JPS60134404A - 磁気光学材料 - Google Patents
磁気光学材料Info
- Publication number
- JPS60134404A JPS60134404A JP24201483A JP24201483A JPS60134404A JP S60134404 A JPS60134404 A JP S60134404A JP 24201483 A JP24201483 A JP 24201483A JP 24201483 A JP24201483 A JP 24201483A JP S60134404 A JPS60134404 A JP S60134404A
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- Japan
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- garnet
- temperature
- crystal
- substrate
- faraday rotation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、ファラデー回転係数の犬なる磁気光学材料に
係９、特に高感度磁界センサ用磁気光学素子や、集積化
磁気光学素子に好適な磁性ガーネットに関する。
係９、特に高感度磁界センサ用磁気光学素子や、集積化
磁気光学素子に好適な磁性ガーネットに関する。
Ｒ３Ｆｅ５−ｙＡｙ０１２の組成式を持つ磁性ガーネッ
トでＲに描る元素をビスマスで置換すると磁気光学効果
、即ち、ファラデー効果、カー効果、フォークト（コツ
トン・ムートン）効果が著しく大きくなる現象は既知で
ある（特公昭５６−１５１２５）。
トでＲに描る元素をビスマスで置換すると磁気光学効果
、即ち、ファラデー効果、カー効果、フォークト（コツ
トン・ムートン）効果が著しく大きくなる現象は既知で
ある（特公昭５６−１５１２５）。
しかしながら、従来から知られている磁性ガーネットの
結晶形成法、例えば、焼結法、フラックス法、液相成長
法（ＬＰＥ）では、ビスマス置換量が限られていた。こ
のためＲｓ−ｘ ＢｉｘＦｅ５−ｙ Ａｙ（Ｊ １２な
る組成式で、Ｘ＝３近傍までの磁気光学特性の評価を行
なうことは全く不可能であった。
結晶形成法、例えば、焼結法、フラックス法、液相成長
法（ＬＰＥ）では、ビスマス置換量が限られていた。こ
のためＲｓ−ｘ ＢｉｘＦｅ５−ｙ Ａｙ（Ｊ １２な
る組成式で、Ｘ＝３近傍までの磁気光学特性の評価を行
なうことは全く不可能であった。
例えば、焼結法を用いた場合としては、特公昭５６−１
５１２５に、Ｙ ３−ｘＢｉｘＦｅｓ０１２なる組成で
Ｘ＝１．２５を越えるとガーネット以外の第２相が出現
して、ファラデー回転が生じなくなることが示されてい
る。又、Ｙの代シにＱｄを用いた場合でもＸ ） １．
５では第２相が現われ性能指数が低下することも示され
ている。さらに、Ｂｉの固溶限がＸ＝２であることを確
認している。
５１２５に、Ｙ ３−ｘＢｉｘＦｅｓ０１２なる組成で
Ｘ＝１．２５を越えるとガーネット以外の第２相が出現
して、ファラデー回転が生じなくなることが示されてい
る。又、Ｙの代シにＱｄを用いた場合でもＸ ） １．
５では第２相が現われ性能指数が低下することも示され
ている。さらに、Ｂｉの固溶限がＸ＝２であることを確
認している。
他の磁性ガーネットの結晶形成法であるフラックス法及
び液相成長法では、構成元素の酸化物を溶融して結晶成
長を行なうのであるが、Ｂｉ２０ｇを溶融すると７ラツ
クスやメルトの粘度が増加して正常な結晶育成ができな
くなるという問題があった。このため、結晶中のＢｉの
置換量を増加させる方向、即ち、フラックス又はメルト
中のＢ１２Ｏ３を増加させる方向と結晶育成温度を下げ
る方向には限界があった。７シツクス法では、Ｇｄ１．
７５Ｂｉ１．２５ＦｅｓＯｘｚの単結晶が最大であった
（第７回日本応用磁気学会学術講演ｇ要集１）１６３）
。又、液相成長法（ＬＰＥ）（第７回日本応用磁気学会
学術講演概要集ｐ１６６ ）では、Ｂ「置換量Ｘ＝０．
７５が最大であった。そして、どちらの方法でも、焼結
法の置換量程にも達し得ないのである。
