JPS6217841B2 - - Google Patents

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JPS6217841B2
JPS6217841B2 JP55022590A JP2259080A JPS6217841B2 JP S6217841 B2 JPS6217841 B2 JP S6217841B2 JP 55022590 A JP55022590 A JP 55022590A JP 2259080 A JP2259080 A JP 2259080A JP S6217841 B2 JPS6217841 B2 JP S6217841B2
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JP
Japan
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ferrite
powder
hour
coercive force
magnetic
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Application number
JP55022590A
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Yasuo Watanabe
Toshio Ueda
Seiji Isoyama
Masahiko Banno
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Dowa Holdings Co Ltd
Original Assignee
Dowa Mining Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6217841B2 publication Critical patent/JPS6217841B2/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
    • H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
    • H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
    • H01F1/032—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of hard-magnetic materials
    • H01F1/10—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of hard-magnetic materials non-metallic substances, e.g. ferrites, e.g. [(Ba,Sr)O(Fe2O3)6] ferrites with hexagonal structure
    • H01F1/11—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of hard-magnetic materials non-metallic substances, e.g. ferrites, e.g. [(Ba,Sr)O(Fe2O3)6] ferrites with hexagonal structure in the form of particles

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Magnetic Ceramics (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Hard Magnetic Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は外部撹乱磁場の影きようを殆んど受け
ない磁気カード用磁性粉末の製造方法に関するも
のである。今日磁気カードを利用して各種交通切
符、クレジツトカード等は広く各分野で利用され
ているが、この素材として用いられている磁性粉
末は殆んどがγ・Fe2O3ないしはFe3O4粉末であ
る。しかしながらこの種の粉末を原料としてつく
