JPS6189605A - 金属酸化物磁性体および磁性膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 抜帆分裏 本発明は金属酸化物磁性体ならびにこの磁性体からなる
磁性膜に関する。このような磁性体および磁性膜は、た
とえば、垂直磁化性さらにはファラデー効果やカー効果
のような磁気光学効果を利用した素子として用いられ、
特に光磁気記録媒体の磁性膜として有用である。

従来の技術 近年、光の熱効果を利用して磁性薄膜に磁区を書込んで
情報を記録し、磁気光学効果を利用して情報を読み出す
ようにした光磁気記録媒体が注目されでいる。

従来、光磁気記録媒体に用いられる磁性体としては希土
類金属と遷移金属との非晶質合金からなるものが知られ
ている。このような非晶質合金磁性体を用いた光磁気記
録媒体は、一般にガラス板のような基板上に磁性体、例
えばＴｂ−Ｆｅ合金を真空蒸着、スパッタリング等の方
法で厚さ０．１〜１μｍ程度に付着させて磁性体を形成
することにより作製されている。この光磁気記録媒体へ
の情報の記録は、磁性体のキューリ一温度または補償温
度近傍における温度変化に対応した保磁力の急激な変化
特性を利用して実施され、具体的には２値信号で変調さ
れたレーザー光を磁性膜に照射、加熱して磁化の向きを
反転させることにより行われる。また再生はこうして反
転記録された磁性膜の磁気光学効果の差を利用して読出
すことにより行われる。前述のような非晶質合金磁性体
を用いた光磁気記録媒体は、真空蒸着やスパッタリング
で容易に作製でき、かつキューリ一温度が７０〜２００
℃と比較的低く、また記録感度が高いため、半導体レー
ザー光によって高速度で記録できるという利点はあるが
、非晶質合金磁性体、特に遷移金属成分は酸化腐食を受
は易いので、経時と共に磁性膜の磁気光学特性が劣化す
るという大きな欠点がある。これを防止するため、非晶
質磁性膜上にＳ１０，５ｉｎ２等の保護膜を設けること
も知られているが、真空蒸着、スパッタリングなどによ
る磁性膜あるいは保護膜の形成時に真空中に残存する０
２、基板面に吸着された０２゜Ｈ２Ｏ等および合金磁性
体のターゲット中に含まれる０□、Ｈ２Ｏ等により、経
時と共に磁性膜が酸化腐食されるうえ、記録時の光およ
び熱によりさらにこの酸化腐食が促進される。また、非
結晶質磁性体は熱によって結晶化され易く、そのために
磁気特性の劣化を来たし易いという欠点を有する。

また、この磁性膜はレーザーの発信波長領域での透過率
が低いため、磁性膜表面での反射による磁気光学効果、
即ちカー効果により記録情報を読み出しているが、カー
回転角は一般に小さいため感度が低くなるという問題が
あった。

一方、金属酸化物磁性体を用いた光磁気記録媒体として
は、以下の一般式（Ａ）または（Ｂ）で表わされる強磁
性酸化物からなる磁性４層を設け、さらにその磁性薄層
」二に透明誘電体層および反射層を順次設けたものが提
案されている。

Ｍ　ｅ　ＭｘＭｙＦ　ｅ　＋ｚ−ｐ○、ｓ　　　　　　
　（Ａ）（式中、ＭｅはＢ　ａ　ＨＰ　ｂ　ｙ　Ｓ　ｒ
およびＳｃからなる群から選ばれた少なくとも１種の元
素であり、そしてＭはＣｏ　ＨＭｎ　ＨＴ　ｌ　ｌ　Ｚ
　ｎ　＋ＡＱ、Ｓｎ、Ｃｕ、ＣｒおよびＭｇからなる群
から選ばれた少なくとも１種の元素であり、但し、ｐ　
＝　ｘ　＋　ｙ　（ｙ　＝　Ｏであってもよい）、１．
２≦Ｐ≦２） ＣＯＭｚＦ　１３２−２０４　　　　　　　　　　（Ｂ
）（式中、Ｍは上述したとおりであり、但し０．７５≦
２≦１．３） しかしながら、この記録媒体は、保磁力（ＨＣ）および
飽和磁化（Ｍｓ）が減少し、光磁気メモリの基本特性で
あるメモリ安定性および再生特性を低下する。

