JPH11251126A - 酸化物永久磁石およびその製造方法 - Google Patents
酸化物永久磁石およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH11251126A JPH11251126A JP10050267A JP5026798A JPH11251126A JP H11251126 A JPH11251126 A JP H11251126A JP 10050267 A JP10050267 A JP 10050267A JP 5026798 A JP5026798 A JP 5026798A JP H11251126 A JPH11251126 A JP H11251126A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- permanent magnet
- oxide permanent
- slurry
- mno
- magnetoplumbite
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Hard Magnetic Materials (AREA)
- Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 残留磁束密度が高く、温度係数が磁気バブル
メモリモジュール用に適した酸化物永久磁石およびその
製造方法を提供することである。 【解決手段】 ストロンチウムおよびバリウムの中から
選ばれる少なくとも１種を含有するマグネトプランバイ
ト型の酸化物永久磁石であって、ＭｎＯを０．５〜５．
０ｗｔ％、ＺｎＯを０．３〜３．０ｗｔ％含有し、残留
磁束密度Ｂｒの温度係数が−０．２０〜−０．２５％／
℃であることを特徴とする酸化物永久磁石であって、
前記酸化物永久磁石は、ストロンチウムおよびバリウム
の中から選ばれる少なくとも１種を含有するマグネトプ
ランバイト型のフェライト粉末と、（１−ｘ−ｙ）Ｍｎ
Ｏ・ｘＺｎＯ・ｙＦｅ2Ｏ3（ｘ＝０．０７〜０．２５、
ｙ＝０．５０〜０．６０）で表される組成を有するフェ
ライト粉末と、さらにＳｉ，Ｃａ等を含む焼結助剤とを
秤量して混合し、湿式粉砕してスラリーを得た後、湿式
磁場成形、焼成を行うことによって得られる。
メモリモジュール用に適した酸化物永久磁石およびその
製造方法を提供することである。 【解決手段】 ストロンチウムおよびバリウムの中から
選ばれる少なくとも１種を含有するマグネトプランバイ
ト型の酸化物永久磁石であって、ＭｎＯを０．５〜５．
０ｗｔ％、ＺｎＯを０．３〜３．０ｗｔ％含有し、残留
磁束密度Ｂｒの温度係数が−０．２０〜−０．２５％／
℃であることを特徴とする酸化物永久磁石であって、
前記酸化物永久磁石は、ストロンチウムおよびバリウム
の中から選ばれる少なくとも１種を含有するマグネトプ
ランバイト型のフェライト粉末と、（１−ｘ−ｙ）Ｍｎ
Ｏ・ｘＺｎＯ・ｙＦｅ2Ｏ3（ｘ＝０．０７〜０．２５、
ｙ＝０．５０〜０．６０）で表される組成を有するフェ
ライト粉末と、さらにＳｉ，Ｃａ等を含む焼結助剤とを
秤量して混合し、湿式粉砕してスラリーを得た後、湿式
磁場成形、焼成を行うことによって得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、酸化物永久磁石お
よびその製造方法に関するものであり、特に、磁気バブ
ルメモリーモジュールに用いる酸化物永久磁石およびそ
の製造方法に関する。
よびその製造方法に関するものであり、特に、磁気バブ
ルメモリーモジュールに用いる酸化物永久磁石およびそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】〔磁気バブルメモリーモジュール〕ま
ず、磁気バブルメモリーモジュールについて説明する。
ず、磁気バブルメモリーモジュールについて説明する。
【０００３】磁気バブルメモリーモジュールとは、膜面
に垂直な方向に強い一軸の磁気異方性をもつ強磁性薄膜
（垂直磁化膜）において、安定に存在する円柱状磁区で
ある、バブル磁区を記憶担体とするメモリーモジュール
のことであり、記録密度が高く、不揮発性、高信頼性を
有することから、電子交換機、数値制御機械や産業用ロ
ボットなどの特定用途を中心に、一部パーソナルコンピ
ュータなどにも用いられている。
に垂直な方向に強い一軸の磁気異方性をもつ強磁性薄膜
（垂直磁化膜）において、安定に存在する円柱状磁区で
ある、バブル磁区を記憶担体とするメモリーモジュール
