JPS6369718A - 磁気光学結晶 - Google Patents
磁気光学結晶Info
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- JPS6369718A JPS6369718A JP21092586A JP21092586A JPS6369718A JP S6369718 A JPS6369718 A JP S6369718A JP 21092586 A JP21092586 A JP 21092586A JP 21092586 A JP21092586 A JP 21092586A JP S6369718 A JPS6369718 A JP S6369718A
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Links
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Compounds Of Iron (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光通信、光計測等に用いられる磁気光学結晶に
関するものである。
関するものである。
従来の技術
最近、光通信において光源である半導体レーザへ伝送回
路途中からの反射光が戻ることを阻止する光アイソレー
タ用磁気光学素子として、希土類鉄ガーネットの希土類
元素の一部をＢｉで置換したＢｉ置換型ガーネットが注
目を集めている。
路途中からの反射光が戻ることを阻止する光アイソレー
タ用磁気光学素子として、希土類鉄ガーネットの希土類
元素の一部をＢｉで置換したＢｉ置換型ガーネットが注
目を集めている。
Ｂｉ置換ガーネットは、単位長さあたシのファン２ へ
−７ デー回転角が大きく光アイソレータとして必要なファラ
デー回転角４５°を得るのに数１００７１ ｍの厚みの
結晶でよい。この厚みの結晶は液相エピタキシャル成長
で成長させる事ができ、一枚のウェハから多数のチップ
を得る事ができるためその他のフローティングゾーン法
やフラックス法に比べて生産性がよく現在急速に開発が
進められている。
−７ デー回転角が大きく光アイソレータとして必要なファラ
デー回転角４５°を得るのに数１００７１ ｍの厚みの
結晶でよい。この厚みの結晶は液相エピタキシャル成長
で成長させる事ができ、一枚のウェハから多数のチップ
を得る事ができるためその他のフローティングゾーン法
やフラックス法に比べて生産性がよく現在急速に開発が
進められている。
例えば−例として第８回日本応用磁気学会学術講演概要
集（１９８４年１１月）ノＢａＢ−１及び２の日比谷６
によるものが上げられる。
集（１９８４年１１月）ノＢａＢ−１及び２の日比谷６
によるものが上げられる。
単位長さあたりのファラデー回転角ＯＦはＢｉの量に比
例して増加するので、０．の大きな結晶を得るためには
希土類元素をできるだけ多くのＢｉで置換する事が有利
である。なぜならばθＦを大きくする事により薄いエピ
タキシャル膜でも光アイソレータに必要な４５°のファ
ラデー回転角を得る事ができ、したがって成長時間が短
かくなり、コストの面でも量産的効果が期待できる。
例して増加するので、０．の大きな結晶を得るためには
希土類元素をできるだけ多くのＢｉで置換する事が有利
である。なぜならばθＦを大きくする事により薄いエピ
タキシャル膜でも光アイソレータに必要な４５°のファ
ラデー回転角を得る事ができ、したがって成長時間が短
かくなり、コストの面でも量産的効果が期待できる。
ところで種々の希土類鉄ガーイ・ットの焼結体について
、Ｂｉの置換量に関する実験がＳｉｎａｇａｗａらに１
６６３に報告されている。その結果、格子定数に制限が
ない場合ＧｄがＢｉと最もよく置換することがわかって
