JPH04118623A - 磁気光学材料、その製造法およびそれを用いた光素子 - Google Patents
磁気光学材料、その製造法およびそれを用いた光素子Info
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- JPH04118623A JPH04118623A JP26457190A JP26457190A JPH04118623A JP H04118623 A JPH04118623 A JP H04118623A JP 26457190 A JP26457190 A JP 26457190A JP 26457190 A JP26457190 A JP 26457190A JP H04118623 A JPH04118623 A JP H04118623A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/09—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on magneto-optical elements, e.g. exhibiting Faraday effect
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、波長特性が極めて良好な磁気光学材料、その
製造法およびそれを用いた光アイソレータ、光サーキュ
レータ、磁界センサ、光スィッチ等の光素子に関する。
製造法およびそれを用いた光アイソレータ、光サーキュ
レータ、磁界センサ、光スィッチ等の光素子に関する。
〔従来の技術］
光通信においては１． ３μｍ帯および１．５５μｍ帯
の長波長用の光アイソレータ等の光素子には、フラック
ス法やフローティングゾーン法によって製造されたファ
ラデー効果の大きいビスマス置換ガドリニウム鉄ガーネ
ット（Ｇｄ３−ＸＢｉＸＦ ｅｓ ｏ＋ｇ ；以下、Ｇ
ｄＢ１１Ｇと記載する。）やイツトリウム鉄ガーネット
（以下、ＹＩＧと記載する。）単結晶を用いたファラデ
ー回転子が使用されている。
の長波長用の光アイソレータ等の光素子には、フラック
ス法やフローティングゾーン法によって製造されたファ
ラデー効果の大きいビスマス置換ガドリニウム鉄ガーネ
ット（Ｇｄ３−ＸＢｉＸＦ ｅｓ ｏ＋ｇ ；以下、Ｇ
ｄＢ１１Ｇと記載する。）やイツトリウム鉄ガーネット
（以下、ＹＩＧと記載する。）単結晶を用いたファラデ
ー回転子が使用されている。
しかしながら、ＧｄＢ１１ＧやＹＩＧはファラデー回転
係数の波長変化が大きいために、光源の波長が変わると
光アイソレータ等の光素子の特性が劣化したり、あるい
は使用できないという欠点があった。
係数の波長変化が大きいために、光源の波長が変わると
光アイソレータ等の光素子の特性が劣化したり、あるい
は使用できないという欠点があった。
したがって、光源の波長が変化しても特性の劣化の少な
い光素子の開発が望まれている。
い光素子の開発が望まれている。
本発明者等は、光通信に使用する波長においてファラデ
ー回転係数の波長変化が少ない磁気光学材料を開発する
ことおよび広い波長帯域で特性の良好な光アイソレータ
等の光素子を開発することを目的として、種々の希土類
鉄ガーネットを育成してその磁気光学効果の測定を行っ
た結果、ビスマスおよびガリウムで置換したテルビウム
鉄ガーネット（Ｔ ｂ３Ｆ ｅｓ Ｏ＋ｚ ：以下、Ｔ
ｂ１Ｇと記載する。）およびそれを用いた光素子によっ
て上記の目的が達成できることを見出し、本発明に到達
した。
ー回転係数の波長変化が少ない磁気光学材料を開発する
ことおよび広い波長帯域で特性の良好な光アイソレータ
等の光素子を開発することを目的として、種々の希土類
鉄ガーネットを育成してその磁気光学効果の測定を行っ
た結果、ビスマスおよびガリウムで置換したテルビウム
鉄ガーネット（Ｔ ｂ３Ｆ ｅｓ Ｏ＋ｚ ：以下、Ｔ
ｂ１Ｇと記載する。）およびそれを用いた光素子によっ
て上記の目的が達成できることを見出し、本発明に到達
した。
即ち、本発明の要旨は、主成分組成が、Ｔ ｂ３−Ｘ
Ｂ ｉＸ Ｆ ｅｓ−、Ｇ ａ、 ｏ１２（式中、Ｘは
０．２２≦Ｘ≦０．８であり、ｙは０＜ｙ＜０．１であ
る。） であることを特徴とする磁気光学材料、その製造法およ
