나 디스플레이 디바이스에 치명적인 문제를 야기한다. 이에 따라, 정전기를 소산(消散), 즉 제거하는 것이 중요한 관건으로 된다.
무엇보다 정전기의 소산 특성을 갖기 위해서는 기판의 표면에 전도성이 확보되어야 한다. 뿐만 아니라, 기판의 내마모성과 내화학성이 동시에 확보되어야 다양한 공정에서 보편적으로 적용될 수 있다. 특히, 금속 기판은 내마모성과 내화학성이 충분하지 못하고, 세라믹 기판은 부도체로서 전도성의 확보가 어려우므로 단일 소재로는 적용하기가 어렵다.
이에, 세라믹스 기판에 전도성을 부여하여 효과적인 정전기의 소산 특성을 달성하기 위한 여러 시도가 꾸준히 진행되어왔다.
이러한 세라믹스 기판의 예로서, 국제특허공개공보 제WO98/49121호(1998. 11. 5 공개) "Semiconductive Zirconia sinter and destaticizing member comprising semiconductive Zirconia sinter"에서는 10~40중량%의 Fe, Co, Ni 및 Cr 산화물을 함유하여 양호한 기계적 특성을 갖는 반도성 지르코니아계 조성물을 개시한다.
또한, 일본 특개평08-039441호(1996. 2. 13 공개) "부품 파지구"에서는 정전기를 제거한 파지기구로서 저항율이 106~109ohm·cm인 고강도 지르코니아계 복합물 핀셋을 개시한다.
또한, 국제특허공개공보 제WO 2002/81402호(2002. 10. 17 공개) "ESD Dissipative Ceramics"에서는 산화이트륨을 첨가한 정방정계 지르코니아(Y-PSZ)에 도전성의 산화물, 탄화물 및 질화물 등의 혼합물을 함유시키는 세라믹스 조성물을 개시한다.
또한, 국내특허 제1243731호(2013. 3. 13 공고) "정전기 제거용 고용형 반도성 세라믹 조성물 및 그 제조방법"에서는 CaMnO3와 ABO3(이때, A는 Ca, Sr 또는 Ba이고, B는 Zr, Sn 또는 Ti이다)의 고용체 세라믹스 조성물을 개시한다.
또한, 미국 특허공보 제5,958,813호(1999. 9. 28 공고) "Semi-insulating aluminum nitride sintered body"에서는 Ti, Ce, Ni, Ta, Y, Er 및 Yb 중에서 하나 이상의 산화물로부터 또는 Si로부터 입계상을 형성하여 정전기를 제거하는 부재를 제조함으로써 비저항이 104~1011 범위의 반절연성 질화알루미늄(AlN) 소결체를 개시한 바 있다.
한편, 이 외에도 세라믹스 기판의 표면에 전도성 물질을 코팅함으로써 전도성 기판을 얻는 방법 또한 연구되고 있으나, 반복적인 기판의 사용에 따라 상기 코팅면이 마모되어 전도성에 문제가 발생하고 이 경우 수리과정을 통하여 전도성 물질을 재코팅해야하는 등 장기적인 반복사용이 불가능하다. 그리고, 이러한 재코팅은 모재 기판과 코팅층 사이에 구조적, 화학적인 여러 문제를 야기할 수 있고 무엇보다도 코팅층의 마모에 따른 문제를 원천적으로 해결할 수 없다는 한계를 갖는다.
본 발명의 출원인은 이러한 문제를 해결하기 위하여 현재 출원중인 본 출원인의 특허출원 제10-2014-116702호(2014. 9. 3 출원) "반도성 세라믹스 조성물 및 이의 제조방법"에서 ZnO에 Mn, Co 및 Cr 등의 첨가물을 함유하는 세라믹 조성물을 개시한 바 있다. 이러한 세라믹 조성에 의하면, 소결이 양호하고 소정의 전도성을 확보하면서도 저항값을 용이하고 효율적으로 제어함으로써 정전기를 효과적으로 소산할 수 있다.
