JPH0666215B2 - ビスマス置換磁性ガーネットの製法 - Google Patents
ビスマス置換磁性ガーネットの製法Info
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- JPH0666215B2 JPH0666215B2 JP60108011A JP10801185A JPH0666215B2 JP H0666215 B2 JPH0666215 B2 JP H0666215B2 JP 60108011 A JP60108011 A JP 60108011A JP 10801185 A JP10801185 A JP 10801185A JP H0666215 B2 JPH0666215 B2 JP H0666215B2
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- garnet
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/18—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being compounds
- H01F10/20—Ferrites
- H01F10/24—Garnets
- H01F10/245—Modifications for enhancing interaction with electromagnetic wave energy
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えば光アイソレータのファラデー回転素子
に適用する磁性ガーネット、特に0.8μｍの波長帯（0.8
μｍの波長帯とは0.8μｍの波長を中心とする0.75〜0.8
5μｍの程度の波長範囲を一般に指称するものであり、
本明細書においてもこの波長範囲を指称するものとす
る）に関して光吸収を小さくしたビスマス（Bi）置換の
磁性ガーネットの製法に係わる。
に適用する磁性ガーネット、特に0.8μｍの波長帯（0.8
μｍの波長帯とは0.8μｍの波長を中心とする0.75〜0.8
5μｍの程度の波長範囲を一般に指称するものであり、
本明細書においてもこの波長範囲を指称するものとす
る）に関して光吸収を小さくしたビスマス（Bi）置換の
磁性ガーネットの製法に係わる。
本発明は、ビスマス置換ツリウム磁性ガーネットの製法
において、その組成を特定することによってFe2+の存在
による特に0.8μｍ波長帯の光透過率の低下を回避す
る。
において、その組成を特定することによってFe2+の存在
による特に0.8μｍ波長帯の光透過率の低下を回避す
る。
例えば光ディスク、光磁気ディスク等における情報の記
録或いは（及び）読み出しをはじめとして、各種用途に
半導体レーザーの利用が広まっている。
録或いは（及び）読み出しをはじめとして、各種用途に
半導体レーザーの利用が広まっている。
ところが、このように半導体レーザーを用いる場合、こ
れに戻り光があるとモードホッピングノイズが生じるな
どの不都合があることから、できるだけ、半導体レーザ
ーから発振した光が、再び半導体レーザーに戻ることが
ないように、この戻り光を遮断する光アイソレータの必
要性が高まっている。
れに戻り光があるとモードホッピングノイズが生じるな
どの不都合があることから、できるだけ、半導体レーザ
ーから発振した光が、再び半導体レーザーに戻ることが
ないように、この戻り光を遮断する光アイソレータの必
要性が高まっている。
この光アイソレータは、第６図にその概略的構成を示す
ように、ファラデー回転素子(1)を挟んで偏光子(2)と検
光子(3)とが配置されて成る。ファラデー回転素子(1)
は、マグネット(4)によって光軸方向に磁場が与えられ
て、光源(5)例えば半導体レーザーから偏光子(2)を通じ
て入射する直線偏光をその偏光面が45°回転するように
なされる。検光子(3)はこのファラデー回転素子(1)によ
って45°回転した偏光を通過することができるようにそ
の軸方向が選ばれていて、これを通過した光が被照射面
に照射するようになされている。そして、この場合被照
射面(6)からの反射光、すなわち戻り光がある場合、こ
の戻り光は、再び検光子(3)を通過してファラデー回転
素子(1)を通過し、この時再び45°回転されて偏光子(2)
に向う。したがって、この偏光子(2)に向う戻り光は順
方向の入射光に対してその偏光面が90°回転しているこ
とになり、この偏光子(2)を通過することができず、光
源(4)に向うことができない。このように光アイソレー
タによれば、一方向すなわち順方向に関しては、光透過
性を有するがこれとは逆の方向に関しては遮断効果を奏
することができる。
ように、ファラデー回転素子(1)を挟んで偏光子(2)と検
光子(3)とが配置されて成る。ファラデー回転素子(1)
は、マグネット(4)によって光軸方向に磁場が与えられ
て、光源(5)例えば半導体レーザーから偏光子(2)を通じ
て入射する直線偏光をその偏光面が45°回転するように
なされる。検光子(3)はこのファラデー回転素子(1)によ
って45°回転した偏光を通過することができるようにそ
の軸方向が選ばれていて、これを通過した光が被照射面
に照射するようになされている。そして、この場合被照
射面(6)からの反射光、すなわち戻り光がある場合、こ
