JPS6279608A - ビスマス置換磁性ガ−ネツトの製法 - Google Patents
ビスマス置換磁性ガ−ネツトの製法Info
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- JPS6279608A JPS6279608A JP21972485A JP21972485A JPS6279608A JP S6279608 A JPS6279608 A JP S6279608A JP 21972485 A JP21972485 A JP 21972485A JP 21972485 A JP21972485 A JP 21972485A JP S6279608 A JPS6279608 A JP S6279608A
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- light
- magnetic garnet
- wavelength band
- melt
- absorption
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば光アイソレータに適用する磁性ガーネ
ット、特に０．８μｍの波長帯（０，８μｍの波長帯と
は０．８μｍの波長を中心とする０、７５〜０．８５μ
ｍ程度の波長範囲を一般に上杵する）就中７８０〜８３
０ｎｍの波長の光に対し光吸収の小さいビスマス（Ｂｉ
）置換の磁性ガーネットの製法に係わる。
ット、特に０．８μｍの波長帯（０，８μｍの波長帯と
は０．８μｍの波長を中心とする０、７５〜０．８５μ
ｍ程度の波長範囲を一般に上杵する）就中７８０〜８３
０ｎｍの波長の光に対し光吸収の小さいビスマス（Ｂｉ
）置換の磁性ガーネットの製法に係わる。
本発明は、Ｌｕ、旧を含有するフ二す磁性ガーふ７トを
旧２０３単体フラックスで、液相エピタキシャル成長法
（以下ＬＰＥ法という）で育成する場合に、２価の金属
イオンを添加することにより、０．８μｍ帯の光の吸収
を低減化する。
旧２０３単体フラックスで、液相エピタキシャル成長法
（以下ＬＰＥ法という）で育成する場合に、２価の金属
イオンを添加することにより、０．８μｍ帯の光の吸収
を低減化する。
例えば光ディスク、光磁気ディスク等における情報の記
録或いは（及び）、読み出しをはじめとして、各種用途
に半導体レーザーの利用が広まっている。
録或いは（及び）、読み出しをはじめとして、各種用途
に半導体レーザーの利用が広まっている。
ところが、このように半導体レーザーを用いる場合、こ
れに戻り光があるとモードホンピングノイズが生じるな
どの不都合があることから、できるだけ、半導体レーザ
ーから発振した光が、再び半導体レーザーに戻ることが
ないように、この戻り光を遮断する光アイソレータの必
要性が高まっている。
れに戻り光があるとモードホンピングノイズが生じるな
どの不都合があることから、できるだけ、半導体レーザ
ーから発振した光が、再び半導体レーザーに戻ることが
ないように、この戻り光を遮断する光アイソレータの必
要性が高まっている。
この光アイソレータは、第３図にその概略的構成を示す
ように、ファラデー回転素子ｆｌ＋を挾んで偏光子（２
）と検光子（３）とが配置されて成る。ファラデー回転
素子（１）は、マグネット（４）によって光軸方向に磁
場が与えられて、光源（５）例えば半導体レーザーから
偏光子（２）を通じて入射する直線偏光をその偏光面が
４５゛回転するようになされる。検光子（３）はこのフ
ァラデー回転素子（１１によって４５゛回転した偏光を
通過することができるようにその軸方向が選ばれていて
、これを通過した光が被照射面に照射するようになされ
ている。そして、この場合被照射面（６）からの反射光
、すなわち戻り光がある場合、この戻り光は、再び検光
子（３）を通過してファラデー回転素子（１）を通過し
、この時再び４５゜回転されて偏光子（２）に向う。し
たがって、この偏光子（２）に向う戻り光は順方向の入
射光に対してその偏光面が９０゛回転していることにな
り、この偏光子（２）を通過することができず、光源（
４）に向うことができない。このように光アイソレータ
によれば、一方向すなわち順方向に関しては、光透過性
を有するがこれとは逆の方向に関しては遮断効果を奏す
ることができる。
ように、ファラデー回転素子ｆｌ＋を挾んで偏光子（２