のことであり、記録密度が高く、不揮発性、高信頼性を
有することから、電子交換機、数値制御機械や産業用ロ
ボットなどの特定用途を中心に、一部パーソナルコンピ
ュータなどにも用いられている。
【０００４】この磁気バブルメモリーモジュールは、バ
ブルの情報を不揮発性にするとともに、構造の簡略化と
電力節減のために永久磁石を利用した磁気回路によって
バイアス磁界を発生させている。このとき、メモリチッ
プのバイアス動作マージンは温度とともに変化してしま
う。ここで、バイアス動作マージンとは、バブル磁区が
消滅あるいは生成するバイアス磁界の臨界点のことであ
る。したがって、バイアス磁界をメモリチップの動作マ
ージンの中心値に常に合わせる必要がある。そのための
方法としては、次の２つが考えられる。
ブルの情報を不揮発性にするとともに、構造の簡略化と
電力節減のために永久磁石を利用した磁気回路によって
バイアス磁界を発生させている。このとき、メモリチッ
プのバイアス動作マージンは温度とともに変化してしま
う。ここで、バイアス動作マージンとは、バブル磁区が
消滅あるいは生成するバイアス磁界の臨界点のことであ
る。したがって、バイアス磁界をメモリチップの動作マ
ージンの中心値に常に合わせる必要がある。そのための
方法としては、次の２つが考えられる。
【０００５】（方法１）バイアス動作マージンの変化の
原因となるメモリチップの温度変化を抑制する。
原因となるメモリチップの温度変化を抑制する。
【０００６】（方法２）バイアス磁界の温度変化をメモ
リチップの温度変化と同じにする。
リチップの温度変化と同じにする。
【０００７】しかし、実際には、上記の（方法１）は極
めて困難である。そのため、（方法２）を用いる必要が
ある。
めて困難である。そのため、（方法２）を用いる必要が
ある。
【０００８】〔磁気バブルメモリーモジュール用の酸化
物永久磁石〕（方法２）を行うためには、磁気バブルメ
モリーモジュールに用いる永久磁石として、温度特性な
どの諸特性が安定している材料を用いる必要がある。特
に、残留磁束密度とその温度係数は重要な特性である。
ここで、残留磁束密度（Ｂｒ）とは、磁性体に磁界を印
加したときの外部磁界（Ｈ）と磁性体の磁束密度（Ｂ）
との関係を示すＢ−Ｈ曲線において、Ｈ＝０の点のＢの
ことである。また、残留磁束密度の温度係数とは、温度
変化１℃あたりのＢｒの変動率のことである。このよう
な特性を満足する材料としては、マグネトプランバイト
型の酸化物永久磁石が知られている。ここでマグネトプ
ランバイト型の酸化物永久磁石とは、ＭＯ・ｎＦｅ2Ｏ3
（ＭはＢａ，Ｓｒ，Ｐｂ、ｎ＝５．０〜６．２）で表さ
れる組成からなるが、最近は安全上の理由からＭとして
Ｐｂが用いられることはほとんどないため、ＭはＢａお
よびＳｒの中から選ばれる少なくとも１種以上のものに
限られる。以下これらを単にＳｒフェライト、Ｂａフェ
ライトと呼ぶ。
物永久磁石〕（方法２）を行うためには、磁気バブルメ
モリーモジュールに用いる永久磁石として、温度特性な
どの諸特性が安定している材料を用いる必要がある。特
に、残留磁束密度とその温度係数は重要な特性である。
ここで、残留磁束密度（Ｂｒ）とは、磁性体に磁界を印
加したときの外部磁界（Ｈ）と磁性体の磁束密度（Ｂ）
との関係を示すＢ−Ｈ曲線において、Ｈ＝０の点のＢの
ことである。また、残留磁束密度の温度係数とは、温度
変化１℃あたりのＢｒの変動率のことである。このよう
な特性を満足する材料としては、マグネトプランバイト
型の酸化物永久磁石が知られている。ここでマグネトプ
ランバイト型の酸化物永久磁石とは、ＭＯ・ｎＦｅ2Ｏ3
（ＭはＢａ，Ｓｒ，Ｐｂ、ｎ＝５．０〜６．２）で表さ
れる組成からなるが、最近は安全上の理由からＭとして
Ｐｂが用いられることはほとんどないため、ＭはＢａお
よびＳｒの中から選ばれる少なくとも１種以上のものに
限られる。以下これらを単にＳｒフェライト、Ｂａフェ
ライトと呼ぶ。
【０００９】一般的なＳｒフェライト磁石やＢａフェラ
イト磁石は、そのパーミアンス係数によっても若干異な
るが、残留磁束密度Ｂｒの温度係数は−０．１８〜−
０．２０％／℃である。ここで、パーミアンス係数と
は、永久磁石の組み込まれた磁気回路のＢ−Ｈ曲線図に
おいて、永久磁石の動作点のＨ軸に対する勾配のことで
ある。
イト磁石は、そのパーミアンス係数によっても若干異な
るが、残留磁束密度Ｂｒの温度係数は−０．１８〜−
０．２０％／℃である。ここで、パーミアンス係数と
は、永久磁石の組み込まれた磁気回路のＢ−Ｈ曲線図に
おいて、永久磁石の動作点のＨ軸に対する勾配のことで