び液相成長法では、構成元素の酸化物を溶融して結晶成
長を行なうのであるが、Ｂｉ２０ｇを溶融すると７ラツ
クスやメルトの粘度が増加して正常な結晶育成ができな
くなるという問題があった。このため、結晶中のＢｉの
置換量を増加させる方向、即ち、フラックス又はメルト
中のＢ１２Ｏ３を増加させる方向と結晶育成温度を下げ
る方向には限界があった。７シツクス法では、Ｇｄ１．
７５Ｂｉ１．２５ＦｅｓＯｘｚの単結晶が最大であった
（第７回日本応用磁気学会学術講演ｇ要集１）１６３）
。又、液相成長法（ＬＰＥ）（第７回日本応用磁気学会
学術講演概要集ｐ１６６ ）では、Ｂ「置換量Ｘ＝０．
７５が最大であった。そして、どちらの方法でも、焼結
法の置換量程にも達し得ないのである。
以上のように、Ｒ３−ｘＢｉｘＦｅ５−ｙＡｙ０１２の
組成でＸを２よシ大きく３近傍まで置換することは、従
来の結晶育成法で不可能で、この置換量での磁気光学特
性は全く知られていなかった。
組成でＸを２よシ大きく３近傍まで置換することは、従
来の結晶育成法で不可能で、この置換量での磁気光学特
性は全く知られていなかった。
本発明は、磁気光学効果が非常に大きなビスマス（Ｂ
ｉ ）置換磁性ガーネットを提供することにある。
ｉ ）置換磁性ガーネットを提供することにある。
従来の結晶形成法であるフラックス法や、液相成長法を
用いた場合、成長温度を下げるほどビスマスの置換量を
増大させることができることが知られている。しかし、
７ラツクスやメルトの粘度の点で置換量が限定されてい
た。これに対し、焼結法は、フラックスを使わないため
任意にビスマスの置換量を設定できた。しかし、Ｂｉｚ
ｏａやＦｅ２Ｏ３、その他の酸化物粉法を混合し、８０
０Ｃ以上の高温に露して原子間の結合を切って、ガーネ
ット結晶を形成する必要がおった。このため、高温にな
るため第２の結晶相が出現してガーネット中に含有され
うるＢｉ置換量が限定されていた。
用いた場合、成長温度を下げるほどビスマスの置換量を
増大させることができることが知られている。しかし、
７ラツクスやメルトの粘度の点で置換量が限定されてい
た。これに対し、焼結法は、フラックスを使わないため
任意にビスマスの置換量を設定できた。しかし、Ｂｉｚ
ｏａやＦｅ２Ｏ３、その他の酸化物粉法を混合し、８０
０Ｃ以上の高温に露して原子間の結合を切って、ガーネ
ット結晶を形成する必要がおった。このため、高温にな
るため第２の結晶相が出現してガーネット中に含有され
うるＢｉ置換量が限定されていた。
そこで、ビスマス置換量を任意に設定できる利点と、原
子オーダで元素混合を行なうため、焼軟法のような高温
工程が必要ないという見地に立ってスパッタ法を行なっ
た。その結果、５００Ｃ程度の低温処理により磁性ガー
オ；ットが形成できた。
子オーダで元素混合を行なうため、焼軟法のような高温
工程が必要ないという見地に立ってスパッタ法を行なっ
た。その結果、５００Ｃ程度の低温処理により磁性ガー
オ；ットが形成できた。
そしてビスマスの置換量をＸ＝２〜３近傍までに増大し
た磁性ガーネットを得ることができた。
た磁性ガーネットを得ることができた。
さらに、基板にガドリニウム・ガリウム・ガーネット（
ＧＧＧ）、ネオジウム・ガリウム・ガーネツ） （Ｎｄ
ＧＧ）等のガーネット結晶を用いることで、結晶形成の
核を与えて、さらに結晶化温度領域を低温側に拡張し、
カーネット単結晶を得ることを可能にした。又、石英カ
ラス基板等のガーネット基板以外の任意材料においても
、低温でファラデー効果の大きなビスマス置換多結晶ガ
ーネットを得ることを可能にした。
ＧＧＧ）、ネオジウム・ガリウム・ガーネツ） （Ｎｄ
ＧＧ）等のガーネット結晶を用いることで、結晶形成の
核を与えて、さらに結晶化温度領域を低温側に拡張し、
カーネット単結晶を得ることを可能にした。又、石英カ
ラス基板等のガーネット基板以外の任意材料においても
、低温でファラデー効果の大きなビスマス置換多結晶ガ
ーネットを得ることを可能にした。
本発明にオイテは、一般式几ａ −ｘ Ｈ＋ ｘＦｅｓ
−ｙＡｙ０１２で示される組成を有するもので、Ｒはイ
ツトリウムおよび希土類元素からなる群より選択した少
なくとも１元素、Ａは周知のように鉄と置換する少なく