）と検光子（３）とが配置されて成る。ファラデー回転
素子（１）は、マグネット（４）によって光軸方向に磁
場が与えられて、光源（５）例えば半導体レーザーから
偏光子（２）を通じて入射する直線偏光をその偏光面が
４５゛回転するようになされる。検光子（３）はこのフ
ァラデー回転素子（１１によって４５゛回転した偏光を
通過することができるようにその軸方向が選ばれていて
、これを通過した光が被照射面に照射するようになされ
ている。そして、この場合被照射面（６）からの反射光
、すなわち戻り光がある場合、この戻り光は、再び検光
子（３）を通過してファラデー回転素子（１）を通過し
、この時再び４５゜回転されて偏光子（２）に向う。し
たがって、この偏光子（２）に向う戻り光は順方向の入
射光に対してその偏光面が９０゛回転していることにな
り、この偏光子（２）を通過することができず、光源（
４）に向うことができない。このように光アイソレータ
によれば、一方向すなわち順方向に関しては、光透過性
を有するがこれとは逆の方向に関しては遮断効果を奏す
ることができる。
このように光アイソし・−夕は、逆方向の光を遮断する
機能を有するものであるが、順方向の光ｔＵ失を小さく
する上でファラデー回転素子自体の光透過率はできるだ
け大きいことが望まれる。この光透過率を大きくするに
は、ファラデー回転素子の厚さＬは、できるだけ小さい
ことが望まれるが、この厚さｔは、所要の回転角、上述
の例では４５゛の回転角を得るために、成る厚さを必要
とする。
機能を有するものであるが、順方向の光ｔＵ失を小さく
する上でファラデー回転素子自体の光透過率はできるだ
け大きいことが望まれる。この光透過率を大きくするに
は、ファラデー回転素子の厚さＬは、できるだけ小さい
ことが望まれるが、この厚さｔは、所要の回転角、上述
の例では４５゛の回転角を得るために、成る厚さを必要
とする。
４５゛回転する間の順方向損失Ｌ （ｄＢ）は、ＬＯｃ
ｍ ・・・（１）（但し、αは光吸収
係数、Ｆはファラデー回転能）で与えられるので、Ｌを
小さくするには、光吸収係数αが小さいものが必要とな
る。
ｍ ・・・（１）（但し、αは光吸収
係数、Ｆはファラデー回転能）で与えられるので、Ｌを
小さくするには、光吸収係数αが小さいものが必要とな
る。
この光吸収係数αは、波長に依存するものであり、１．
３μｍ波長帯で代表されるような長波長帯については、
ＹＩＧ （イツトリウム・鉄・ガーネット）によるファ
ラデー回転素子によって可成り満足するものが得られて
いる。
３μｍ波長帯で代表されるような長波長帯については、
ＹＩＧ （イツトリウム・鉄・ガーネット）によるファ
ラデー回転素子によって可成り満足するものが得られて
いる。
ところが、上述したような光ディスク、或いは光磁気デ
ィスク等の光源としては、ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ
ーのような０．８μｍ波長帯の半導体レーザーが用いら
れんとする方向にあり、この０．８μｍ波長帯について
のファラデー回転素子の開発が望まれている。
ィスク等の光源としては、ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ
ーのような０．８μｍ波長帯の半導体レーザーが用いら
れんとする方向にあり、この０．８μｍ波長帯について
のファラデー回転素子の開発が望まれている。
一方、このようなファラデー回転素子に用いる磁性ガー
ネット、ずなわち希土類鉄ガーネットを育成する方法と
しては、液相エピタキシーによって結晶膜を得るという
方法、すなわぢ原料融液中に例えばＧＧＧ （ガドリ
ニウム・ガリウム・ガーネット）基板を？＋？Ｈし、こ
の基板を引上げることによってこの基板上に磁性ガーネ
ット膜を育成するという方法が量産性にすぐれているも
のであるが、この場合、この液相エピタキシーの融液に
は、フラックスが添加される。このフラックスとしては
、通常ＰｂＯが用いられる。ところが、この ＰｂＯを
フラックスとして用いた場合、その育成された結晶膜中
にｐｂ”の一部が混入することは避けられないものであ
り、これによって光の吸収損失を低めることが難しくな
る。尚、ＰｂＯフラックスによる場合においても、その
結晶膜の育成温度をコントロールすることによって光吸
