JPH0664761B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH0664761B2 JPH0664761B2 JP11629284A JP11629284A JPH0664761B2 JP H0664761 B2 JPH0664761 B2 JP H0664761B2 JP 11629284 A JP11629284 A JP 11629284A JP 11629284 A JP11629284 A JP 11629284A JP H0664761 B2 JPH0664761 B2 JP H0664761B2
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- Japan
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- layer
- magneto
- optical recording
- recording medium
- magnetic
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
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- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明はドキユメントフアイル、ハードデイスク、フロ
ツピーデイスク等に使用される光磁気記録媒体に関す
る。
ツピーデイスク等に使用される光磁気記録媒体に関す
る。
従来技術 近年、半導体レーザー光により磁気記録を行う光磁気記
録媒体が高密度記録用として種々研究されている。従
来、これら光磁気記録媒体に用いられる磁性膜としては
遷移金属(Fe,Co)と重希土類金属(Gd,Tb,Dy……)とのア
モルフアス合金膜、すなわちTb-Fe,Gd-Fe,Gd-Tb-Fe,Gd-
Co等が知られている。これらアモルフアス磁性合金膜は
キユリー温度が低く、またアモルフアスであるため光学
的ノイズが小さい等の長所がある反面、アモルフアス合
金膜は酸化腐食しやすく、これに起因する磁気特性の劣
化、記録または再生特性の劣化が生じやすく、膜安定性
に劣る欠点を有するものである。また、アモルフアス合
金膜は透光性に劣るためカー回転角θkによつて再生光
を得るが、カー回転角θkは小さく0.5°が限度である。
従つてアモルフアス合金膜を超薄膜、例えば２００Å程
度として透光しフアラデー回転角θFを相剰してカー回
転角θkを大きくする試みもあるが、かかる超薄膜とし
た場合には反射率Ｒが低下し、再生 となり、C/Nが大きくならず、さらに膜特性劣化が著し
いものである。
録媒体が高密度記録用として種々研究されている。従
来、これら光磁気記録媒体に用いられる磁性膜としては
遷移金属(Fe,Co)と重希土類金属(Gd,Tb,Dy……)とのア
モルフアス合金膜、すなわちTb-Fe,Gd-Fe,Gd-Tb-Fe,Gd-
Co等が知られている。これらアモルフアス磁性合金膜は
キユリー温度が低く、またアモルフアスであるため光学
的ノイズが小さい等の長所がある反面、アモルフアス合
金膜は酸化腐食しやすく、これに起因する磁気特性の劣
化、記録または再生特性の劣化が生じやすく、膜安定性
に劣る欠点を有するものである。また、アモルフアス合
金膜は透光性に劣るためカー回転角θkによつて再生光
を得るが、カー回転角θkは小さく0.5°が限度である。
従つてアモルフアス合金膜を超薄膜、例えば２００Å程
度として透光しフアラデー回転角θFを相剰してカー回
転角θkを大きくする試みもあるが、かかる超薄膜とし
た場合には反射率Ｒが低下し、再生 となり、C/Nが大きくならず、さらに膜特性劣化が著し
いものである。
上記の如き欠点のあるアモルフアス合金膜に代えて六方
晶マグネトプランバイト型酸化物磁性体を適用した光磁
気記録媒体を本発明者らの一部はさきに提案した。しか
し、この酸化物磁性体は膜安定性はよいが、フアラデー
回転角θFが十分満足できるものではなく、改良が求め
られているものである。また磁気光学性能θF 〔deg〕／
