JPH05190315A - 多結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライト - Google Patents
多結晶Ｍｎ−ＺｎフェライトInfo
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- JPH05190315A JPH05190315A JP3235043A JP23504391A JPH05190315A JP H05190315 A JPH05190315 A JP H05190315A JP 3235043 A JP3235043 A JP 3235043A JP 23504391 A JP23504391 A JP 23504391A JP H05190315 A JPH05190315 A JP H05190315A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 飽和磁束密度と透磁率を共に高めたフェライ
ト。 【構成】 ５０〜５７mol％のＦｅ2Ｏ3に、１８〜４５m
ol％のＭｎＯ及び５〜２５mol％のＺｎＯを含んでなる
多結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライトに、Ｌａ2Ｏ3（式中、Ｌａ
はランタノイド族元素を表わす）の式で示されるランタ
ノイド族元素の酸化物を１.０mol％以下の割合で含有せ
しめた多結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライト。 【効果】 飽和磁束密度と透磁率を共に格段に高めるこ
とができる。従って、磁気ヘッドの材料として、極めて
優れたものであり、高保持力な磁気媒体に対しても十分
に対応しきれるものである。
ト。 【構成】 ５０〜５７mol％のＦｅ2Ｏ3に、１８〜４５m
ol％のＭｎＯ及び５〜２５mol％のＺｎＯを含んでなる
多結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライトに、Ｌａ2Ｏ3（式中、Ｌａ
はランタノイド族元素を表わす）の式で示されるランタ
ノイド族元素の酸化物を１.０mol％以下の割合で含有せ
しめた多結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライト。 【効果】 飽和磁束密度と透磁率を共に格段に高めるこ
とができる。従って、磁気ヘッドの材料として、極めて
優れたものであり、高保持力な磁気媒体に対しても十分
に対応しきれるものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、浮動式磁気ヘッド等の
素材として用いられる多結晶フェライトに関する。
素材として用いられる多結晶フェライトに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、浮動式磁気ヘッド等に用いられる
素材としては、主としてＭｎ−Ｚｎ系多結晶フェライ
ト、Ｍｎ−Ｚｎ−Ｓｎ多結晶フェライトが用いられてい
る。ところが、浮動式磁気ヘッドに用いられる素材とし
てＭｎ−Ｚｎ系多結晶フェライト、Ｍｎ−Ｚｎ−Ｓｎ多
結晶フェライトを採用した場合、これら多結晶フェライ
トは飽和磁束密度Ｂｓが小さく、透磁率も小さい為、高
保磁力の媒体に対応できない等の難点がある。この点を
改善するために、Ｆｅ2Ｏ3の量を増加させて飽和磁束密
度Ｂｓを向上させた多結晶フェライトが知られている。
素材としては、主としてＭｎ−Ｚｎ系多結晶フェライ
ト、Ｍｎ−Ｚｎ−Ｓｎ多結晶フェライトが用いられてい
る。ところが、浮動式磁気ヘッドに用いられる素材とし
てＭｎ−Ｚｎ系多結晶フェライト、Ｍｎ−Ｚｎ−Ｓｎ多
結晶フェライトを採用した場合、これら多結晶フェライ
トは飽和磁束密度Ｂｓが小さく、透磁率も小さい為、高
保磁力の媒体に対応できない等の難点がある。この点を
改善するために、Ｆｅ2Ｏ3の量を増加させて飽和磁束密
度Ｂｓを向上させた多結晶フェライトが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ようにＦｅ2Ｏ3の量を増加した多結晶フェライトの場
合、飽和磁束密度Ｂｓは向上させることができるが、高
周波領域までの透磁率μが大幅に低下してしまい、浮動
式磁気ヘッド用の素材に要求される５０００Gauss以上
の飽和磁束密度と、十分な透磁率μを得ることが難しい
という問題点があった。
ようにＦｅ2Ｏ3の量を増加した多結晶フェライトの場
合、飽和磁束密度Ｂｓは向上させることができるが、高
周波領域までの透磁率μが大幅に低下してしまい、浮動
式磁気ヘッド用の素材に要求される５０００Gauss以上
の飽和磁束密度と、十分な透磁率μを得ることが難しい
という問題点があった。
【０００４】本願発明者等は、多結晶Ｍｎ−Ｚｎフェラ