収を下げることができるという報告もなされている（ジ
ャーナル オブアプライド フィジックス（Ｊｏｕｒｎ
ａｌ ｏｆ ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ ） Ｖｏ
ｌ、 ４５ Ｐ２８６７〜２８７３ Ｊｕｌｙ １９７
４）ところであるが、これについても２Ｏ．８μｍ波長
帯では有効なものではない。
ネット、ずなわち希土類鉄ガーネットを育成する方法と
しては、液相エピタキシーによって結晶膜を得るという
方法、すなわぢ原料融液中に例えばＧＧＧ （ガドリ
ニウム・ガリウム・ガーネット）基板を？＋？Ｈし、こ
の基板を引上げることによってこの基板上に磁性ガーネ
ット膜を育成するという方法が量産性にすぐれているも
のであるが、この場合、この液相エピタキシーの融液に
は、フラックスが添加される。このフラックスとしては
、通常ＰｂＯが用いられる。ところが、この ＰｂＯを
フラックスとして用いた場合、その育成された結晶膜中
にｐｂ”の一部が混入することは避けられないものであ
り、これによって光の吸収損失を低めることが難しくな
る。尚、ＰｂＯフラックスによる場合においても、その
結晶膜の育成温度をコントロールすることによって光吸
収を下げることができるという報告もなされている（ジ
ャーナル オブアプライド フィジックス（Ｊｏｕｒｎ
ａｌ ｏｆ ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ ） Ｖｏ
ｌ、 ４５ Ｐ２８６７〜２８７３ Ｊｕｌｙ １９７
４）ところであるが、これについても２Ｏ．８μｍ波長
帯では有効なものではない。
そこでＰｂ２“が混入することのないように、Ｂｉ２Ｏ
３のみをフラックスとする融液を用いて液相エピタキシ
ーによってＢｉ置換の磁性ガーネット膜、すなわち希土
類の一部をＢｉ”’ｉ’置換した磁性ガーネット膜を育
成することが考えられる（ジャーナル オブ エレクト
ロ ケミカル ソサイアテイ （Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ
Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ ５ｏｃｉｅｔｙ）
Ｖｏｌ、１２３ Ｐ １２４８〜１２４９１９７６
）。
３のみをフラックスとする融液を用いて液相エピタキシ
ーによってＢｉ置換の磁性ガーネット膜、すなわち希土
類の一部をＢｉ”’ｉ’置換した磁性ガーネット膜を育
成することが考えられる（ジャーナル オブ エレクト
ロ ケミカル ソサイアテイ （Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ
Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ ５ｏｃｉｅｔｙ）
Ｖｏｌ、１２３ Ｐ １２４８〜１２４９１９７６
）。
ところが、実際上、このような方法によってＢｉ置換の
磁性ガーネットを育成しても、光吸収の低下は充分得ら
れない。これは、本来Ｂ ｉ ｉｉ￥ ｉＵの磁性ガー
ネットの組成は、例えば、 （Ｔｍ：２”、 ） Ｂ ｉ％＋７ ） （Ｆｅ３１
”、（、Ｇａ’１”、。）Ｏｚ２ ・・・（２１であ
るべきものが、実際には、 Ｔｍ％７３ Ｂｉ’３”、７ Ｆｅ’；６＋＋６′Ｆｅ
’＋”、ｏ−：＋６４’Ｇａ”＋”、ｏ Ｐｔ’Ｊ′Ｏ
’＞”２−５・ ・ ・ （３） で示されるようなｐ ｔ”及び酸素空席の発生によって
２ｆｉｌｌｉのＦｅイオンが発生してこれにより光吸収
が生しるものと思われる。このＰＬの混入は、液相エピ
タキシーに際して用いられるるつぼがｐｔであることに
より、このＰｔが融液中に拡散することによる。
磁性ガーネットを育成しても、光吸収の低下は充分得ら
れない。これは、本来Ｂ ｉ ｉｉ￥ ｉＵの磁性ガー
ネットの組成は、例えば、 （Ｔｍ：２”、 ） Ｂ ｉ％＋７ ） （Ｆｅ３１
”、（、Ｇａ’１”、。）Ｏｚ２ ・・・（２１であ
るべきものが、実際には、 Ｔｍ％７３ Ｂｉ’３”、７ Ｆｅ’；６＋＋６′Ｆｅ
’＋”、ｏ−：＋６４’Ｇａ”＋”、ｏ Ｐｔ’Ｊ′Ｏ
’＞”２−５・ ・ ・ （３） で示されるようなｐ ｔ”及び酸素空席の発生によって
２ｆｉｌｌｉのＦｅイオンが発生してこれにより光吸収
が生しるものと思われる。このＰＬの混入は、液相エピ