びそれを用いた光素子に存する。
Ｂ ｉＸ Ｆ ｅｓ−、Ｇ ａ、 ｏ１２（式中、Ｘは
０．２２≦Ｘ≦０．８であり、ｙは０＜ｙ＜０．１であ
る。） であることを特徴とする磁気光学材料、その製造法およ
びそれを用いた光素子に存する。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明においては、ファラデー回転係数の波長変化率を
ＦＷＣと略記した。また、１．５５μｍの波長における
ＦＷＣは、半導体レーザーの通常の使用条件下における
波長変化が０．０２μｍ以下であることを考慮して下記
式で定義した。式中、θＦ １．５５及びθＦ １．Ｂ
７は、それぞれ１．５５μｍ及び１．５７μｍにおける
ファラデー回転係数である。
ＦＷＣと略記した。また、１．５５μｍの波長における
ＦＷＣは、半導体レーザーの通常の使用条件下における
波長変化が０．０２μｍ以下であることを考慮して下記
式で定義した。式中、θＦ １．５５及びθＦ １．Ｂ
７は、それぞれ１．５５μｍ及び１．５７μｍにおける
ファラデー回転係数である。
ＦＷＣ＝１ （θ Ｆ １．５５− θ Ｆ 真
、、）／ θ Ｆ １．５５×１００ 本発明の磁気光学材料は、主成分組成が、ＴＥ０１−ｘ
Ｂ ｉＸＦ ｅｓ−ｙ Ｇａｙ ０１２で表されるビ
スマスおよびガリウム置換Ｔｂ ＩＧである。
、、）／ θ Ｆ １．５５×１００ 本発明の磁気光学材料は、主成分組成が、ＴＥ０１−ｘ
Ｂ ｉＸＦ ｅｓ−ｙ Ｇａｙ ０１２で表されるビ
スマスおよびガリウム置換Ｔｂ ＩＧである。
ビスマス置換量は、１分子当り０．２２以上０．８以下
の範囲である。また、ガリウム置換量は、１分子当り０
．１未満の範囲である。
の範囲である。また、ガリウム置換量は、１分子当り０
．１未満の範囲である。
本発明のビスマスおよびガリウム置換Ｔｂ１Ｃ。
は、単結晶をフラックス法、液相エピタキシャル法、ブ
リッジマン法、チョクラルスキー法等によって育成する
ことができる。また、焼結法により多結晶体として製造
することもできる。特に、単結晶をフラックス法および
液相エピタキシャル法によって育成するのが好ましい。
リッジマン法、チョクラルスキー法等によって育成する
ことができる。また、焼結法により多結晶体として製造
することもできる。特に、単結晶をフラックス法および
液相エピタキシャル法によって育成するのが好ましい。
フラックス法の場合は、酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化ホウ素
（Ｂ２０５）、フッ化鉛（ＰｂＦ、）、酸化ビスマス（
Ｂ１２Ｏ３）、フッ化カリウム（ＫＦ）等の融剤（フラ
ックス）に結晶原料を溶解し、高温で飽和溶液を作り、
この溶液を徐冷することによって単結晶を析出、育成さ
せる。
（Ｂ２０５）、フッ化鉛（ＰｂＦ、）、酸化ビスマス（
Ｂ１２Ｏ３）、フッ化カリウム（ＫＦ）等の融剤（フラ
ックス）に結晶原料を溶解し、高温で飽和溶液を作り、
この溶液を徐冷することによって単結晶を析出、育成さ
せる。
液相エピタキシャル法の場合は、Ｇｄ、Ｇａ。
０゜、（Ｃ； ｄ Ｃａ）＋ （ｃ ａ Ｍ ｇ Ｚ
ｒ）ｓｏ＋ｚ、Ｓｍ３Ｇａｓ ０，２等の非磁性ガーネ
ット基板に、フラックス法の場合と同様に調製した飽和
溶液を接触させることによって基板上に単結晶膜をエピ
タキシャル成長させる。この場合、基板と単結晶膜の格
子定数の差が大きいと単結晶膜にクラックが発生するた
め、成長させる単結晶膜の格子定数に合致した基板を選
択する必要がある。
ｒ）ｓｏ＋ｚ、Ｓｍ３Ｇａｓ ０，２等の非磁性ガーネ
ット基板に、フラックス法の場合と同様に調製した飽和
溶液を接触させることによって基板上に単結晶膜をエピ
タキシャル成長させる。この場合、基板と単結晶膜の格
子定数の差が大きいと単結晶膜にクラックが発生するた
め、成長させる単結晶膜の格子定数に合致した基板を選
択する必要がある。
このようにして得られたビスマスおよびガリウム置換Ｔ
ｂ１Ｇを用いると、光源の波長が変化しても特性の劣化
が少なく、広い波長帯域で特性が良好な光素子を製造す
ることができる。
ｂ１Ｇを用いると、光源の波長が変化しても特性の劣化
が少なく、広い波長帯域で特性が良好な光素子を製造す
ることができる。