いる。したがって液相エピタキシャル成長においても希
土類元素としてＧｄを用いる事によりＢ工を多量に置換
する事ができると考えられる。ところでＢｉ置換型希土
類鉄ガーネットを液相エピタキシャル成長する時には成
長する膜と基板との格子整合を取る必要があり、したが
° って、エピタキシャル膜の格子定数が制限される。
、Ｂｉの置換量に関する実験がＳｉｎａｇａｗａらに１
６６３に報告されている。その結果、格子定数に制限が
ない場合ＧｄがＢｉと最もよく置換することがわかって
いる。したがって液相エピタキシャル成長においても希
土類元素としてＧｄを用いる事によりＢ工を多量に置換
する事ができると考えられる。ところでＢｉ置換型希土
類鉄ガーネットを液相エピタキシャル成長する時には成
長する膜と基板との格子整合を取る必要があり、したが
° って、エピタキシャル膜の格子定数が制限される。
現在Ｂｉ置換型ガーネットのＬＰＥ成長に用いられてい
る基板は、Ｃａ −Ｍｇ −Ｚｒ置換型ＧＧＧ（格子定
数ａ ＝ １２−４９０〜１２．４９９ Ａ程度）又は
ＮｄＧＧ（格子定数ＩＬ ＝ １２．６０４人）が多く
、これ以上格子定数の大きな基板はほとんど作られてい
ない。第２図にＧｄ５−ｘＢｉｘＦｅ５Ｏ１２における
Ｂｉの置換量Ｘと格子定数の関係を示す。基板の格子定
数ａ：１２．４９０〜１２．５Ｏ４八とするとこの格子
定数に一致させてＧｄ５−ｘＢｉｘＦｅ５Ｏ１２を成長
させると、Ｂｉの濃度はＸ−〇、４〜（１７程度である
。Ｘ−０，７以上Ｂｉを多量に置換すると成長する膜の
格子定数が大きくなり最も格子定数の大きなＮｄＧＧ（
格子定数ａ ＝ １２．５Ｏ４人うでも格子整合がとれ
ない。又この条件では数μｍ〜数１０１１ｍの膜厚の結
晶を成長させると結晶全体に割れが発生する。しだがっ
て従来はＦｅを他のイオン半径の小さなイオン、例えば
Ａｌ、Ｇａで置き替えて格子定数を小さくする一方、イ
オン半径の大きなり１の置換量を増す事により、基板と
格子整合をとることが主に行なわれていた。
る基板は、Ｃａ −Ｍｇ −Ｚｒ置換型ＧＧＧ（格子定
数ａ ＝ １２−４９０〜１２．４９９ Ａ程度）又は
ＮｄＧＧ（格子定数ＩＬ ＝ １２．６０４人）が多く
、これ以上格子定数の大きな基板はほとんど作られてい
ない。第２図にＧｄ５−ｘＢｉｘＦｅ５Ｏ１２における
Ｂｉの置換量Ｘと格子定数の関係を示す。基板の格子定
数ａ：１２．４９０〜１２．５Ｏ４八とするとこの格子
定数に一致させてＧｄ５−ｘＢｉｘＦｅ５Ｏ１２を成長
させると、Ｂｉの濃度はＸ−〇、４〜（１７程度である
。Ｘ−０，７以上Ｂｉを多量に置換すると成長する膜の
格子定数が大きくなり最も格子定数の大きなＮｄＧＧ（
格子定数ａ ＝ １２．５Ｏ４人うでも格子整合がとれ
ない。又この条件では数μｍ〜数１０１１ｍの膜厚の結
晶を成長させると結晶全体に割れが発生する。しだがっ
て従来はＦｅを他のイオン半径の小さなイオン、例えば
Ａｌ、Ｇａで置き替えて格子定数を小さくする一方、イ
オン半径の大きなり１の置換量を増す事により、基板と
格子整合をとることが主に行なわれていた。
発明が解決しようとする問題点
Ｇｄ５−ｘＢｉｘＦｅ５Ｏ，２においてＦｅをイオン半
径の小さなＧａ、Ａｌで置換する事により、格子定数を
小さくして基板とエピタキシャル膜の格子整合をとシな
からＢｉを多量に置換する事が可能である。しかしＦｅ
を非磁性元素である ＡｌやＧａで置換するとファラデ
ー回転角の温度変化が大きくなる。例えばＦｅを約２割
Ｇａで置換した（Ｂｉｏ８Ｇｄ２２）Ｆｅ４Ｇａ１０，
２ の室温付近でのファラデー回転角の４５°からの温
度変化は約０．０９°／°Ｃである。光アイソレータ用
として必要な回転角は４５°であるが、回転角の４５°
からのずれはアイソレーション比の劣化の原因となる。
径の小さなＧａ、Ａｌで置換する事により、格子定数を