られた各種磁気カードが、いろいろなトラブルに
遭遇する事故が多発し問題をなげかけている。そ
の原因として、われわれが身につける日常品の中
に永久磁石を使つたものが多く出まわり、それか
ら発生する磁気の影きようにより、現在用いられ
ている様な低い抗磁力（ IＨC）のものでは、磁
気カード自体が磁気撹乱を起し、磁気カード本来
の特性を消失してしまう。この様な現状の対応策
として、従来から使用されているγ・Fe2O3（残
留磁束密度（Br）：800〜1300G、抗磁力（ IＨ
C）：200〜600Oe）粉末のかわりに、外部撹乱磁
場の影きようを受けない抗磁力（ IＨC）の大き
な磁性粉末の開発が、望まれる様になつた。さら
に、該磁性粉末は、今日の目ざましい磁気記録技
術の進歩に伴い高密度磁気記録に耐える記録特性
も合せ具備することが、望まれ、上記に記載した
耐外部撹乱磁場特性と同様、高い抗磁力（ IＨ
C）を有し、さらには、角形性が良く、均一な粒
度分布を有する磁性粉末を開発する必要が高まつ
ている。
一般に、耐外部撹乱磁場に対する抗磁力（ IＨ
C）の大きさは、現在の生活磁場800〜1000
（Oe）を考慮し、約1000（Oe）以上とされてい
る。此の要求を受け、従来のγ・Fe2O3粉末が、
有する低い抗磁力（ IＨC）を改良することを目
的として、Co2+の結晶磁気異方性を利用して、
高い抗磁力（ IＨC）を得る方法等が、検討さ
れ、古くは、γ・Fe2O3粉末にCo2+をドープする
方法、さらには、ごく最近では、γ・Fe2O3粉末
の粒子表面にCoを被着する方法等が開発され、
抗磁力（ IＨC）を1500（Oe）程度までに高める
ことに成功している。しかし、この様な金属を被
着する方法では抗磁力（ IＨC）の上昇と共に、
残留磁束密度（Br）の急激な低下が起り、記録
特性としての劣化を招いている。
かかる背景から、既に本発明者等は、本発明の
出願日と同時に別途に特許出願した発明（以下
「関連発明」という。）に於いて、所定の目的を満
足する残留磁束密度（Br）1000〜1300(G)抗磁力
（ IＨC）1500〜1900（Oe）、及び平均粒子径0.6
〜0.7（μ）の特性を有する磁性粉末の開発に成
功している。該磁性粉末によれば、従来のγ・
Fe2O3，Fe3O4および改良型Co・γ・Fe2O3粉末
に比べ、残留磁束密度（Br）が、同等以上であ
るため、再生出力が低下することなく、外部撹乱
磁場に十分耐えることができる。
しかし、現在の磁気カード分野を展望すればそ
の記録媒体として、大半がγ・Fe2O3あるいは、
Fe3O4粉末で占められているのが実情であり、こ
れに伴い記録の書き込み又は、消去に係る装置も
該記録媒体の特性に準じ、飽和磁速密度（Bs）
の比較的低い（3000〜4000(G)）ヘツド材よりなる
装置が普及している。このような装置では、記録
媒体が、飽和するより早くヘツドが飽和したり、
消去動作に於いて、十分に記録を消すことができ
なくなり、記録精度の低下をもたらす。一般に、
記録媒体に十分な記録を行なわせ、他方該記録を
完全に消去するには、記録媒体の有する抗磁力
（ IＨC）の約６倍の飽和磁速密度（Bs）が必要
とされる。例えば、抗磁力（ IＨC）650（Oe）
を有する記録媒体では、飽和磁速密度（Bs）
が、4000(G)，1000（Oe）では、6000(G)、さら
に、2000（Oe）では、12000(G)必要となる。ちな
みに、代表的なヘツド材の飽和磁速密度（Bs）
は、高密度フエライト；3900(G)、単結晶フエライ
ト；4000(G)、パーマロイ；7900(G)、及びセンダス
ト；9900(G)である。このような実情では、前記の
本発明者等により、開発された抗磁力（ IＨC）
1500〜1900（Oe）の磁性粉末を記録媒体として
使用する場合、記録および消去ヘツド材は、特殊
な用法でないかぎり、現在用いられているヘツド
材のうち、高い飽和磁速密度（Bs）10000(G)を有
する磁性材料を必要とする。かかる事情から、現
在、普及している記録装置を考慮すれば、現用の
磁気カードに対する互換性をさらに、高める必要
があり、これに伴う上記磁性粉末の改良が望まれ
る。本発明者等は、上記開発要請を受け、前記の
本発明者等による抗磁力（ IＨC）1500〜1900
（Oe）を有する磁性粉を効果的に利用し、現用の
磁気カードに対する互換性を高めるべく抗磁力