μｍが１°以上と大きい酸化物磁性体としてガーネツト
系磁性体およびコバルトスピネル系フエライトがある
が、これらは保磁力が小さく、メモリーの安定性が悪
く、またはキユリー温度が高いために光磁気記録媒体に
適用されることはなかつた。
晶マグネトプランバイト型酸化物磁性体を適用した光磁
気記録媒体を本発明者らの一部はさきに提案した。しか
し、この酸化物磁性体は膜安定性はよいが、フアラデー
回転角θFが十分満足できるものではなく、改良が求め
られているものである。また磁気光学性能θF 〔deg〕／
μｍが１°以上と大きい酸化物磁性体としてガーネツト
系磁性体およびコバルトスピネル系フエライトがある
が、これらは保磁力が小さく、メモリーの安定性が悪
く、またはキユリー温度が高いために光磁気記録媒体に
適用されることはなかつた。
目的 本発明の目的は膜安定性に優れ、磁気光学性能、すなわ
ちフアラデー回転角θFまたはカー回転角θkが大きく、
メモリー安定性の良い光磁気記録媒体を提供することに
ある。
ちフアラデー回転角θFまたはカー回転角θkが大きく、
メモリー安定性の良い光磁気記録媒体を提供することに
ある。
構成 本発明は支持体上に下記のＡと、ＢもしくはＣとからな
る磁性層を順次積層してなる光磁気記録媒体である： Ａ； ただしMeはBa,Pb,Srの少くとも１種、ＭはＳｃ，Ｔｉ，
Ｚｎ，Ｉｎ，Ｇａ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｓｎ，Ｍｎ，Ｇｄの少
くとも１種、ｍはＭのイオン価数、０＜ｘ≦６、５＜ｎ
≦６、 Ｂ； ただしＲはＹ，Ｂｉ，Ｃａ，Ｓｍ，Ｇｄの少くとも１
種、ＭはＧａ，Ａｌ，Ｖの少くとも１種、０＜ｙ≦３、 Ｃ；CoxMyFe3-(x+y)O4、ただしＭはAl,Cr,の少くとも１
種、０＜ｘ＋ｙ＜３，０≦ｙ＜２。
る磁性層を順次積層してなる光磁気記録媒体である： Ａ； ただしMeはBa,Pb,Srの少くとも１種、ＭはＳｃ，Ｔｉ，
Ｚｎ，Ｉｎ，Ｇａ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｓｎ，Ｍｎ，Ｇｄの少
くとも１種、ｍはＭのイオン価数、０＜ｘ≦６、５＜ｎ
≦６、 Ｂ； ただしＲはＹ，Ｂｉ，Ｃａ，Ｓｍ，Ｇｄの少くとも１
種、ＭはＧａ，Ａｌ，Ｖの少くとも１種、０＜ｙ≦３、 Ｃ；CoxMyFe3-(x+y)O4、ただしＭはAl,Cr,の少くとも１
種、０＜ｘ＋ｙ＜３，０≦ｙ＜２。
本発明におけるＡの磁性層はいわゆる六方晶マグネトプ
ランバイト型酸化物磁性体であり、望ましくはキユリー
温度Tcが３５０℃以下、保磁力Hcが1 KOe以上のものと
する。具体的には次の如きもの等が挙げられる。
ランバイト型酸化物磁性体であり、望ましくはキユリー
温度Tcが３５０℃以下、保磁力Hcが1 KOe以上のものと
する。具体的には次の如きもの等が挙げられる。
Ａ層：BaO。６〔Ga0.3Fe1.7O3〕，（Hc＝4.0KOe,Tc＝30
0℃）， SrO。5.6〔Ga0.4Fe1.4O3〕，（Hc＝5.0KOe,Tc＝250
℃）， PbO。６〔Al0.3Fe1.7O3〕，（Hc＝5.5KOe,Tc＝340
℃）， BaO。６〔Cr0.25Fe1.7O3〕，（Hc＝3.0KOe,Tc＝330
℃）， PbO。5.6〔Mn0.3Fe1.7O3〕，（Hc＝2.6KOe,Tc＝350
℃）， BaO。6.0〔Ga0.15In0.08Fe1.77O3〕，（Hc＝1.2KOe,Tc
＝23.5℃）， BaO。5.6〔Ga0.3Al0.3Fe1.6O3〕，（Hc＝5KOe,Tc＝270
℃）， SrO。6.0〔Al0.15In0.18Fe1.67O3〕，（Hc＝2.0KOe,Tc
＝250℃）， BaO。5.6〔Ga0.23Sc0.05Fe1.72O3〕，（Hc＝1.5KOe,Tc
＝310℃）， BaO。5.6〔Mn0.36Sn0.12Fe1.48O3〕，（Hc＝1.5KOe,Tc
＝240℃）， BaO。6.0〔Cr0.18In0.1Fe1.72O3〕，（Hc＝4.3KOe,Tc＝
240℃）， BaO。6.0〔Al0.3Zn0.18Fe1.58O3〕，（Hc＝4.5KOe,Tc＝