小さくして基板とエピタキシャル膜の格子整合をとシな
からＢｉを多量に置換する事が可能である。しかしＦｅ
を非磁性元素である ＡｌやＧａで置換するとファラデ
ー回転角の温度変化が大きくなる。例えばＦｅを約２割
Ｇａで置換した（Ｂｉｏ８Ｇｄ２２）Ｆｅ４Ｇａ１０，
２ の室温付近でのファラデー回転角の４５°からの温
度変化は約０．０９°／°Ｃである。光アイソレータ用
として必要な回転角は４５°であるが、回転角の４５°
からのずれはアイソレーション比の劣化の原因となる。
例えば回転角が４５°から１°ずれるとその光アイソレ
ータのアイソレーション比は理想状態（無限大）から３
５ｄＢに低下し実用上問題がある。
ータのアイソレーション比は理想状態（無限大）から３
５ｄＢに低下し実用上問題がある。
本発明はかかる点に鑑み、ファラデー回転角の温度変化
をできうる限り小さくし、かつＢｉの置換量を多くして
大きなファラデー回転角を有する磁気光学結晶を提供す
る事を目的とする。
をできうる限り小さくし、かつＢｉの置換量を多くして
大きなファラデー回転角を有する磁気光学結晶を提供す
る事を目的とする。
問題点を解決するだめの手段
本発明は上記した問題を解決するために、Ｂｉ置換型希
土類鉄ガーネットにおいて、その化学組成が（ＢｉｘＲ
ｅｙＧｅ３．−ｙ） Ｆｅ５Ｏ．□で、ＲｅはＬｕ又は
Ｙｂ又はＬｕとＹｂの両方であシ、０．５≦ｘ≦１．３
であり０．１≦ｙ≦０．７である磁気光学結晶を用いる
事である。
土類鉄ガーネットにおいて、その化学組成が（ＢｉｘＲ
ｅｙＧｅ３．−ｙ） Ｆｅ５Ｏ．□で、ＲｅはＬｕ又は
Ｙｂ又はＬｕとＹｂの両方であシ、０．５≦ｘ≦１．３
であり０．１≦ｙ≦０．７である磁気光学結晶を用いる
事である。
作用
本発明により液相エピタキシャル成長において、Ｂｉを
多量に置換しさらにファラデー回転角の温６、、−７ 度変化を少なくする事が可能である。以下にその理由を
説明する。Ｂｉ置換型希土類鉄ガーネットの鉄元素を非
磁性元素で置換すると、それまで鉄原子間に働いていた
大きな磁気的相互作用のため発生していた鉄の磁化が、
非磁性原子のため磁気的な相互作用が弱められ小さくな
る。この効果はキューリ一点に近づくほど大きくなり、
したがって室温からキューリ一点に向って急速に磁化が
小さくなり、磁化の大きさに依存したファラデー回転角
の太きさも急速に変化する。その結果、鉄元素を非磁性
元素で置換した場合、ファラデー回転角の室温付近での
温度変化も大きくなる。
多量に置換しさらにファラデー回転角の温６、、−７ 度変化を少なくする事が可能である。以下にその理由を
説明する。Ｂｉ置換型希土類鉄ガーネットの鉄元素を非
磁性元素で置換すると、それまで鉄原子間に働いていた
大きな磁気的相互作用のため発生していた鉄の磁化が、
非磁性原子のため磁気的な相互作用が弱められ小さくな
る。この効果はキューリ一点に近づくほど大きくなり、
したがって室温からキューリ一点に向って急速に磁化が
小さくなり、磁化の大きさに依存したファラデー回転角
の太きさも急速に変化する。その結果、鉄元素を非磁性
元素で置換した場合、ファラデー回転角の室温付近での
温度変化も大きくなる。
次に希土類元素（Ｇｄ）を他の希土類元素（Ｌｕ。
Ｙｂ ）に変えても鉄の持つ磁化はほとんど変化しない
。さらにＢｉを置換すると鉄原子どうしの相互作用が強
くなり室温付近での鉄の持つ磁化の温度変化も小さくな
り、またファラデー回転角の温度変化も小さくなる。
。さらにＢｉを置換すると鉄原子どうしの相互作用が強
くなり室温付近での鉄の持つ磁化の温度変化も小さくな
り、またファラデー回転角の温度変化も小さくなる。
次にＧｄの一部をＬｕ又はＹｂで置換する事により液相
エピタキシャル成長の際格子定数を容易７ ・−、゛ に制御でき、かつＢｉを多量に置換できるがその理由を
以下に説明する。