ある。
【００１０】それに対して、メモリチップの温度係数は
−０．２０〜−０．２５％／℃であり、一般的なＳｒフ
ェライト磁石やＢａフェライト磁石のそれとは異なる。
したがって、一般的なＳｒフェライト磁石やＢａフェラ
イト磁石は、磁気バブルメモリーモジュール用の永久磁
石として必ずしも適切とはいえない。
−０．２０〜−０．２５％／℃であり、一般的なＳｒフ
ェライト磁石やＢａフェライト磁石のそれとは異なる。
したがって、一般的なＳｒフェライト磁石やＢａフェラ
イト磁石は、磁気バブルメモリーモジュール用の永久磁
石として必ずしも適切とはいえない。
【００１１】〔磁気バブルメモリーモジュール用酸化物
永久磁石の改良〕そのため、Ｓｒフェライト磁石または
Ｂａフェライト磁石についていくつかの改良が考えられ
た。例えば、特開昭５６−１０５６０５号には、次のよ
うな改良方法が報告されている。
永久磁石の改良〕そのため、Ｓｒフェライト磁石または
Ｂａフェライト磁石についていくつかの改良が考えられ
た。例えば、特開昭５６−１０５６０５号には、次のよ
うな改良方法が報告されている。
【００１２】Ｓｒフェライト磁石またはＢａフェライト
磁石を構成するＦｅ2Ｏ3の一部をＣｒ2Ｏ3，Ａｌ2Ｏ3，
Ｇａ2Ｏ3のうちの一種または二種以上で置換する。この
ような置換を行うことにより、磁石の温度係数をメモリ
チップの温度係数と近似の値にすることができる。
磁石を構成するＦｅ2Ｏ3の一部をＣｒ2Ｏ3，Ａｌ2Ｏ3，
Ｇａ2Ｏ3のうちの一種または二種以上で置換する。この
ような置換を行うことにより、磁石の温度係数をメモリ
チップの温度係数と近似の値にすることができる。
【００１３】しかしながら、この方法では、残留磁束密
度Ｂｒが著しく低下してしまう。そのため、磁気バブル
メモリモジュールの磁気回路に組み込んだ際、充分なバ
イアス磁界を達成できない場合があった。
度Ｂｒが著しく低下してしまう。そのため、磁気バブル
メモリモジュールの磁気回路に組み込んだ際、充分なバ
イアス磁界を達成できない場合があった。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な従来の技術における問題点を解決するためになされた
ものである。したがって、本発明が解決しようとする課
題は、残留磁束密度が高く、その温度係数が磁気バブル
メモリモジュール用に適した酸化物永久磁石とその製造
方法を提供することである。
な従来の技術における問題点を解決するためになされた
ものである。したがって、本発明が解決しようとする課
題は、残留磁束密度が高く、その温度係数が磁気バブル
メモリモジュール用に適した酸化物永久磁石とその製造
方法を提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】前記の課題を解決するた
めに、本発明では、基本的に、ストロンチウムおよびバ
リウムの中から選ばれる少なくとも１種を含有するマグ
ネトプランバイト型の酸化物永久磁石に、ＭｎＯとＺｎ
Ｏを含有させるという手段をとる。
めに、本発明では、基本的に、ストロンチウムおよびバ
リウムの中から選ばれる少なくとも１種を含有するマグ
ネトプランバイト型の酸化物永久磁石に、ＭｎＯとＺｎ
Ｏを含有させるという手段をとる。
【００１６】すなわち、本発明は、ストロンチウムおよ
びバリウムの中から選ばれる少なくとも１種を含有する
マグネトプランバイト型の酸化物永久磁石であって、Ｍ
ｎＯを０．５〜５．０ｗｔ％、ＺｎＯを０．３〜３．０
ｗｔ％含有し、前記酸化物永久磁石の残留磁束密度Ｂｒ
の温度係数が−０．２０〜−０．２５％／℃であること
を特徴とする。
びバリウムの中から選ばれる少なくとも１種を含有する
マグネトプランバイト型の酸化物永久磁石であって、Ｍ
ｎＯを０．５〜５．０ｗｔ％、ＺｎＯを０．３〜３．０
ｗｔ％含有し、前記酸化物永久磁石の残留磁束密度Ｂｒ
の温度係数が−０．２０〜−０．２５％／℃であること
を特徴とする。
【００１７】マグネトプランバイト型の酸化物永久磁石
を製造する方法であって、混合工程とスラリー形成工程
と成形工程と焼成工程とを含み、前記混合工程は、少な
くとも、ストロンチウムおよびバリウムの中から選ばれ
る少なくとも１種を含有するマグネトプランバイト型の
フェライト粉末と、（１−ｘ−ｙ）ＭｎＯ・ｘＺｎＯ・
ｙＦｅ2Ｏ3（ｘ＝０．０７〜０．２５、ｙ＝０．５０〜
０．６０）で表される組成を有するフェライト粉末とを
秤量し、混合することによって混合粉末をつくる工程で
あり、前記スラリー形成工程は、前記混合工程の後に行