の戻り光は、再び検光子(3)を通過してファラデー回転
素子(1)を通過し、この時再び45°回転されて偏光子(2)
に向う。したがって、この偏光子(2)に向う戻り光は順
方向の入射光に対してその偏光面が90°回転しているこ
とになり、この偏光子(2)を通過することができず、光
源(4)に向うことができない。このように光アイソレー
タによれば、一方向すなわち順方向に関しては、光透過
性を有するがこれとは逆の方向に関しては遮断効果を奏
することができる。
このように光アイソレータは、逆方向の光を遮断する機
能を有するものであるが、順方向の光損失を小さくする
上でファラデー回転素子自体の光透過率はできるだけ大
きいことが望まれる。この光透過率を大きくするには、
ファラデー回転素子の厚さｔは、できるだけ小さいこと
が望まれるが、この厚さｔは、所要の回転角、上述の例
では45°の回転角を得るために、或る厚さを必要とす
る。45°回転する間の順方向損失Ｌ（dB）は、 （但し、αは光吸収係数、Ｆはファラデー回転能）で与
えられるので、Ｌを小さくするには、光吸収係数αが小
さいものが必要となる。
能を有するものであるが、順方向の光損失を小さくする
上でファラデー回転素子自体の光透過率はできるだけ大
きいことが望まれる。この光透過率を大きくするには、
ファラデー回転素子の厚さｔは、できるだけ小さいこと
が望まれるが、この厚さｔは、所要の回転角、上述の例
では45°の回転角を得るために、或る厚さを必要とす
る。45°回転する間の順方向損失Ｌ（dB）は、 （但し、αは光吸収係数、Ｆはファラデー回転能）で与
えられるので、Ｌを小さくするには、光吸収係数αが小
さいものが必要となる。
この光吸収係数αは、波長に依存するものであり、1.3
μｍ波長帯で代表されるような長波長帯については、VI
G（イットリウム・鉄・ガーネット）によるファラデー
回転素子によって可成り満足するものが得られている。
μｍ波長帯で代表されるような長波長帯については、VI
G（イットリウム・鉄・ガーネット）によるファラデー
回転素子によって可成り満足するものが得られている。
ところが、上述したような光ディスク、或いは光磁気デ
ィスク等の光源としては、AlGaAs系半導体レーザーのよ
うな0.8ｂμｍ波長帯の半導体レーザーが用いられんと
する方向にあり、この0.8μｍ波長帯についてのファラ
デー回転素子の開発が望まれている。
ィスク等の光源としては、AlGaAs系半導体レーザーのよ
うな0.8ｂμｍ波長帯の半導体レーザーが用いられんと
する方向にあり、この0.8μｍ波長帯についてのファラ
デー回転素子の開発が望まれている。
一方、このようなファラデー回転素子に用いる磁性ガー
ネット、すなわち希土類鉄ガーネットを育成する方法と
しては、液晶エピタキシーによって結晶膜を得るという
方法、すなわち原料融液中に例えばGGG（ガドリニウム
・ガリウム・ガーネット）基板を浸漬し、この基板を引
上げることによってこの基板上に磁性ガーネット膜を育
成するという方法が量産性にすぐれているものである
が、この場合、この液晶エピタキシーの融液には、フラ
ックスが添加される。このフラックスとしては、通常Pb
Oが用いられる。ところが、このPbOをフラックスとして
用いた場合、その育成された結晶膜中にPb2+の一部が混
入することは避けられないものであり、これによって光
の吸収損失を低めることが難しくなる。尚、PbOフラク
ックスによる場合においても、その結晶膜の育成温度を
コントロールすることによって光吸収を下げることがで
きるという報告もなされている（ジャーナル オブ ア
プライド フィジックス（Journal of Applied Physic
s）Vol.45 P2867〜2873 July 1974）ところであるが、
これについても、0.8μｍ波長帯では有効なものではな
い。
ネット、すなわち希土類鉄ガーネットを育成する方法と
しては、液晶エピタキシーによって結晶膜を得るという
方法、すなわち原料融液中に例えばGGG（ガドリニウム
・ガリウム・ガーネット）基板を浸漬し、この基板を引
上げることによってこの基板上に磁性ガーネット膜を育
成するという方法が量産性にすぐれているものである
が、この場合、この液晶エピタキシーの融液には、フラ
ックスが添加される。このフラックスとしては、通常Pb
Oが用いられる。ところが、このPbOをフラックスとして
用いた場合、その育成された結晶膜中にPb2+の一部が混
入することは避けられないものであり、これによって光
の吸収損失を低めることが難しくなる。尚、PbOフラク
ックスによる場合においても、その結晶膜の育成温度を
コントロールすることによって光吸収を下げることがで
きるという報告もなされている（ジャーナル オブ ア
プライド フィジックス（Journal of Applied Physic
s）Vol.45 P2867〜2873 July 1974）ところであるが、
これについても、0.8μｍ波長帯では有効なものではな
い。
そこでPb2+が混入することのないように、Bi2O3のみを
フラックスとする融液を用いて液晶エピタキシーによっ
てBi置換の磁性ガーネット膜、すなわち希土類の一部を
Biで置換した磁性ガーネット膜を育成することが考えら
れる（ジャーナル オブ エレクトロ ケミカル ソサ
イアテイ（Journal of Electrochemical Society）Vol.