エピタキシャル成長の際格子定数を容易７ ・−、゛ に制御でき、かつＢｉを多量に置換できるがその理由を
以下に説明する。
第３図に種４の希土類鉄ガーネットと格子定数の関係を
示す。（ＢｉｘＧｄ３−ｘ）Ｆｅ５Ｏ，２ではＢｉのイ
オン半径が太きいだめＢｉの置換量Ｘを増加させると基
板の格子定数より成長するエピタキシャル膜の格子定数
が大きくなり過ぎる事、そして格子定数の制限がない場
合Ｂｉを多量に置換し得る希土類元素は（、ｄである事
は従来例の所で説明した通りである。したがって、エピ
タキシャル成長の場合は基板と格子整合をとるため、最
も格子・定数を小さくできるＬｕやＹｂでＧｄを小量置
換する事により、Ｂｉを多量に成長する結晶内に取り込
む事が可能となる。！！たＹｂはＬｕを用いた場合にく
らべ原料のＹｂ２Ｏ３コストがＬｕ２Ｏ３の約１５程度
であるため価格面で有利であるという特色がある。
示す。（ＢｉｘＧｄ３−ｘ）Ｆｅ５Ｏ，２ではＢｉのイ
オン半径が太きいだめＢｉの置換量Ｘを増加させると基
板の格子定数より成長するエピタキシャル膜の格子定数
が大きくなり過ぎる事、そして格子定数の制限がない場
合Ｂｉを多量に置換し得る希土類元素は（、ｄである事
は従来例の所で説明した通りである。したがって、エピ
タキシャル成長の場合は基板と格子整合をとるため、最
も格子・定数を小さくできるＬｕやＹｂでＧｄを小量置
換する事により、Ｂｉを多量に成長する結晶内に取り込
む事が可能となる。！！たＹｂはＬｕを用いた場合にく
らべ原料のＹｂ２Ｏ３コストがＬｕ２Ｏ３の約１５程度
であるため価格面で有利であるという特色がある。
実施例
本発明の第１の実施例としてＰｔ）Ｏ−Ｂ２０３−Ｂｉ
２Ｏ３系融剤より（Ｂ ｉｘ Ｌｕ ｙ Ｇｄ ｓ ｘ
−ｙ ） Ｆｅ５ ｏｌ ２を格子定数ａ＝１２．４９
ＯＡの基板の上に液相エピタキシャル成長した場合につ
いて述べる。第１図は同一融剤より成長温度を変化させ
た時の結晶中のＢｉ、 Ｌｕ、 Ｇｄの濃度の変化
のようすである。
２Ｏ３系融剤より（Ｂ ｉｘ Ｌｕ ｙ Ｇｄ ｓ ｘ
−ｙ ） Ｆｅ５ ｏｌ ２を格子定数ａ＝１２．４９
ＯＡの基板の上に液相エピタキシャル成長した場合につ
いて述べる。第１図は同一融剤より成長温度を変化させ
た時の結晶中のＢｉ、 Ｌｕ、 Ｇｄの濃度の変化
のようすである。
一般に成長温度が変化すると偏析係数が変化するため、
同一の融剤より成長しても成長温度が違えば結晶中の元
素の濃度が変化する。
同一の融剤より成長しても成長温度が違えば結晶中の元
素の濃度が変化する。
しかしＬｕの濃度は成長温度にほとんど依存せず、この
場合は０．５でほぼ一定である。したがって格子定数を
Ｌｕで制御する時Ｌｕに起因する成長温度の違いによる
格子定数の変化がないだめ格子定数の制御が容易となる
。さらにＧｄの濃度が減少し代わってＢｉの濃度が増大
しており、Ｂｉを最大濃度Ｘ＝１．Ｊｊで置換する事が
できた。また成長温度７６２°Ｃで（Ｂｉ４，５ＬｕＣ
Ｌ５５Ｃｒｄ、３〕Ｆｅ５Ｏ，２を成長した。この時、
格子定数は１Ｌ＝１２．４９０人であり基板と不整合々
くエピタキシャル成長する事ができる。さらにこの条件
で２５Ｏμｍの厚膜を成長した結果、この厚みでのファ
ラデー回転角は４５°であり、その温度変化は室温付近
で９ ・・− ０，０６°／Ｃであった。
場合は０．５でほぼ一定である。したがって格子定数を
Ｌｕで制御する時Ｌｕに起因する成長温度の違いによる
格子定数の変化がないだめ格子定数の制御が容易となる
。さらにＧｄの濃度が減少し代わってＢｉの濃度が増大
しており、Ｂｉを最大濃度Ｘ＝１．Ｊｊで置換する事が
できた。また成長温度７６２°Ｃで（Ｂｉ４，５ＬｕＣ
Ｌ５５Ｃｒｄ、３〕Ｆｅ５Ｏ，２を成長した。この時、
格子定数は１Ｌ＝１２．４９０人であり基板と不整合々
くエピタキシャル成長する事ができる。さらにこの条件