われ、前記混合粉末を湿式粉砕してスラリーを得る工程
であり、前記成形工程は、前記スラリー形成工程の後に
行われ、前記スラリーを湿式磁場成形によって成形体を
得る工程であり、前記焼成工程は、前記成形工程の後に
行われ、前記成形体を焼成する工程であることを特徴と
する。
を製造する方法であって、混合工程とスラリー形成工程
と成形工程と焼成工程とを含み、前記混合工程は、少な
くとも、ストロンチウムおよびバリウムの中から選ばれ
る少なくとも１種を含有するマグネトプランバイト型の
フェライト粉末と、（１−ｘ−ｙ）ＭｎＯ・ｘＺｎＯ・
ｙＦｅ2Ｏ3（ｘ＝０．０７〜０．２５、ｙ＝０．５０〜
０．６０）で表される組成を有するフェライト粉末とを
秤量し、混合することによって混合粉末をつくる工程で
あり、前記スラリー形成工程は、前記混合工程の後に行
われ、前記混合粉末を湿式粉砕してスラリーを得る工程
であり、前記成形工程は、前記スラリー形成工程の後に
行われ、前記スラリーを湿式磁場成形によって成形体を
得る工程であり、前記焼成工程は、前記成形工程の後に
行われ、前記成形体を焼成する工程であることを特徴と
する。
【００１８】前記混合工程において、さらに焼結助剤を
秤量して混合することを特徴とする。
秤量して混合することを特徴とする。
【００１９】前記焼結助剤が、ＳｉおよびＣａを含んで
いることを特徴とする。
いることを特徴とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【００２１】〔酸化物永久磁石の組成〕本発明の酸化物
永久磁石は、ＳｒフェライトやＢａフェライトのマグネ
トプランバイト型の永久磁石である。具体的には、ＭＯ
・ｎＦｅ2Ｏ3（ＭはＳｒおよびＢａの中から選ばれる少
なくとも１種、ｎ＝５．０〜６．２）であるが、より高
い磁気特性を得るためには、ＭがＳｒであるほうが好ま
しい。また、さらに高く安定した磁気特性を得るため
に、焼成時の焼結助剤として、ＳｉおよびＣａが含まれ
ていることが好ましい。Ｓｉの含有量はＳｉＯ2に換算
して０．２〜０．６ｗｔ％であることが好ましく、Ｃａ
の含有量はＣａＣＯ3に換算して０．６〜１．５ｗｔ％
であることが好ましい。
永久磁石は、ＳｒフェライトやＢａフェライトのマグネ
トプランバイト型の永久磁石である。具体的には、ＭＯ
・ｎＦｅ2Ｏ3（ＭはＳｒおよびＢａの中から選ばれる少
なくとも１種、ｎ＝５．０〜６．２）であるが、より高
い磁気特性を得るためには、ＭがＳｒであるほうが好ま
しい。また、さらに高く安定した磁気特性を得るため
に、焼成時の焼結助剤として、ＳｉおよびＣａが含まれ
ていることが好ましい。Ｓｉの含有量はＳｉＯ2に換算
して０．２〜０．６ｗｔ％であることが好ましく、Ｃａ
の含有量はＣａＣＯ3に換算して０．６〜１．５ｗｔ％
であることが好ましい。
【００２２】〔ＭｎＯ，ＺｎＯの含有量〕ＭｎＯとＺｎ
Ｏの含有量は、ＭｎＯが０．５〜５．０ｗｔ％、好まし
くは１．０〜３．０ｗｔ％、より好ましくは１．５〜
２．０ｗｔ％であり、ＺｎＯは０．３〜３．０ｗｔ％、
好ましくは０．４〜１．５ｗｔ％、より好ましくは０．
５〜０．７ｗｔ％の範囲とする。どちらか一方または両
方の含有量が前記範囲の下限を下回る場合、温度係数が
−０．２０％／℃を超えてしまい、前記範囲の上限を上
回る場合は温度係数が−０．２５％／℃未満になってし
まうからである。また、ＭｎＯとＺｎＯのどちらか一方
だけしか含有しない場合は、磁気特性が低下してしまう
ので、両方含有していることが必要である。
Ｏの含有量は、ＭｎＯが０．５〜５．０ｗｔ％、好まし
くは１．０〜３．０ｗｔ％、より好ましくは１．５〜
２．０ｗｔ％であり、ＺｎＯは０．３〜３．０ｗｔ％、
好ましくは０．４〜１．５ｗｔ％、より好ましくは０．
５〜０．７ｗｔ％の範囲とする。どちらか一方または両
方の含有量が前記範囲の下限を下回る場合、温度係数が
−０．２０％／℃を超えてしまい、前記範囲の上限を上
回る場合は温度係数が−０．２５％／℃未満になってし
まうからである。また、ＭｎＯとＺｎＯのどちらか一方
だけしか含有しない場合は、磁気特性が低下してしまう
ので、両方含有していることが必要である。
【００２３】〔製造方法〕本発明の酸化物永久磁石の製
造方法は、特に限定はされないが、以下に好ましい一例
を説明する。
造方法は、特に限定はされないが、以下に好ましい一例
を説明する。
【００２４】Ｆｅ2Ｏ3とＳｒＣＯ3をＳｒＯ・ｎＦｅ2Ｏ
3（ｎ＝５．０〜６．２）の組成となるように秤量し
て、湿式アトライターで混合し、乾燥後、１２００〜１