（ IＨC）のみを改良しながら、高密度記録化およ
び熱安定性を損なうことなく前記磁性粉と同一レ
ベル以上を保持した極めて有用な磁性粉末を開発
することに成功した。
即ち、本発明者等による前記抗磁力（ IＨC）
1500〜1900（Oe）を有する磁性粉を基本とし、
残留磁束密度（Br）を維持しつつ、磁性粉末の
磁気異方性定数(K)をさらに、作為的に減少させ
て、抗磁力（ IＨC）の低下を図り、残留磁束密
度（Br）；1000〜1300(G)、抗磁力（ IＨC）；
1000〜15000（Oe）、及び、平均粒子径0.6〜0.7
（μ）を有するフエライト磁性粉末の開発に成功
した。
即ち、前記抗磁力（ IＨC）1500〜1900（Oe）
を有するフエライト磁性粉末では、化学組成
M1O・nFe2O3（M1は、Ba，Sr，Caのうちの１種
又は、２種・３種の混用を表わし、又、ｎはモル
比、ｎ＝2Fe／M1で、ｎ＝5.0〜6.0の範囲を示
す。）を有するマグネトプランバイト相に化学組
成M2O・Fe2O3（M2は、Fe，Mn，Mg，Cuのう
ちの１種又は、２種以上の混用を表わす。）で表
わされるスピネル相を共存生成させ、マグネトプ
ランバイト型フエライトの透磁率を高めることに
より抗磁力（ IＨC）を減少させたが；本発明で
は、上記の如く、異なる特性を持つ２相を共存生
成することなく、化学組成M1O・2M2O・
mFe2O3（M1は、Ba，Sr，Pbのうちの１種又
は、２種３種の混用を表わし、M2は、Fe，Mn，
Zn，Mg，Co，Ni，Cuのうちの１種又は２種、
３種の混用を表わし、又、ｍは、モル比であつ
て、ｍ＝2Fe／（M1＋2M2）を表わす。）を有する
マグネトプランバイト型フエライトの誘導体を形
成させ、前記記載の磁気特性を有する新規な磁性
粉末及びその製造法を提供するものである。
該フエライトは、マグネトプランバイト型フエ
ライトとスピネル型フエライトの中間体であり、
結晶構造は、マグネトプランバイト型に似た６方
晶系に属する。
かかるマグネトプランバイト型フエライトの誘
導体は、その固有磁気定数である飽和磁化
（Ms）異方性定数(K)、及び理論最大抗磁力（ IＨ
C）としてBa―フエライトのMs＝380（emu／
cm3）Ｋ＝3.3×106（erg／cm3）及び IＨC＝17000
（Oe）に対して、Ms＝380〜330（emu／cm3）Ｋ
＝1.6×106〜2.4×106（erg／cm3）及び IＨC＝
2200〜12700（Oe）の値を有する。
これらの諸特性から、飽和磁化（Ms）につい
ては、ほぼBa―フエライトと同値であるため、
同一レベルの残留磁束密度（Br）を保持するこ
とが、可能となり、一方、抗磁力（ IＨC）は、
理論最大抗磁力（ IＨC）が、Ba―フエライトの
13〜75％と低いために範囲巾広く調整することが
可能である。
即ち、本発明は、前記の如く、スピネル相を添
加剤的に、マグネトプランバイト相に、共存生成
させ、抗磁力（ IＨC）を1500〜1900（Oe）に抑
制する方法ではなく、上記のマグネトプランバイ
ト型フエライトの誘導体が、有する諸特性を効果
的に応用し、残留磁束密度（Br）は、マグネト
プランバイト型フエライト粉末の標準的な値1000
〜1300(G)に保ち抗磁力（ IＨC）を、さらに減少
させ、1000〜1500（Oe）に抑制することを特徴
としたものである。
例えば、BaO・MnO・ZnO・8Fe2O3の組成を
有するマグネトプランバイト型フエライトの誘導
体の場合、その飽和磁化（Ms）は、単相のBa―
フエライトの380emu／cm3とほぼ同等の370emu／
cm3を示すことからも、残留磁束密度（Br）の変
動は、マグネトプランバイト型Ba―フエライト
と比べて、大差なく、その調整は、比較的容易で
ある。
又、一方、理論最大抗磁力（ IＨC）は、Ba―
フエライトの17000（Oe）に対して、10000
（Oe）と低く、その約60％相当である。
このことは、マグネトプランバイト型フエライ
トに比べ、低い抗磁力（ IＨC）を有する磁性粉
末を製造するためには、好都合であり、さらに、
前記の如く、スピネル相を生成共存させ、抗磁力
（ IＨC）を調整した場合、抗磁力（ IＨC）が、
1500（Oe）以下では残留磁束密度（Br）も低下
することになるが、上記のマグネトプランバイト
