JP2657243B2

JP2657243B2 - 光磁気記録媒体

Info

Publication number: JP2657243B2
Application number: JP25356388A
Authority: JP
Inventors: 元町田; 通明篠塚; 均中村; 裕治郎金子
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1988-10-07
Filing date: 1988-10-07
Publication date: 1997-09-24
Anticipated expiration: 2012-09-24
Also published as: JPH02101657A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、書き換えが可能な光磁気記録媒体に関し、
特に高速、高密度記録が可能な光磁気記録媒体に関する
ものである。

〔従来の技術〕

光磁気記録媒体は垂直磁気記録と磁気光学効果（カー
効果等）を利用するもので、従来の光記録媒体と同様に
レーザ光を用いて情報の記録、再生を行うため記録容量
が大きく、その上書き換えが可能である。さらにヘッド
と媒体が非接触で記録再生を行うことができ、塵埃の影
響を受けないため安定性にも優れている。このため光磁
気記録媒体は、現在盛んに研究されており、文書情報フ
ァイル、ビデオ・静止画ファイル、コンピュータ用メモ
リ等への利用あるいはフロッピーディスク、ハードディ
スクの代替が期待され、近い将来の商品化段階を迎える
に至っている。

このような光磁気記録媒体の記録層として、遷移金属
（Fe、Co）と希土類金属（Tb、Dy、Gd、Ho、Er等）とを
組合せた非晶質（アモルファス）磁性合金膜が提案され
ている。遷移金属と希土類金属とをそれぞれ１種以上組
み合せ、スパッタ法や蒸着法で基板上に作製した磁性合
金膜は、補償組成付近で非晶質の垂直磁化膜（膜面と垂
直な方向に磁化容易軸を有する磁化膜）となり、光磁気
記録媒体に応用する事が可能となる。

上記のような磁性合金膜を光磁気記録媒体に応用する
場合には少なくとも以下のような条件を満足しなければ
ならない事が知られている。

再生C/Nが大きい。

記録感度が良い（記録時のレーザパワーが小さい）。

記録したメモリが安定である。

記録した磁区（ビット）が小さく、高密度化できる。

垂直磁化膜である。

そして上記のような特性と磁性合金膜の物性との間に
は一般に以下のような関係があるとされている。

の再生C/Nは磁気光学特性に関係し、カー回転角θ
_ｋが大きいほど良くなる。の記録感度はキュリー温度
Tcに関係し、キュリー温度Tcが低いほど良くなる。の
メモリ安定性及びの高密度化は保磁力Hcと関係し、保
磁力Hcが大きいほど良くなる。の垂直磁化膜となるた
めには保磁力Hc＞４πMs（Ms:飽和磁化）となることが
必要である。

上記の条件を満足し、光磁気記録媒体の記録層として
最も有望視されているのはTbFeCo3元系非晶質磁性合金
膜で、特開昭58−73746号公報、特開昭58−159252号公
報等において提案されている。また、電気学会研究会資
料MR84−37、MR84−38、MR−39（昭和59年）には、上記
TbFeCo膜をポリカーボネート基板上に形成して作製した
光磁気ディスクの評価データが記載されている。この光
磁気ディスクの仕様の一例を挙げると、ディスク回転数
900rpm、線速7m/秒、記録レーザパワー5.7mW、消去レー
ザパワー7mWとなっている。

ところが、TbFeCo膜を用いた上記光磁気記録媒体はカ
ー回転角θ_ｋが約0.35度と比較的大きく、また保磁力Hc
が約２〜10kOeと大きく優れているが、記録感度につい
ては上記の値が限度であった。