그러나, 이러한 ZnO 함유 조성의 경우, 기타 반도성을 제어가능한 BaTiO3 조성이나 SiC 조성에 비하여 소재의 가격이 저렴하면서도 소결성이 우수하다는 장점이 있으나, 내마모성이 낮다는 문제를 갖는다. 따라서, 정전기가 효과적으로 소산되면서 소결이 양호하고 소정의 전도성을 확보하며 용이하게 제어가능한 저항값을 가지면서도 한편으로는 내마모성이 우수한 세라믹 조성의 개발이 요구된다.
이에 따라, 본 발명은 정전기의 소산특성을 갖기 위해 양호한 소결성과 제어가능한 반도성을 가지면서도 개선된 내마모성을 갖는 세라믹스 기판을 위한 반도성 세라믹스 조성물 및 이의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 의한 세라믹스 조성물은 정전기의 소산이 가능한 비저항을 갖는 세라믹스 조성물로서, ZnO와 Al2O3가 혼합된 ZnO-Al2O3 복합체 조성으로 이루어질 수 있다.
이때, 상기 Al2O3는 상기 ZnO-Al2O3 복합체 조성의 총량대비 1~20 vol%의 범위로 함유될 수 있다.
또한, 상기 ZnO-Al2O3 복합체 조성에 Mn, Co 및 Cr의 금속 이온을 포함하는 금속 산화물들로 이루어진 군에서 하나 이상 선택된 성분이 첨가될 수 있고, 상기 성분의 첨가량은 상기 ZnO-Al2O3 복합체 조성의 총량대비 0.01~2.0 wt%의 범위로 될 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 일 측면에 의한 세라믹스 기판은 전술한 세라믹스 조성물로 이루어지고 상기 세라믹스 기판의 표면저항은 106~1012Ω일 수 있다.
또한, 본 발명의 또 다른 일 측면에 의한 세라믹스 조성물의 제조방법은 정전기의 소산이 가능한 비저항을 갖는 세라믹스 조성물의 제조방법으로서, ZnO와 Al2O3의 각 분말을 혼합하여 ZnO-Al2O3 복합체 분말을 제조하는 단계와, 상기 ZnO-Al2O3 복합체 분말을 성형 및 소결하는 단계를 포함할 수 있다.
그리고, 상기 소결의 온도는 1100~1350℃의 범위로 될 수 있다, 특히, 상기 소결의 온도가 1250~1300℃의 범위일 때, 상기 Al2O3의 함량은 상기 ZnO-Al2O3 복합체 분말의 총량 대비 1~15 vol%의 범위로 될 수 있다.
또한, 상기 소결은 산소 분위기에서 수행될 수 있고, 상기 산소의 분압은 10-16~1의 범위로 될 수 있다.
또한, 상기 성형은 건식성형, 냉간 등방압 성형, 압출 성형, 테입 캐스팅, 슬립 캐스팅 및 필터 캐스팅 중의 하나 이상으로 될 수 있다.
본 발명에 따라 ZnO에 알루미나(Al2O3)를 복합화하여 반도성 세라믹스 조성물을 제조한 결과, 소결이 양호하고 소정의 전도성을 확보하여 저항값을 용이하고 효율적으로 제어가능하면서도 특히 개선된 내마모성을 갖는 기판을 제공할 수 있다. 아울러, 상기 조성물에 Mn, Cr, Co을 첨가함으로써 비저항을 더 효과적으로 제어가능하여 정전기의 소산 특성을 효과적으로 제어할 수 있다. 이러한 본 발명에 의한 세라믹스 조성물로 제조된 세라믹스 기판은 반도체 및 디스플레이 장비에서 요구하는 수준에 적합한 저항값을 갖고 정전기를 효과적으로 소산할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따라 ZnO와 알루미나를 다양한 ZnO:Al2O3 vol% 비율로 혼합한 각 조성을 여러 온도범위로 소결하여 제조한 각 세라믹스 소결체의 미세구조를 전자현미경으로 관찰한 사진들이다.