イトに、ランタノイド族元素の酸化物を添加すること
で、飽和磁束密度と透磁率を共に高めることができるこ
とを知見し、本願発明に至ったものである。
イトに、ランタノイド族元素の酸化物を添加すること
で、飽和磁束密度と透磁率を共に高めることができるこ
とを知見し、本願発明に至ったものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は前記課題を解決
するためになされたもので、５０〜５７mol％のＦｅ2Ｏ
3に、１８〜４５mol％のＭｎＯ及び５〜２５mol％のＺ
ｎＯを含んでなる多結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライトに、Ｌａ
2Ｏ3（式中、Ｌａはランタノイド族元素を表わす）の式
で示されるランタノイド族元素の酸化物を１.０mol％以
下の割合で含有せしめたことを特徴とする多結晶Ｍｎ−
Ｚｎフェライトである。
するためになされたもので、５０〜５７mol％のＦｅ2Ｏ
3に、１８〜４５mol％のＭｎＯ及び５〜２５mol％のＺ
ｎＯを含んでなる多結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライトに、Ｌａ
2Ｏ3（式中、Ｌａはランタノイド族元素を表わす）の式
で示されるランタノイド族元素の酸化物を１.０mol％以
下の割合で含有せしめたことを特徴とする多結晶Ｍｎ−
Ｚｎフェライトである。
【０００６】
【作用】本発明は、多結晶のＭｎ−Ｚｎフェライトに、
ランタノイド族元素の酸化物を１.０mol％以下の割合で
含有させることで、格段にその飽和磁束密度と透磁率を
高めるものである。
ランタノイド族元素の酸化物を１.０mol％以下の割合で
含有させることで、格段にその飽和磁束密度と透磁率を
高めるものである。
【０００７】
【実施例】本発明の多結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライトは、 Ｆｅ2Ｏ3：５０〜５７mol％ ＭｎＯ ：１８〜４５mol％ ＺｎＯ ： ５〜２５mol％ を基本構成要素とし、さらに、ランタノイド族元素の酸
化物を１.０mol％以下の割合で含有したものである。こ
こで、ランタノイド族元素の酸化物としては、Ｌａ
2Ｏ3、Ｃｅ2Ｏ3、Ｐｒ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｐｍ2Ｏ3、Ｓｍ
2Ｏ3、Ｅｕ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3、Ｔｂ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｈｏ
2Ｏ3、Ｅｒ2Ｏ3、Ｔｍ2Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3、Ｌｕ2Ｏ3 等が
該当する。
化物を１.０mol％以下の割合で含有したものである。こ
こで、ランタノイド族元素の酸化物としては、Ｌａ
2Ｏ3、Ｃｅ2Ｏ3、Ｐｒ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｐｍ2Ｏ3、Ｓｍ
2Ｏ3、Ｅｕ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3、Ｔｂ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｈｏ
2Ｏ3、Ｅｒ2Ｏ3、Ｔｍ2Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3、Ｌｕ2Ｏ3 等が
該当する。
【０００８】本発明の多結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライトの製
造は、従来一般の製法を適用することができる。即ち、
その製造工程の一例をあげるならば、原料となるＦｅ2
Ｏ3、ＭｎＯ、ＺｎＯ等の粉末を混合し、９００〜１０
００℃で仮焼し、添加物であるランタノイド族の酸化物
（例えば、Ｅｒ2Ｏ3、Ｔｂ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、
Ｓｍ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、・・・）を各計量した上
で混合する。混合にはボールミルを使用できる（約１０
時間程）。よく混合されたところで、バインダーを添加
して乾燥させ、造粒する。その後、一次成形（例えば、
１０００kgf/cmで圧粉する）、二次成形（例えば、冷間
静水圧圧延：ＣＩＰ（Cold Isostatic Pressing）で３t
on×３min）を行ない、焼成する（例えば、１０００〜
１３００℃で２〜１０時間）。さらに、熱間静水圧圧延
（ＨＩＰ：Hot Isostatic Pressing）（例えば、１００