とも１元素である（例えば特公昭４３−５３４４号公報
、特公昭５６−１５１２５号公報）。本発明は、上記組
成物を基板上に形成した後、５００Ｃ〜基板上に形成す
る方法としては、通常スパッタ法を用いるのがよいが、
その他の真空蒸着法。
−ｙＡｙ０１２で示される組成を有するもので、Ｒはイ
ツトリウムおよび希土類元素からなる群より選択した少
なくとも１元素、Ａは周知のように鉄と置換する少なく
とも１元素である（例えば特公昭４３−５３４４号公報
、特公昭５６−１５１２５号公報）。本発明は、上記組
成物を基板上に形成した後、５００Ｃ〜基板上に形成す
る方法としては、通常スパッタ法を用いるのがよいが、
その他の真空蒸着法。
ＣＶＤ法等の比較的低温で膜形成可能な方法であればよ
い。加熱温度が上記範囲外ではガーネット相以外の相が
現れ、ファラデー回転係数が低下し好ましくない。
い。加熱温度が上記範囲外ではガーネット相以外の相が
現れ、ファラデー回転係数が低下し好ましくない。
上記Ｘ、ｙの値は、０．２５（Ｘ≦２．８．０≦ｙく５
の範囲とすることができるが、特にＸが１．５くｘ≦２
．８の範囲ですぐれた特性を示し、Ｘが２くｘ≦２．８
のものは特性が著しくすぐれているのみでなく、従来は
得られなかったものである。
の範囲とすることができるが、特にＸが１．５くｘ≦２
．８の範囲ですぐれた特性を示し、Ｘが２くｘ≦２．８
のものは特性が著しくすぐれているのみでなく、従来は
得られなかったものである。
し発明の実施例〕
実施例１
Ｙ３−ｘＢｉｘＦｅ４．６Ａｔｏ、４０□２となる組成
を持つターゲットをガドリニウム・ガリウム・ガーネッ
ト基板上、並びに、ネオジウム・ガリウム・ガーネット
基板上にスパッタした後、大気中で２時間アニールした
ときのスパッタ膜のビスマス置換量とガーネット結晶と
なる加熱温度の関係を第１図の斜線で示す。スパッタは
５Ｐａの圧力のＡｒ雰囲気で、周波数１３．５６ Ｍ
Ｈｚ 、電力２００Ｗで、プレーナマグネトロンを用い
て行なった。基板温度は常温としたが、６００Ｃ程度ま
で加熱しても特に影響はなかった。また、加熱時間も２
時間の他、 １〜１０時間の範囲で変 化させても特に影響はない。
を持つターゲットをガドリニウム・ガリウム・ガーネッ
ト基板上、並びに、ネオジウム・ガリウム・ガーネット
基板上にスパッタした後、大気中で２時間アニールした
ときのスパッタ膜のビスマス置換量とガーネット結晶と
なる加熱温度の関係を第１図の斜線で示す。スパッタは
５Ｐａの圧力のＡｒ雰囲気で、周波数１３．５６ Ｍ
Ｈｚ 、電力２００Ｗで、プレーナマグネトロンを用い
て行なった。基板温度は常温としたが、６００Ｃ程度ま
で加熱しても特に影響はなかった。また、加熱時間も２
時間の他、 １〜１０時間の範囲で変 化させても特に影響はない。
Ｘ線回折による分析の結果から、ガーネット結晶は単一
の結晶方位を示し、初期結晶化温度１１より低温の領域
では、アモルファスであった。ガーネット消滅温度１２
よシも高温側では、ガーネット相中にＢ１Ｆｅ０ｏが現
れてガーネット相は消えた。ガーネット以外の相、即ち
、アモルファス、ＢｉＦｅＯ３＋ Ｂｉ２Ｆｅ４０ｅで
はファラデー効果は確認できなかった。８００Ｃのアニ
ールでは、Ｘ≦２．２で常にガーネット相が確認された
。
の結晶方位を示し、初期結晶化温度１１より低温の領域
では、アモルファスであった。ガーネット消滅温度１２
よシも高温側では、ガーネット相中にＢ１Ｆｅ０ｏが現
れてガーネット相は消えた。ガーネット以外の相、即ち
、アモルファス、ＢｉＦｅＯ３＋ Ｂｉ２Ｆｅ４０ｅで
はファラデー効果は確認できなかった。８００Ｃのアニ
ールでは、Ｘ≦２．２で常にガーネット相が確認された
。
次に、ガーネット結晶膜の格子面間隔と加熱温室のｘ
＝２．８ 、２．２．、１．８としたときの関係を第２
図中２１．２２．２３に示す。ビスマス置換量が多い場
合に、初期結晶化温度での格子面間隔は大きく、アニー
ル温度を上昇させると初期結晶の格子面間隔より小さい
所で飽和する傾向がみられた。この初期結晶は、高温で
アニールした膜よシフアラデー回転係数が小さかった。
＝２．８ 、２．２．、１．８としたときの関係を第２
図中２１．２２．２３に示す。ビスマス置換量が多い場