도 2는 본 발명의 도 1에 도시된 다양한 조성들 중에서 알루미나의 함량이 10vol%인 조성을 1250℃에서 소결한 시편의 X선 회절분석 결과이다.
도 3은 도 1의 본 발명의 실시예 조성들에서 알루미나의 함량 및 소결온도의 변화에 따른 세라믹스 소결체의 수축율을 측정하여 나타낸 그래프이다.
도 4는 도 1의 본 발명의 실시예 조성들에서 ZnO 및 알루미나의 함량과 소결온도의 변화에 따른 내마모성을 측정하여 나타낸 그래프이다.
도 5는 본 발명의 실시예 조성들에서 알루미나의 함량과 소결온도의 변화에 따른 비저항 변화를 나타낸 그래프이다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 ZnO-Al2O3 복합체 조성들에 Mn, Co 및 Cr이 각각 첨가된 세라믹스 조성물의 각 첨가량에 따른 비저항 변화를 나타낸 그래프로서,
도 6a는 Mn 첨가량에 따른 비저항 변화를 나타낸 그래프이고;
도 6b는 Co 및 Cr의 각 첨가량에 따른 비저항 변화를 나타낸 그래프이다.
도 7은 본 발명의 ZnO-Al2O3 조성들에 Mn, Co 및 Cr이 각각 첨가된 세라믹 조성물의 각 첨가량에 따른 비저항 변화를 나타낸 그래프이다.
본 발명은 반도체나 디스플레이 디바이스의 공정 장비에 다양하게 적용되고 있는 세라믹 기판에 정전기를 소산(消散), 즉 제거하기 위하여 전도성을 부여하면서도 우수한 내마모성을 갖는 세라믹 기판용 세라믹스 조성물을 제공하는 것이다. 다만, 이러한 세라믹스 기판은 그 저항의 수준으로 볼 때 엄밀하게는 전도성 기판이라기보다는 반도성이라고 할 수 있다.
이에 관하여, 본 발명자들은 소위 진성 반도체(intrinsic semiconductor)의 특성을 갖는 ZnO에 알루미나(Al2O3)를 복합화한 결과 조성물이 반도성이 제어되면서도 내마모도가 향상되는 특성을 보임을 알아냈다.
즉, ZnO는 상온에서 안정적으로 합성되고 소결성 또한 양호하여 조성 자체가 반도성을 나타내게 할 수도 있을 뿐만 아니라 소결 조건에 따라 저항값에 변화를 일으킬 수 있어 저항의 제어도 가능하다. 그리고, 이에 알루미나가 기본조성으로서 복합화됨으로써 양호한 소결성과 제어가능한 반도성을 가지면서도 개선된 내마모성을 획득할 수 있다.
따라서, 본 발명에 의하면, 기본조성으로서 ZnO와 알루미나(Al2O3)가 혼합되며 이러한 알루미나의 함량은 혼합물 총량 대비 1~20 vol%로 됨이 바람직하다.
한편으로, ZnO 대신에 반도성을 부여가능한 기타 소재로서 SiC와 BaTiO3 또한 생각해볼 수 있으나, SiC는 탄화물로서 난소결성 물질이기 때문에 큰 규모의 세라믹 소결체 기판을 제조하기에 적합하지 않으며, BaTiO3는 소재가격면에서 ZnO에 비해 열등하여 적용이 어렵다.
