JPS60211904A - 金属酸化物磁性体及び磁性膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は光磁気記録媒体に用いられる新規な金属酸化物
磁性体及びそれよりなる磁性膜に関する。

従来技術 近年、半導体レーザー光により記録、再生を行なう光磁
気記鍮媒体が高密度記録用として研究開発されている。

従来、光磁気記録媒体に用いられる磁性体としては希土
類金属と董移金属との非晶員合金７：ｌ）もなるものが
多い。このような非晶貝会金磁性体冫用いて光磁気記録
媒体を作るには一般にガラス板のような基板上に前記磁
性体、例えばＴｂ−Ｆｅ合省を真空蒸着、スノκツタリ
ング等の方法で厚さ０．１〜１μ−ｍ程度に付着させて
磁性展を形成している。こうして得られる光磁気記録媒
体への記録、再生は次のようにして行なわれる。即ち記
録は磁性膜のキュリー温度又は補償温度近傍における温
度変化に対応した保磁力の急激な変化特性を利用して２
値信号で変調されたレーザー光を磁性膜に照射加熱して
磁化の向きを反転させることにより行なわれる。また再
生はこうして反転記録された磁性膜の磁気光学効果の差
を利用して読出すことにエリ行なわれる。前述のような
非品質合金磁性体を用いた光磁気記録媒体は記録感度が
高いため、半導体レーザー光によって高速度（周波数Ｉ
ＭＨｚにおいて）で記録できるという利点はあるが、非
品質合金磁性体、特に希土類金属成分は酸化腐食を受け
易いので、経時と共に磁性膜の磁気光学特性が劣化する
という大きな欠点がある。これを防止するため、非晶質
磁性膜上にｓｔｏ，ｓｔｏ，等の保謹膜を設ける（形成
法は磁性膜の場合と同様、真空蒸着、スパッタリング等
による）ことも知られているが、磁性膜或いは保護膜の
形成時、真空中に残存する０！，基板面に吸着されたＯ
ｔ，Ｈ，Ｏ等及び合金磁性体のターゲット中に含まれる
ｏ，，ｔ｛．ｏ等にエリ経時と共に磁性膜が酸化腐食さ
れる上、記録時の光及び熱Ｋより更にこの酸化腐食は促
進される。

また非結晶質磁性体は熱によって結晶化され易く、その
ために磁気特性の劣化を来たし易いという欠点を有する
。更に再生出力を向上するだめの再生方式として磁性膜
をできるだけ厚くし、その上にＣｕ，Ａｔ，Ｐｔ，Ａｕ
等の反射膜な設け、レーザー光を磁性膜に照射透過させ
た後、反射膜で反射させ、この反射光を検出する反射型
ファラデー方式は高Ｓ／Ｎの＜Ｍ号が得られるという点
で有利であるが、従来の非品質磁性膜は透光性に欠ける
ため、この方式に用いることができないものであった。

目的 本発明の目的は記録感度が高く、しかも耐酸化腐食性及
び透光性に優れた、光磁気記録媒体用材料として特に好
適な新規な金属化物磁性体及びこの金属酸化物磁性体よ
りなる磁性膜を提供することである。

構成 本発明の金属酸化物磁性体は一般式（１）ＭｅＯ゜Ａ（
”ｉＭＩＩ４ｙＭＩｌｌ｝ｚ”ｔＣｙ＆ｘ”ｈｒ＋｝ｚ
）”〕（但しＭｅ＝Ｂａ，Ｓｒ及び／又はＰｂ：ＭＩ＝
Ｇａ，Ａ４Ｍｎ又はＣｒ：Ｍ１＝Ｉｎ，Ｓａ，Ｚｎ，Ｔ
Ｉ，Ｔａ，Ｇｏ又はＳｎ；ＭＩｌｌ＝ＣＯｓ’ｇｓ旧，
Ｓｍ，Ｔｈ，Ｙ，Ｄｙ．Ｔｂ，Ｌ，Ｇｄ，Ｅｒ，Ｅｕ，
Ｙｂ又はＣｅ；０＜ｘ≦ｏ．ｓ，Ｏ＜ｙ≦０．３，０＜
ｚ≦Ｏ．’！，Ｏくｘ＋ｙ＋ｚ≦１．２＊ｍ，ｎ，ｌは
夫々、ＭＩ，ＭＩｔ，Ｍｍのイオン価数） で示されるものであり、また磁性膜は前記一般式（１）
の金属酸化物磁性体よりなるものである。