０〜１３００℃の条件下、１１００kgf×４時間）後
に、加工を施して、製品化される。
造は、従来一般の製法を適用することができる。即ち、
その製造工程の一例をあげるならば、原料となるＦｅ2
Ｏ3、ＭｎＯ、ＺｎＯ等の粉末を混合し、９００〜１０
００℃で仮焼し、添加物であるランタノイド族の酸化物
（例えば、Ｅｒ2Ｏ3、Ｔｂ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、
Ｓｍ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、・・・）を各計量した上
で混合する。混合にはボールミルを使用できる（約１０
時間程）。よく混合されたところで、バインダーを添加
して乾燥させ、造粒する。その後、一次成形（例えば、
１０００kgf/cmで圧粉する）、二次成形（例えば、冷間
静水圧圧延：ＣＩＰ（Cold Isostatic Pressing）で３t
on×３min）を行ない、焼成する（例えば、１０００〜
１３００℃で２〜１０時間）。さらに、熱間静水圧圧延
（ＨＩＰ：Hot Isostatic Pressing）（例えば、１００
０〜１３００℃の条件下、１１００kgf×４時間）後
に、加工を施して、製品化される。
【０００９】本発明において、ランタノイド族元素酸化
物の添加量を１.０mol％以下に限定した理由は、所定の
磁気特性を得るためである。即ち、添加量が１.０mol％
以上であると、ランタノイド族元素のイオン半径が０.
８６１〜１.０４５Åと大きいために、Ｆｅ（イオン半
径０.６７Å）を置換できずに結晶内に析出する現象が
発生し、磁気特性が大幅に低下するからでる。
物の添加量を１.０mol％以下に限定した理由は、所定の
磁気特性を得るためである。即ち、添加量が１.０mol％
以上であると、ランタノイド族元素のイオン半径が０.
８６１〜１.０４５Åと大きいために、Ｆｅ（イオン半
径０.６７Å）を置換できずに結晶内に析出する現象が
発生し、磁気特性が大幅に低下するからでる。
【００１０】多結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライトに種々の量の
Ｅｒ2Ｏ3を添加した時の飽和磁束密度Ｂｓを測定した。
測定結果を図１に示す。尚、図中、△は多結晶フェライ
トであり、○はＦＧ（Fine Grain）多結晶フェライトで
あって、結晶粒径が１〜５μmの小さいものである。
Ｅｒ2Ｏ3を添加した時の飽和磁束密度Ｂｓを測定した。
測定結果を図１に示す。尚、図中、△は多結晶フェライ
トであり、○はＦＧ（Fine Grain）多結晶フェライトで
あって、結晶粒径が１〜５μmの小さいものである。
【００１１】図１のグラフから、Ｅｒ2Ｏ3を添加した多
結晶フェライト及びＦＧ多結晶フェライトは、その添加
量が１.０mol％以下であれば十分な飽和磁束密度をもつ
ことがわかる。特に、Ｅｒ2Ｏ3の添加量が０.０５mol％
であるものは、その飽和磁束密度Ｂｓが５５００Gauss
以上の値を有している。しかしながら、添加量が１.０m
ol％以上であっては、徐々に飽和磁束密度が低下してし
まって満足な飽和磁束密度を維持していない。
結晶フェライト及びＦＧ多結晶フェライトは、その添加
量が１.０mol％以下であれば十分な飽和磁束密度をもつ
ことがわかる。特に、Ｅｒ2Ｏ3の添加量が０.０５mol％
であるものは、その飽和磁束密度Ｂｓが５５００Gauss
以上の値を有している。しかしながら、添加量が１.０m
ol％以上であっては、徐々に飽和磁束密度が低下してし
まって満足な飽和磁束密度を維持していない。
【００１２】同様に、多結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライトに種
々の量のＥｒ2Ｏ3を添加した時の透磁率（１ＭＨｚ）μ
を測定した。測定結果を図２に示す。
々の量のＥｒ2Ｏ3を添加した時の透磁率（１ＭＨｚ）μ
を測定した。測定結果を図２に示す。
【００１３】図２のグラフから、Ｅｒ2Ｏ3の添加量が
１.０mol％以下であれば十分な透磁率を示している（従
来のフェライトに比して、約１５％向上）が、添加量が
１.０mol％以上であっては、Ｅｒ2Ｏ3を添加しない場合
と同程度になってしまっている。
１.０mol％以下であれば十分な透磁率を示している（従
来のフェライトに比して、約１５％向上）が、添加量が
１.０mol％以上であっては、Ｅｒ2Ｏ3を添加しない場合
と同程度になってしまっている。
【００１４】さらに、種々のランタノイド族の酸化物を
多結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライトに添加したときの飽和磁束
密度Ｂｓを測定した。添加したランタノイド族の酸化物
には、Ｔｂ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｍ2Ｏ3、Ｇｄ