発明の睦 本発明は、垂直磁化性に優れるとともに、磁気光学効果
が大きく、またキューリ一温度も適当な範囲にあり、↑
、′ｊに光磁気記ｆ：Ａ媒体用の磁性体として好適な金
属酸化物磁性体を提供することを目的とする。

本発明は、また、上記磁性体からなり、匝直磁化性に優
れ磁気バブルを形成するとともに、レーザー波長領域で
大きな透過率を有してファラデー効果を有効に利用する
ことが可能な磁性膜を提供することを目的とする。

公団（７４収 本発明の１は、一般式（１） ％式％（１） （式中、Ｍｅ、Ｍａ、Ｍｂ、ｘ、ｙ、ｎはそれぞれ以下
の通りである。

Ｍ　ｅ　：　Ｂ　ａ　ｅ　Ｓ　ｒ　ｗ　Ｐ　ｂから選ば
ｈる１種または２種以上の２価の金属 Ｍａ：Ｃ：ｏまたはＮｉから選ばれる１種または２種以
上の２価の金属 Ｍｂ　：Ｔｉ、Ｓｎ、Ｍｎから選ばれる１種または２種
以上の４価の金属 Ｘ：Ｏ（Ｘ≦０．５ ｙ：Ｏ＜ｙ≦０．５ ｎ：５≦ｎ＜６） で表わされることを特徴とする金属酸化物磁性体である
。

また、本発明の他の１は、上記一般式（Ｉ）で表わされ
る金属酸化物磁性体からなることを特徴とする磁性膜で
ある。

以下、本発明についてさらに詳細に説明する。

従来より磁気バブル材料として、以下の一般式（Ｃ）で
表わされる六方晶マグネットブランバイトが知られてい
る。

Ｍ　ｅ　Ｏ−ｎ　（Ｆ　ｅ、Ｏ，）　　　　　　　（Ｃ
）（式中、Ｍｅおよびｎは一般式ＣＩ）に同じ）本発明
者らは、このような磁性体が酸化物であるため酸化劣化
の恐れがなく、しかも、膜厚を厚くしてもレーザー波長
領域で透光性を備えており、ファラデー効果を利用しう
ろことに着目した。ファラデー効果は、透過光に、つい
ての偏光面の回転角であってカー効果よりも大きく、ま
た、膜厚を大きくとることによりさらに大きな感度が実
現でき、Ｓ／Ｎ比を大きくとることができる。しかしな
がら、上記一般式（Ｃ）の六方晶マグネットブランバイ
トは未だ磁気光学効果が小さい。この点について鋭意検
討したところ、一般式（１）の六方晶、マグネットプラ
ンバイハ トのＦｅ［子の一部を２価のＧｏ（コバルト）またはＮ
ｉ　　にッケル）で置換し、これにより不足する電子価
を４価のＴｉ（チタン）　、　Ｓｎ（スズ）またはＭｎ
（マンガン）でＦｅ原子の一部を置換して補償すること
により、磁気光学効果を向上することができることを見
い出した。

上記一般式（１，）でＸ値が０．５を越えるとＭｓが減
少し再生特性が低下する。また、ｙの値が０．５を越え
るとＨｃおよびＭｓが減少し、メモリ安定性と再生特性
が低下する。Ｘおよびｙのさらに好ましい範囲は、０く
・Ｘ≦０．３および０＜ｙ≦０．２である。