で２５Ｏμｍの厚膜を成長した結果、この厚みでのファ
ラデー回転角は４５°であり、その温度変化は室温付近
で９ ・・− ０，０６°／Ｃであった。
本発明の第２の実施例としてＰｂＯ−Ｂ２０３−Ｂｉ２
０５系融液を用い（ＢｉｘＹｂｙＧｄ、ｘ、）Ｆｅ５Ｏ
，２を格子定数１２．４９７人の基板に成長した。成長
温度を８１０°Ｃ〜７６０°Ｃまで変化させても結晶中
のＹｂの濃度はほぼ変化せずｙ＝ｏ、６であった。成長
温度−ｒ 了０ ’Ｃで成長した（Ｂ”ｔＯＹｂＯ，６
ｃＴｄ＋、４）Ｆｅ５Ｏｊ２は格子定数１２．４９７人
となり基板と格子不整合なくエピタキシャル成長する事
ができる。この組成の結晶は厚み３００μｍで光アイソ
レータとして必要なファラデー回転角４６°となり、ま
たその時の室温付近でのファラデー回転角の温度変化は
０．０５８／℃であった。
０５系融液を用い（ＢｉｘＹｂｙＧｄ、ｘ、）Ｆｅ５Ｏ
，２を格子定数１２．４９７人の基板に成長した。成長
温度を８１０°Ｃ〜７６０°Ｃまで変化させても結晶中
のＹｂの濃度はほぼ変化せずｙ＝ｏ、６であった。成長
温度−ｒ 了０ ’Ｃで成長した（Ｂ”ｔＯＹｂＯ，６
ｃＴｄ＋、４）Ｆｅ５Ｏｊ２は格子定数１２．４９７人
となり基板と格子不整合なくエピタキシャル成長する事
ができる。この組成の結晶は厚み３００μｍで光アイソ
レータとして必要なファラデー回転角４６°となり、ま
たその時の室温付近でのファラデー回転角の温度変化は
０．０５８／℃であった。
なお実施例ではＧｄをＬｕ又はＹｂで少量置換した場合
について述べだが、（１，ｄをＬｕとＹｂで同時に置換
してもよい。−！たＢｉの濃度はｘ−１，３を越えて成
長すると１２．４９７人の基板を用いた場合結晶に欠陥
が発生し、結晶性が悪くなる。
について述べだが、（１，ｄをＬｕとＹｂで同時に置換
してもよい。−！たＢｉの濃度はｘ−１，３を越えて成
長すると１２．４９７人の基板を用いた場合結晶に欠陥
が発生し、結晶性が悪くなる。
さらにアイソレータとして十分大きなファラデー回転角
を得るにはＸ＝Ｑ、５以上必要であり、これｏ − より少々いと、単位長さあたりのファラデー回転角が小
さくなり、アイソレータに必要な厚みが厚くカリ、エピ
タキシャル成長で所望の結晶を得る事が困難である。さ
らにＢｉの濃度Ｘ−Ｑ、５〜１．３である場合、基板と
格子整合をとって成長させるためには、Ｌｕ、 又は
Ｙｂ、 又はＬｕとＹｂの両方の濃度が７−０．１〜０
．７であることが必要である。
を得るにはＸ＝Ｑ、５以上必要であり、これｏ − より少々いと、単位長さあたりのファラデー回転角が小
さくなり、アイソレータに必要な厚みが厚くカリ、エピ
タキシャル成長で所望の結晶を得る事が困難である。さ
らにＢｉの濃度Ｘ−Ｑ、５〜１．３である場合、基板と
格子整合をとって成長させるためには、Ｌｕ、 又は
Ｙｂ、 又はＬｕとＹｂの両方の濃度が７−０．１〜０
．７であることが必要である。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、ファラデー回転角
が大きく、かつその温度変化の小さな磁気光学結晶を基
板と格子整合をとシながら液相エピタキシャル成長する
事が可能となり、その実用的効果は大きい。
が大きく、かつその温度変化の小さな磁気光学結晶を基
板と格子整合をとシながら液相エピタキシャル成長する
事が可能となり、その実用的効果は大きい。
第１図は本発明における第一の実施例の結果であり成長
温度と結晶中のＢｉ、 Ｌｕ、 Ｃｒａの濃度の関係
を示す図、第２図は（ＢｉｘＧｄ３−ｘ）Ｆｅ５Ｏ，２
におけるＢｉの置換量と格子定数の関係を示す図、第３
図は各種希土類鉄ガーネットと格子定数を示１１ ・・
−７ す図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 へ長温及 第２図