光磁気記録媒体に用いられる磁性体又は磁性膜には半導
体レーザー光によって記録、再生可能な磁気光学特性（
適正なキュリー温度、保磁力等）を備えていなければな
らないが、特に高い記録感度を得るためにキュリー温度
Ｔｃが低いこと及び記録したメモリーを安定に維持する
ために保磁力Ｈｅが適度に高いことが必要である。一般
にこのＴｃ及びＨｅの適正範囲はＴａについては１００
〜３５０℃、Ｈｃについては３００〜６０００エルステ
ッド（好ましくは３０００エルステッド以一下）と考え
られる。これはＴｃが１００℃以下では記録したメモリ
ーが再生時のレーザー光によって不安定になって再生特
性の劣化原因となり、また、３５０”Ｃ以上では半導体
レーザー光による記碌が困難であり、一方、Ｈｅが３０
０エルステッド以下ではメモリーが不安定となって消失
する可能性があり、また６０００エルステッド以上では
記録時の磁化反転Ｋ必要なレーザー出力や外部磁界が大
きくなり、好ましくないからである。

一方、従来エリ磁気バブル材料として六万晶形及びスピ
ネル形の金属酸化物磁性体が研究されている。このうち
六方晶形のものでは例えば一般式｛２｝ ＭｅＯ・Ａ（Ｆｅ２０Ｂ） （但しＭｅ，Ａは一般式（１）に同じ）で示されるもの
が知られている。本発明者らはこの株の磁性体がそれ自
体、酸化物であるため、酸化劣化の恐れがな《、しかも
膜厚１ｏμｍとしても透光性を備えていることに注目し
た。しかしこれらはキュリー温度Ｔｃが４５０℃以上と
高いため、前述のように半導体レーザー光による記録は
困難であり、そのままでは光磁気記録媒体用材料として
適用できない。そこで本発明者らは種々検討したところ
、一般式｛２｝のＦｅ原子の一部なＭ１金属で置換する
と、保磁力Ｈａが増大し、一万、キュリー温度Ｔｃは低
下すること、同じ（Ｆｅ原子の一部なＭＩ金属で置換す
ると、ｔ｛ＣもＴｃも著しく低下すること、及び同じ（
Ｆｅ原子の一部な−金属で置換すると、Ｔａは殆んど変
化しないが、Ｈｅは低下することを見出した。

本発明は以上のような置換金属Ｍ１，ＭＩＩ，ＭＩＩＩ
の磁気特性ＥＩｃ及びＴｃに対する特性変化に着目して
光磁気記録媒体用として好適な組成の金属酸化物磁性体
を発見したことに基づくものである。