型のフエライトの誘導体の諸特性を応用すること
により、上記不都合さもなく、Ba―フエライト
粉末の残留磁束密度（Br）を保持し、抗磁力（
IＨC）のみを減少させ、1000〜1500（Oe）を得
ることができる。その製造法は、以下の如くであ
る。
即ち、原料酸化鉄（α・Fe2O3）としては、比
較的粒子の細かいもの、具体的には、0.6〜1.1
μ、好ましくは、0.6〜0.9μのものに、炭酸バリ
ウム（BaCO3）、炭酸マンガン（MnCO3）、及び
酸化亜鉛（ZnO）を組成式BaO・ZnO・MnO・
mFe2O3で表わす所定のモル比、ｍ＝6.5〜９、好
ましくは、ｍ＝7.0〜8.5になるように秤量しボー
ルミル若しくは、振動ボールミルにて、これらを
よく混合した後、0.5％ポリビニールアルコール
溶液をバインダーとして、３〜10mmφ、好ましく
は、３〜５mmφのペレツトに造粒する。次いで、
このペレツトを充分乾燥したのち、昇温速度100
〜300℃／Hr、好ましくは120〜150℃／Hr、好ま
しくは、120〜150℃／Hrで、これを1050〜1270
℃１時間以上、好ましくは、1080〜1240℃で約２
時間保持し、空気中で焼成する。この様にして、
得られた焼成ペレツトをクラツシヤー及びパルペ
ライザーあるいはクラツシヤーないしはパルペラ
イザーの粉砕機を用いて、粗粉砕し、次いで
32mesh以下、好ましくは、100meshで篩分し、
篩目通過の細粒粉をさらに所望の粒径を得るべ
く、ボールミルにより、40〜50％のスラリー濃度
で湿式微粉砕する。かくして得られた所定のフエ
ライト粉末は、平均粒子径0.6〜0.7μを有し、且
つ、その磁気特性は、残留磁束密度（Br）；
1000〜1300(G)抗磁力（ IＨC）；1000〜1500
（Oe）のものである。又同様な操作にて得られた
特許出願中の発明に係る本発明者等の開発による
マグネトプランバイト相にスピネル相を共存生成
させたフエライト粉末は、平均粒子径；0.6〜0.7
μ、残留磁束密度（Br）；1000〜1300(G)、抗磁
力（ IＨC）；1500〜1900（Oe）であり、マグネ
トプランバイト相のみのBa―フエライト単味の
粉末特性は、平均粒子径0.6〜0.7μ、残留磁束密
度（Br）；1000〜1300(G)で、抗磁力（ IＨC）；
2300〜3000（Oe）であつた。尚、本発明では、
焼成温度が、1050〜1270℃であり、通常のマグネ
トプランバイト型フエライトに於ける900〜1350
℃に比較して、狭い温度範囲にあること、さらに
は、フエライト粉末の最終粒度調整を行なう湿式
微粉砕Ｉ工程で、特に、ボールミルを用いたこと
は、前記本発明者等による「関連発明」の明細書
に記載した如く、粗粒の存在および巾広い粒度分
布によるＳ／Ｎの低下、さらには、磁気歪に伴う
分解能及び再生出力の低下を防止し、次いで、こ
れらの記録諸特性を改良することを目的としたこ
とによる。
更に、又、本発明では、該フエライト粉末の抗
磁力（ IＨC）は、ほとんどの場合、生成フエラ
イト相、焼成温度及び粉砕粒子径の調整により、
その目標値に合致させる方法を取つているが、必
要に応じては、粉砕によつて生じる粒子内の粉砕
歪の除去を目的とした公知の焼鈍処理を行なうこ
とによつて、フエライト粉末の抗磁力（ IＨC）
を最終調整することも可能である。
この時の焼鈍温度は、250〜850℃、１〜２時間
で、好ましくは、300〜800℃、２時間である。該
操作は、分解能および再生出力向上にも有効であ
る。
以上の様な処理方法によつて得られた磁気カー
ド用磁性粉末は、前記本発明者により開発された
抗磁力（ IＨC）1500〜1900（Oe）を有する磁性
粉末を、さらに、抗磁力（ IＨC）のみを減少さ
せたことにより、現用のγ・Fe2O3粉末を記録媒
体とした磁気カードとの互換性を具備した磁性粉
末であり、さらには、該γ・Fe2O3粉末に比べ、
非常に良好な“耐外部撹乱磁場特性”を有したフ
エライト粉末である。
以下実施例によつて説明する。
実施例 １ 酸化第二鉄（α・Fe2O3）、炭酸バリウム
（BaCO3）、炭酸マンガン（MnCO3）及び、酸化亜
鉛（ZnO）をBaO・MnO・ZnO・7Fe2O3の化学
組成になる様に純度補正し、必要量として、α・
Fe2O3：147.0ｇ、BaCO3：26.1ｇ、MnCO3：16.2