タキシーに際して用いられるるつぼがｐｔであることに
より、このＰｔが融液中に拡散することによる。
尚、液相エピタキシーによって磁気異方性を有するガー
ネット膜を得る方法として、フラックスにＣａＣＯ３を
添加したものの報告（マティリアルリサーチ プルテン
（Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｒｅ５ｅａｒｃｈ Ｂｕｌｌｔｅ
ｉｎ）νｏ１．Ｉｌ、 ＰＰ３３７〜２４６．１９７６
）があるが、この場合、そのフラックスは旧２０３単
独のものではなく、Ｂｉ２Ｏ３と共に、ＣｅＯ２／ Ｋ
２Ｏ、或いはＳ ｉｏ２／ Ｎａ２Ｏ等が添加されるも
のであり、しかも光吸収についての究明はなされていな
い。
ネット膜を得る方法として、フラックスにＣａＣＯ３を
添加したものの報告（マティリアルリサーチ プルテン
（Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｒｅ５ｅａｒｃｈ Ｂｕｌｌｔｅ
ｉｎ）νｏ１．Ｉｌ、 ＰＰ３３７〜２４６．１９７６
）があるが、この場合、そのフラックスは旧２０３単
独のものではなく、Ｂｉ２Ｏ３と共に、ＣｅＯ２／ Ｋ
２Ｏ、或いはＳ ｉｏ２／ Ｎａ２Ｏ等が添加されるも
のであり、しかも光吸収についての究明はなされていな
い。
前述したように従来方法によって得られるＢ１置換碩性
ガーネットによっても２Ｏ．８μｍ波長帯に関して光吸
収が充分小さいものがｉＭられていないことに問題があ
る。
ガーネットによっても２Ｏ．８μｍ波長帯に関して光吸
収が充分小さいものがｉＭられていないことに問題があ
る。
本発明は、このような問題点を解消するものであり２Ｏ
．８μｍ波長帯において高い透過率を有し、例えば光デ
ィスク、光磁気ディスクの記録・再生装置において、こ
の光源として０．８μｍ波長帯の半導体レーザーを用い
た場合の戻り光防止の光アイソレータのファラデー回転
素子として用いて好適ならしめたビスマス置換磁性ガー
ネットとその製法を提供するものである。
．８μｍ波長帯において高い透過率を有し、例えば光デ
ィスク、光磁気ディスクの記録・再生装置において、こ
の光源として０．８μｍ波長帯の半導体レーザーを用い
た場合の戻り光防止の光アイソレータのファラデー回転
素子として用いて好適ならしめたビスマス置換磁性ガー
ネットとその製法を提供するものである。
本発明においては、（ＬｕＢｉ）３（ＦｅＭ）ｓｏ、２
の一般式で示され、そのｈがＡ１またはＧａのいずれか
１種以上である組成の磁気ガーネットを、上記組成を形
成する元素と、Ｂｉ２０１より成る融液から液相エピタ
キシャル成長するビスマス置換磁性ガーネットの悪法に
おいて、上記融液中にＩＩＡ族元素イオンを０．８μｍ
波長帯で光吸収の極小値を与える近傍の量をもって添加
する。
の一般式で示され、そのｈがＡ１またはＧａのいずれか
１種以上である組成の磁気ガーネットを、上記組成を形
成する元素と、Ｂｉ２０１より成る融液から液相エピタ
キシャル成長するビスマス置換磁性ガーネットの悪法に
おいて、上記融液中にＩＩＡ族元素イオンを０．８μｍ
波長帯で光吸収の極小値を与える近傍の量をもって添加
する。
本発明においては、２価金属イオンの添加によって、Ｆ
ｅ”の存在を回避して０，８μｍ帯の光吸収が小さくさ
れたＬｕ、旧を含む磁性ガーネットを作製することがで
きる。
ｅ”の存在を回避して０，８μｍ帯の光吸収が小さくさ
れたＬｕ、旧を含む磁性ガーネットを作製することがで
きる。
実施例Ｉ
ＧＧＧ基板上に下記組成の融液によってＬＰＥ法によっ
て磁性ガーネット膜を育成した。
て磁性ガーネット膜を育成した。
この融液の組成は、
とした。
次に、この融液に、
で定置（式中の分子式は融液中のモル数を示す）される
ＲＧ’で表わして、Ｒ６’−０，２％１０．６％。
ＲＧ’で表わして、Ｒ６’−０，２％１０．６％。
１．０％、１．２％、１．４％１１．８％になるように
Ｍ、Ｏ、を順次添加していって夫々育成模を得た。この
ようにして夫々育成した各膜の試料について波長λが、
λ＝ ８１０ｎｍの光についての光吸収係数α８ｉｏを
測定した結果を第１図に示す。第１図において黒丸印は
、その測定値をプロットしたもので、一部の組成につい
ては複数の試料を作製した夫々について測定した結果を
示したものである。これによると、Ｒ，：の増加につれ