次に前記一般式《１》の金属酸化物磁性体の具体例を示
す。

磁性体屋構造式 ＩＢａ（）６（Ｇａｏ．ｓＩｎ６．ＩＣｏ（１．ＩＦｅ
，，ｓｏ，）２Ｂａ０・６［Ｇａ６．ＩＺｎ（１．１２
１３ｔＯ−１”ｅｌ．ｕｏ８：］３Ｂａ０・６．０（Ｇ
ａｏ，６Ｓｃ６．ＩＢｉ６．１Ｆｅｌ．１０ｓ）４１３
１Ｑ−５．５［Ｇａ６．７Ｔｉ６．ｏａＢｉｏ．ｔＦｅ
ｔ．＋＊Ｏｓ］５Ｓｒ（）５Ｊ（Ｇａｏ．ａＴａｏ．ｓ
ｔＶｏ．ｅＦｅｏ．ａｏＯｓ〕６８ｒＯ”５．８ＣＧ＆
（１．６Ｃｒ６．ＩＳｍｌ）．ＩＦｅｌ４０ｇ）７Ｓｒ
０・６．０ＣＧｉｏ．４ＳＩ１ｏ．ｓ’￥ｏ．ｏｓＦｅ
ｌ．ａｓＯａ〕８Ｓｒ０・５．９［Ｇａ６．＠Ｇｅｏ−
ｔｔＧｄｏ．ｘＦ１１１−ｘ４０ｇ：１９Ｐｂ（）５．
８ＣＧ＆ｏ．ａＺｎｏ．ｔｔＢｉｏ．ｏｓＦ（１ｔ．ｔ
ｅＯｓ）１０Ｐｂ０・５．６［Ｇ＆ｏ．ｓＴｉｏ．ｏｅ
ＣＯｏ．ｏｓＦｅｘ−ｓｙｏｓ］１１ＢＪＬ０・６−０
（Ａ４．ｓＺｎｏ．ｔｔＢｉｏ．，ＦＪ．４４０３’）
１２Ｂａ０・５．８（Ａ４．５Ｔｉｏ．ｏｅＣｏｏ．ｓ
Ｆｅｔ−ｓｘｏｓ）１３ＢａＯ・ｓ．ｓ［Ａ４．ａＩｎ
ｏ．ＩＳＩＱ）．ＩＦｅｌ．Ｏｏ３〕１４Ｂａ０・６．
０［Ａ４．ｓＣｒｏ−ｔＹｏ．ｏｓＦ１１ｔ−ｍｓＯｓ
］１５’Ｓｒ０・６．０（Ａ４．ＢＴＩＬ６．１２Ｅｒ
６．ＩＦＪ．１４０３’：１１６Ｓｒ０６．０１：Ａ４
．６Ｓｃ６．ＩＥｕ６，ＩＦｅ１．ＢＯ３：１１７Ｓｒ
Ｏ”５．７（Ａ４．１１Ｚｎ６．１２Ｙｂ６．６６Ｆｏ
ｌｅ！ａｏ，］ＩｓＳｒＯ゜５・５［Ａ４．ｇＳｎｏ．
ｓｔＧｅｏ．ｕＦｅｏ．ａａＯｓ］１９８ｒ０・６．０
［Ａ４．ｓＣｒｏ．ｓＭｇｏ．ｘｔＦｅ＋．ａｔＯｓＥ
磁性体Ａ構造式 ２０Ｐｂ０・６．０（Ａ４．５Ｚｎｏ−ｏ６Ｂｉｏ．Ｉ
Ｆｅｌ，ｊａｏｓ）２１Ｐｂ０４．６［Ａ４，６Ｔａｏ
．ｕｃＯｏ．＋Ｆ１ｉ１ｔ．ｓａｏｓ：］２２Ｂａ０・
６．０（ＭｎＯ．６Ｚｎｏ．ｏｅＢｉｏ．ｔＦｅｔ．ｓ
ａｏ，］２３Ｂａ（）６．０［Ｍｎｇ，６Ｔｉ。，６６
ＣｏＯ．ｏｓＦｅｓ．ｓｙＯｓ）２４ｆｌａ（）６．０
［Ｍｎ。．ＢＳｃｏ．ｏａＳＴＩＩｏ．ｏｓＦｅｔ．ｔ
Ｏｓ］２５８ａ（）５．７［Ｍｎｎ．ｓＺｎｏ．＋ｔＢ
ｉｏ．ｏａＦｅｓ・ｔｏＯｎ〕２６Ｂａ０・５．８（Ｍ
ｎ６．６Ｃｒ（１．ＩＧｄＯ．６１Ｆｅ１．ＢＯ３］２
７ＢａＯ”５．８ＣＭｎｏ．７Ｇｅｇ．６６Ｔｂｇ，Ｉ
ＦＪ．ＨＯ６１２８ＳｒＯ”’０（Ｍｎ６．６Ｚｎｌ）