ｇ、ZnO：10.7ｇを各々秤量し、予備混合した
後、乾式ボールミルで約30分間混合した。次いで
この混合粉を３〜10mmφに造粒し、乾燥後、電気
マツフル炉で、1200℃、２時間焼成を行ない、終
了後試料を炉内より大気中に取り出して急冷し
た。焼成処理した試料を60mesh以下に粗粉砕
し、該粗砕粉150ｇを前記混合に使用したボール
ミルで、パルプ濃度50％になる様に水を加え、約
２時間微粉砕処理を行つた。得られた試料の平均
粒子径は0.68μであつた。さらに、磁気特性測定
のために該微粉砕試料を1.0ton／cm2の圧力で15mm
φ×13mmＬの成形体を作成した。この様にして得
られた成形体を公知の市販磁気測定装置を用い
て、残留磁束密度（Br）及び抗磁力（ IＨC）を
測定した。その結果、フエライト磁性粉末の特性
は、次のごとくである。
Γ 本発明の組成によるもの Ｂｒ(G)／１２４５ ＩＨＣ（Ｏｅ）／１２２０ 平
均粒子径（μ）／０．６８ これに対して、マグネトプランバイト相のみの
BaO・6Fe2O3及び本発明者等による「関連発
明」で開発したマグネトプランバイト相にスピネ
ル相を共存生成させた、例えば、（BaO）0.6・
（CuO）0.4・4Fe2O3の化学組成を有するフエライ
ト磁性粉末を前記と同一方法で試料を作成し、測
定した結果、次の特性を得た。
Γ マグネトプランバイト単相のもの Ｂｒ(G)／１２５０ ＩＨＣ（Ｏｅ）／２３１０ 平
均粒子径（μ）／０．６９ Γ マグネトプランバイト相にスピネル相を共存
生成させたもの Ｂｒ(G)／１２４０ ＩＨＣ（Ｏｅ）／１６８５ 平
均粒子径（μ）／０．７０ 上記の特性値から明らかな様に、本発明では、
Ba―フエライト磁性粉末さらには、前記本発明
者等による（BaO）0.6・（CuO）0.4・4Fe2O3の化学
組成を有するフエライト磁性粉末の残留磁束密度
（Br）を保持しつつ、抗磁力（ IＨC）のみを減
少さした結果を示している。
実施例 ２ 酸化第二鉄（α・Fe2O3）、炭酸ストロンチウ
ム（SrCO3）、酸化コバルト（CoO）及び酸化亜
鉛（ZnO）をSrO・CoO・ZnO・8.5Fe2O3の化学
組成になる様に純度補正し、必要量として、α・
Fe2O3：163.1ｇ，SrCO3：18.0ｇ，CoO：9.1
ｇ，ZnO：9.8ｇを各々秤量し、実施例１に記載
の方法で、混合及び造粒し、電気マツフル炉で
1240℃、２時間焼成を行ない、終了後試料を炉内
より大気中に取り出して急冷した。焼成処理した
試料を実施例１と同様に粉砕し、成形体を作り、
磁気特性を測定した。この様にして得られたフエ
ライト磁性粉末の特性は次のごとくである。
Ｂｒ(G)／１２５０ ＩＨＣ（Ｏｅ）／１２８５ 平
均粒子径（μ）／０．６５ 上記特性値は実施例１と同様に、本発明に於け
る所定値を満足するものである。さらに上記の抗
磁力（ IＨC）を1500Oe程度に調整する目的で、
該フエライト磁性粉末を前記焼成に使用した電気
マツフル炉で、370℃、１時間焼純処理した。こ
の様にして得られたフエライト磁性粉末は、下記
のざとく所望の抗磁力（ IＨC）を得ることがで
きる。
Ｂｒ(G)／１２５５ ＩＨＣ（Ｏｅ）／１４９０ 平
均粒子径（μ）／０．６６ 実施例 ３ 酸化第二鉄（α・Fe2O3）、炭酸バリウム
（BaCO3）及び酸化ニツケル（NiO）BaO・
2NiO・8.5Fe2O3の化学組成になる様に純度補正
し、必要量として、α・Fe2O3：159.2ｇ，
BaCO3：23.3ｇ，NiO：17.5ｇを各々秤量し、実
施例１に記載の方法で、混合及び造粒し、電気マ
ツフル炉で、1180℃、２時間焼成した。該試料を
実施例１と同様に粉砕し、成形体を作り、磁気特
性を測定した。この様にして得られたフエライト
磁性粉末の特性は次のごとくである。
Ｂｒ(G)／１１０５ ＩＨＣ（Ｏｅ）／１４３５ 平
均粒子径（μ）／０．６７ 実施例 ４ 酸化第二鉄（α・Fe2O3）、炭酸バリウム
（BaCO3）酸化鉛（PbO）、酸化コバルト（CoO）
及び酸化亜鉛（ZnO）を（BaO）0.8・（PbO）0.2・
CoO・ZnO・7.5Fe2O3の化学組成になる様に純度
補正し、必要量として、α・Fe2O3：153.7ｇ，
BaCO3：20.4ｇ，PbO：5.7ｇ，CoO：9.7ｇ，
ZnO：10.4ｇを各々秤量し、実施例１に記載の方
法で、混合及び造粒し、電気マツフル炉で、1140