、つまりＭ ｇ ７ ＋の添加により、αｅｔａが一旦
減少し、Ｒ６′が１．０〜１．２％で最小値を示し、こ
れより更にＲ６’を増加させると再びαｓｔｏが増大し
ている。そして、ＲＧ’≦ １．０％ではｎ型伝導を示
し、Ｒａ’≧ １．８％では、ｎ型伝導を示した。
Ｍ、Ｏ、を順次添加していって夫々育成模を得た。この
ようにして夫々育成した各膜の試料について波長λが、
λ＝ ８１０ｎｍの光についての光吸収係数α８ｉｏを
測定した結果を第１図に示す。第１図において黒丸印は
、その測定値をプロットしたもので、一部の組成につい
ては複数の試料を作製した夫々について測定した結果を
示したものである。これによると、Ｒ，：の増加につれ
、つまりＭ ｇ ７ ＋の添加により、αｅｔａが一旦
減少し、Ｒ６′が１．０〜１．２％で最小値を示し、こ
れより更にＲ６’を増加させると再びαｓｔｏが増大し
ている。そして、ＲＧ’≦ １．０％ではｎ型伝導を示
し、Ｒａ’≧ １．８％では、ｎ型伝導を示した。
この実施例における１ｇ２３の添加の効果は、次のよう
に考えられる。すなわち、Ｍ ｇ ２“を添加しないと
きは、ｐ ｔ”と酸素空席の存在るためにＦｅ”が発生
し、そのためｎ型伝導を示し、Ｆｅ”による光吸収によ
ってα４１１０が大きくなると考えられる（ジャーナル
オブ アプライド フィジックス（Ｊｏｕｒｎａｌｏ
ｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ） Ｖｏｌ、４１
Ｐ１２１１〜１２１７．１９７０参照）。そして、こ
れにＭ ｇ ２“を添加すると各育成膜に入ったＭ ｇ
２ ＋の分だけＦｅ２＋が減少し、α９１０は低下す
る。更にＭ ｇ２＋がｐ ｔ”と酸素空席量を補うだけ
膜中に添加されると、Ｆｅ２°の発生が抑えられるので
αｅ工０は最小となる。そして、Ｍ ｇ ２＊がこれ以
上増加すると、過剰のＭ ｇ ２ ＋のために、Ｆｅ”
が発生してｎ型伝導となり、このＦｅ”による光吸収が
生じてα［ｌｉＯの増加が生してくると考えられる。こ
の低光吸収を得るためのＭ ｇ ２＋の仕込み濃度はＲ
Ｇ’−１，２１’：０．２％であった。
に考えられる。すなわち、Ｍ ｇ ２“を添加しないと
きは、ｐ ｔ”と酸素空席の存在るためにＦｅ”が発生
し、そのためｎ型伝導を示し、Ｆｅ”による光吸収によ
ってα４１１０が大きくなると考えられる（ジャーナル
オブ アプライド フィジックス（Ｊｏｕｒｎａｌｏ
ｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ） Ｖｏｌ、４１
Ｐ１２１１〜１２１７．１９７０参照）。そして、こ
れにＭ ｇ ２“を添加すると各育成膜に入ったＭ ｇ
２ ＋の分だけＦｅ２＋が減少し、α９１０は低下す
る。更にＭ ｇ２＋がｐ ｔ”と酸素空席量を補うだけ
膜中に添加されると、Ｆｅ２°の発生が抑えられるので
αｅ工０は最小となる。そして、Ｍ ｇ ２＊がこれ以
上増加すると、過剰のＭ ｇ ２ ＋のために、Ｆｅ”
が発生してｎ型伝導となり、このＦｅ”による光吸収が
生じてα［ｌｉＯの増加が生してくると考えられる。こ
の低光吸収を得るためのＭ ｇ ２＋の仕込み濃度はＲ
Ｇ’−１，２１’：０．２％であった。
実施例２
ＧＧＧ基板上に下記組成の融液によってＬＰＥ法によっ
て磁性ガーネット膜を育成した。
て磁性ガーネット膜を育成した。
この融液の組成は、
とした。
次に、この融液に、
で定義される量で表わされるＲ６′が夫々 ０．１％。
０．２％２Ｏ．３％２Ｏ．４％２Ｏ．５％２Ｏ．６％２
Ｏ．８％。
Ｏ．８％。
１．１４％、５．０％となる様にＭｇＯを順次添加して
ＬＰＥ法によって膜育成を行った。夫々育成した膜の波
長λが、λ＝ ８１０ｎｍの光についての光吸収係数α
８１０を測定した結果を第２図に示す。この場合、Ｒ６
′≦０．４％でｎ型、Ｒ（２１，１４％でｐ型を呈した
。この例においても、Ｍｇ２＋の添加と共にα１１１０
は減少し、αａ１ｏ＝ ０．５〜０．８％で最小の値を
示し、これよりＭ ｇ ２ ’−を増加させることによ
って再びα１１１０の増加が生じている。
ＬＰＥ法によって膜育成を行った。夫々育成した膜の波
長λが、λ＝ ８１０ｎｍの光についての光吸収係数α
８１０を測定した結果を第２図に示す。この場合、Ｒ６
′≦０．４％でｎ型、Ｒ（２１，１４％でｐ型を呈した