．０６Ｂｉ６，ｓＦＧｌ，ｔ６０Ｂ］２９Ｓｒ（）５．
ｔｉ［Ｍｎｏ．ｓＴｉｏ．ｏａＣＯｏ．ｘＦｅｔ．ａｔ
ｏｓ］３０Ｓｒｏ−６．０［：Ｍｎｏ４Ｓｅｏ．，）．
Ｓｍｏ．．Ｆｅ．−ｏｓＯｓ］３１ＢａＯ”６．０［Ｃ
ｒｏ．ａＴｉ（１，ｏ６Ｂｉｏ，２Ｆ６ｇ．ＢＯｓ）３
２Ｂａ０・６．０（Ｃｒｏ．ａＺｎａ．ｏｅＢｉｏ．ｏ
ｓＦｅｔ．ｓｔＯｓ）３３Ｂａ０・５．５［Ｃｒ０．ｙ
Ｉｎｇ，（１５Ｃｏｏ．ｔＦ１１ｔ−ｔｓｏｓ）３４Ｄ
ａ（）５．７［Ｃｒｇ．ｓＳｃｏ．ｏｉＳｎｂ．ｓＦｅ
，，１６０３３３５８ａ０４．０（Ｃｒｇ．ａＴａｏ．
ｓ＊Ｇｄｏ．ｏｓｌｌ＋．ｔ＊Ｏｓ）３６Ｂａ０・６．
０［Ｃｒ（１ａ４Ｓｎｏ．ｔＤｙｏ−ｏｓＦ１１＊．ｇ
ｏｏｎ］３７ＰｂＯ−６．０［：Ｃｒ６．ｅＺ１１ｏ．
ｔｚＢｉｏ．ｏｓＦｅｔ−ｔｏＯｎ１３８ＰｂＯ・５．
６［Ｃｒ６．７Ｉｎ６．ＩＣｏｏ−ｏｓ”ｅｔ−ｔｌｏ
ｓ］磁性体屋構造式 ３９Ｓｒ（）６．０（Ｃｒｏ．６Ｔｉｏ．ｏｅＢｉｏ．
＊Ｆｅｔ．ｕｏｓ）４０Ｓｒ０・５．５（Ｃｒｏ．ｓＺ
ｎｏ．ｏａＳｍｏ．ｔＦｅｔｓａＯａ）４１８ｍ（）６
．０ＣＧｉｏ．ｓＺｎｏ．ｔｘＢｉｏ．ｏｓＦｅｔ．ａ
ｙＯｓ３４２Ｓｒ０・６．０［Ａ４．ａＺｎｏ．ＢＢｉ
ｏ．ｔＦｅｔ．ａｔＯａ〕４３Ｂａ０・６．０（Ｇａｏ
．ｓＴｉｏ−ｏｓＢｉｏ．ｏｓＦｅｔ．ｓｙＯｓ）４４
Ｓｒ０４．０（Ａち．＠Ｔｉ＠．ｏａＢｌｏ＊ｔＦ１１
ｔ．ｓｔＯａ）４５ＳｒＯ・６．０ＣＭｎｏ．ＢＺｎｏ
．ｔｔＢｌｏ．ｏｓＦｅｒ．ｓｙＯｓ）４６Ｐｂ０・６
ｊ）［Ｍｎ６．６Ｚｎｏ．ｏｓＢｉｏ．ｘｌｆｔ．ｔａ
Ｏｓ）４７Ｐｂ（）６．０（Ｍｎ６，４Ｔｉｏ．ｏｅＣ
ｏｏ．ｓＦＩＢｔ．ａｔＯｓ）４８Ｂａ（）６．０（Ｇ
ａｏ．＠Ｚｎｏ．（１６Ｂ１ｇ．ＩＦｅｌ，３６０３〕
４９８ａ（）６．０（Ｇａ６．ＩＣｒ（１．１Ｂｉｏ．
ｏ５Ｆｅ＋．ａｓＯｓ：］５０Ｈａ（）６．０［Ａ４１
．ＩＳｎ６．ｏｏ旧０．０ＳＦ’ｅｌ−８８ｏａ）以上
の金属酸化物磁性体は一般に夫々所定量のＭｅ金属の酸
化物又は炭酸塩とＭｉ金属の酸化物とＭＩ金属の酸化物
とＭｌ［金属の酸化物とを混合粉砕し％１１００〜１２
００℃の温度で３〜５時間焼成し、次にこれを粉砕した
後、適当な大きさの円板状金型に入れてプレスし、つい
でこれを１２５０〜１４００℃の温度で５〜８時間再び
焼成して円板状ターゲットとして用いられる。