これに対し、本発明者らは特開昭59−61011号公報に
おいて、記録感度を改良した光磁気記録媒体を提案し
た。同公報の実施例にはプラスチックより熱伝導率が１
桁小さいガラスを基板に用いるとともに、記録層を構成
する組成物としてTbFeCoあるいはGdFeCoにDyを加えたも
のを使用し、キュリー温度Tcを下げて記録感度を改良し
た光磁気記録媒体が一例として開示されている。この記
録媒体は（Tb_0.7Dy_0.3）_0.22（Fe_0.8Co_0.2）_0.78（割合
は原子重量比）を磁性層（膜厚200Å）に用い、記録パ
ワー2.5mWを得ている。この記録条件は記録周波数2MHz
である。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、情報処理の高速化、ハードディスク等
の代替の見地からすると、光磁気記録媒体の記録速度は
ハードディスクと同等以上であることが期待できる。す
なわち、ディスク回転数3600rpm、線速22.6m/秒以上、
記録レーザパワー（媒体面）10mW以下での記録が望まれ
る。そのためには、さらに高速、高密度化を図ることが
必要である。

本発明は以上の点に鑑み、上記の要望を満足する高速
かつ高密度記録が可能な光磁気記録媒体を提供すること
を目的とする。

〔課題を解決するための手段及び作用〕

上記目的を達成するため、本発明によれば、少なくと
も１種以上の希土類金属と少なくとも１種以上の遷移金
属とからなり、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有する
非晶質磁性合金膜を記録層とする光磁気記録媒体におい
て、前記磁性合金膜における希土類金属の濃度が補償組
成の近傍でかつ該補償組成に対し高濃度（リッチ）側に
あり、前記磁性合金膜の補償温度が室温以上でかつキュ
リー温度が200℃以下であり、さらに、前記キュリー温
度より50℃低い温度における前記磁性合金膜の保磁力を
Hc₅₀とするとき、勾配値Hc₅₀/50〔0e/℃〕が20以上であ
ることを特徴とする光磁気記録媒体が提供される。

前述の情報処理の高速化、ハードディスク等の代替に
十分対応しうるためには、より高速、高密度の記録が可
能であることが要求される。すなわち、ディスク回転数
3600rpm、線速22.6m/秒、記録周波数5MHz以上、記録レ
ーザパワー（媒体面）10mW以下であり、しかも記録ビッ
トサイズ１μｍ以下でかつ記録ビットの形状がシャープ
であることが要求される。

そこで、本発明者は、鋭意研究を重ねた結果、上記の
ように非晶質磁性合金膜（垂直磁化膜）が、（ｉ）希土類金属の濃度が補償組成（室温における磁性
合金膜中の希土類金属の磁気モーメントをM_RE、遷移金
属の磁気モーメントをM_TMとしたとき、|M_RE−M_TM|＝０
となる組成）の近傍でかつ希土類金属リッチであるこ
と。

（ii）補償温度（フェリ磁性体においてキュリー温度に
達する前に見掛け上磁化が室温で零になる温度）が室温
以上であり、かつ、キュリー温度が200℃以下、好まし
くは180℃以下であること。

（iii）キュリー温度より50℃低い温度における保磁力
をHc₅₀としたとき、勾配値Hc₅₀/50が20〔Oe/℃〕以上で
あること。

を満足するときに、上記の目標値、目標特性を達しうる
事を見いだした。

次に、本発明の光磁気記録媒体について図面を参照し
て詳述する。

第１図（Ａ）に本発明による光磁気記録媒体の非晶質
磁性合金膜Ａにおける保磁力Hc及び４πMs（Msは飽和磁
化）の温度特性を従来技術のものと対比して示す。図中
実線が磁性合金膜Ａのデータであり、破線が従来の光磁
気記録媒体における磁性合金膜Ｂのデータである。