。この例においても、Ｍｇ２＋の添加と共にα１１１０
は減少し、αａ１ｏ＝ ０．５〜０．８％で最小の値を
示し、これよりＭ ｇ ２ ’−を増加させることによ
って再びα１１１０の増加が生じている。
実施例１及び２からＭｇ”を融液中に添加することによ
って光吸収係数を下げることが可能であるが、この場合
の最適なＭｇ２＋の量は融液の組成によって異る。しか
しながら実施例１及び２で示すような本発明におけるＢ
ｉ２Ｏ３単体フラックスでＬＰＥ法による育成を行う場
合、冒頭に述べたＰｂＯをフラックスとする場合とは違
ってｐｂ”が意図せずに膜中に入ることはあり得ないの
でＭ ｇ ２＋を添加しない状態では必ずＦｅ”の発生
によるｎ型伝導を示し、光吸収は大きくなる。したがっ
て、Ｂｉ２Ｏ３単体フラックスを用いる限りでは、各融
液について、Ｍ ｇ ２＋を適当量添加することによっ
てＦｅ”の発生を抑え光吸収を必ず下げることができる
ことは明らかであり、Ｍ ｇ ｌ ＋、すなわち、２価
イオンの適当な添加量は、前記ＲＪで表わして、光吸収
を最小とする量の±２０％程度の範囲とすれば良好な結
果が得られる。
って光吸収係数を下げることが可能であるが、この場合
の最適なＭｇ２＋の量は融液の組成によって異る。しか
しながら実施例１及び２で示すような本発明におけるＢ
ｉ２Ｏ３単体フラックスでＬＰＥ法による育成を行う場
合、冒頭に述べたＰｂＯをフラックスとする場合とは違
ってｐｂ”が意図せずに膜中に入ることはあり得ないの
でＭ ｇ ２＋を添加しない状態では必ずＦｅ”の発生
によるｎ型伝導を示し、光吸収は大きくなる。したがっ
て、Ｂｉ２Ｏ３単体フラックスを用いる限りでは、各融
液について、Ｍ ｇ ２＋を適当量添加することによっ
てＦｅ”の発生を抑え光吸収を必ず下げることができる
ことは明らかであり、Ｍ ｇ ｌ ＋、すなわち、２価
イオンの適当な添加量は、前記ＲＪで表わして、光吸収
を最小とする量の±２０％程度の範囲とすれば良好な結
果が得られる。
尚、添加する２１ＩＩＩｉのイオンは上述したＭ８２″
″に限られるものではなく、他の［［Ａ族元素イオンの
Ｃａ９ 、 Ｂｅ２＊ 、 ５ｒ２４ 、 Ｂａ２＋等
を用いることもできる。
″に限られるものではなく、他の［［Ａ族元素イオンの
Ｃａ９ 、 Ｂｅ２＊ 、 ５ｒ２４ 、 Ｂａ２＋等
を用いることもできる。
上述したように本発明によれば２Ｏ．８μｍ６！ｉ長帯
に対して光吸収の小さいＢｉ置換磁性ガー皐ノドを得る
ことができるので、これを例えば光アイソレータのファ
ラデー回転素子として用いることによって０．８μｍ波
長帯の半導体レーザーを用いる場合において戻り光はこ
れを阻止して半導体レーザーにおいて安定な動作をなさ
しめ、順方向の光に関しては高い透過率、すなわち低光
損失とすることができるので、光ディスク、光磁気ディ
スク等の各種情報の記録・再生光源系に用いることがで
き、実用上の利益は大である。
に対して光吸収の小さいＢｉ置換磁性ガー皐ノドを得る
ことができるので、これを例えば光アイソレータのファ
ラデー回転素子として用いることによって０．８μｍ波
長帯の半導体レーザーを用いる場合において戻り光はこ
れを阻止して半導体レーザーにおいて安定な動作をなさ
しめ、順方向の光に関しては高い透過率、すなわち低光
損失とすることができるので、光ディスク、光磁気ディ
スク等の各種情報の記録・再生光源系に用いることがで
き、実用上の利益は大である。
第１図及び第２図は夫々本発明の実施例によるガーネッ
ト膜の光吸収係数の測定曲線図、第３図は本発明による
Ｂｉ置換磁性ガーネットを適用し得る光アイソレータの
構成図である。 （１）はファラデー回転素子、（２）は偏光子、（３）
は検光子、（４）はマグネット、（５）は光源、（６）
は被照射面である。
ト膜の光吸収係数の測定曲線図、第３図は本発明による
Ｂｉ置換磁性ガーネットを適用し得る光アイソレータの
構成図である。 （１）はファラデー回転素子、（２）は偏光子、（３）
は検光子、（４）はマグネット、（５）は光源、（６）
は被照射面である。
Claims (1)
- （ＬｕＢｉ）＿３（ＦｅＭ）＿５Ｏ＿１＿２で一般的
に示され、ＭはＡｌまたはＧａのいずれか１種以上の組
成の磁性ガーネットを、上記組成を形成する元素と、Ｂ
ｉ＿２Ｏ＿３より成る融液から液相エピタキシャル成長
するビスマス置換磁性ガーネットの製法において、上記
