JPS594768B2 - 薄膜ヘッド基盤材料 - Google Patents
薄膜ヘッド基盤材料Info
- Publication number
- JPS594768B2 JPS594768B2 JP51013699A JP1369976A JPS594768B2 JP S594768 B2 JPS594768 B2 JP S594768B2 JP 51013699 A JP51013699 A JP 51013699A JP 1369976 A JP1369976 A JP 1369976A JP S594768 B2 JPS594768 B2 JP S594768B2
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- JP
- Japan
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- thin film
- film head
- mol
- head base
- base material
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- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、金属酸化物からなる薄膜ヘッド基盤材料に
関する。
関する。
電子計算機などに使用される薄膜ヘッド基盤材料として
は、電気抵抗が１０６Ω一儂以上と高く非磁性もしくは
透磁率が５０以下の低い値を有し、薄膜加工工程上フッ
酸等に対し耐酸性があり、又材料内部に空孔がほとんど
ない高密度の材料であることが要求される。
は、電気抵抗が１０６Ω一儂以上と高く非磁性もしくは
透磁率が５０以下の低い値を有し、薄膜加工工程上フッ
酸等に対し耐酸性があり、又材料内部に空孔がほとんど
ない高密度の材料であることが要求される。
従来、この薄膜ヘッド基盤材料としては、シリコン単結
晶やアルミナ系セラミック等が知られているが、シリコ
ン単結晶は電気抵抗が低く、アルミナ系セラミックは加
工が困難な欠点があつた。
晶やアルミナ系セラミック等が知られているが、シリコ
ン単結晶は電気抵抗が低く、アルミナ系セラミックは加
工が困難な欠点があつた。
発明者らは、かかる欠点を除くため種々研究の結果、酸
化鉄と酸化ニッケル、あるいはさらに酸化亜鉛を含む金
属酸化物焼結体が薄膜ヘッド基盤材料として、すぐれた
特性を有することを知見し５ た。この発明は、この知
見に基づくものであり、酸化鉄２５〜４８モル％、酸化
ニッケル５２〜７５モル％の金属酸化物焼結体、又は上
記金属酸化物に、さらに２３モル％以下の酸化亜鉛を含
有する１０金属酸化物焼結体を薄膜ヘッド基盤材料とし
て提案するものである。
化鉄と酸化ニッケル、あるいはさらに酸化亜鉛を含む金
属酸化物焼結体が薄膜ヘッド基盤材料として、すぐれた
特性を有することを知見し５ た。この発明は、この知
見に基づくものであり、酸化鉄２５〜４８モル％、酸化
ニッケル５２〜７５モル％の金属酸化物焼結体、又は上
記金属酸化物に、さらに２３モル％以下の酸化亜鉛を含
有する１０金属酸化物焼結体を薄膜ヘッド基盤材料とし
て提案するものである。
この発明によれば、１０６Ω一儂以上の高い電気抵抗、
μが５０以下の低い透磁率を有し、又５０％フッ酸で５
０Ｈｒエッチング後の表面積当Ｄ重量減が１０−２ｇ／
一以下の耐１５酸化にすぐれ、ほとんど空孔を含まない
緻密な材料で、さらに加工住のすぐれた薄膜ヘッド基盤
材料が得られる。この発明における酸化鉄は２５モル％
以下では得られる焼結体の加工時チッピング発生などの
た２０め精密加工は困難になり、又４８モル％を越える
と透磁率が５０を越え、どちらも薄膜ヘッド基盤材料と
して不適当になる。
μが５０以下の低い透磁率を有し、又５０％フッ酸で５
０Ｈｒエッチング後の表面積当Ｄ重量減が１０−２ｇ／
一以下の耐１５酸化にすぐれ、ほとんど空孔を含まない
緻密な材料で、さらに加工住のすぐれた薄膜ヘッド基盤
材料が得られる。この発明における酸化鉄は２５モル％
以下では得られる焼結体の加工時チッピング発生などの
た２０め精密加工は困難になり、又４８モル％を越える
と透磁率が５０を越え、どちらも薄膜ヘッド基盤材料と
して不適当になる。
酸化ニッケルは５２モル％以下では得られる焼結体の透
磁率が５０を越え、又７５モル％を越え２５ると得られ
る焼結体の加工時チッピング発生などのため精密加工が
困難になわ、薄膜ヘッド基盤材料として不適当になる。
磁率が５０を越え、又７５モル％を越え２５ると得られ
る焼結体の加工時チッピング発生などのため精密加工が
困難になわ、薄膜ヘッド基盤材料として不適当になる。
酸化亜鉛は２３モル％を越えると得られる焼結体の耐酸
性は劣化し、薄膜ヘッド基盤材料として３０不適当にな
るから２３モル％以下の含有が望ましい。
性は劣化し、薄膜ヘッド基盤材料として３０不適当にな
るから２３モル％以下の含有が望ましい。
次に、この発明の実施例について説明する。
細かく粉砕した高純度の酸化鉄、酸化ニッケル、及び酸
化亜鉛を、第１表に示す割合で水を分散媒体３５として
ボールミルにより混合し、第１表に示す各組成の金属酸
化物混合物を作り、これを十分に混合し乾燥させた後、
８００〜９００℃で仮焼を行いホウ仁−ールミルで１ミ
クロン以下に粉砕した。
化亜鉛を、第１表に示す割合で水を分散媒体３５として
ボールミルにより混合し、第１表に示す各組成の金属酸
化物混合物を作り、これを十分に混合し乾燥させた後、
８００〜９００℃で仮焼を行いホウ仁−ールミルで１ミ