３５０℃の範囲で１時間程度仮焼きし、乾式振動ミルで
平均粒径２．０〜２．５μｍまで粉砕する。こうして得
られた粉末を、以後Ｓｒフェライト粉末と称する。
3（ｎ＝５．０〜６．２）の組成となるように秤量し
て、湿式アトライターで混合し、乾燥後、１２００〜１
３５０℃の範囲で１時間程度仮焼きし、乾式振動ミルで
平均粒径２．０〜２．５μｍまで粉砕する。こうして得
られた粉末を、以後Ｓｒフェライト粉末と称する。
【００２５】次に、Ｆｅ2Ｏ3とＭｎＯ，ＺｎＯを、（１
−ｘ−ｙ）ＭｎＯ・ｘＺｎＯ・ｙＦｅ2Ｏ3（ｘ＝０．０
７〜０．２５、ｙ＝０．５０〜０．６０）の組成となる
ように秤量して、湿式ボールミルで混合し、乾燥後、７
００〜１０００℃で１時間程度仮焼きし、乾式振動ミル
で平均粒径２．０〜２．５μｍまで粉砕する。こうして
得た粉末を、以後ＭｎＺｎフェライト粉末と称する。
−ｘ−ｙ）ＭｎＯ・ｘＺｎＯ・ｙＦｅ2Ｏ3（ｘ＝０．０
７〜０．２５、ｙ＝０．５０〜０．６０）の組成となる
ように秤量して、湿式ボールミルで混合し、乾燥後、７
００〜１０００℃で１時間程度仮焼きし、乾式振動ミル
で平均粒径２．０〜２．５μｍまで粉砕する。こうして
得た粉末を、以後ＭｎＺｎフェライト粉末と称する。
【００２６】前記Ｓｒフェライト粉末と前記ＭｎＺｎフ
ェライト粉末を、ＭｎＯとＺｎＯの含有量が、それぞ
れ、０．５〜５．０ｗｔ％，０．３〜３．０ｗｔ％の範
囲になるように秤量し、さらに焼結助剤（ＳｉＯ2、Ｃ
ａＣＯ3等）を所定量秤量して混合し、湿式アトライタ
ーで平均粒径０．８〜１．２μｍまで粉砕してスラリー
を得る。このスラリーを濃度調整してから湿式磁場成形
し、得られた成形体を１２００〜１２５０℃の範囲で１
時間程度焼成することによって本発明の酸化物永久磁石
を得ることができる。
ェライト粉末を、ＭｎＯとＺｎＯの含有量が、それぞ
れ、０．５〜５．０ｗｔ％，０．３〜３．０ｗｔ％の範
囲になるように秤量し、さらに焼結助剤（ＳｉＯ2、Ｃ
ａＣＯ3等）を所定量秤量して混合し、湿式アトライタ
ーで平均粒径０．８〜１．２μｍまで粉砕してスラリー
を得る。このスラリーを濃度調整してから湿式磁場成形
し、得られた成形体を１２００〜１２５０℃の範囲で１
時間程度焼成することによって本発明の酸化物永久磁石
を得ることができる。
【００２７】
【実施例】以下，本発明の実施例について説明する。
【００２８】〔実施例〕Ｆｅ2Ｏ3を１０００ｇ、ＳｒＣ
Ｏ3を１５５．４ｇ秤量して、湿式アトライターで混合
し、乾燥後、１３００℃で１時間仮焼きし、乾式振動ミ
ルで平均粒径２〜２．５μｍまで粉砕して、Ｓｒフェラ
イト粉末を作製した。（ｎ＝５．９５）次に、Ｆｅ2Ｏ3
を１０００ｇ、ＭｎＯを３０３．１ｇ、ＺｎＯを９５．
３ｇ秤量して、前記の作製方法でＭｎＺｎフェライト粉
末を作製した。（ｘ＝０．１０、ｙ＝０．５３５） 前記Ｓｒフェライト粉末と前記ＭｎＺｎフェライト粉
末、さらにＳｒＣＯ3と焼結助剤としてＳｉＯ2およびＣ
ａＣＯ3を表２に示す組成で秤量し、湿式アトライター
で平均粒径０．８〜１．２μｍまで粉砕してスラリーを
得た。このスラリーを固形分７４重量％に調整し、直径
３０ｍｍ，高さ１３〜１５ｍｍの円柱状に湿式磁場成形
し、得られた成形体を１２４０℃で１時間焼成した。
Ｏ3を１５５．４ｇ秤量して、湿式アトライターで混合
し、乾燥後、１３００℃で１時間仮焼きし、乾式振動ミ
ルで平均粒径２〜２．５μｍまで粉砕して、Ｓｒフェラ
イト粉末を作製した。（ｎ＝５．９５）次に、Ｆｅ2Ｏ3
を１０００ｇ、ＭｎＯを３０３．１ｇ、ＺｎＯを９５．
３ｇ秤量して、前記の作製方法でＭｎＺｎフェライト粉
末を作製した。（ｘ＝０．１０、ｙ＝０．５３５） 前記Ｓｒフェライト粉末と前記ＭｎＺｎフェライト粉
末、さらにＳｒＣＯ3と焼結助剤としてＳｉＯ2およびＣ
ａＣＯ3を表２に示す組成で秤量し、湿式アトライター
で平均粒径０．８〜１．２μｍまで粉砕してスラリーを
得た。このスラリーを固形分７４重量％に調整し、直径
３０ｍｍ，高さ１３〜１５ｍｍの円柱状に湿式磁場成形
し、得られた成形体を１２４０℃で１時間焼成した。
【００２９】このようにして得られた磁石の残留磁束密
度Ｂｒを、自記磁束計により測定した。またその磁石の
中心部を、直径５ｍｍ，高さ５．５ｍｍの円柱状に切り
出し、ＶＳＭ（振動試料型磁力計）により、−２０〜１
２０℃の温度範囲でＢｒの温度係数を測定した。測定結
果は表２と図１の試料Ｎｏ．１−１，１−２に示す。
度Ｂｒを、自記磁束計により測定した。またその磁石の
中心部を、直径５ｍｍ，高さ５．５ｍｍの円柱状に切り