340℃）， BaO。6.0〔Ga0.3Zn0.18Fe1.58O3〕，（Hc＝2.0KOe,Tc＝
150℃）， PbO。6.0〔Ga0.3Ti0.18Fe1.43O3〕，（Hc＝2.0KOe,Tc＝
180℃）， BaO。6.0〔Al0.3Zn0.18Bi0.6Fe1.52O3〕，（Hc＝2.5KO
e,Tc＝250℃）， BaO。5.8〔Al0.36Co0.12Fe1.58O3〕，（Hc＝5KOe,Tc＝3
10℃）， BaO。6.0〔Ga0.24In0.12Co0.12Fe1.54O3〕，（Hc＝2.0K
Oe,Tc＝250℃）。
0℃）， SrO。5.6〔Ga0.4Fe1.4O3〕，（Hc＝5.0KOe,Tc＝250
℃）， PbO。６〔Al0.3Fe1.7O3〕，（Hc＝5.5KOe,Tc＝340
℃）， BaO。６〔Cr0.25Fe1.7O3〕，（Hc＝3.0KOe,Tc＝330
℃）， PbO。5.6〔Mn0.3Fe1.7O3〕，（Hc＝2.6KOe,Tc＝350
℃）， BaO。6.0〔Ga0.15In0.08Fe1.77O3〕，（Hc＝1.2KOe,Tc
＝23.5℃）， BaO。5.6〔Ga0.3Al0.3Fe1.6O3〕，（Hc＝5KOe,Tc＝270
℃）， SrO。6.0〔Al0.15In0.18Fe1.67O3〕，（Hc＝2.0KOe,Tc
＝250℃）， BaO。5.6〔Ga0.23Sc0.05Fe1.72O3〕，（Hc＝1.5KOe,Tc
＝310℃）， BaO。5.6〔Mn0.36Sn0.12Fe1.48O3〕，（Hc＝1.5KOe,Tc
＝240℃）， BaO。6.0〔Cr0.18In0.1Fe1.72O3〕，（Hc＝4.3KOe,Tc＝
240℃）， BaO。6.0〔Al0.3Zn0.18Fe1.58O3〕，（Hc＝4.5KOe,Tc＝
340℃）， BaO。6.0〔Ga0.3Zn0.18Fe1.58O3〕，（Hc＝2.0KOe,Tc＝
150℃）， PbO。6.0〔Ga0.3Ti0.18Fe1.43O3〕，（Hc＝2.0KOe,Tc＝
180℃）， BaO。6.0〔Al0.3Zn0.18Bi0.6Fe1.52O3〕，（Hc＝2.5KO
e,Tc＝250℃）， BaO。5.8〔Al0.36Co0.12Fe1.58O3〕，（Hc＝5KOe,Tc＝3
10℃）， BaO。6.0〔Ga0.24In0.12Co0.12Fe1.54O3〕，（Hc＝2.0K
Oe,Tc＝250℃）。
またＢの磁性層はガーネツト系磁性体であつて、保磁力
Hcは小さいが磁気光学性能が優れたものであり、その具
体例を示せば次の如きもの等が挙げられる。なお、フア
ラデー回転角θFはλ＝633nmのレーザーを照射した場合
の値を示すものである。またこれら具体的に例示したＢ
層の保持力Hcはいずれも0.1〜0.5KOeであつた。
Hcは小さいが磁気光学性能が優れたものであり、その具
体例を示せば次の如きもの等が挙げられる。なお、フア
ラデー回転角θFはλ＝633nmのレーザーを照射した場合
の値を示すものである。またこれら具体的に例示したＢ
層の保持力Hcはいずれも0.1〜0.5KOeであつた。
Ｂ層：〔Bi1.4Y1.6〕〔Al1.2Fe3.8O12〕，（θF＝2.0
〔deg〕／μｍ）， 〔Bi1.0Y2.0〕〔Ga1.0Fe4.0O12〕，（θF＝1.5〔deg〕
／μｍ）， 〔Bi1.0Yb1.5Sm0.5〕〔Ga0.1Fe4.0O12〕，（θF＝3.0
〔deg〕／μｍ）， 〔Bi0.8Sm2.2〕〔Ga0.8Fe4.2O12〕，（θF＝2.0〔deg〕
／μｍ）， 〔Bi0.7Y2.3〕〔Ga1.0Fe4.0O12〕，（θF＝2.4〔deg〕
／μｍ）， 〔Bi0.65Ca2.35〕〔V2.35/2Fe6.35/2O12〕，（θF＝1.6
〔deg〕／μｍ）， 〔Gd2.0Bi1.0〕〔Al1.2Fe3.8O12〕，（θF＝2.6〔deg〕
／μｍ）。
〔deg〕／μｍ）， 〔Bi1.0Y2.0〕〔Ga1.0Fe4.0O12〕，（θF＝1.5〔deg〕
／μｍ）， 〔Bi1.0Yb1.5Sm0.5〕〔Ga0.1Fe4.0O12〕，（θF＝3.0
〔deg〕／μｍ）， 〔Bi0.8Sm2.2〕〔Ga0.8Fe4.2O12〕，（θF＝2.0〔deg〕