先ず、本発明の磁気記録媒体の記録層に使用される非
晶質磁性合金膜は、少なくとも１種以上の希土類金属
（Tb、Dy、Gd、Ho、Er等）と少なくとも１種以上の遷移
金属よりなり、その組成は希土類金属の濃度が補償組成
の近傍でかつ補償組成に対しリッチとなるように規定さ
れる。補償組成に対し希土類金属リッチの磁性合金膜Ａ
は遷移金属リッチの磁性合金膜Ｂに比べ、一般に室温に
おける保磁力Hcが大きく、保磁力Hcの温度特性曲線の勾
配が大きく、その保磁力Hcはキュリー温度Tc付近で直線
的に減少し、しかも飽和磁化Msの値が小さい。このよう
な傾向と上記（iii）の条件とがあいまって、低い記録
レーザパワーでの記録を可能とし、さらに記録ビット長
を１μｍ以下と短くするとともにビット形状をシャープ
とする。記録開始の条件をHc＜４πMs＋Hex（Hexはバイ
アス磁界で第１図（Ａ）では500 OeでHc′＝４πMs＋50
0 Oeである）とすると、第１図（Ａ）は外部磁界500 Oe
が印加されている場合で、磁性合金膜Ａの記録開始温度
Ta′は約130℃、一方磁性合金膜Ｂの記録開始温度Tb′
は約70℃である。記録磁区周辺からの浮遊磁界４πMs≒
０の場合の磁性合金膜のそれぞれの記録開始温度はTb″
＜Ta″である。ここで磁性合金膜に同じレーザパワーで
スポット径1.2μｍで照射した場合には第１図（Ｂ）に
示される様な熱拡散等温線となり、記録開始温度が低い
と記録ビットが大きくなり、一方記録開始温度が高い
（記録可能温度の範囲が狭い）場合はレーザスポット径
に近い小さい記録ビットが記録出来る。こきで記録可能
温度の範囲について説明する、磁性合金膜Ａの場合、
ａ′点はHc＝４πMs＋Hex（＝500 Oe）となる。従って
記録条件は４πMs＋500 Oe＞Hcであるので、直線ａ′−
Ta′の右の領域Ta′−T_CAが記録可能範囲となる。磁性
合金膜Ｂの場合にはTb′−T_CBの温度範囲が記録可とな
る。記録ビットを小さくシャープにするには飽和磁化Ms
が小さく、室温で保磁力Hcが大きく、キュリー温度Tc付
近で急激に保磁力Hcが減少する、磁気特性を有した希土
類金属リッチの磁性合金膜Ａでなければならない。第２
図（ａ）及び（ｂ）にそれぞれ光変調法で記録した場合
の磁性合金膜Ａ（本発明）と磁性合金膜Ｂ（従来技術）
における記録ビット形状を示す。また、第３図（ａ）及
び（ｂ）にそれぞれ磁界変調法で記録した場合の磁性合
金膜Ａと磁性合金膜Ｂにおける記録ビット形状を示す。
磁界変調法は光磁気記録媒体にレーザ光を連続的に又は
パルス状に照射するとともに、記録又は消去信号を磁気
ヘッドに入力するもので、オーバライト可能な方法とし
て注目されている。第２図及び第３図に示すように本発
明による磁性合金膜Ａの方がいずれの記録法でも記録ビ
ット長が短く、形状がシャープであることがわかる。

本発明の磁性合金膜における希土類金属の濃度ｚ（at
om％）は、補償組成での希土類金属の濃度をzo（atom
％）としたとき、zo＜ｚ＜zo＋４であるのがより好まし
い。ｚの値が大きくなりすぎると室温での保磁力Hc及び
カー回転角θ_ｋが急激に低下し、光磁気記録媒体の記録
層に適さなくなる。

また、本発明の磁性合金膜は補償温度Tcompが室温以
上で、キュリー温度Tcが200℃以下、より好ましくは180
℃以下に規定される。補償温度Tcompが室温より低くな
ると飽和磁化Msが大きく、保磁力Hcが小さくなり好まし
くない。またキュリー温度Tcが200℃より大きくなると
記録感度が悪くなり、高速化のためには好ましくない。