123 P1248〜1249 1976）。
フラックスとする融液を用いて液晶エピタキシーによっ
てBi置換の磁性ガーネット膜、すなわち希土類の一部を
Biで置換した磁性ガーネット膜を育成することが考えら
れる（ジャーナル オブ エレクトロ ケミカル ソサ
イアテイ（Journal of Electrochemical Society）Vol.
123 P1248〜1249 1976）。
ところが、実際上、このような方法によってBi置換の磁
性ガーネットを育成しても、光吸収の低下は充分得られ
ない。これは、本来Bi置換の磁性ガーネットの組成は、
例えば （▲Tm3+ 2.3▼ ▲Bi3+ 0.7▼）（▲Fe3+ 4.0▼ ▲Ga3+
1.0▼）Ｏ12……(2) であるべきものが、実際には、 ▲Tm3+ 2.3▼ ▲Bi3+ 0.7▼ ▲Ｆｅ２＋ ２δ＋δ′▼
▲Ｆｅ３＋ ４．０−２δ−δ′▼ ▲Ga3+ 1.0▼ ▲Ｐ
ｔ４＋ δ′▼ ▲Ｏ２− １２−δ……(3) で示されるようなPt4+および酸素空席δの発生によって
２価のFeイオンが発生してこれにより光吸収が生じるも
のと思われる。
性ガーネットを育成しても、光吸収の低下は充分得られ
ない。これは、本来Bi置換の磁性ガーネットの組成は、
例えば （▲Tm3+ 2.3▼ ▲Bi3+ 0.7▼）（▲Fe3+ 4.0▼ ▲Ga3+
1.0▼）Ｏ12……(2) であるべきものが、実際には、 ▲Tm3+ 2.3▼ ▲Bi3+ 0.7▼ ▲Ｆｅ２＋ ２δ＋δ′▼
▲Ｆｅ３＋ ４．０−２δ−δ′▼ ▲Ga3+ 1.0▼ ▲Ｐ
ｔ４＋ δ′▼ ▲Ｏ２− １２−δ……(3) で示されるようなPt4+および酸素空席δの発生によって
２価のFeイオンが発生してこれにより光吸収が生じるも
のと思われる。
しかしながら融液によっては酸素空席が生じないものも
ある。δ′はPtの混入量（原子数）で、このPtの混入
は、液晶エピタキシーに際して用いられるるつぼがPtで
あることによって、このるつぼのPtが融液中に拡散して
生じるものである。
ある。δ′はPtの混入量（原子数）で、このPtの混入
は、液晶エピタキシーに際して用いられるるつぼがPtで
あることによって、このるつぼのPtが融液中に拡散して
生じるものである。
尚、液晶エピタキシーによって磁気異方性を有するガー
ネット膜を得る方法として、フラックスにCaCO3を添加
したものの報告（マティリアル リサーチ ブルテン
（Material Research Bulltein）Vol.11,P337〜346,197
6）があるが、この場合、そのフラックスはBi2O3単独の
ものではなく、Bi2O3と共に、CeO2／K2O，或いはSiO2／
Na2O等が添加されるものであり、しかも光吸収について
の究明はなされていない。
ネット膜を得る方法として、フラックスにCaCO3を添加
したものの報告（マティリアル リサーチ ブルテン
（Material Research Bulltein）Vol.11,P337〜346,197
6）があるが、この場合、そのフラックスはBi2O3単独の
ものではなく、Bi2O3と共に、CeO2／K2O，或いはSiO2／
Na2O等が添加されるものであり、しかも光吸収について
の究明はなされていない。
前述したように従来方法によって得られるBi置換磁性ガ
ーネットによっても、0.8μｍ波長帯に関して光吸収が
充分小さいものが得られていないことに問題点がある。
ーネットによっても、0.8μｍ波長帯に関して光吸収が
充分小さいものが得られていないことに問題点がある。
本発明は、このような問題点を解消するものであり、0.