2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3を使用し、各ランタノイド族の酸化物
を、０.０、０.０５、０.５、１.０、１.５０mol％の各
割合で添加してその飽和磁束密度Ｂｓを測定した。尚、
測定の際、適用した多結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライトの組成
は、Ｆｅ2Ｏ3：５３mol％、ＭｎＯ：３１mol％、Ｚｎ
Ｏ：１６mol％としたが、Ｔｂ2Ｏ3を添加した際には、
この他に、Ｆｅ2Ｏ3：５０，５２，５４，５６mol％、
ＭｎＯ：３０，２６，３２，２７mol％、ＺｎＯ：２
０，２２，１４，１８mol％と変化させたものも測定サ
ンプルとした。結果を表１に示す。
多結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライトに添加したときの飽和磁束
密度Ｂｓを測定した。添加したランタノイド族の酸化物
には、Ｔｂ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｍ2Ｏ3、Ｇｄ
2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3を使用し、各ランタノイド族の酸化物
を、０.０、０.０５、０.５、１.０、１.５０mol％の各
割合で添加してその飽和磁束密度Ｂｓを測定した。尚、
測定の際、適用した多結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライトの組成
は、Ｆｅ2Ｏ3：５３mol％、ＭｎＯ：３１mol％、Ｚｎ
Ｏ：１６mol％としたが、Ｔｂ2Ｏ3を添加した際には、
この他に、Ｆｅ2Ｏ3：５０，５２，５４，５６mol％、
ＭｎＯ：３０，２６，３２，２７mol％、ＺｎＯ：２
０，２２，１４，１８mol％と変化させたものも測定サ
ンプルとした。結果を表１に示す。
【００１５】
【表１】
【００１６】表１からも明らかな通り、本発明の多結晶
Ｍｎ−Ｚｎフェライトに合致する、５０〜５６mol％の
Ｆｅ2Ｏ3と、２６〜３２mol％のＭｎＯ及び１４〜２１m
ol％のＺｎＯを含んでなる多結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライト
に、各ランタノイド族元素の酸化物を１.０mol％以下の
割合で含有せしめたものだけが十分な飽和磁束密度Ｂｓ
を有していることがわかる。特に、Ｆｅ2Ｏ3が５３〜５
４mol％、ＭｎＯが３１〜３２mol％、ＺｎＯが１４〜１
６mol％の多結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライトに、Ｔｂ2Ｏ3を
０.０５mol％を添加したものは、５５００Gauss以上の
飽和磁束密度を有している。
Ｍｎ−Ｚｎフェライトに合致する、５０〜５６mol％の
Ｆｅ2Ｏ3と、２６〜３２mol％のＭｎＯ及び１４〜２１m
ol％のＺｎＯを含んでなる多結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライト
に、各ランタノイド族元素の酸化物を１.０mol％以下の
割合で含有せしめたものだけが十分な飽和磁束密度Ｂｓ
を有していることがわかる。特に、Ｆｅ2Ｏ3が５３〜５
４mol％、ＭｎＯが３１〜３２mol％、ＺｎＯが１４〜１
６mol％の多結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライトに、Ｔｂ2Ｏ3を
０.０５mol％を添加したものは、５５００Gauss以上の
飽和磁束密度を有している。
【００１７】
【発明の効果】本発明の多結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライト
は、ランタノイド族元素の酸化物を１.０mol％以下の割
合で含有せしめたもので、飽和磁束密度と透磁率を共に
格段に高めることができたものである。従って、磁気ヘ
ッドの材料として、極めて優れたものであり、高保持力
な磁気媒体に対しても十分に対応しきれるものである。
特に、高密度記録対応の浮動式磁気ヘッドでの使用に対
しても十分に満足な磁気特性を有するものである。
は、ランタノイド族元素の酸化物を１.０mol％以下の割
合で含有せしめたもので、飽和磁束密度と透磁率を共に
格段に高めることができたものである。従って、磁気ヘ
ッドの材料として、極めて優れたものであり、高保持力
な磁気媒体に対しても十分に対応しきれるものである。
特に、高密度記録対応の浮動式磁気ヘッドでの使用に対
しても十分に満足な磁気特性を有するものである。
【図１】Ｅｒ2Ｏ3の添加量と飽和磁束密度の関係を示す
グラフである。
グラフである。
【図２】Ｅｒ2Ｏ3の添加量と透磁率の関係を示すグラフ
である。