さらに、一般式（Ｃ）の六方晶マグネットブランバイト
はキューリ一温度Ｔｃが４８０℃以上と高い。光磁気記
録媒体に用いられる磁性体としては、記録時や再生時に
に十分に保持力が下がり、一方、保存時に記録が損傷し
ないような適度のキューリ一温度が要求される＊　Ｔ　
ｌ　＃　Ｓ　ｎまたはＭｎで置換することによりキュー
リ一温度をより低温に低下させるこ仁ができる。さらに
Ｆｅ原子の一部を第３の金属原子で置換してキューリ一
温度をいっそう下げることも可能であり、このような第
３の金属としては２価のＺｎおよび３価のＩｎ、Ｓｃが
挙げら九る。２価のＺｎでＦｅＪｉＸ子を置換したとき
は不足するイオン価を４価の・Ｍｂで補償して中和する
ようにする。

本発明の金属酸化物磁性体を作るには、たとえば、それ
ぞれ所定量のＢａＣｏ、、５ｒＣｏ、。

ＰｂＣｏ３またはｐｂｏとＦｅ、Ｏ，および前記Ｍａ、
Ｍｂさらに必要によりＺｎ、ＩｎまたはＳｃの酸化物と
を混合粉砕し、これを適当な形状の金型に入れて成形後
、１２００〜１４００℃の温度で焼結すればよい。　本
発明の金属酸化物磁性体の具体例を示せば次の通りであ
る。

磁性体気　　　　　　　組　　　　成 Ｉ　　　　Ｂ　ａ　０　・６．０　［Ｃｏ、、、Ｔ　ｉ
、、、　Ｆ　ｅ、、、０３３２　　　Ｂａ０・５．５（
Ｇｏ、、、Ｔｉ、、、Ｆｅ１ＧＯ，）３　　　Ｐｂ０・
６．０　（ＣｏＩｌ、、Ｓｎ、、Ｆｅ１．＠０３）４　
　　　ＰｂＯ−５，５（ｃｏ、、、Ｍｎｏ、、ｉ”ｅｔ
、ｇｏ３〕５　　　　Ｓ　ｒ　０　・６．０　（Ｃｏａ
、ｚｓＴ　ｘｌｌ、ｉ５　Ｆ　ｅｌ、ｒｏ３）６　　　
Ｓ　ｒｏ　・５．５　（Ｃｏａ、ｏｓＴ　ｌａ、ｏｓ　
Ｆ　ｅｌ、０．）７　　　ＢａＯ−６，０（Ｃｏａ□、
Ｓｎ、、、、Ｆｅ、、ｔ○３〕８　　　Ｂ　ａ　０　・
５．７　（Ｇ　ｏ。１．Ｍｎ、、、、　Ｆ　ｅｌ、、０
３）９　　　　Ｂａ０・６．Ｏ［Ｃｏ１１＋、３Ｔｌｏ
３Ｆｅ＋４０３〕１０　　　ＢａＯ−６，０（Ｃｏ０．
２Ｍｎｏ、２Ｆｅ１．ｓＯ］）従来の磁気記録媒体は磁
性体粒子と樹脂バインダとからなる磁性層であった。こ
の磁性層は磁性体粒子を樹脂バインダによって多層に結
着した構成であるために、レーザー光を殆ど透光しない
。また磁性体の間に記８しこ寄与しない樹脂バインダが
介在しているため記録密度が低下し、ノイズの発生原因
となっている。高密度記録するためにできるだけ磁性粉
を微粒子化する事が考えられているが、これを樹脂バイ
ンダに分散し、テープと垂直方向に磁化を配向する様に
塗布する事は困難であった。本発明の磁性膜は磁性体の
みが連続して８層を形成するものである。この磁性薄膜
層はディスク面と垂直方向に強い結晶磁気異方性を有し
た０、１μｍ以下の微小多結晶から形成されており、レ
ーザー光に対する透光性が大である。このため磁気光学
性能、特にファラデー回転角を大きくすることができ、
再生特性が良好でノイズが少なく高密度記録が可能な光
磁気記録媒体に適した特性を有している。また、垂直磁
化性に優れ高密度に磁気バブルを形成することができ垂
直磁化膜としても有用であり、たとえば、垂直磁気記録
媒体として用いることもできる。