合に、初期結晶化温度での格子面間隔は大きく、アニー
ル温度を上昇させると初期結晶の格子面間隔より小さい
所で飽和する傾向がみられた。この初期結晶は、高温で
アニールした膜よシフアラデー回転係数が小さかった。
大きなファラデー回転係数を得るには、初期結晶温度よ
りも高い温度でアニールした方が良いという傾向を得た
。
りも高い温度でアニールした方が良いという傾向を得た
。
第３図、並び、第４図に波長０．６３２８μｍと波長１
．１５２μｍでのファラデー回転係数とビスマス置換量
の関係を示す。この関係は直線３１．４１で端的に示さ
れるビスマスを含有しないガーネット膜では、ファラデ
ー随転係数は正、で−波長０．６３２８μｍで約１００
０度／センチであった。波長０．６３２８μｍでは、ビ
スマス置換量に比例して負の方向にファラデー回転係数
は増加した。置換量Ｘが２以上においても、線型性が保
たれてＸ ＝ ２．８で−５，９Ｘ１０’（度／センチ
）の値を得た。又、波長１．１５２μｍでのファラデー
回転係数も同様に線型で、Ｘ ＝ ２．５で−５，１Ｘ
１０’度／センチの値を得た。尚、Ｘ＝Ｏの値は測定誤
差内であったので、イツトリウム・鉄・ガーネットのさ
２５０度／センチを用いた。
．１５２μｍでのファラデー回転係数とビスマス置換量
の関係を示す。この関係は直線３１．４１で端的に示さ
れるビスマスを含有しないガーネット膜では、ファラデ
ー随転係数は正、で−波長０．６３２８μｍで約１００
０度／センチであった。波長０．６３２８μｍでは、ビ
スマス置換量に比例して負の方向にファラデー回転係数
は増加した。置換量Ｘが２以上においても、線型性が保
たれてＸ ＝ ２．８で−５，９Ｘ１０’（度／センチ
）の値を得た。又、波長１．１５２μｍでのファラデー
回転係数も同様に線型で、Ｘ ＝ ２．５で−５，１Ｘ
１０’度／センチの値を得た。尚、Ｘ＝Ｏの値は測定誤
差内であったので、イツトリウム・鉄・ガーネットのさ
２５０度／センチを用いた。
実施例２
Ｙ ３−ｘ Ｂ ｉ ｘＦｅ ４６ Ａｔｏ、４０１２
となる組成を持つターゲットを石英ガラス基板上に実施
例−１゛−と同様にスパッタした後、大気中でアニール
したときのスパッタ膜のビスマス置換量とガーネット結
晶となる加熱温度の関係を第５図の斜線で示す。
となる組成を持つターゲットを石英ガラス基板上に実施
例−１゛−と同様にスパッタした後、大気中でアニール
したときのスパッタ膜のビスマス置換量とガーネット結
晶となる加熱温度の関係を第５図の斜線で示す。
Ｘ線回折による分析の結果から、ガーネット結晶は多結
晶相初期結晶化温度５１よシ低温の領域テハ、アモルフ
ァスであった。この多結晶の形成温度は、ガーネット基
板を用いた場合よりも１０〜４０ｐ＾かった。カーネッ
ト消滅温度５２よりも高温側では、カーネット相中にＢ
ｉ２Ｆｅ４０ｏが現れてカーネット相は消えた。ガーネ
ット以外の相、即ち、アモルファス、Ｂ１Ｆｅ０ａ、
Ｂ１Ｆｅ０ｅではファラデー効果は確認できなかった。
晶相初期結晶化温度５１よシ低温の領域テハ、アモルフ
ァスであった。この多結晶の形成温度は、ガーネット基
板を用いた場合よりも１０〜４０ｐ＾かった。カーネッ
ト消滅温度５２よりも高温側では、カーネット相中にＢ
ｉ２Ｆｅ４０ｏが現れてカーネット相は消えた。ガーネ
ット以外の相、即ち、アモルファス、Ｂ１Ｆｅ０ａ、
Ｂ１Ｆｅ０ｅではファラデー効果は確認できなかった。
８００Ｃのアニールでは、Ｘ≦２．２で常にガーネット
相が確認された。
相が確認された。
次に、ガーネット結晶膜の格子面間隔と加熱温度のＸ＝
２．８，２．２，１．８としたときの関係を第６図中６
１．６２．６３に示す。ビスマス置換量が多い場合に、
初期結晶化温度での格子面間隔は大きく、アニール温度
を上昇させると初期結晶の格子面間隔よシ小さい所で飽
和する傾向がみられた。この初期結晶は、高温でアニー
ルした膜よりファラデー回転係数が小さかった。大きな
ファラデー回転係数を得るには、初期結晶温度よりも旨
い温度でアニールした方が良いという傾向を得７ヒ。
２．８，２．２，１．８としたときの関係を第６図中６
１．６２．６３に示す。ビスマス置換量が多い場合に、
初期結晶化温度での格子面間隔は大きく、アニール温度