또한, 본 발명에 의하면, 위와 같이 ZnO와 알루미나(Al2O3)가 혼합된 조성분말은 통상의 산화물혼합법 등의 제법을 통하여 반도성을 나타내는 기판으로 제조될 수 있다. 이러한 산화물혼합법의 일 예로서, ZnO와 알루미나의 혼합 분말에 폴리비닐알콜(PVA) 등 이 분야에 공지된 바인더를 추가하고 성형 및 소결함으로써 기판을 제조할 수 있다. 그리고, 이러한 성형은 건식성형, 냉간 등방압 성형(CIP: Cold Isostatic Press), 압출 성형, 테입 캐스팅(tape casting) 등 이 분야에 공지된 모든 제조방법이 임의로 선택되어 사용될 수 있다. 또한, 대형의 평판기판을 제조하는 경우에는, ZnO-Al2O3 혼합분말입자와 바인더를 혼합하여 슬러리를 만든 후, 석고주형에 흘려넣어 기판을 제조하는 슬립 캐스팅(slip casting)이나, 상기 석고 틀 대신에 필터를 사용하여 기판을 제조하는 필터 캐스팅(filter casting) 등 통상적인 후막공정을 포함한 이 분야에 공지된 모든 제조방법이 사용될 수 있다. 또한, 상기 소결온도는 1100~1350℃로 될 수 있다. 또한, 상기 소결의 과정은 산소 분위기에서 수행됨이 바람직하고 이때의 산소 분압은 10-16~1의 범위로 될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따라 ZnO와 알루미나를 다양한 ZnO:Al2O3 vol% 비율로 혼합한 각 조성을 1150~1300℃ 온도범위로 소결하여 제조한 각 세라믹스 소결체의 미세구조를 전자현미경으로 관찰한 사진들이다. 이때, 도 1의 가로축은 ZnO:Al2O3의 vol% 비율이고 도 1의 세로축은 각 소결온도이다.
또한, 도 2는 본 발명의 도 1에 도시된 다양한 조성들 중에서 알루미나의 함량이 10vol%인 조성을 1250℃에서 소결한 시편의 X선 회절분석 결과이고, ZnO상과 ZnAl2O4상이 생성됨을 보인다.
특히, 도 1을 참조하면, 동일한 소결온도에서 알루미나의 함량이 증가할수록 제조된 세라믹스는 미세구조의 치밀화가 증가함을 알 수 있다. 특히, 알루미나의 함량이 15vol% 이하인 조성을 1250℃ 이상의 온도로 소결할 경우 우수한 치밀도를 보인다.
도 3은 도 1의 본 발명의 실시예 조성들에서 알루미나의 함량 및 소결온도의 변화에 따른 세라믹스 소결체의 수축율을 측정하여 나타낸 그래프이다.
도 3에서 이러한 수축율은 ZnO와 알루미나(Al2O3)가 혼합된 각 조성의 분말을 10Φ 몰드로 성형하여 벌크 시편을 제작하고 이러한 초기 시편들의 각 직경을 예를 들어 버니어 캘리퍼스로 측정한 후, 각 소결온도에서 소결한 후 수축한 시편들의 직경을 측정하여 각각의 수축율을 계산한 값이다. 도 3을 보면, 도 1과 같이 15vol% 이상의 알루미나 함량 조성을 1200℃ 이하에서 소결한 경우 수축율(Shrinkage)은 6% 이하로 낮으나, 반면에 10vol% 이하의 알루미나 함량 조성을 1250℃ 이상에서 소결한 경우 수축율은 15% 이상의 높은 값을 보임을 알 수 있다. 즉, 이는 알루미나의 함량이 증가할수록 ZnO의 소결성이 감소함을 나타내며, 도 1에서 관찰한 바와 일치한다. 본 발명에 의하면, 15vol% 이하의 알루미나 함량 조성을 1250℃ 이상으로 소결할 경우 우수한 치밀도의 소결체가 얻어진다.
도 4는 도 1과 같은 본 발명의 실시예 조성들에서 ZnO 및 알루미나의 함량과 소결온도의 변화에 따른 내마모성을 측정하여 나타낸 그래프이다.
도 4에서 이러한 내마모성은 KS 규격의 KSL 1606에 따라서 원판형상 시험편 방법으로 각 실시예 조성의 세라믹스 시편을 제작하여 내마모성을 측정한 값이다. 도 4를 보면, 각 조성에서 알루미나 함량이 증가할수록 마모손실량(Wear volume loss)이 확연히 감소함이 확인되며, 특히 10vol%의 알루미나 함량 조성을 1250℃에서 소결할 경우 반도성 기판의 마모손실량이 가장 작음이 관찰된다.
한편, 도 5는 본 발명의 실시예 조성들에서 알루미나의 함량과 소결온도의 변화에 따른 비저항 변화를 나타낸 그래프이다.