出し、ＶＳＭ（振動試料型磁力計）により、−２０〜１
２０℃の温度範囲でＢｒの温度係数を測定した。測定結
果は表２と図１の試料Ｎｏ．１−１，１−２に示す。
【００３０】〔比較例〕Ｆｅ2Ｏ3とＳｒＣＯ3に加え
て、前記特開昭５６−１０５６０５号に開示されている
Ａｌ2Ｏ3，Ｃｒ2Ｏ3，Ｇａ2Ｏ3をそれぞれ表１に示す組
成で秤量し、前記Ｓｒフェライト粉末と同様の作製方法
で得た粉末を、Ａｌ置換フェライト粉末、Ｃｒ置換フェ
ライト粉末、Ｇａ置換フェライト粉末と称する。
て、前記特開昭５６−１０５６０５号に開示されている
Ａｌ2Ｏ3，Ｃｒ2Ｏ3，Ｇａ2Ｏ3をそれぞれ表１に示す組
成で秤量し、前記Ｓｒフェライト粉末と同様の作製方法
で得た粉末を、Ａｌ置換フェライト粉末、Ｃｒ置換フェ
ライト粉末、Ｇａ置換フェライト粉末と称する。
【００３１】
【表１】
【００３２】これらの置換フェライト粉末と前記Ｓｒフ
ェライト粉末を表２に示す組成で秤量し、実施例と同様
の方法で磁石を作製し、これらの磁石の磁気特性と温度
係数を実施例と同様の測定方法で測定した。測定結果は
表２と図１の試料Ｎｏ．２−１〜２−７に示す。
ェライト粉末を表２に示す組成で秤量し、実施例と同様
の方法で磁石を作製し、これらの磁石の磁気特性と温度
係数を実施例と同様の測定方法で測定した。測定結果は
表２と図１の試料Ｎｏ．２−１〜２−７に示す。
【００３３】
【表２】
【００３４】
【発明の効果】表２と図１より、実施例の酸化物永久磁
石は、同様の温度係数範囲において、Ａｌ，Ｃｒ，Ｇａ
置換フェライト粉末を用いた酸化物永久磁石に比べ、残
留磁束密度Ｂｒが高く、Ｓｒフェライト粉末のみを用い
た酸化物永久磁石とほぼ同等のＢｒが得られていること
がわかる。
石は、同様の温度係数範囲において、Ａｌ，Ｃｒ，Ｇａ
置換フェライト粉末を用いた酸化物永久磁石に比べ、残
留磁束密度Ｂｒが高く、Ｓｒフェライト粉末のみを用い
た酸化物永久磁石とほぼ同等のＢｒが得られていること
がわかる。
【００３５】したがって、本発明によって、磁気バブル
メモリーモジュール用として望ましい温度係数範囲にお
いて、高い残留磁束密度Ｂｒをもつ酸化物永久磁石を得
ることができる。
メモリーモジュール用として望ましい温度係数範囲にお
いて、高い残留磁束密度Ｂｒをもつ酸化物永久磁石を得
ることができる。
【図１】酸化物永久磁石の残留磁束密度Ｂｒとその温度
係数の関係を示すグラフである。
係数の関係を示すグラフである。
Claims (4)
- 【請求項１】 ストロンチウムおよびバリウムの中から
選ばれる少なくとも１種を含有するマグネトプランバイ
ト型の酸化物永久磁石であって、 ＭｎＯを０．５〜５．０ｗｔ％、ＺｎＯを０．３〜３．
０ｗｔ％含有し、 前記酸化物永久磁石の残留磁束密度Ｂｒの温度係数が−
０．２０〜−０．２５％／℃であることを特徴とする酸
化物永久磁石。 - 【請求項２】 マグネトプランバイト型の酸化物永久磁
石を製造する方法であって、 混合工程とスラリー形成工程と成形工程と焼成工程とを
含み、 前記混合工程は、少なくとも、ストロンチウムおよびバ
リウムの中から選ばれる少なくとも１種を含有するマグ
ネトプランバイト型のフェライト粉末と、（１−ｘ−
ｙ）ＭｎＯ・ｘＺｎＯ・ｙＦｅ2Ｏ3（ｘ＝０．０７〜
０．２５、ｙ＝０．５０〜０．６０）で表される組成を
有するフェライト粉末とを秤量し、混合することによっ
て混合粉末をつくる工程であり、 前記スラリー形成工程は、前記混合工程の後に行われ、
前記混合粉末を湿式粉砕してスラリーを得る工程であ
り、 前記成形工程は、前記スラリー形成工程の後に行われ、
前記スラリーを湿式磁場成形によって成形体を得る工程
であり、 前記焼成工程は、前記成形工程の後に行われ、前記成形
体を焼成する工程であることを特徴とする酸化物永久磁
石の製造方法。 - 【請求項３】 前記混合工程において、さらに焼結助剤
を秤量して混合することを特徴とする請求項２記載の酸
化物永久磁石の製造方法。 - 【請求項４】 前記焼結助剤が、ＳｉおよびＣａを含ん
でいることを特徴とする請求項３記載の酸化物永久磁石
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10050267A JPH11251126A (ja) | 1998-03-03 | 1998-03-03 | 酸化物永久磁石およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10050267A JPH11251126A (ja) | 1998-03-03 | 1998-03-03 | 酸化物永久磁石およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11251126A true JPH11251126A (ja) | 1999-09-17 |