／μｍ）， 〔Bi0.7Y2.3〕〔Ga1.0Fe4.0O12〕，（θF＝2.4〔deg〕
／μｍ）， 〔Bi0.65Ca2.35〕〔V2.35/2Fe6.35/2O12〕，（θF＝1.6
〔deg〕／μｍ）， 〔Gd2.0Bi1.0〕〔Al1.2Fe3.8O12〕，（θF＝2.6〔deg〕
／μｍ）。
さらにＣの磁性層はコバルトスピネル系フエライトであ
つて、ガーネツト系磁性体と同様に保磁力は小さいが磁
気光学性能が優れたものであり、その具体例を示せば次
の如きもの等が挙げられる。これらのフアラデー回転角
θFはガーネツト系磁性体と同様の条件における値を示
し、また保磁力Hcも同様にいずれも0.1〜0.5KOeであつ
た。
つて、ガーネツト系磁性体と同様に保磁力は小さいが磁
気光学性能が優れたものであり、その具体例を示せば次
の如きもの等が挙げられる。これらのフアラデー回転角
θFはガーネツト系磁性体と同様の条件における値を示
し、また保磁力Hcも同様にいずれも0.1〜0.5KOeであつ
た。
Ｃ層：〔Co1.0Cr1.0Fe2.0O4〕，（θF＝3.0〔deg〕／μ
ｍ）， 〔Co1.0Al0.8Fe1.2O4〕，（θF＝1.0〔deg〕／μｍ）， 〔Co1.0Mn1.2Fe0.8O4〕，（θF＝1.5〔deg〕／μｍ）。
ｍ）， 〔Co1.0Al0.8Fe1.2O4〕，（θF＝1.0〔deg〕／μｍ）， 〔Co1.0Mn1.2Fe0.8O4〕，（θF＝1.5〔deg〕／μｍ）。
以上の通り、ＳｒＯ・6.0〔Al0.15In0.18Fe1.07O3〕
（Ａ層）を単層で用いた場合は、Ｈｃ：２ＫＯｅ，Ｔ
ｃ：250℃，θF：0.2deg／μｍ；ＢａＯ・5.6〔Ga0.23S
c0.05Fe1.72O3〕（Ａ層）を単層で用いた場合は、Ｈ
ｃ：1.5ＫＯｅ，Ｔｃ：310℃，θF：0.2deg／μｍ；〔B
i0.7Y2.3〕 〔Ga1.0Fe4.0O12〕（Ｂ層）を単層で用い
た場合は、Ｈｃ：0.2ＫＯｅ，Ｔｃ：150℃，θF：2.4de
g／μｍ；〔Ce1.0Cr1.0Fe2.0O4.0〕（Ｃ層）を単層で用
いた場合は、Ｈｃ：0.2KOe,Tc：150℃，θF：3.0deg／
μｍである。
（Ａ層）を単層で用いた場合は、Ｈｃ：２ＫＯｅ，Ｔ
ｃ：250℃，θF：0.2deg／μｍ；ＢａＯ・5.6〔Ga0.23S
c0.05Fe1.72O3〕（Ａ層）を単層で用いた場合は、Ｈ
ｃ：1.5ＫＯｅ，Ｔｃ：310℃，θF：0.2deg／μｍ；〔B
i0.7Y2.3〕 〔Ga1.0Fe4.0O12〕（Ｂ層）を単層で用い
た場合は、Ｈｃ：0.2ＫＯｅ，Ｔｃ：150℃，θF：2.4de
g／μｍ；〔Ce1.0Cr1.0Fe2.0O4.0〕（Ｃ層）を単層で用
いた場合は、Ｈｃ：0.2KOe,Tc：150℃，θF：3.0deg／
μｍである。
しかして、本発明では磁性層として、Ａ層と、Ｂ層もし
くはＣ層とを順次積層したものとすることにより、Ａ層
であるマグネトプラムバイト型酸化物磁性体の膜安定性
が優れ保磁力Hcが大きく、キユリー温度が低い特性を保
持したまま、Ｂ層であるガーネツト系磁性体もしくはＣ
層であるコバルトスピネル系フエライトのもつ磁気光学
性能が優れた特性を併せもつことができるのである。
くはＣ層とを順次積層したものとすることにより、Ａ層
であるマグネトプラムバイト型酸化物磁性体の膜安定性
が優れ保磁力Hcが大きく、キユリー温度が低い特性を保
持したまま、Ｂ層であるガーネツト系磁性体もしくはＣ
層であるコバルトスピネル系フエライトのもつ磁気光学
性能が優れた特性を併せもつことができるのである。
このような磁性層を適用して光磁気記録媒体を得る場合
の具体例を添付図面を参照して以下に説明する。
の具体例を添付図面を参照して以下に説明する。
第１図において、支持体１上には反射層２が設けられ、
この反射層２の上にはＡ層３およびＢ層もしくはＣ層４
が順次積層され、その上には接着層５を介して透光性保
護板６が設けられる。支持体１には透光性耐熱板として
バイコールガラス、石英ガラス、ＧＧＧ、リチウムタン
タレート、パイレツクス、結晶化ガラス（ミラクロ
ン）、強化ガラス（コーニング＃３１３）、透光性セラ