また、本発明の磁性合金膜は、キュリー温度Tcより50
℃低い温度における保磁力をHc₅₀としたとき、勾配値Hc
₅₀/50が20〔Oe/℃〕以上に規定される。この勾配値が20
〔Oe/℃〕より小さいと記録ビット長が長くなるととも
に記録ビットの形状のシャープさが失われ、高密度化の
ために好ましくない。とりわけ第１図（Ａ）の磁性合金
膜Ｂのようにキュリー温度Tc近傍で緩やかに裾を引くよ
うな場合、光変調法により記録ビットを形成したときに
は第２図（ｂ）のように記録ビットの周辺の乱れとな
り、磁界変調法により記録ビットを形成したときには第
３図（ｂ）のように尾を引いたシェブロン形状となり、
これら乱れはノイズの原因となる。

さらに、本発明の磁性合金膜は記録したビットのメモ
リの安定性の点より、室温での保磁力Hcが2kOeより大き
く、Hc＞２×４πMsである事が好ましい。また、記録ビ
ット長をより短くする点より、４πMs≦1300〔Gauss〕
である事が好ましい。

本発明の光磁気記録媒体の記録層に適用出来る非晶質
磁性合金膜としては（Tb_100-xDy_x）ｚ（Fe_100-yCoy）
_100-z〔０＜ｘ＜100,3＜ｙ＜20,望ましくは50＜ｘ＜10
0,3＜ｙ＜10であり、ｚは補償組成をzoとするときZo＜
ｚ＜zo＋４である。〕、（Gd_100-xDy_x）ｚ（Fe_100-yC
o_y）_100-z〔０＜ｘ＜100、０＜ｙ＜20、望ましくは50＜
ｘ＜100、０＜ｙ＜10であり、Zo＜Ｚ＜Zo＋４であ
る。〕が挙げられるが、これに限定されるものではなく
上記の条件を満足するものであれば適用可能である。

次に本発明の光磁気記録媒体の具体的な層構成例につ
いて第４図及び第５図を参照して説明する。

第４図は基板１の材料としてプラスチックを用いた場
合の層構成例を示す断面図で、２は誘電層、３は記録層
（非晶質磁性合金膜）、４は保護層、５はカバー層又は
接合層である。

プラスチック基板１の具体的材料としてはポリカーボ
ネート、エポキシレジン、メチルメタクリレート、ポリ
オレフィン等の樹脂が使用可能である。基板１にはあら
かじめガイドトラック、プリフォーマットを形成しても
よい。また、基板１のレーザ光入射面をH₂O、O₂の侵入
を防止するために誘電層、疎水性、耐ガス性層（例えば
フッ素樹脂層）等で被覆してもよい。

誘電層２は基板外部からH₂O、O₂が侵入して記録層３
の磁気特性が劣化するのを防止するとともに、光の多重
反射により磁気光学効果（カー回転角θ_ｋ）をエンハン
スメントする役割を行う。このため、なるべく屈折率ｎ
が大きい材料を用い、しかも多重反射によってみかけの
磁気光学効果がなるべく大きくなるようにその膜厚を設
定する。したがって、誘電層２の屈折率ｎは1.7より大
きいことが好ましく、その膜厚は600〜1500Åが適当で
ある。また誘電層２に使用される具体的な材料として
は、Si_xN_y,Si_xO_y,Al₂O₃,Ta₂O₅,TiO₂,ZnS,ZnO,MgO,AlN,A
lON,ZrAlSi,ZrAlON,AlSiN,AlSiNO,Y₂O₃,In₂O₃,ZrO₂,Cr₂
O₃等の少なくとも１種以上が用いられる。これらのうち
基板外部からのH₂O,O₂の侵入に対する防止効果という観
点からAlON,ZrAlSi,Si_xN_y,Si_xO_y,Al₂O₃,Ta₂O₅等を少な
くとも１種以上用いたものがより好ましい。誘電層２は
スパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法等により
成膜される。