Family
ID=12854200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10050267A Pending JPH11251126A (ja) | 1998-03-03 | 1998-03-03 | 酸化物永久磁石およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11251126A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014156437A1 (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-02 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | フェライト粒子及びそれを用いた電子写真現像用キャリア、電子写真用現像剤並びにフェライト粒子の製造方法 |
| EP2916328A2 (en) | 2014-03-07 | 2015-09-09 | TDK Corporation | Sintered ferrite magnet and motor provided therewith |
| EP2916329A2 (en) | 2014-03-07 | 2015-09-09 | TDK Corporation | Sintered ferrite magnet and motor provided therewith |
-
1998
- 1998-03-03 JP JP10050267A patent/JPH11251126A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014156437A1 (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-02 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | フェライト粒子及びそれを用いた電子写真現像用キャリア、電子写真用現像剤並びにフェライト粒子の製造方法 |
| JP2014189482A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-06 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | フェライト粒子及びそれを用いた電子写真現像用キャリア、電子写真用現像剤並びにフェライト粒子の製造方法 |
| US9507285B2 (en) | 2013-03-28 | 2016-11-29 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Ferrite particles and electrophotographic development carrier using same, electrophotographic developer and method of manufacturing ferrite particles |
| EP2916328A2 (en) | 2014-03-07 | 2015-09-09 | TDK Corporation | Sintered ferrite magnet and motor provided therewith |
| EP2916329A2 (en) | 2014-03-07 | 2015-09-09 | TDK Corporation | Sintered ferrite magnet and motor provided therewith |
| KR20150105256A (ko) | 2014-03-07 | 2015-09-16 | 티디케이가부시기가이샤 | 페라이트 소결 자석 및 이를 구비하는 모터 |
| KR20150105257A (ko) | 2014-03-07 | 2015-09-16 | 티디케이가부시기가이샤 | 페라이트 소결 자석 및 이를 구비하는 모터 |
| JP2015181147A (ja) * | 2014-03-07 | 2015-10-15 | Tdk株式会社 | フェライト焼結磁石及びそれを備えるモータ |