8μｍ波長帯において高い透過率を有し、例えば光ディ
スク、光磁気ディスクの記録・再生装置において、この
光源として0.8μｍ波長帯の半導体レーザーを用いた場
合の戻り光防止の光アイソレータのファラデー回転素子
として用いて好適ならしめたBi置換磁気ガーネット１の
製法を提供するものである。
8μｍ波長帯において高い透過率を有し、例えば光ディ
スク、光磁気ディスクの記録・再生装置において、この
光源として0.8μｍ波長帯の半導体レーザーを用いた場
合の戻り光防止の光アイソレータのファラデー回転素子
として用いて好適ならしめたBi置換磁気ガーネット１の
製法を提供するものである。
本発明においては、ビスマス置換磁性ガーネットを、光
吸収の小さいガーネット基板上にBi2O3とガーネット構
成元素のみよりなる融液から液晶エピタキシャル（以下
ＬＰＥという）によって次に述べる特定組成の磁性ガー
ネットを育成する。
吸収の小さいガーネット基板上にBi2O3とガーネット構
成元素のみよりなる融液から液晶エピタキシャル（以下
ＬＰＥという）によって次に述べる特定組成の磁性ガー
ネットを育成する。
すなわち、本発明においては、 Tm3-x- δ１BixMI δ１Fe5-y- δ２−δ３MII δ２MIII yPt
δ３O12-δ４……(4) の組成を有し、ｘを0.5ｘ2.0に選定し、ｙを０ｙ
2.0に選定し、δ３−0.003δ１＋δ２δ３＋0.00
3とする。ここにδ３は製造工程中で混入するPtの原子
数、δ４は酸素空席数である。
δ３O12-δ４……(4) の組成を有し、ｘを0.5ｘ2.0に選定し、ｙを０ｙ
2.0に選定し、δ３−0.003δ１＋δ２δ３＋0.00
3とする。ここにδ３は製造工程中で混入するPtの原子
数、δ４は酸素空席数である。
本発明においては、例えば上記(4)式でみられるよう
に、Fe2+が存在しないBi置換磁性ガーネットを構成する
ものであり、このようにすることによっFe2+の存在によ
る0.8μｍ波長帯における光吸収の増加を回避する。
に、Fe2+が存在しないBi置換磁性ガーネットを構成する
ものであり、このようにすることによっFe2+の存在によ
る0.8μｍ波長帯における光吸収の増加を回避する。
実施例１ の組成の融液に、 で定義（式中の分子式は融液中のモル数を示す）される
Ｒ６において、そのＲ６を夫々0.2％，1.1％，2,2％，
2.6％，3.0％，3.5％，5.2％となるようにCaCO3を融液
中に添加して、夫々の融液によってGd3 Ga5 O12基板上
に液晶エピタキシャル成長によって夫々Bi置換磁性ガー
ネットを育成した各試料を得た。そして、夫々の電気的
抵抗率ρを測定した。第１図は、このＲ６に対するρの
測定結果を示したもので、Ｒ６＝３％で最大となってい
る。また、第２図は波長λ＝810nmの光における光吸収
係数α810の測定結果を示し、α810はＲ６＝３％で最小
となっている。
Ｒ６において、そのＲ６を夫々0.2％，1.1％，2,2％，
2.6％，3.0％，3.5％，5.2％となるようにCaCO3を融液
中に添加して、夫々の融液によってGd3 Ga5 O12基板上
に液晶エピタキシャル成長によって夫々Bi置換磁性ガー
ネットを育成した各試料を得た。そして、夫々の電気的
抵抗率ρを測定した。第１図は、このＲ６に対するρの
測定結果を示したもので、Ｒ６＝３％で最大となってい
る。また、第２図は波長λ＝810nmの光における光吸収
係数α810の測定結果を示し、α810はＲ６＝３％で最小
となっている。
尚、Ｒ６の値を変化させたときのEPMA（エレクトロン・
プローブ・マイクロ・アナリシス）分析による各組成
は、次のようであった。
プローブ・マイクロ・アナリシス）分析による各組成
は、次のようであった。
Ｒ６＝０％のとき、 Tm2.47Bi0.71Fe4.02Ga0.80Pt0.015O12 Ｒ６＝1.1％のとき、 Tm2.44Bi0.73Ca0.009Fe4.01Ga0.80Pt0.012O12 Ｒ６＝2.2％のとき、 Tm2.45Bi0.73Ca0.015Fe3.99Ga0.81Pt0.016O12 Ｒ６＝3.0％のとき、 Tm2.42Bi0.75Ca0.019Fe4.07Ga0.77Pt0.015O12 Ｒ６＝5.2％のとき、 Tm2.40Bi0.76Ca0.027Fe3.99Ga0.81Pt0.020O12 第３図及び第４図は、夫々EMPA分析したCa2+のδ１に対
する電気抵抗ρ及び波長λ＝810nmに対する光吸収係数
α810の夫々の測定結果を示すもので、δ１＝0.019でρ
は最大となり、α810が最小を示す。分析の結果から光
吸収を最小にするCa2+量δ１と膜中にとり込まれている
Pt4+の量δ３は、ほぼつり合っているのでCa2+を入れな
いときにFe2+が発生する主要原因は、Pt4+であり酸素空