ミツクス、無機シリコン、単結晶シリコン、有機シリコ
ン等があり、また不透明耐熱板として結晶化ガラス（フ
オトセラム）、セラミツクス等があり、さらにメタル板
としてNi,Ni-P、ステンレス、Al,Al-Mg合金等があり、
これらがいずれも本発明の支持体１として好ましく適用
できる。また、反射層２を用いる場合にはAg,Cu,Al,Cr,
Au,Ni,Pt等を500〜3000Åの膜厚となるよう適用するこ
とができる。
この反射層２の上にはＡ層３およびＢ層もしくはＣ層４
が順次積層され、その上には接着層５を介して透光性保
護板６が設けられる。支持体１には透光性耐熱板として
バイコールガラス、石英ガラス、ＧＧＧ、リチウムタン
タレート、パイレツクス、結晶化ガラス（ミラクロ
ン）、強化ガラス（コーニング＃３１３）、透光性セラ
ミツクス、無機シリコン、単結晶シリコン、有機シリコ
ン等があり、また不透明耐熱板として結晶化ガラス（フ
オトセラム）、セラミツクス等があり、さらにメタル板
としてNi,Ni-P、ステンレス、Al,Al-Mg合金等があり、
これらがいずれも本発明の支持体１として好ましく適用
できる。また、反射層２を用いる場合にはAg,Cu,Al,Cr,
Au,Ni,Pt等を500〜3000Åの膜厚となるよう適用するこ
とができる。
磁性層Ａ，ＢもしくはＣ層はそれぞれ真空蒸着、スパツ
タリング、イオンプレーテイング等の手段で適用され、
その膜厚はＡ層３は３００〜10000Å、Ｂ層もしくはＣ
層４は1000〜50000Å程度に形成される。そしてＡ層３
を形成する場合、Ａ層３が膜面に対して垂直方向の磁
化、すなわち垂直磁気異方性になりやすいようにＡ層３
の下地層７としてＡ層であるマグネトプラムバイト型酸
化物磁性体のＣ軸配向面に対してミスフイツト率が小さ
い材料であるZnO,AlN,Mn-Znフエライト、Ba−モノフエ
ライト、またアモルフアス構造のSi,SiO2等を200〜5000
Åの膜厚で用いることができる。磁性層の上に接着層５
を介して設けられる透光性保護板６としてはプラスチツ
クとしてメタルメタクリレートポリマー、メチルメタク
リレートスチレン共重合体ポリマー、ポリカーボネー
ト、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルサルフオ
ン、エポキシポリマー、メチルメタクリレートシクロヘ
キシル−α−メチルスチレン共重合体、有機シリコン等
が、また無機材料としてシリコン、ガラス、結晶化ガラ
ス、透明セラミツク等が使用できる。なお、磁性層のＡ
層および／またはＢ層、Ｃ層に接して高屈折誘電層とし
てSixOy,SixNy,CeO2,MgO,TexOy,ThO2等を500〜5000Åの
膜厚となるように用いることもできる。
タリング、イオンプレーテイング等の手段で適用され、
その膜厚はＡ層３は３００〜10000Å、Ｂ層もしくはＣ
層４は1000〜50000Å程度に形成される。そしてＡ層３
を形成する場合、Ａ層３が膜面に対して垂直方向の磁
化、すなわち垂直磁気異方性になりやすいようにＡ層３
の下地層７としてＡ層であるマグネトプラムバイト型酸
化物磁性体のＣ軸配向面に対してミスフイツト率が小さ
い材料であるZnO,AlN,Mn-Znフエライト、Ba−モノフエ
ライト、またアモルフアス構造のSi,SiO2等を200〜5000
Åの膜厚で用いることができる。磁性層の上に接着層５
を介して設けられる透光性保護板６としてはプラスチツ
クとしてメタルメタクリレートポリマー、メチルメタク
リレートスチレン共重合体ポリマー、ポリカーボネー
ト、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルサルフオ
ン、エポキシポリマー、メチルメタクリレートシクロヘ
キシル−α−メチルスチレン共重合体、有機シリコン等
が、また無機材料としてシリコン、ガラス、結晶化ガラ
ス、透明セラミツク等が使用できる。なお、磁性層のＡ
層および／またはＢ層、Ｃ層に接して高屈折誘電層とし
てSixOy,SixNy,CeO2,MgO,TexOy,ThO2等を500〜5000Åの
膜厚となるように用いることもできる。
第２図は支持体１と反射層２との間に断熱層８を設け、