を上昇させると初期結晶の格子面間隔よシ小さい所で飽
和する傾向がみられた。この初期結晶は、高温でアニー
ルした膜よりファラデー回転係数が小さかった。大きな
ファラデー回転係数を得るには、初期結晶温度よりも旨
い温度でアニールした方が良いという傾向を得７ヒ。
得られた多結晶ノ摸においても、実施例１と同様のファ
ラデー回転能が得られた。
ラデー回転能が得られた。
本発明によれば、例えば５００Ｃ程度の低温でファラデ
ー回転係数がＹＩＧに比べて５０倍大きなビスマス置換
磁気ガーネットが形成できるので、光アイソレータ等の
磁気光学素子の小型化並びに、低温形成による細光素子
との集積化を可能としたり、磁性ガーネットを用いた磁
界センサの感度を著しく良くしたシする効果がある。
ー回転係数がＹＩＧに比べて５０倍大きなビスマス置換
磁気ガーネットが形成できるので、光アイソレータ等の
磁気光学素子の小型化並びに、低温形成による細光素子
との集積化を可能としたり、磁性ガーネットを用いた磁
界センサの感度を著しく良くしたシする効果がある。
第１図はガーネット基板上でＹａ−ｘ Ｂ ｉｘ Ｆｅ
ｚａＡｔｏ４Ｏ１□の組成でガーネット結晶相が得ら
れる温度とビスマス置換量Ｘの関係を示すグラフ、第２
図は上記ガーネット相の格子面間隔と加熱温度の関係を
示すグラフ、第３図は波長０．６３２８μｍでのビスマ
ス置換量Ｘとファラデー回転係数の関係を示すグラフ、
第４図は波長１．１５２μｍでのビスマス置換量Ｘとフ
ァラデー回転係数の関係を示すグラフ、第５図は石英ガ
ラス基板上でＹａ−Ｘ Ｂｉｘ ｌ；”ｅ Ｚ６Ａｔα
４０１２の組成でガーネット結晶相が得られる温度とビ
スマス置換量Ｘの関係を示すグラフ、第６図は上記第５
図におけるガーネットの格子面間隔と加熱温度の関係を
示すグラフである。 １１．５１・・・初期結晶化温度曲線、１２．５２・・
・ガーネット相消滅温度曲線、２１．６１・・・ｘ−−
２，８の格子面間隔曲線、２２．６２・・・Ｘ＝２．２
の格子面間隔曲線、２３．６３・・・Ｘ ＝ １．８の
格子面間隔曲線、３１．４１・・・ビスマス置換量Ｘと
ファラデー回転係数の関係を示す直線。 算 １ い ４００ に’６０ ６ＩＯ７００１００ｊ！Ｄ熱唱−焚
じり 第２図 ｆｉＤ 熱扁−攬（′り 第３図 ′＄４ｔｂ σ ３ ビ尺マス置捜髪Ｌ
ｚａＡｔｏ４Ｏ１□の組成でガーネット結晶相が得ら
れる温度とビスマス置換量Ｘの関係を示すグラフ、第２
図は上記ガーネット相の格子面間隔と加熱温度の関係を
示すグラフ、第３図は波長０．６３２８μｍでのビスマ
ス置換量Ｘとファラデー回転係数の関係を示すグラフ、
第４図は波長１．１５２μｍでのビスマス置換量Ｘとフ
ァラデー回転係数の関係を示すグラフ、第５図は石英ガ
ラス基板上でＹａ−Ｘ Ｂｉｘ ｌ；”ｅ Ｚ６Ａｔα
４０１２の組成でガーネット結晶相が得られる温度とビ
スマス置換量Ｘの関係を示すグラフ、第６図は上記第５
図におけるガーネットの格子面間隔と加熱温度の関係を
示すグラフである。 １１．５１・・・初期結晶化温度曲線、１２．５２・・
・ガーネット相消滅温度曲線、２１．６１・・・ｘ−−
２，８の格子面間隔曲線、２２．６２・・・Ｘ＝２．２
の格子面間隔曲線、２３．６３・・・Ｘ ＝ １．８の
格子面間隔曲線、３１．４１・・・ビスマス置換量Ｘと
ファラデー回転係数の関係を示す直線。 算 １ い ４００ に’６０ ６ＩＯ７００１００ｊ！Ｄ熱唱−焚
じり 第２図 ｆｉＤ 熱扁−攬（′り 第３図 ′＄４ｔｂ σ ３ ビ尺マス置捜髪Ｌ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｒをイツトリウムおよび希土類元素からなる群よシ
選択した少なくとも１元素、Ａを鉄と置換する少なくと
も１元素とするとき、一般式几ｓ−ｘ ＢｉｘＦｅ、−
、Ａ、０１２で示される組成を有し、且つＸおよびｙの
値が０．２５（Ｘ≦２．８・。 ０≦ｙ＜５なる範囲にある、イツトリウムおよび希土類
鉄ガーネットおよびその誘導体を主体とし、基板上に形
成された後に５００Ｕ〜８００Ｃにて加熱されてなるこ
とを特徴とする磁気光学材料。 ２、上記Ｘの値が１．５ （Ｘ≦２．８なる範囲にある