クロン以下に粉砕した。
これを３０ｍ７！ｌ×２０７ｆＳ×８ｍ７１Ｌの形状の
プロツクに成形し、１２００℃以上の酸素雰囲気で焼結
した。そして、これ５らの各試料について、外径８ｍ１
Ｌ．内径４ｍ１，厚さ２ｍ１のリングによりｆ＝１００
ＫＨｚで透磁率を、ホイートストンブリツジで比抵抗を
測定すると共に、濃度５０（Ｆ６の半導体用フツ酸にて
５０時間エツチングした後の重量減を１ｃｒ！ｌの表面
積当りの値として耐酸囲を試験した。
プロツクに成形し、１２００℃以上の酸素雰囲気で焼結
した。そして、これ５らの各試料について、外径８ｍ１
Ｌ．内径４ｍ１，厚さ２ｍ１のリングによりｆ＝１００
ＫＨｚで透磁率を、ホイートストンブリツジで比抵抗を
測定すると共に、濃度５０（Ｆ６の半導体用フツ酸にて
５０時間エツチングした後の重量減を１ｃｒ！ｌの表面
積当りの値として耐酸囲を試験した。
その結果を第１表に示した。第１表において試料▲１〜
６は本発明の基板材料、煮７〜８は比較例である。又３
元組成と透磁率の関係を第１図に、同じく比抵抗との関
係を第２図匡、同じく耐酸肚との関係を第３図に示した
。この結果よシ、この発明の組成からなる金属酸化物焼
結体は５０以下の低い透磁率、１０６Ω−礪以上の高い
比抵抗を有し、又フツ酸エツチングにおける重量減は１
０゜２９／ｄ以下ですぐれた耐酸注を有することがわか
る。
６は本発明の基板材料、煮７〜８は比較例である。又３
元組成と透磁率の関係を第１図に、同じく比抵抗との関
係を第２図匡、同じく耐酸肚との関係を第３図に示した
。この結果よシ、この発明の組成からなる金属酸化物焼
結体は５０以下の低い透磁率、１０６Ω−礪以上の高い
比抵抗を有し、又フツ酸エツチングにおける重量減は１
０゜２９／ｄ以下ですぐれた耐酸注を有することがわか
る。
又この発明の組成範囲を外れた非磁注金属酸化物焼結体
の透磁率、比抵抗及び耐酸性はいずれも劣ることが第１
表及び各図面ようわかる。
の透磁率、比抵抗及び耐酸性はいずれも劣ることが第１
表及び各図面ようわかる。
第１図は酸化鉄、酸化ニツケル及び酸化亜鉛よりなる金
属酸化物焼結体の組成と透磁率の関係を示す図表、第２
図は同じく組成と比抵抗の関係を示す図表、第３図は同
じく組成と耐酸性の関係を示す図表である。
属酸化物焼結体の組成と透磁率の関係を示す図表、第２
図は同じく組成と比抵抗の関係を示す図表、第３図は同
じく組成と耐酸性の関係を示す図表である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 酸化鉄２５〜４８モル％と酸化ニッケル５２〜７５
モル％の金属酸化物焼結体からなる薄膜ヘッド基盤材料
。 ２ 酸化鉄２５〜４８モル％と酸化ニッケル５２〜７５
モル％に２３モル％以下の酸化亜鉛を含む金属酸化物焼
結体からなる薄膜ヘッド基盤材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51013699A JPS594768B2 (ja) | 1976-02-10 | 1976-02-10 | 薄膜ヘッド基盤材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51013699A JPS594768B2 (ja) | 1976-02-10 | 1976-02-10 | 薄膜ヘッド基盤材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5296519A JPS5296519A (en) | 1977-08-13 |
| JPS594768B2 true JPS594768B2 (ja) | 1984-01-31 |
Family
ID=11840437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51013699A Expired JPS594768B2 (ja) | 1976-02-10 | 1976-02-10 | 薄膜ヘッド基盤材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS594768B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5848218A (ja) * | 1981-09-17 | 1983-03-22 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 磁気ヘッド用部材 |
| JPS5856219A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-04-02 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 磁気ヘツド材 |
| JPS61111512A (ja) * | 1984-11-06 | 1986-05-29 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 薄膜ヘツド基板用Ｎｉ−Ｚｎフエライト |
-
1976
- 1976-02-10 JP JP51013699A patent/JPS594768B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5296519A (en) | 1977-08-13 |
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