本発明の金ＪｒＪ１．酸化物磁性体を用いて磁性膜を作
るには、基板の種類にもよるが、一般に基板上にこの磁
性体を、基板温度４００〜７００℃で真空蒸着、スパッ
タリング、イオンブレーティング等の方法で膜厚０．１
〜１０μｍ程度に付着させればよい。こうして得られた
磁性膜は垂直磁化されている。また、５００℃未満の基
板温度で磁性膜を形成することもできるが、この場合に
垂直磁化させるためには磁性膜形成後、５００〜８００
℃の熱処理を、必要により磁界を印加しながら行う。

このような磁性膜の形成に際しては耐熱性基板が用いら
れる。基板の材料としては一般にアルミニウムのような
耐熱性金属；石英ガラス：ＧＧＧ（ガリウム・ガドリウ
ム・ガーネット）；サファイア；リチウムタンタレート
；結晶化透明ガラス；パイレックスガラス；表面を酸化
処理したまたは処理しない単結晶シリコン；ＡＱ２０１
．ＡΩ２０３・ＭｇＯ，Ｍｇ０−ＬＩＦ。

Ｙ２Ｏ，＋・ＬｉＦ、Ｂｅｏ＋　Ｚｒ○ｚ”　Ｙｚｏ３
ｔＴ　ｈ　Ｏ２・ＣａＯ等の透明セラミック材；無機シ
リコン材（例えば東芝シリコン社製トスガード、住人化
学社製スミセラムＰ）等の無機材料あるいはポリイミド
樹脂、ポリアミド樹脂等の有機材料が使用できる。

このような磁性膜の代表的な利用例が光磁気記録媒体な
いしは光磁気記録方法であり、光磁気記録媒体の磁性膜
として本発明の磁性膜を用いることができる。

第１図は本発明の磁性膜を用いた光磁気記録媒体の構成
例を示す断面図であり、透明の基板１１上に磁性膜１３
が設けられている。磁性膜の厚さ、形成方法、使用基板
については既に説明した通りである。また、磁性膜の形
成に先立って基板上にエピタキシャル効果を有する下地
膜を設けることが好ましい。下地膜としては六方晶のＺ
ｎＯ薄膜などが適当であり、たとえばスパッタリングに
より０．１−０．３μｍ程度に形成される。このＺｎＯ
薄膜は六方晶のＺｎ○のＣ軸が基板面に垂直に配向して
おり、磁性膜が成長する際に磁性体のＣ軸が基板面に垂
直になるように配向される。

第２図は光磁気記録媒体の他の構成例を示す断面図であ
り、透明の基板１１上に磁性膜１３が設けられ、さらし
こその上に反射膜１５が設けられている。読み出し用の
光ビームが基板１１側から磁性膜１３に入り、反射膜１
３で反射されて再び磁性膜を通過することによりファラ
デー効果が増大する。本発明の磁性膜によりば、このよ
うな反射型ファラデー効果を利用することにより、大き
な回転角、たとえば８３０ｎｍのレーザー光で約０．４
〜１．０度の回転角を得ることができ、さらに。

多重反射を利用することにより数倍に増大することがで
きる。反射膜１５はＣｕ、Ａｆｌ、Ａｇ。

Ａｕ、Ｐ　ｔ、Ｒｈ、Ｔ’ｃＯｘ、ＴｅＣｒＳ　ｅＡｓ
。

Ｔ　ｅ　Ａｓ、Ｔ　ｉ　Ｎ、　’■’ａ　Ｎ、ＣｒＮ、
シアニン染料等を真空蒸着、スパッタリング、イオンブ
レーティング等の方法で対象面に膜厚５００〜１０００
０人程度に付着させることにより形成される。

第３図は光ビームの通過域に透明誘電層を設けたもので
あり、透明の基板１１上に磁性膜１３、透明誘電ｍ１７
および反射層１５の順に積層されている。透明誘電層１
７はファラデー回転角を増大させて再生出力を向上する
ものであり、Ｓ　ｉ　Ｏ２１Ｓｉｎ、Ｔｉｅ２．Ｔｉｅ
、Ｃｅ０ｖ　Ｈｆ０ｚｔＢｅｄ、Ｔｈｅ、、Ｓｉ、Ｎ、
等を前記と同様な方法で対象面に膜厚約０．０５〜０．
５μｍ程度に付着させることにより形成される。