記録層３は上記の条件を満足する非晶質磁性合金膜よ
り構成される。ここで記録層３の膜厚について考案して
みる。第６図に一般的な光磁気ディスクの磁性層の膜厚
ｔと記録レーザパワーPwとの関係をグラフに示す。同図
からわかるように、記録レーザパワーPwは膜厚200Å付
近で最小となる。200Åより小さいとレーザ光が透過し
てレーザ光の蓄熱が不十分となり、逆に200Åより大き
いと記録レーザパワーPwはの関係式に従い磁性層の厚さが大きくなるにつれて増大
する。また本例の場合、基板１がプラスチックであるた
め、誘電層２を設けても多少のH₂O、O₂は基板１、誘電
層２を通して記録層３に侵入し、多少の表面層（約100
Å程度）の酸化は避けられない。以上のことより記録層
３の膜厚は400〜1000Åが好ましく、400〜800Åがより
好ましい。記録層３はスパッタ法、蒸着法等により成膜
される。

保護層４は記録層３へのH₂O、O₂の侵入を防止する目
的で設けられる。また保護層４は記録レーザ光の蓄熱効
果を高めるために熱伝導率は出来るだけ小さい方が良
く、５×10^-2cal/cm・ｓ・℃（室温）以下であるのが好
ましく、３×10^-3cal/cm・ｓ・℃（室温）以下であるの
がより好ましい。この保護層４は誘電層２と同様の材料
を使用し、同様の方法で同様の膜厚に成膜されるが、異
なっていてもよい。

保護膜４の上にはカバー層あるいは接合層５が設けら
れるが、カバー層は保護層４を保護し、接合層は両面記
録タイプの媒体における接合を行う。これらカバー層あ
るいは接合層５は紫外線硬化樹脂（UVレジン）、熱可塑
性樹脂、プラズマ重合樹脂等を用いて１μｍ〜100μｍ
の膜厚に成膜される。

また、上記において２枚のディスクを貼合せた両面記
録タイプの光磁気ディスクとするときには、そのディス
クの端部を誘電材あるいはプラスチックで接合するのが
好ましい。

第５図は基板11の材料としてガラスを用いた場合の層
構成を示す断面図で、12は誘電層、13は記録層（非晶質
磁性合金層）、14は断熱層、15は反射層、16はカバー層
である。

ガラス基板11は熱伝導率が２×10^-3〜４×10^-3cal/cm
・ｓ・℃とプラスチック基板１の熱伝導率3.5×10^-4〜
６×10^-4cal/cm・ｓ・℃に比べ１桁良い。また、ガラス
基板11の場合、基板外部からのH₂O,O₂の侵入がない。

誘電層12は光の多重反射により磁気光学効果（カー回
転角θ_ｋ）をエンハンスメントするために設けられる。
したがって、なるべく屈折率ｎが大きい（ｎ＞1.7）材
料を用い、しかも多重反射によってみかけの磁気光学効
果がなるべく大きくなるようにその膜厚を設定する。誘
電層12の成膜には第４図の構成例における誘電層２と同
様な材料、同様な方法を用いることができる。膜厚も同
様に600〜1500Åが適当である。

記録層13は前述の条件を満足する非晶質磁性合金膜が
使用されるが、ガラス基板11の上記性質を考慮してその
膜厚は出来るだけ薄層化するのが望ましい。すなわち膜
厚は100〜400Åが好ましく、100Å〜300Åがより好まし
い。

断熱層14は記録層13、熱伝導率の良い反射層15への熱
拡散を小さくし、断熱層の膜面方向の熱拡散を防止する
熱吸収層の目的で設けられる。このため断熱層14には熱
伝導率が５×10^-2cal/cm・ｓ・℃以下のプラスチック樹
脂（例えばポリスチレン−ブタジエン、メチルメタクリ
レート−ブタジエン、ポリウレタン等の熱可塑性樹脂、
ホットメルトレジン、プラズマ重合樹脂等）、あるいは
SiO、SiO₂（非晶質）、ZrO₂、Nd₂O₃、Mn₂O₃,Gd₂O₃,Dy₂O
₃,Fe₃O₄,Al₂O₃−SiO₂,TiO₂,HfO₂、ガラス等が500〜1500
Åの膜厚で用いられる。断熱層14は無機材料の場合には
スパッタ法、蒸着法等により、有機材料の場合にはスピ
ン塗布法、ローラ塗布法等の方法により成膜される。