さらに磁性層と透光性保護板６との間にスペーサー９を
介在させることによりエアーギヤツプ１０を設けた光磁
気記録媒体の具体例を示すものである。この第２図にお
いて、断熱層８としては無機材料のSixOy,SixNy,SiC,Al
2O3,ZrO2,ThO2,CaO,CeO2,HfO2,BeO等を用いることがで
きる。
さらに磁性層と透光性保護板６との間にスペーサー９を
介在させることによりエアーギヤツプ１０を設けた光磁
気記録媒体の具体例を示すものである。この第２図にお
いて、断熱層８としては無機材料のSixOy,SixNy,SiC,Al
2O3,ZrO2,ThO2,CaO,CeO2,HfO2,BeO等を用いることがで
きる。
また、第３図は支持体１にプレグルーブを設けた場合、
第４図は透光性保護板６にプレグルーブを設け、これを
エアーギヤツプ１０とした場合の光磁気記録媒体を示す
ものである。
第４図は透光性保護板６にプレグルーブを設け、これを
エアーギヤツプ１０とした場合の光磁気記録媒体を示す
ものである。
かかる構成となした光磁気記録媒体において、記録する
場合には磁性層のキユリー温度または補償温度近傍にお
ける温度変化に対応した保磁力の急激な変化特性を利用
した情報信号で変調されたレーザー光を各図に示す如く
透光性保護板６側から照射加熱して磁化の向きを反転さ
せることにより行い、また再生はこうして反転記録され
た磁性層の磁気光学特性の差を利用して読出すことによ
り行う。
場合には磁性層のキユリー温度または補償温度近傍にお
ける温度変化に対応した保磁力の急激な変化特性を利用
した情報信号で変調されたレーザー光を各図に示す如く
透光性保護板６側から照射加熱して磁化の向きを反転さ
せることにより行い、また再生はこうして反転記録され
た磁性層の磁気光学特性の差を利用して読出すことによ
り行う。
効果 以上のような本発明によれば、マグネトプラムバイト型
酸化物磁性体と、ガーネツト系磁性体もしくはコバルト
スピネル系フエライトとを順次積層した磁性層構成を有
するため、それら各磁性層の有する利点、すなわち膜安
定性および磁気光学性能に優れ、キユリー温度が低く、
かつ保磁力の大きい利点が生かされ、従つてこのような
光磁気記録媒体により、メモリー安定性のみならず、ピ
ツト数が増大し、再生C/Nも向上し、コントラストの良
い高密度記録再生が可能となる。
酸化物磁性体と、ガーネツト系磁性体もしくはコバルト
スピネル系フエライトとを順次積層した磁性層構成を有
するため、それら各磁性層の有する利点、すなわち膜安
定性および磁気光学性能に優れ、キユリー温度が低く、
かつ保磁力の大きい利点が生かされ、従つてこのような
光磁気記録媒体により、メモリー安定性のみならず、ピ
ツト数が増大し、再生C/Nも向上し、コントラストの良
い高密度記録再生が可能となる。
以下に実施例を示す。
実施例１ 単結晶シリコン支持体上に蒸着法により反射層として50
0ÅのAgを、そしてこの上にスパツタリング法により下
地層として500ÅのSiO2を順次被着した。次いで、この
上に磁性層としてPbO。6.0〔Al0.3Fe1.7O3〕（Ａ層）を
膜厚1000Åとし、さらに〔Bi1.4Y1.5〕〔Al1.2Fe
3.3O12〕（Ｂ層）を膜厚5000Åとしそれぞれスパツタリ
ング法にて支持体温度を400〜700℃に維持して被着させ
た。この磁性層の上にはエポキシ接着剤にて透光性保護
板としてポリカーボネートを接合して第１図に示す如き
光磁気記録媒体を得た。
0ÅのAgを、そしてこの上にスパツタリング法により下
地層として500ÅのSiO2を順次被着した。次いで、この
上に磁性層としてPbO。6.0〔Al0.3Fe1.7O3〕（Ａ層）を
膜厚1000Åとし、さらに〔Bi1.4Y1.5〕〔Al1.2Fe
3.3O12〕（Ｂ層）を膜厚5000Åとしそれぞれスパツタリ
ング法にて支持体温度を400〜700℃に維持して被着させ
た。この磁性層の上にはエポキシ接着剤にて透光性保護
板としてポリカーボネートを接合して第１図に示す如き
光磁気記録媒体を得た。
実施例２ ステンレス支持体上にスパツタリング法により断熱層と
して1000ÅのSiO2、反射層として1000ÅのAl、下地層と