第４図は記録、再生時のレーザー光を案内するためのガ
イドトラックを設けた構成例を示す断面図である。透明
の基板１１上に磁性膜１３が設けられており、その上に
さらにガイドトラック層１９が設けられて反射層１５が
形成されている。

反射層１５の上には保護層２１が設けられている。

ガイドトラック層１９は対象面に紫外線硬化性樹脂を塗
布した後、ガイド溝を有する金型を圧着しながら、紫外
線を照射して前記樹脂を硬化させることにより形成され
る。保護膜２１は反射膜１５を保護するためのものであ
り、アクリル樹脂。

ポリウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテ
ルスルホン樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、Ｔ　
Ｉ　Ｎ　ｔ　Ｓ　ｘ　）　Ｎ　４　＠　Ｔ　ａ　Ｎ　＋
　Ｓ　ｘ　Ｏ２ｇＳｉＯ等を樹脂の場合は塗布法で、そ
の他の場合は真空蒸着、スパッタリング、イオンブレー
ティング等の方法で対象面に膜厚約０．１〜１０μｍ程
度に付着させることにより形成される。

第５図は層構成は第４図に示したものと同様であるが１
層の機能、作成方法においての変形例を示すものである
０反射膜１５を設けたガイドトラック付き基板１１’　
と、磁性膜１３を設けた耐熱Ｍ２３とが、透明接着層２
５により接合されている。透明接着ｙｒＳ２５は基板１
１’上の反射膜１５と磁性膜工３とを接着するたあのも
のであり、エポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリアミドな
どの樹脂で１〜１０μｍ程度の厚さに接着することによ
り形成される。ガイドトラック付き基板は、前述のよう
な有機材料を射出成形、押出成形、フォトエツチング法
などにより加工して作られる。

耐熱層２３は第１図の基板１１に相当するものであるが
、この実施例では磁性膜１３の耐熱性の向上の目的で設
けられる。耐熱層は既に説明した基板用無機材料から形
成され、厚さ１０〜５００μｍ程度が適当である。

以上、磁性膜が透明基板上に設けられる場合について説
明したが、もちろん不透明基板上に磁性膜を形成するこ
ともできる。第６図はこのような光磁気記録媒体の構成
例を示し、基板１１上に、反射膜１５．磁性膜１３お−
よび透明保護層２７が順次積層されている。記録および
再生時に光ビームは透明保護層２７を透過して磁性膜に
照射される。なお、以上の説明で透明とは使用する光ビ
ームを透過することを意味する。

第７図はさらに他の構成例を示し、基板１１の上に反射
膜１５が形成され、さらに下地膜２９を設けたのちその
上に磁性膜１３が形成されている。

基１Ｊｉｌｌとしてはシリコンウェハー基板など既に説
明したような耐熱性基板が用いられる。磁性ｆｌｌ１３
の上にはガイドトラック層１９が形成さ九、さらにその
上に透明保護層２７が設けられている。

第８図はプレグルーブ基板を用いた構成例であり、基板
１１上に反射膜１５、下地膜２９、磁性膜１３および保
護層２７が順次設けられている。このようなプレグルー
ブ基板としては、たとえば。

Ｎｉ電鋳メタルなどが用いられる。

第９図は、磁性膜を２層の反射膜で挟さみ。

一方の反射膜が一部透光性を有するようにした構成例を
示す断面図である。基板１１上に第１の反射膜１５ａ、
下地膜２９、磁性膜１３、第２の反射膜１５ｂ、ガイド
トラック層１９および保護層２７が順次設けられている
。第１の反射膜１５ａはいわゆる全反射ミラーであり、
第２の反射膜１５ｂはいわゆるハーフミラ−である、記
録読みだし用のレーザー偏光は、図中に示すように多重
反射して磁性膜１３を多数回通過し、磁性膜の実効長が
長くなり、大きなファラデー回転角が得られる。　　　
　。