反射層16は磁気光学効果のエンハンスメントのために
設けられる。この反射層16はAl、Cr、Cu、Nd、Rh、Pt、
Au、Cr、Ni等の材料を用いてスパッタ法、蒸着法等の方
法により200〜1000Åの膜厚に成膜される。

カバー層17は反射層16の酸化腐食の防止と損傷防止の
ために設けられる。このカバー層17は断熱層14で使用し
たと同様の材料を用いて同様の方法により１〜100μｍ
の膜厚に成膜される。

〔実施例〕

以下に本発明の実施例をあげるが、本発明はこれら実
施例に限定されるものではない。

実施例１直径130mm、厚さ1.2mmのポリカーボネート板を基板と
して用い、RFスパッタリング装置において該基板上に誘
電層としSi_xN_y（屈折率ｎ＝2.1）をスパッタ法により70
0Åの膜厚に形成した。このときのスパッタリング条件
は、背圧1.0×10^-6Torr以下、キャリアガス:Ar＋N₂混合
ガス、ガス圧基板回転速度15rpm、作製時間25分間であり、製膜する
前にRFパワー300W、30分間プレスパッタリングした。ま
た基板は水冷し、基板温度は100℃以下とした。次に、R
Fスパッタリング装置においてFe_69.5Co₆Tb_10.5D₁₄の組
成を持つ合金ターゲットを使用し、誘電層上に記録層と
して非晶質磁性合金膜（垂直磁化膜）を700Åの膜厚に
形成した。このときのスパッタリング条件は、背圧1.0
×10^-6Torr以下、Arガス圧3.0mmTorr、RFパワー200W、
基板回転速度15rpm、作製時間20分であった。次に、記
録層上に保護層を誘電層と同様の材料、同様の作製方法
で同様の膜厚に形成し、さらにその上にUVレジン（大日
精化（株）製のUDAL−39（Ｋ））を10μｍの膜厚にスピ
ン塗布した後、紫外線を照射することによりカバー層を
形成して、第４図に示す層構成の光磁気ディスクを得
た。

実施例２〜６及び比較例1,3 プラスチック基板、記録層、誘電層、保護層及びカバ
ー層（接合層）として表−１に示す材料を使用し、表−
２に示す膜厚で各層を作製し、第４図に示す層構成の光
磁気ディスクを得た。各基板の方法は実施例１と同様で
ある。記録層、誘電層及び保護層はスパッタ法又は蒸着
法により作製し、カバー層又は複合層はUVレジンの場合
には実施例１と同様にスピン塗布した後に紫外線照射を
行い、熱可塑性ホットメルトレジンの場合は熱ローラで
塗布して作製した。

実施例７〜10及び比較例2,4 ガラス基板、記録層、誘電層、断熱層、反射層及びカ
バー層としてそれぞれ表−１に示す材料を使用し、表−
２に示す膜厚で各層を作製し、第５図に示す層構成の光
磁気ディスクを得た。ガラス基板の直径は130mm、厚さ
は1.2mmとした。記録層、誘電層、カバー層の作製方法
は上述の場合と同様とし、断熱層は誘電層と同様の作製
方法を使用し、反射層はスパッタ法又は蒸着法により作
製した。

以上のようにして作製した各光磁気ディスクの特性
（キュリー温度Tc（℃）、保磁力（kOe）、４πMs（Gau
ss）、Hc₅₀/50（Oe/℃）、記録速度（rpm）、記録レー
ザパワー（mW）、C/N（dB））を表−３に比較して示
す。

表−３においてHc₅₀/50（Oe/℃）はキュリー温度Tcよ
り50℃低い温度における保磁力Hc₅₀を温度50゜で割った
値である。また記録速度はその右欄における記録レーザ
パワー（C/Nが飽和するパワー）で記録可能なディスク
回転数を表わす。記録はCAVでディスク（直径130mm）の
半径60mmの位置に行った。