して500ÅのZnOを順次被着した。この上に磁性層として
BaO。6.0〔Cr0.25Fe1.7O3〕（Ａ層）を膜厚1000Åと
し、さらに〔Bi1.0Y2.0〕〔Ga1.0Fe4.0O12〕（Ｂ層）を
膜厚3000Åとしそれぞれスパツタリング法にて支持体温
度400〜700℃に維持して被着させた。この磁性層上にス
ペーサーを介しエアーギヤツプを設けてポリメチルメタ
クリレートの透光性保護板を接合し、第２図に示す如き
光磁気記録媒体を得た。
して1000ÅのSiO2、反射層として1000ÅのAl、下地層と
して500ÅのZnOを順次被着した。この上に磁性層として
BaO。6.0〔Cr0.25Fe1.7O3〕（Ａ層）を膜厚1000Åと
し、さらに〔Bi1.0Y2.0〕〔Ga1.0Fe4.0O12〕（Ｂ層）を
膜厚3000Åとしそれぞれスパツタリング法にて支持体温
度400〜700℃に維持して被着させた。この磁性層上にス
ペーサーを介しエアーギヤツプを設けてポリメチルメタ
クリレートの透光性保護板を接合し、第２図に示す如き
光磁気記録媒体を得た。
実施例３ Ni電鋳法によつて得た微小プレグルーブ付Niメタル支持
体上に蒸着法により反射層として500ÅのAu、下地層と
して500ÅのZnOを順次被着した。次いで、この上に磁性
層としてBaO。6.0〔Ga1.5In0.08Fe1.77O3〕（Ａ層）を
膜厚1500Åとし、さらに〔Bi0.8Sm2.2〕〔G0.8Fe
4.2O12〕（Ｂ層）を膜厚3000Åとし、それぞれスパツタ
リング法にて支持体温度400〜700℃に維持して被着させ
た。この磁性層の上にはエポキシ接着剤にてポリカーボ
ネートの透光性保護板を接合し、第３図に示す如き光磁
気記録媒体を得た。
体上に蒸着法により反射層として500ÅのAu、下地層と
して500ÅのZnOを順次被着した。次いで、この上に磁性
層としてBaO。6.0〔Ga1.5In0.08Fe1.77O3〕（Ａ層）を
膜厚1500Åとし、さらに〔Bi0.8Sm2.2〕〔G0.8Fe
4.2O12〕（Ｂ層）を膜厚3000Åとし、それぞれスパツタ
リング法にて支持体温度400〜700℃に維持して被着させ
た。この磁性層の上にはエポキシ接着剤にてポリカーボ
ネートの透光性保護板を接合し、第３図に示す如き光磁
気記録媒体を得た。
実施例４ バイコールガラス支持体上に蒸着法により反射層として
500ÅのAl、下地層として500ÅのAlNを順次被着した。
次いでこの上に磁性層としてBaO。6.0〔Ga0.15In0.08Fe
1.77O3〕（Ａ層）を膜厚1000Åとし、さらに〔Bi1.0Yb
1.5Sm0.5〕〔Ga1.0Fe4.0O12〕（Ｂ層）を膜厚3000Åと
し、それぞれスパツタリング法にて支持体温度400〜700
℃に維持して被着させた。この磁性層の上には予じめ微
小プレグルーブ付プラスチツク透光性保護板を接合して
第４図に示す如き光磁気記録媒体を得た。
500ÅのAl、下地層として500ÅのAlNを順次被着した。
次いでこの上に磁性層としてBaO。6.0〔Ga0.15In0.08Fe
1.77O3〕（Ａ層）を膜厚1000Åとし、さらに〔Bi1.0Yb
1.5Sm0.5〕〔Ga1.0Fe4.0O12〕（Ｂ層）を膜厚3000Åと
し、それぞれスパツタリング法にて支持体温度400〜700
℃に維持して被着させた。この磁性層の上には予じめ微
小プレグルーブ付プラスチツク透光性保護板を接合して
第４図に示す如き光磁気記録媒体を得た。
実施例５〜９ 実施例１と同様にして磁性層のみを第１表に示す如く構
成して光磁気記録媒体を得た。
成して光磁気記録媒体を得た。
実施例10〜12 実施例２と同様にして磁性層のみを第２表に示す如く構
成して光磁気記録媒体を得た。
成して光磁気記録媒体を得た。
実施例13〜15 実施例３と同様にして磁性層のみを第３表に示す如く構
成して光磁気記録媒体を得た。
成して光磁気記録媒体を得た。
これら実施例１〜１５の光磁気記録媒体を次の様に記録
テストを行つた。まず、レーザー光を２μｍ程度に収光
し、各記録媒体面に10mWパワーで0.3MHzの磁化と逆方向
の磁界400Oeを印加しながら記録した。このときの記録