温度と結晶中のＢｉ、 Ｌｕ、 Ｃｒａの濃度の関係
を示す図、第２図は（ＢｉｘＧｄ３−ｘ）Ｆｅ５Ｏ，２
におけるＢｉの置換量と格子定数の関係を示す図、第３
図は各種希土類鉄ガーネットと格子定数を示１１ ・・
−７ す図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 へ長温及 第２図
Claims (1)
- Ｂｉ置換型希土類鉄ガーネットにおいて、その化学組成
が（Ｂｉ＿ｘ Ｒｅ＿ｙ Ｇｄ＿３＿−＿ｘ＿−＿ｙ）
Ｆｅ＿５ Ｏ＿１＿２でＲｅはＬｕ又はＹｂ又はＬｕと
Ｙｂの両方であり、０．５≦ｘ≦１．３であり、０．１
≦ｙ≦０．７である事を特徴とする磁気光学結晶。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21092586A JPS6369718A (ja) | 1986-09-08 | 1986-09-08 | 磁気光学結晶 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21092586A JPS6369718A (ja) | 1986-09-08 | 1986-09-08 | 磁気光学結晶 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6369718A true JPS6369718A (ja) | 1988-03-29 |
Family
ID=16597345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21092586A Pending JPS6369718A (ja) | 1986-09-08 | 1986-09-08 | 磁気光学結晶 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6369718A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63291028A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ファラデ−素子 |
| US6309557B1 (en) | 1999-03-15 | 2001-10-30 | Tdk Corporation | Magnetic garnet material and faraday rotator using the same |
| JP2012131690A (ja) * | 2010-11-29 | 2012-07-12 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜と光アイソレータ |
-
1986
- 1986-09-08 JP JP21092586A patent/JPS6369718A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63291028A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ファラデ−素子 |
| US6309557B1 (en) | 1999-03-15 | 2001-10-30 | Tdk Corporation | Magnetic garnet material and faraday rotator using the same |
| JP2012131690A (ja) * | 2010-11-29 | 2012-07-12 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜と光アイソレータ |
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