도 5를 보면, 순수한 ZnO 조성(즉, 알루미나가 함유되지 않은 조성)보다 알루미나를 첨가한 조성에서 비저항(Resistivity)이 오히려 감소하며 이러한 알루미나의 함량이 증가할수록 비저항이 감소하는 것이 관찰된다.
이와 관련하여, 바람직하게는, 본 발명에 의하면, 반도체 및 디스플레이 장비에서 정전기의 소산을 위한 최적의 저항을 확보하기 위해 소정의 첨가제를 함유시킴으로써 ZnO-Al2O3 복합체 조성 소결 기판의 반도성을 더 효율적으로 제어할 수 있다. 일반적으로 반도체 및 디스플레이 장비에서 요구하는 저항은 기판 표면에서 측정되는 선 저항 109Ω 수준 정도로 알려져 있어서 저항값을 쉽게 제어하면서 일정하게 유지하기 위해서 ZnO-Al2O3 복합체 조성에 첨가제가 추가된다.
즉, 본 발명에 의하면, 이러한 첨가제는 Mn, Co, Cr 등의 금속 이온을 포함하는 금속 산화물들로 이루어진 군에서 하나 이상 선택되고 이들의 소량 첨가에 따라 원하는 수준의 저항 제어가 가능하나 바람직하게는 ZnO 및 Al2O3의 혼합물 총량 대비 0.01~2.0 wt%로 첨가된다. 또한, 이러한 금속 산화물들의 예로서, Co3O4, Mn3O4, Cr2O3 등이 사용될 수 있으나, 본 발명에서는 이에 한정되지 아니하고 이 기술분야에 공지된 기타의 해당되는 금속 산화물들이 임의로 사용될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 있어서 효과적으로 정전기를 소산하기 위해 전기적으로 반도성인 세라믹스 기판의 표면저항은 대략 106~1012Ω 정도로 달성될 수 있다.
도 6a는 본 발명의 ZnO-Al2O3 복합체 조성들에 Mn이 첨가된 세라믹스 조성물의 Mn 첨가량에 따른 비저항 변화를 나타낸 그래프이고, 도 6b는 본 발명의 ZnO-Al2O3 복합체 조성들에 Co 및 Cr이 첨가된 세라믹스 조성물의 Co 및 Cr 첨가량에 따른 비저항 변화를 나타낸 그래프이다. 도 6a 및 도 6b의 세라믹 조성물 모두 1250℃에서 소결되었고 Al2O3 함량은 10vol%이다.
도 6a 및 도 6b를 보면, ZnO-Al2O3 조성에 Mn, Cr, Co을 첨가하면 그 첨가량이 증가함에 따라 비저항(Resistivity)이 상승함을 알 수 있다. 다만, 도 6a를 보면, Mn의 경우 Mn의 첨가량이 1wt%를 초과하면, 비저항 값은 이러한 Mn의 첨가량에 크게 의존하지 않음이 관찰된다.
도 7은 본 발명의 ZnO-Al2O3 조성들에 Mn, Co 및 Cr이 각각 첨가된 세라믹 조성물의 각 첨가량에 따른 비저항 변화를 나타낸 그래프이다.
도 7을 보면, ZnO-Al2O3 복합체 조성에 비저항 증가를 위해 Mn 이온만을 첨가한 경우보다 Cr 및 Co 이온을 각각 추가로 첨가하였을 경우 비저항이 증가하는 것을 알 수 있다. 비저항의 증가값은 Co를 추가 첨가할 경우 Mn만을 첨가하였을 경우보다 10배 정도의 저항 증가를 보이며, Cr을 추가 첨가할 경우 Co보다 더 많은 약 100배의 저항 증가를 보임이 관찰된다.