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気光学
材料。 ３、上記Ｘの値が２ （ｘ≦２．８なる範囲にあること
を特徴とする特許請求の範囲第２項記載の磁気光学材料
。 ４゜ガドリニウム・ガリウム・ガーネットもしくはネオ
ジウム・ガリウム・ガーネットからなる基板上に形成さ
れてなることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第
３項のいずれかの項に記載の磁気光学材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24201483A JPS60134404A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | 磁気光学材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24201483A JPS60134404A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | 磁気光学材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60134404A true JPS60134404A (ja) | 1985-07-17 |
Family
ID=17082977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24201483A Pending JPS60134404A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | 磁気光学材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60134404A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60185237A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-20 | Fujitsu Ltd | 光熱磁気記録媒体 |
| JPS62119759A (ja) * | 1985-11-19 | 1987-06-01 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 磁気光学材料 |
| JPS6398855A (ja) * | 1986-10-14 | 1988-04-30 | Fujitsu Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPH0381724A (ja) * | 1989-08-25 | 1991-04-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 磁気光学素子の製造方法 |
| US5146361A (en) * | 1989-07-14 | 1992-09-08 | At&T Bell Laboratories | Apparatus comprising a magneto-optic isolator utilizing a garnet layer |
| US5198923A (en) * | 1991-01-17 | 1993-03-30 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Optical isolator |
| US5640516A (en) * | 1991-04-02 | 1997-06-17 | Tdk Corporation | Faraday rotator |
-
1983
- 1983-12-23 JP JP24201483A patent/JPS60134404A/ja active Pending
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|---|---|---|---|---|
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