| JP2015181148A (ja) * | 2014-03-07 | 2015-10-15 | Tdk株式会社 | フェライト焼結磁石及びそれを備えるモータ |
| US9589713B2 (en) | 2014-03-07 | 2017-03-07 | Tdk Corporation | Sintered ferrite magnet and motor provided therewith |
| US9627112B2 (en) | 2014-03-07 | 2017-04-18 | Tdk Corporation | Sintered ferrite magnet and motor provided therewith |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4215261B2 (ja) | フェライト磁性材料及びその製造方法 | |
| EP3364426B1 (en) | Ferrite magnetic material and ferrite sintered magnet | |
| WO2011004791A1 (ja) | フェライト磁性材料 | |
| US9123460B2 (en) | Ferrite composition for high frequency bead and chip bead comprising the same | |
| EP1684315A2 (en) | Ferrite magnet and method for producing same | |
| KR101913024B1 (ko) | 페라이트 소결 자석 | |
| JP3957458B2 (ja) | フェライト磁石粉末の製造方法および磁石の製造方法 | |
| CN108264339A (zh) | 高性能旋磁镁锰铁氧体材料、制备方法及其应用 | |
| JPH11251126A (ja) | 酸化物永久磁石およびその製造方法 | |
| JP3945962B2 (ja) | フェライト化合物 | |
| JP4301539B2 (ja) | 乾式成形焼結磁石の製造方法 | |
| JP2001052912A (ja) | フェライト磁石材料およびそれを用いた焼結磁石ならびにボンド磁石 | |
| JP3990291B2 (ja) | フェライトタイプの磁石の製造方法 | |
| JP4599752B2 (ja) | フェライト焼結磁石の製造方法 | |
| JP4543849B2 (ja) | フェライト磁性材料 | |
| US3532630A (en) | Nickel-zinc ferrite containing lead silicate | |
| JP3088236B2 (ja) | 酸化物永久磁石およびその製造方法 | |
| JPH01112705A (ja) | 酸化物永久磁石の製造方法 | |
| JP3236648B2 (ja) | 酸化物磁性材料 | |
| JPS6217841B2 (ja) | ||
| JP2000138114A (ja) | フェライト磁石粉末および該磁石粉末を用いた磁石およびそれらの製造方法 | |
| JPH10152371A (ja) | Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト | |
| JPH11307331A (ja) | フェライト磁石 | |
| JP2001006912A (ja) | ハードフェライト磁石およびその製造方法 | |
| JP2007191374A (ja) | フェライト磁性材料の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041228 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20041228 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20041228 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070515 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071024 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080305 |