表−３からわかるように、実施例１〜10の光磁気ディ
スクはいずれもキュリー温度Tcが180℃以下、補償温度
が室温以上、Hc₅₀/50（Oe/℃）が20以上の特性を有し、
10mW以下（λ＝770〜850nm）の記録レーザパワー（媒体
面）、ディスク回転数3600rpm、線速22.6m/秒、デュー
ティ50％、記録周波数10〜20MHzでの高速記録が出来、
その記録ビットは第２図（ａ）の様に形状はシャープで
長さも１μｍ以下、さらにC/Nも53以上と高密度記録が
可能であった。なお実施例２の記録層は第１図の磁性合
金膜に対応している。

一方、比較例1,2の光磁気ディスクはキュリー温度Tc
は比較的低いものの、Hc₅₀/50（Oe/℃）の値が小さく、
ガラス基板を用いた比較例２の場合には記録速度は1800
rpmが限度であり、またその記録ビットの形状も少し乱
れていた。比較例3,4はキュリー温度Tcが高く、しかもH
c₅₀/50（Oe/℃）の値が小さく、プラスチック基板を用
いた比較例３の場合でも記録速度は1800rpmが限度であ
り、その記録ビットの形状は大きく乱れ、C/Nが低く、
高密度記録は困難であった。なお、比較例３の記録層は
第１図の磁性合金膜に対応している。

〔発明の効果〕

以上詳細に説明したように、本発明の光磁気記録媒体
によれば、磁性合金膜の組成を補償組成に対し希土類金
属リッチとし、補償温度が室温以上かつキュリー温度が
200℃以下、かつキュリー温度より50℃低い温度におけ
る保磁力の勾配値Hc₅₀/50を20以上と規定したので、記
録感度が向上するとともに記録ビット長が短かくかつそ
の形状がシャープとなり、10mW以下の低記録レーザパワ
ーで、ディスク回転数3600rpm、線速22.6m/秒、記録周
波数10〜20MHzの高速高密度記録が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）は本発明による光磁気記録媒体の保磁力Hc
と４πMsの温度特性を従来例と比較して示すグラフ、第
１図（Ｂ）は磁性合金膜上の熱拡散等温線を示す図、第
２図は光変調法により記録したビット形状を示す図、第
３図は磁界変調法により記録したビット形状を示す図、
第４図はプラスチック基板を用いた本発明による光磁気
記録媒体の層構成例を示す断面図、第５図はガラス基板
を用いた本発明による光磁気記録媒体の層構成例を示す
断面図、第６図は光磁気ディスクにおける磁性層膜厚と
記録レーザパワーとの関係を示す図である。 1,11……基板、2,12……誘電層 3,13……記録層、４……保護層５……カバー層又は接合層、14……断熱層 15……反射層、16……カバー層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者金子裕治郎東京都大田区中馬込１丁目３番６号株式会社リコー内 (56)参考文献特開昭61−15308（ＪＰ，Ａ) 特開昭61−196445（ＪＰ，Ａ) 特開昭61−99955（ＪＰ，Ａ) 特開昭61−90349（ＪＰ，Ａ)

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも１種以上の希土類金属と少なく
とも１種以上の遷移金属とからなり、膜面と垂直な方向
に磁化容易軸を有する非晶質磁性合金膜を記録層とする
光磁気記録媒体において、前記磁性合金膜における希土類金属の濃度が補償組成の
近傍でかつ該補償組成に対し高濃度（リッチ）側にあ
り、前記磁性合金膜の補償温度が室温以上でかつキュリー温
度が200℃以下であり、さらに、前記キュリー温度より50℃低い温度における前記磁性合
金膜の保磁力をHc₅₀とするとき、勾配値Hc₅₀/50〔0e/
℃〕が20以上であることを特徴とする光磁気記録媒体。