席の寄与は小さいと考えられる。
する電気抵抗ρ及び波長λ＝810nmに対する光吸収係数
α810の夫々の測定結果を示すもので、δ１＝0.019でρ
は最大となり、α810が最小を示す。分析の結果から光
吸収を最小にするCa2+量δ１と膜中にとり込まれている
Pt4+の量δ３は、ほぼつり合っているのでCa2+を入れな
いときにFe2+が発生する主要原因は、Pt4+であり酸素空
席の寄与は小さいと考えられる。
尚、第５図は、Ca量δ１とPt量δ３との差（δ１−
δ３）に対する光吸収係数α810の測定を示すもので、
これより明らかなようにδ１−δ３＝０で最小の値を示
すが、δ１−δ３が−0.003より大＋0.003より小の範囲
で小さい値を示す。
δ３）に対する光吸収係数α810の測定を示すもので、
これより明らかなようにδ１−δ３＝０で最小の値を示
すが、δ１−δ３が−0.003より大＋0.003より小の範囲
で小さい値を示す。
このようにCa2+の添加によって光吸収係数α810を下げ
ることができる。すなわち、本発明による場合、Bi2O3
の単独のフラックスでＬＰＥ育成を行うものであるの
で、冒頭に述べた従来におけるPbOフラックスを使用す
る場合とは異なり、２価のイオンPb2+が意図せずに膜中
にとり込まれることはあり得ないので、例えば上述の実
施例におけるように、Ca2+イオンを添加しない場合に
は、必ずFe2+の発生によるｎ型伝導を呈し、光吸収は高
くなるがCa2+とFe2+の発生原因となるPt量に応じて添加
することによってFe2+の発生を抑えることができるので
ある。
ることができる。すなわち、本発明による場合、Bi2O3
の単独のフラックスでＬＰＥ育成を行うものであるの
で、冒頭に述べた従来におけるPbOフラックスを使用す
る場合とは異なり、２価のイオンPb2+が意図せずに膜中
にとり込まれることはあり得ないので、例えば上述の実
施例におけるように、Ca2+イオンを添加しない場合に
は、必ずFe2+の発生によるｎ型伝導を呈し、光吸収は高
くなるがCa2+とFe2+の発生原因となるPt量に応じて添加
することによってFe2+の発生を抑えることができるので
ある。
尚、上述した例では２価のイオンとなってCa2+のみを添
加した場合、つまり前記(1)式においてMIIを省略し（δ
２＝０）、MIのCa2+のみを添加した場合であるが、確実
に２価のイオンとなるM2+のCa2+，Sr2+，Ba2+，MIIのBe
2+を１種以上添加することによってFe2+の発生を抑え、
光吸収係数α810を小さくできる。尚、この場合Be2+，M
g2+（すなわちMII）はFeを置換して膜中にとり込まれ、
Ca2+，Sr2+，Ba2+はTmを置換してとり込まれるものと思
われるがいずれもFe2+の発生を抑える効果は同等であ
る。
加した場合、つまり前記(1)式においてMIIを省略し（δ
２＝０）、MIのCa2+のみを添加した場合であるが、確実
に２価のイオンとなるM2+のCa2+，Sr2+，Ba2+，MIIのBe
2+を１種以上添加することによってFe2+の発生を抑え、
光吸収係数α810を小さくできる。尚、この場合Be2+，M
g2+（すなわちMII）はFeを置換して膜中にとり込まれ、
Ca2+，Sr2+，Ba2+はTmを置換してとり込まれるものと思
われるがいずれもFe2+の発生を抑える効果は同等であ
る。
したがって、第５図から、δ３−0.003＜δ１＋δ２＜
δ３＋0.003に選定すれば光吸収係数α810を小にするこ
とができることがわかる。
δ３＋0.003に選定すれば光吸収係数α810を小にするこ
とができることがわかる。
また、Feに置換するMIIIのGaに変えて３価のイオンMI，
MIIのいずれか１以上の添加によって同様の効果が得ら
れる。
MIIのいずれか１以上の添加によって同様の効果が得ら
れる。
上述したように本発明によれば、Ptの混入によるFe2+の
存在の問題を解消したことによって、0.8μｍ波長帯に
対して光吸収の小さいBi置換磁性ガーネットを得ること
ができるので、これを例えば光アイソレータのファラデ
ー回転素子として用いることによって0.8μｍ波長帯の
半導体レーザーを用いる場合において戻り光はこれを阻
止して半導体レーザーにおいて安定な動作をなさしめ、
順方向の光に関しては高い透過率、すなわち低光損失と
することができるので、光ディスク、光磁気ディスク等
の各種情報の記録・再生光源系に用いることができ、実
用上の利益は大である。
存在の問題を解消したことによって、0.8μｍ波長帯に
対して光吸収の小さいBi置換磁性ガーネットを得ること
ができるので、これを例えば光アイソレータのファラデ
ー回転素子として用いることによって0.8μｍ波長帯の
半導体レーザーを用いる場合において戻り光はこれを阻