ビツト径は1.5μｍであった。また偏光顕微鏡にてビツ
トを観察した結果、非常にコントラストの高いものであ
つた。
テストを行つた。まず、レーザー光を２μｍ程度に収光
し、各記録媒体面に10mWパワーで0.3MHzの磁化と逆方向
の磁界400Oeを印加しながら記録した。このときの記録
ビツト径は1.5μｍであった。また偏光顕微鏡にてビツ
トを観察した結果、非常にコントラストの高いものであ
つた。
【図面の簡単な説明】 第１図〜第４図は本発明光磁気記録媒体の実施例を示す
断面説明図である。 １…支持体、２…反射層 ３…Ａ層、４…Ｂ層もしくはＣ層 ５…接着層、６…透光性保護板 ７…下地層、８…断熱層 ９…スペーサー、10…エアーギヤツプ
断面説明図である。 １…支持体、２…反射層 ３…Ａ層、４…Ｂ層もしくはＣ層 ５…接着層、６…透光性保護板 ７…下地層、８…断熱層 ９…スペーサー、10…エアーギヤツプ
Claims (1)
- 【請求項１】支持体上に下記Ａと、ＢもしくはＣとから
なる磁性層を順次積層してなる光磁気記録媒体： Ａ； ただしＭｅはＢａ，Ｐｂ，Ｓｒの少くとも１種、ＭはＳ
ｃ，Ｔｉ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｇａ，Ａ，Ｃｒ，Ｓｎの少く
とも１種、ｍはＭのイオン価数、０＜ｘ≦６，５＜ｎ≦
６、 Ｂ； ただしＲはＹ，Ｂｉ，Ｃａ，Ｓｍ，Ｇｄの少くとも１
種、ＭはＧａ，Ａ，Ｖの少くとも１種、０＜ｙ≦３、 Ｃ；CoxMyFe3-(x+y)O4、ただしＭはＡ，Ｃｒの少くと
も１種、０＜ｘ＋ｙ＜３，０＜ｙ≦２。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11629284A JPH0664761B2 (ja) | 1984-06-06 | 1984-06-06 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11629284A JPH0664761B2 (ja) | 1984-06-06 | 1984-06-06 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60261051A JPS60261051A (ja) | 1985-12-24 |
| JPH0664761B2 true JPH0664761B2 (ja) | 1994-08-22 |
Family
ID=14683426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11629284A Expired - Lifetime JPH0664761B2 (ja) | 1984-06-06 | 1984-06-06 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0664761B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0666215B2 (ja) * | 1985-05-20 | 1994-08-24 | ソニー株式会社 | ビスマス置換磁性ガーネットの製法 |
| JPH0666216B2 (ja) * | 1985-05-20 | 1994-08-24 | ソニー株式会社 | ビスマス置換磁性ガーネットの製法 |
| JPS63225946A (ja) * | 1986-10-28 | 1988-09-20 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JP2655682B2 (ja) * | 1988-06-08 | 1997-09-24 | 株式会社日立製作所 | 光磁気情報記録再生装置 |
-
1984
- 1984-06-06 JP JP11629284A patent/JPH0664761B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60261051A (ja) | 1985-12-24 |
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