℃、２時間焼成した。該試料を実施例１と同様に
粉砕し、成形体を作り、磁気特性を測定した。こ
の様にして得られたフエライト磁性粉末の特性は
次のごとくである。
Ｂｒ(G)／１１２５ＩＨＣ（Ｏｅ）／１４３５ 平均
粒子径（μ）／０．６３ 以上、実施例を４例あげて、組成、磁気特性値
を説明して来たが、本発明は、実施例にあげた成
分組成にかぎるものではない。即ち、M1のグル
ープであるBa，Sr，Pbは、単相でもよく、実施
例４にあげた様に複相でもよい。
尚、本発明者等による前記の「関連発明」では
M1グループとして、Pbを削除したが、本発明に
よると、所定の磁気特性を満足するフエライト磁
性粉末に於いて、その化学組成に於けるPbのモ
ル分率が小さく、例えば前記の「関連発明」に記
載した特許請求範囲内の磁気特性を満足する化学
組成の（BaO）0.7・（PbO）0.2・（CuO）0.1・
5.5Fe2O3では、Pbのモル分率が3.1％であり、一
方、本発明による（BaO）0.7・（PbO）0.2・CoO・
ZnO・8Fe2O3では、1.9％となり、前者に比し
て、61％相当の低い分布率を示し、この程度の量
であれば、揮発等によるトラブルは、少なく、実
用化に十分耐えることができる。かかる理由か
ら、本発明では、M1グループとして、Pbを、特
許請求範囲に記載した。他方、本発明では、M1
グリープとして、同じくマグネトプランバイト型
のフエライトを形成するCaを削除した理由は、
CaO・6Fe2O3が、M10.6Fe2O3（M1は、Ba，Sr、
又は、Pbの１種を表わす。）に比較して、低い磁
気特性を有し、それ故、前記の「関連発明」で
は、所定磁気特性を得るために、僅かのCaO・
6Fe2O3を生成させるにとどめたこと、更に、本
発明では、抗磁力（ IＨC）を更に低下させるた
めに、M1に対するM2のモル分率を高める方法を
用いていることから、M1として、Caを導入した
場合、M1O・6Fe2O3と2M2O3が相乗的に作用
し、更に、抗磁力（ IＨC）を低下させることに
なり、本発明の所作磁気特性を得ることができな
くなるためである。
又、M2についても、実施例では、Mn，Zn，Ni
及びCoの単相、又は、複相を記載したが、Mg及
びCuについても、同様に、単相、又は、複相
で、本発明に於ける所定の磁気特性を保持するも
のである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 一般式M1O・2M2O・mFe2O3〔ただしM1は
    Ba，SrおよびPbからなる群より選ばれる１種
    の、又は２種もしくは３種共存の金属元素を表わ
    し、M2はMn，Zn，Mg，Co，NiおよびCuからな
    る群より選ばれる１種の、又は２種以上共存の金
    属元素を表わし、ｍはモル比であつてｍ＝2Fe／
    （M1＋2M2）で与えられ、かつｍ＝6.5〜9.0の範囲
    内の値を表わす。〕で表わされる化学組成を有す
    るマグネトプランバイト型フエライト誘導体から
    なる磁性粉末の製造方法であつて、次の諸工程か
    らなることを特徴とする方法： (イ) 所望のフエライト磁性粉末が有すべき残留磁
    束密度（Br）及び抗磁力（ IＨC）に応じて、
    あらかじめM1，M2及びｍを決定する工程； (ロ) 前記工程での決定によつて定まる化学組成に
    従つて必要なフエライト原料を選び、各成分物
    質を秤量、混合して原料配合物をつくる工程； (ハ) 得られた原料配合物を焼成してフエライトを
    形成する工程；および (ニ) 生成したフエライトを乾式粗粉砕および湿式
    微粉砕して所望の平均粒子径を有する粉末に調
    整する工程。 ２ 焼成工程が、昇温速度100〜300℃／時で加熱
    して1050〜1270℃で１時間以上保持し、空気中で
    焼成反応させることからなることを特徴とする、
    特許請求の範囲第１項に記載の方法。 ３ 昇温速度を120〜150℃／時とすることを特徴
    とする、特許請求の範囲第２項に記載の方法。 ４ 焼成反応を1080〜1240℃で行なうことを特徴
    とする、特許請求の範囲第２項又は第３項のいず
    れかに記載の方法。 ５ 一般式M1O・2M2O・mFe2O3〔ただしM1は