전술하였듯이, 본 발명에 의하면, ZnO에 알루미나를 복합화하여 반도성 세라믹스 조성물을 제조하면, 소결이 양호하고 소정의 전도성을 확보하도록 비저항이 제어되어 정전기가 효과적으로 소산되면서도 특히 개선된 내마모성을 갖는 세라믹스 기판을 제공할 수 있다. 더구나, 이러한 반도성 세라믹스 조성에 Mn, Cr, Co을 첨가함으로써 비저항을 더욱 효과적으로 제어가능하여 정전기의 소산특성을 효과적으로 제어할 수 있다.
이상, 상술된 본 발명의 구현예 및 실시예에 있어서, 조성분말의 평균입도, 분포 및 비표면적과 같은 분말특성과, 원료의 순도, 불순물 첨가량 및 열처리 조건에 따라 통상적인 오차범위 내에서 다소 변동이 있을 수 있음은 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 지극히 당연하다.
아울러 본 발명의 바람직한 구현예 및 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가 등이 가능할 것이고, 이러한 수정, 변경, 부가 등은 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 한다.

Claims (15)

  1. 정전기의 소산이 가능한 비저항을 갖는 세라믹스 조성물에 있어서,
    주성분 ZnO와 부성분 Al2O3가 혼합된 ZnO-Al2O3 복합체 조성으로 이루어진 것을 특징으로 하는 세라믹스 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 Al2O3는 상기 ZnO-Al2O3 복합체 조성의 총량대비 1~20 vol%의 범위로 함유되는 것을 특징으로 하는 세라믹스 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 ZnO-Al2O3 복합체 조성에 Mn, Co 및 Cr의 금속 이온을 포함하는 금속 산화물들로 이루어진 군에서 하나 이상 선택된 성분을 첨가한 것을 특징으로 하는 세라믹스 조성물.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 성분의 첨가량은 상기 ZnO-Al2O3 복합체 조성의 총량대비 0.01~2.0 wt%의 범위인 것을 특징으로 하는 세라믹스 조성물.
  5. 제1항 내지 제4항 중의 어느 한 항에 의한 세라믹스 조성물로 이루어진 세라믹스 기판.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 세라믹스 기판의 표면저항은 106~1012Ω인 것을 특징으로 하는 세라믹스 기판.
  7. 정전기의 소산이 가능한 비저항을 갖는 세라믹스 조성물의 제조방법에 있어서,
    주성분 ZnO 분말과 부성분 Al2O3 분말을 혼합하여 혼합분말을 형성하는 단계와;
    상기 혼합분말을 성형 및 소결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹스 조성물의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 ZnO 분말과 Al2O3 분말을 혼합하는 것은 상기 ZnO 분말과 Al2O3 분말에 Mn, Co 및 Cr의 금속 이온을 포함하는 금속 산화물들로 이루어진 군에서 하나 이상 선택된 금속 산화물을 첨가하여 함께 혼합하는 것임을 특징으로 하는 세라믹스 조성물의 제조방법.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 Al2O3 분말의 함량은 상기 ZnO 분말과 Al2O3 분말의 합산량 대비 1~20 vol%의 범위인 것을 특징으로 하는 세라믹스 조성물의 제조방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 금속 산화물의 첨가량은 상기 ZnO 분말과 Al2O3 분말의 합산량 대비 0.01~2.0 wt%의 범위인 것을 특징으로 하는 세라믹스 조성물의 제조방법.
  11. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 소결의 온도는 1100~1350℃의 범위인 것을 특징으로 하는 세라믹스 조성물의 제조방법.
  12. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 소결의 온도가 1250~1300℃의 범위이고, 상기 Al2O3 분말의 함량은 상기 ZnO 분말과 Al2O3 분말의 합산량 대비 1~15 vol%의 범위인 것을 특징으로 하는 세라믹스 조성물의 제조방법.
  13. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 소결은 산소 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 세라믹스 조성물의 제조방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 산소의 분압은 10-16~1의 범위로 되는 것을 특징으로 하는 세라믹스 조성물의 제조방법.
  15. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 성형은 건식성형, 냉간 등방압 성형, 압출 성형, 테입 캐스팅, 슬립 캐스팅 및 필터 캐스팅 중의 하나 이상으로 되는 것을 특징으로 하는 세라믹스 조성물의 제조방법.
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