本発明の磁性膜を用いた光磁気記録媒体への記録、再生
は従来と同じく磁性膜に変調または偏向されたレーザー
光を照射して行うことができる。たとえば、垂直磁化さ
れた磁性膜に磁界の印加下に選択的にレーザービームを
照射し、照射部をキューリ一温度以上に加熱し保磁力を
減少させて磁気反転させ、記録ビットを形成して情報を
記録する。この情報の読み出しはに−ザーの偏光を磁性
膜に照射し、ファラデー回転角の差から垂直磁化の方向
を検出することにより行われる。

このような光磁気記録媒体に用いられる磁性体ないし磁
性膜は次のような特性が要求される。

（１）垂直磁化性 （２）大きな磁気光学効果 （３）レーザー光により記録、再生が可能でメモリー安
定性の良い適度な保磁力 （４）レーザー光により記録、再生が可能で、メモリー
安定性のよい適度のキューリ一温度既に説明したように
、本発明の磁性体ないし磁性膜はこれらの要求を満たす
ことができる。

適当な保磁力の範囲は０．５〜６　Ｋ　Ｏｅであり、よ
り好ましくは１〜３ＫＯｃである。６ＫＯｅ以上では記
録時に必要な印加磁界が大きくなり、また、０．５ＫＯ
ｅ以下ではメモリー安定性が悪い。適当なキューリ一温
度範囲は１５０−１００’ｃであり、より好ましくは１
５０〜３５０℃である。４００℃を越えると半導体レー
ザーでは記録が困難しこなり、また、１５０℃以下では
メモリー安定性が悪い。

発明の効果 本発明によれば、六方晶マグネットブランバイトのＦｅ
Ｍ子の一部を２価のコバルトまたはニッケルで置換し、
置換によるイオン価の不足を４価のＴｉ、ＳｎまたはＭ
ｎで補償することにより、垂直磁化性に優れ、光学磁気
効果が大きい磁性体および磁性膜が得られる。また、適
度の保磁力およびキューリ一温度を有し、特に、Ｔｉ、
Ｓｎ、Ｍｎの添加によりキューリ一温度を低下し、半導
体レーザーによる記録が容易となる。

このような磁性体ないし磁性膜は、垂直磁化され、透過
光のファラデー効果を利用する素子に用いられ、たとえ
ば、光磁気記録媒体に用いられる。また、垂直磁化性に
優れており、たとえば、垂直磁気記録媒体としえ有用で
ある。

実施例ｌ ＢａＣ０，１００重量部 ａ−Ｆｅ２０３３８２重量部 ０００　　　　　　　　　　　　２２重量部Ｔ　ｉ　０
，２４０重量部 を混合し、１０００℃で１次仮焼した。得られた仮焼物
を再び粉砕して混合し１１００℃で２次仮焼した。さら
に、この仮焼物を再度粉砕して１３５０　’Ｃで本仮焼
して、本発明の金属酸化物磁性体（磁性体Ｎａ　１　）
を得た。なお、この本仮焼に際しては、磁性膜形成のた
めのスパッタに供するために、４インチの金型を用い円
板状ターゲットとした。

それぞれ必要な金属酸化物を所定量で用い、上記と同様
の操作により、Ｂｉ性体Ｎα２〜Ｎα１０を作成した。

ここでも、本仮焼時に金型を用いターゲットとして形成
した。

実施例２ 実施例１で得られた下記第１表に示した組成のターゲッ
トを各々用いて、予め１０００人のＡｕ膜を形成しさら
にその上に１０００人のＺｎＯ下地層を形成した石英基
板上に、Ａｒ分圧 ２．０＋ｌ１ｍＴ　ｏ　ｒ　ｒ　、　０２分圧０．３ｍ
ｍＴ　ｏ　ｒ　ｒ、放電電力０．３５Ｋ　Ｖ　、基板温
度５５０〜６５０℃の条件で２時間スパッタリングして
０．５μｍ厚の磁性膜を形成したにれら磁性膜のキュー
リ一温度Ｔｃおよび保磁力Ｈｃを測定し、さらに、この
磁性膜を一方向に垂直磁化させてファラデー回転角を測
定し、以上の結果を第１表に示した。