    Ba，SrおよびPbからなる群より選ばれる１種
    の、又は２種もしくは３種共存の金属元素を表わ
    し、M2はMn，Zn，Mg，Co，NiおよびCuからな
    る群より選ばれる１種の、又は２種以上共存の金
    属元素を表わし、ｍはモル比であつてｍ＝2Fe／
    （M1＋2M2）で与えられ、かつｍ＝6.5〜9.0の範囲
    内の値を表わす。〕で表わされる化学組成を有す
    るマグネトプランバイト型フエライト誘導体から
    なる磁性粉末の製造方法であつて、次の諸工程か
    らなることを特徴とする方法： (イ) 所望のフエライト磁性粉末が有すべき残留磁
    束密度（Br）及び抗磁力（ IＨC）に応じて、
    あらかじめM1，M2及びｍを決定する工程； (ロ) 前記工程での決定によつて定まる化学組成に
    従つて必要なフエライト原料を選び、各成分物
    質を秤量、混合して原料配合物をつくる工程； (ハ) 得られた原料配合物を焼成してフエライトを
    形成する工程； (ニ) 生成したフエライトを乾式粗粉砕および湿式
    微粉砕して所望の平均粒子径を有する粉末に調
    整する工程；及び、 (ホ) 粉砕によつて生じる粒子内の粉砕歪を除くた
    めに焼鈍処理を行なう工程。 ６ 焼成工程が、昇温速度100〜300℃／時で加熱
    して1050〜1270℃で１時間以上保持し、空気中で
    焼成反応させることからなることを特徴とする、
    特許請求の範囲第５項に記載の方法。 ７ 昇温速度を120〜150℃／時とすることを特徴
    とする、特許請求の範囲第６項に記載の方法。 ８ 焼成反応を1080〜1240℃で行なうことを特徴
    とする、特許請求の範囲第６項又は第７項のいず
    れかに記載の方法。 ９ 焼鈍工程が、焼鈍温度250〜850℃にて１〜２
    時間焼鈍処理することからなることを特徴とす
    る、特許請求の範囲第５項、６項、７項、８項の
    いずれかに記載の方法。 １０ 一般式M1O・2M2O・mFe2O3〔ただしM1
    はBa，SrおよびPbからなる群より選ばれる１種
    の、又は２種もしくは３種共存の金属元素を表わ
    し、M2はMn，Zn，Mg，Co，NiおよびCuからな
    る群より選ばれる１種の、又は２種以上共存の金
    属元素を表わし、ｍはモル比であつてｍ＝2Fe／
    （M1＋2M2）で与えられ、かつｍ＝6.5〜9.0の範囲
    内の値を表わす。〕で表わされる化学組成を有す
    るマグネトプランバイト型フエライト誘導体から
    なる磁性粉末の製造方法であつて、次の諸工程か
    らなることを特徴とする方法： (イ) 所望のフエライト磁性粉末が有すべき残留磁
    束密度（Br）及び抗磁力（ IＨC）に応じて、
    あらかじめM1，M2及びｍを決定する工程； (ロ) 前記工程での決定によつて定まる化学組成に
    従つて必要なフエライト原料を選び、各成分物
    質を秤量、混合して原料配合物をつくる工程； (ハ) 原料配合物をペレツトにする工程； (ニ) 上記ペレツトを焼成してフエライトを形成す
    る工程； (ホ) 生成したフエライトを乾式粗粉砕および湿式
    微粉砕して所望の平均粒子径を有する粉末に調
    整する工程；及び、 (ヘ) 粉砕によつて生じる粒子内の粉砕歪を除くた
    めに焼鈍処理を行なう工程。 １１ 焼成工程が、昇温速度100〜300℃／時で加
    熱して1050〜1270℃で１時間以上保持し、空気中
    で焼成反応させることからなることを特徴とす
    る、特許請求の範囲第１０項に記載の方法。 １２ 昇温速度を120〜150℃／時とすることを特
    徴とする、特許請求の範囲第１１項に記載の方
    法。 １３ 焼成反応を1080〜1240℃で行なうことを特
    徴とする、特許請求の範囲第１１項又は第１２項
    のいずれかに記載の方法。 １４ 焼鈍工程が、焼鈍温度250〜850℃にて１〜
    ２時間焼鈍処理することからなることを特徴とす
    る、特許請求の範囲第１０項、１１項、１２項、
    １３項のいずれかに記載の方法。
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