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 牧野 彰宏 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 ５０〜５７mol％のＦｅ2Ｏ3に、１８〜
４５mol％のＭｎＯ及び５〜２５mol％のＺｎＯを含んで
なる多結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライトに、 Ｌａ2Ｏ3（式中、Ｌａはランタノイド族元素を表わす）
の式で示されるランタノイド族元素の酸化物を１.０mol
％以下の割合で含有せしめたことを特徴とする多結晶Ｍ
ｎ−Ｚｎフェライト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3235043A JPH05190315A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 多結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3235043A JPH05190315A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 多結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190315A true JPH05190315A (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=16980240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3235043A Withdrawn JPH05190315A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 多結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05190315A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007095962A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Tdk Corp | サージ吸収素子 |
| JP2008152910A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Seagate Technology Llc | 熱電冷却デバイスを有する磁気書込みヘッド |
| US7400485B2 (en) | 2005-09-28 | 2008-07-15 | Tdk Corporation | Surge absorber |
| US7652554B2 (en) | 2005-05-02 | 2010-01-26 | Tdk Corporation | Multilayer filter |
| CN104575909A (zh) * | 2015-02-06 | 2015-04-29 | 苏州欢颜电气有限公司 | 电气工程用复合磁性材料 |
-
1991
- 1991-09-13 JP JP3235043A patent/JPH05190315A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7652554B2 (en) | 2005-05-02 | 2010-01-26 | Tdk Corporation | Multilayer filter |
| JP2007095962A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Tdk Corp | サージ吸収素子 |
| US7400485B2 (en) | 2005-09-28 | 2008-07-15 | Tdk Corporation | Surge absorber |
| JP2008152910A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Seagate Technology Llc | 熱電冷却デバイスを有する磁気書込みヘッド |
| US8031435B2 (en) | 2006-12-18 | 2011-10-04 | Seagate Technology Llc | Magnetic write head with thermoelectric cooling device |
| CN104575909A (zh) * | 2015-02-06 | 2015-04-29 | 苏州欢颜电气有限公司 | 电气工程用复合磁性材料 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981203 |