（以下余白） 第１表 実施例３ Ｂ　ａ　Ｏ（ＣｏＸＴ　ｉＸＦ　ｅ、−Ｘｏ、］の組成
を有する種々のＸ（置換数）のターゲットを調製し、実
施例２と同様にして磁性膜を形成してファラデー回転角
を測定し、膜厚１μｍ当たりのファラデー回転角θＦ　
（ｄ　ｅ　ｇ／μｍ）とＣＯおよびＴｉの置換数Ｘにつ
いての関係を求め、その結果を第１Ｏ図に示した。Ｔｉ
を一般式（１）で示した種々のＭｂに置き換えた場合も
同様の結果がみられた。

実施例４ 実施例３で石英基板上に磁性膜に形成したものを光磁気
記録媒体（第２図の構成）として用い、この磁性膜を一
方に垂直磁化させたのち。

この磁化方向とは逆に５００エールステツドの磁界を作
用させながら、波長８３０ｎｍ、出力２０＋ｏｖの半導
体レーザー光で、表面で１０ｍｖとなるようにして周波
数Ｉ　ＭＨｚのパルスで照射して、磁気半転せしめて記
録したところビット径約１．５μ蒙の記録ビットが得ら
れた。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第９図は、それぞれ本発明の磁性体ないし磁性
膜を用いた光磁気記録媒体の構成例を示す断面図である
。 第１０図はファラデー回転角と置換数の関係を示すグラ
フである。　　　□ １１・・・基　　　板 １１′・・・ガイドトラック付き基板 １３・・・磁性膜　１５・・・反射膜 １７・・・透明誘電層　　１９・・・ガイドトラック層
２１・・・保　護　層　　２３・・・耐　熱　層２５・
・・透明接着層　　２７・・・透明保護層２９・・・下
地膜

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一般式（ I ） ＭｅＯ・ｎ〔Ｍａ＿ｘＭｂ＿ｙＦｅ＿２＿−＿（＿２＿
   ／＿３＿ｘ＿＋＿４＿／＿３＿ｙ＿）Ｏ＿３〕（ I ）
   （式中、Ｍｅ、Ｍａ、Ｍｂ、ｘ、ｙ、ｎはそれぞれ以下
   の通りである。 Ｍｅ：Ｂａ、Ｂｒ、Ｐｂから選ばれる１種または２種以
   上の２価の金属 Ｍａ：ＣｏまたはＮｉから選ばれる１種または２種以上
   の２価の金属 Ｍｂ：Ｔｉ、Ｓｎ、Ｍｎから選ばれる１種または２種以
   上の４価の金属 ｘ：０＜ｘ≦０．５ ｙ：０＜ｙ≦０．５ ｎ：５≦ｎ＜６） で表わされることを特徴とする金属酸化物磁性体。 ２、一般式（ I ） ＭｅＯ・ｎ〔Ｍａ＿ｘＭｂ＿ｙＦｅ＿２＿−＿（＿２＿
   ／＿３＿ｘ＿＋＿４＿／＿３＿ｙ＿）Ｏ＿３〕（ I ）
   （式中、Ｍｅ、Ｍａ、Ｍｂ、ｘ、ｙ、ｎはそれぞれ以下
   の通りである。 Ｍｅ：Ｂａ、Ｂｒ、Ｐｂから選ばれる１種または２種以
   上の２価の金属 Ｍａ：ＣｏまたはＮｉから選ばれる１種または２種以上
   の２価の金属 Ｍｂ：Ｔｉ、Ｓｎ、Ｍｎから選ばれる１種または２種以
   上の４価の金属 ｘ：０＜ｘ≦０．５ ｙ：０＜ｙ≦０．５ ｎ：５≦ｎ＜６） で表わされる金属酸化物磁性体からなることを特徴とす
   る磁性膜。