止して半導体レーザーにおいて安定な動作をなさしめ、
順方向の光に関しては高い透過率、すなわち低光損失と
することができるので、光ディスク、光磁気ディスク等
の各種情報の記録・再生光源系に用いることができ、実
用上の利益は大である。
第１図、第２図，第３図及び第４図は本発明の説明に供
する抵抗率ρ及び光吸収係数α810の測定曲線図、第５
図はδ１−δ３と光吸収係数α810の関係の測定曲線
図、第６図は本発明によるBi置換磁気ガーネットを適用
し得る光アイソレータの構成図である。 (1)はファラデー回転素子、(2)は偏光子、(3)は検光
子、(4)はマグネット、(5)は光源、(6)は光の被照射面
である。
する抵抗率ρ及び光吸収係数α810の測定曲線図、第５
図はδ１−δ３と光吸収係数α810の関係の測定曲線
図、第６図は本発明によるBi置換磁気ガーネットを適用
し得る光アイソレータの構成図である。 (1)はファラデー回転素子、(2)は偏光子、(3)は検光
子、(4)はマグネット、(5)は光源、(6)は光の被照射面
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 敏郎 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (56)参考文献 特開 昭50−26096（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−80106（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−167608（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−261051（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】Bi2O3と磁性ガーネット構成元素のみから
なる融液を用い、 液晶エピタキシャル成長によって Tm3-x- δ１BixMI δ１Fe5-y-δ２−δ３−MII δ２MIII yP
tδ３O12- δ４ の組成を有し、0.5ｘ2.0,0ｙ2.0であり、δ３
−0.003δ１＋δ２δ３＋0.003とされたビスマス置
換磁性ガーネットを得ることを特徴とするビスマス置換
磁性ガーネットの製法。
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|---|---|---|---|
| JP60108011A JPH0666215B2 (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | ビスマス置換磁性ガーネットの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60108011A JPH0666215B2 (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | ビスマス置換磁性ガーネットの製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61265809A JPS61265809A (ja) | 1986-11-25 |
| JPH0666215B2 true JPH0666215B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=14473724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60108011A Expired - Fee Related JPH0666215B2 (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | ビスマス置換磁性ガーネットの製法 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JPH0666215B2 (ja) |
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Family Cites Families (4)
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-
1985
- 1985-05-20 JP JP60108011A patent/JPH0666215B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPS61265809A (ja) | 1986-11-25 |
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