本発明の金属酸化物磁性体を用いて磁性膜を作るには、
基板の種類にも゜よるが、一般に基板上にこの磁性体な
前述のようなターゲットとして基板温度４００〜７００
℃で真空蒸着、ス，ｅツタリング、イオンプレーテイン
グ等の方法で膜厚０．１〜ｌＯμｍ程度に付着させれば
よい。

こうして第１図に示すように基板１上に、垂直磁化され
た磁性膜２を有する光磁気記録媒体が得られる。なお場
合によっては磁性膜の形成は基板温度５００℃未満で行
なうこともできる。

但しこの場合は磁性膜形成後、これに４００〜８００℃
の熱処理を、場合により磁界を印加しながら，行なって
垂直磁化させる必安がある。

ここで基板の材料としては一般にアルミニウムのような
耐熱性金属；石英ガラス；ＧＧＧ単結晶；サファイヤ：
リチウムタンタレート：結晶化透明ガラス：パイレツク
スガラス；ノくイコールガラス表面を酸化処理しない単
結晶シリコンｓＡＬＩＯＨＩＡ４０３ｍＭｇ０１ＭｇＯ
’ＬＩＦ，Ｙ２０Ｂ，ＬＩＦ＠Ｂｅｄ．ＺｒＯ１Ｙｌ０
Ｂ．Ｔｈ０２・ＣａＯ等の透明セラミック材；無機シリ
コン材（例えば東芝シリコン社製トスガード、住友化学
社製スミセラムＰ）等の無機材料が使用できる。

本発明の磁性膜は第１図のような単層型光磁気記録媒体
に限らず，従来公知のすべての多層型光磁気記録媒体に
適用できる。この種の多層型の例としては第２〜５図に
示すような構成のものが挙げられる。図中、１′はガイ
ドトラック付き基板、３は反射膜、４は透明誘電１響、
５はガイドトラック層、６は保護膜、７は透明接着層、
８は耐熱層である。ここでガイドトラック付き基板１′
はアクリル樹脂、ポリカーポネート樹脂、ポリエステル
樹脂等の樹脂を射出成型、押出成型、フォトエッチング
法等により加工して作られる。なお基板のガイドトラッ
クは記録，再生時のレーザー光を案内するものである。

反射膜３はＣｕ．Ａ４Ａｇ．Ａｕ．Ｒｔ．ＴｅＯｘｅＴ
ｅＣ．ＳｅＡｓ，ＴｅＡｓ，ＴｉＮ＋ＴａＫＣｒＮ．シ
アニン染料、フタアシアニン染料等を真空蒸着、ス，ｅ
ツタリング、イオンゾレーテイング等の方法で対象面に
膜厚５００〜１００００八程度に付着させろことにエリ
形成される。なおこの反射膜は、磁性膜を透過したレー
ザー光を反射し、再び磁性膜を透過することによるファ
ラデー効果を増大させる目的で設けられる。透明誘電層
４はＳ１０２ｔＳｉＯ，Ｔ１０２＊ＴｉＯ，ＣｅＯ，Ｈ
ｆＯ，，Ｂｅｄ．Ｔｈｅ？＋Ｓｔ３Ｎ４等’ｐ（前記と
同様な方法で対象面に膜厚約０．０５〜０．５μｍ程度
に付看させることにより形成される。なおこの透明訪・
竃層はファラデー回転角を増大させて再生出力を向上す
る目的で設けられる。ガイドトラック層５は対象面に紫
外線硬化性樹′脂を塗布した後、ガイド溝を有する金型
を圧看しながら、紫外線を照射して前記樹脂を硬化させ
ることにエリ形成される。保護膜６はアクリル樹脂、ポ
リウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテル
スルホン樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、ＴＩＮ
ＩＳ１ＢＮ４ｖＴａＮ，Ｓｉｏｎ＋Ｓ１０等を樹脂の場
合は塗布法で、その他の．一合は真空蒸着、スノぞツタ
リング、イオンプレーテイング等の方法で対象面に膜厚
約０．１〜１０μｍ程度に付着させることＫより形成さ
れる。なおこの保護膜は反射膜３を保ａする目的で設け
られる。透明接着層７は、反射膜３乞設けたガイドトラ
ック付き基板１′の反射膜と磁性膜２χ設けた耐熱層８
（この層は前記無機材料よりなるので、「磁性膜を設け
た耐熱層」とは前記単層型光磁気記録材料のことである
。）の磁性膜とをエボキ７樹脂、ポリウレタン、ポリア
ミド等の樹脂で１μｍ以下厚程度に接着することにより
形成される。即ちこの透明接着層は単に基板１′上の反
射膜３と単層型光磁気記録材料の磁性膜２とを接合する
だめの層である。なお耐熱層８は前述のよう１よ無機劇
料よりなるので、基板１に相当するが、ここでは磁性膜
２の耐熱性向上の目的で設けら几る。厚さはＭ１ｏ〜５
（１０μｍ楊度が適当である。