融液中にIIＡ族元素イオンを０．８μｍ波長帯で光吸収
の極小値を与える近傍の量をもって添加することを特徴
とするビスマス置換磁性ガーネットの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21972485A JPS6279608A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | ビスマス置換磁性ガ−ネツトの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21972485A JPS6279608A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | ビスマス置換磁性ガ−ネツトの製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6279608A true JPS6279608A (ja) | 1987-04-13 |
Family
ID=16739972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21972485A Pending JPS6279608A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | ビスマス置換磁性ガ−ネツトの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6279608A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008143738A (ja) * | 2006-12-08 | 2008-06-26 | Fdk Corp | 磁性ガーネット単結晶及びその製造方法 |
| US10020423B2 (en) | 2009-06-26 | 2018-07-10 | University Of Surrey | Light emitting semiconductor device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5613710A (en) * | 1979-07-13 | 1981-02-10 | Nec Corp | Material for magnetic element |
| JPS59119815A (ja) * | 1982-12-27 | 1984-07-11 | Sony Corp | ガ−ネツト磁性薄膜の製造方法 |
| JPS61220153A (ja) * | 1985-03-26 | 1986-09-30 | Agency Of Ind Science & Technol | 磁気光学素子用媒体の製造方法 |
-
1985
- 1985-10-02 JP JP21972485A patent/JPS6279608A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5613710A (en) * | 1979-07-13 | 1981-02-10 | Nec Corp | Material for magnetic element |
| JPS59119815A (ja) * | 1982-12-27 | 1984-07-11 | Sony Corp | ガ−ネツト磁性薄膜の製造方法 |
| JPS61220153A (ja) * | 1985-03-26 | 1986-09-30 | Agency Of Ind Science & Technol | 磁気光学素子用媒体の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008143738A (ja) * | 2006-12-08 | 2008-06-26 | Fdk Corp | 磁性ガーネット単結晶及びその製造方法 |
| US10020423B2 (en) | 2009-06-26 | 2018-07-10 | University Of Surrey | Light emitting semiconductor device |
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