本発明の磁性膜な用いた以上のような光磁気記録媒体へ
の記録、再生は従来と同じく磁性膜又は基板側から変調
又は偏向されたレーザー光を照射して行なわれる。

効果 本発明の金属酸化物磁性体又は磁性膜は光磁気記録媒体
用材料として適正なＴｃ及びＨｅを有し、記録感度が高
いにも拘わらず、従来品にはなかった耐酸化腐食性及び
透明性を備えているので、磁気光学特性の経時劣化がな
く、且つ再生時に透過光も利用でき、このため再生出力
の高いファラデ−回転角を利用して再生することができ
る。

以下に本発明の実施例を示す。

実施例１〜５０ 下記表に示した組成のターゲット（厚さ３ｉ７ｚ、直径
１００關の円板状）を、予め石英基板上に蒸着法によっ
て５０ＯＡ厚にＡｇを彼着し、更にその上にスパッタリ
ング法によってＩＯＯＯＡ厚にｓｔｏ，を被着した表面
にＡｒ分圧２−ＯｍＷＴｏｒｒ，Ｏ，分圧０．３ｇＴｏ
ｒｒ、放電′亀力０．３５ＫＶ、基板温度５５０〜６０
０℃の条件で２時間スパツタリングして３０００Ａ厚の
磁性膜を設けた。なお使用した磁性体の保磁力Ｈａ及び
キュリー温度Ｔｃを同表に示す。

次に以上のようにして得られた光磁気記録媒体を一方向
に磁化させ、ついでこの磁気の方向とは逆の外部磁界０
，５Ｋエルステッドを印加しながら，出力２０ｍＶｌ７
）半導体レーザーテＩＭＨ＋のパルスで照射して磁気反
転せしめ、記録を行なったところ、いずれも微小ピット
が記録された。勿論、再生も可能であった。

【図面の簡単な説明】

第１〜５図は夫々、本発明の磁性体又は磁性膜を用いた
光磁気記録媒体の一例の構成図である。 １・・・基板１′・・・ガイドトラック付基板２・・・
磁性膜３・・・反射膜 ４・・・透明誘電層５・・・ガイドトラック層６・・・
保謹膜７・・・透明接着層 ８・・・耐熱層

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １．一般式 ＭｅＯ”Ａ（ＭｑＸＭＩ［，ｒｙＭｍｔ，Ｆ６，（”ｘ
   ＋ｉ，＋，＞ＯＷ（但しＭｅ”’Ｂａ，Ｓｒ及び／又は
   Ｐｂ”．Ｍｌ＝Ｇａ，Ａ４Ｍｎ又はＣｒ：Ｍｌ＝Ｉｎ，
   Ｓｃ，Ｚｎ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｇｏ又はＳｎ；ＭＩｌｌ＝Ｃ
   Ｏ，Ｍｇ，ＢＬＳｍ，’ｒｈ，ｙ，Ｄ）’ｔ’ｒｂ，Ｌ
   ，ＧｄｔＥｒ，Ｅｕ，Ｙｂ又はＣｅ’．０＜Ｘ≦ＯＪ３
   ，ｏ＜ｙ≦０．３，０＜ｚ≦０．３．０＜ｚ＋ｙ＋ｚ≦
   １．２’，ｍ，ｎ，ｌは夫々、Ｊ，Ｍｌ，Ｍ正のイオン
   価数） で示される金属酸化物磁性体。 ２、一般式 ＭｅＯ＊Ａ（ＪＡｒＸＭ％ｙＭｉｌｌｉ，Ｆｅ，，Ａ，
   ，４，，ｚ，Ｏｎ）（但しＭｅ＝Ｂａ，Ｓｒ及び／又は
   Ｐｂｅ，ＭＩ＝Ｇａ，Ａ４Ｍｎ又はＣｒ：Ｍ１＝Ｉｎ，
   Ｓｃ，Ｚｎ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｇｅ又はＳｎ；ＭＩＩｌ＝Ｃ
   ｏ，Ｍｇ，Ｂｌ，Ｓｍ，Ｔｈ，Ｙ，Ｄ）’ｙ’ｒｂ，Ｌ
   ，Ｇｄ，Ｅｒ，Ｅｕ，ＹｂはＣｅ’，０（ｘ≦０．８，
   Ｏ＜７≦０．３，０＜ｚ≦０．３．０（ｘ＋ｙ＋ｚ≦１
   ．２：ｍ，ｎ，ｌは夫々Ｍ１，Ｍ１．％のイオン画数） で示される金属酸化物磁性体よりなる磁性膜。