このような光素子としては、光アイソレータ、光サーキ
ュレータ、光スィッチ及び磁界センサを挙げることがで
きる。
ュレータ、光スィッチ及び磁界センサを挙げることがで
きる。
以下、実施例により本発明の詳細な説明するが、本発明
はその要旨を越えない限り実施例により限定されるもの
ではない。
はその要旨を越えない限り実施例により限定されるもの
ではない。
参考例
Ｙ３ Ｆ ｅｓ Ｏ＋ｚの組成を有する単結晶を（ＹＩ
Ｇ）フラックス法により育成した。
Ｇ）フラックス法により育成した。
得られた単結晶の波長１．５５μｍにおけるフアラデー
回転係数は１７６ ｄ ｅ ｇ／ｃｍ、 ＦＷＣ↓よ１
．９％であった。
回転係数は１７６ ｄ ｅ ｇ／ｃｍ、 ＦＷＣ↓よ１
．９％であった。
実施例Ｉ
Ｔ Ｊ、ｔｚＢ ｉ ｏ、ｚｅＦ ｅ ４．１１４Ｇ
ａ Ｏ，０６０１２の組成を有する単結晶をフラックス
法により育成した。
ａ Ｏ，０６０１２の組成を有する単結晶をフラックス
法により育成した。
得られた単結晶の波長１．５５μｍにおけるファラデー
回転係数は−２５６ｄ ｅ ｇ／ｃｍ、 ＦＷＣは０．
５％であり、ＹＩＧのＦＷＣの約１／４であった。
回転係数は−２５６ｄ ｅ ｇ／ｃｍ、 ＦＷＣは０．
５％であり、ＹＩＧのＦＷＣの約１／４であった。
実施例２
Ｔ ｂｚ、ｓａＢ １ｏ、４４Ｆ ｅａ、ｑｓＧａｏ、
ｏｓｏ＋ｚの組成を有する単結晶をフラックス法により
育成した。
ｏｓｏ＋ｚの組成を有する単結晶をフラックス法により
育成した。
得られた単結晶の波長１，５５μｍにおけるファラデー
回転係数は−４２６ｄ ｅ ｇ／ｃｍ、 ＦＷＣは１．
８％であった。
回転係数は−４２６ｄ ｅ ｇ／ｃｍ、 ＦＷＣは１．
８％であった。
実施例３
Ｔ ｂｚ、ｚｓＢ ｉ ｏ、ｔｓＦ ｅａ、ｑａＧ ａ
０．０６０１２の組成を有する単結晶をフラックス法
により育成した。
０．０６０１２の組成を有する単結晶をフラックス法
により育成した。
得られた単結晶の波長１．５５μｍにおけるファラデー
回転係数は一９００ｄｅｇ／ｃｍ、ＦＷＣは１．８％で
あった。
回転係数は一９００ｄｅｇ／ｃｍ、ＦＷＣは１．８％で
あった。
実施例４
５ｍ３Ｇａｓ ０１２単結晶基板上に、Ｐｂ０ＢｉｚＣ
ｈ系融剤からＴ ｂｚ、７７Ｂ ｉｏ、ｚ＋Ｆ ｅａ、
ｑａＧ ａ 、、。、０１２の組成を有する単結晶膜を
液相エピタキシャル法により育成した。
ｈ系融剤からＴ ｂｚ、７７Ｂ ｉｏ、ｚ＋Ｆ ｅａ、
ｑａＧ ａ 、、。、０１２の組成を有する単結晶膜を
液相エピタキシャル法により育成した。
得られた単結晶膜の波長１．５５μｍにおけるファラデ
ー回転係数は一２２０ｄｅｇ／ｃｍ、ＦＷＣは０．４％
であり、ＹＩＧのＦＷＣの約１７４であった。
ー回転係数は一２２０ｄｅｇ／ｃｍ、ＦＷＣは０．４％
であり、ＹＩＧのＦＷＣの約１７４であった。
実施例５
５ｍ３Ｇａ、ＯＩ□単結晶基板上に、Ｐｂ０ＢｉｚＯｚ
系融剤からＴ ｂｚ、６ｓＢ ｉｏ、＋ｓＦ ｅａ、ｑ
ｑＧ ａ 、、。３０．２の組成を有する単結晶膜を液
相エピタキシャル法により育成した。
系融剤からＴ ｂｚ、６ｓＢ ｉｏ、＋ｓＦ ｅａ、ｑ
ｑＧ ａ 、、。３０．２の組成を有する単結晶膜を液
相エピタキシャル法により育成した。
得られた単結晶膜の波長１．５５μｍにおけるファラデ
ー回転係数は一３５０ｄｅｇ／ｃｍ、ＦＷＣは０．３％
であった。
ー回転係数は一３５０ｄｅｇ／ｃｍ、ＦＷＣは０．３％
であった。
実施例６
５ｍ３ Ｇａｓ ｏ１２単結晶基板上に、ＰｂＯＢｉ２
Ｏ３系融剤からＴｂｚ、ｓｓＢ ！ｏ１ｓＦ ｅａ、ｑ
３Ｇ ａ 、、。、０□の組成を有する単結晶膜を液相
エピタキシャル法により育成した。
Ｏ３系融剤からＴｂｚ、ｓｓＢ ！ｏ１ｓＦ ｅａ、ｑ
３Ｇ ａ 、、。、０□の組成を有する単結晶膜を液相
エピタキシャル法により育成した。
得られた単結晶膜の波長１．５５μｍにおけるファラデ
ー回転係数は一４０５ｄｅｇ／ｃｍ、ＦＷＣは１．５％
であった。
ー回転係数は一４０５ｄｅｇ／ｃｍ、ＦＷＣは１．５％
であった。
比較例Ｉ
Ｔ ｂ３Ｆ ｅｓ ０１！の組成を有する単結晶（Ｔｂ
■Ｇ）をフラックス法により育成した。
■Ｇ）をフラックス法により育成した。
得られた単結晶の波長１．５５μｍにおけるファラデー
回転係数は１８９ ｄ ｅ ｇ／ｃｍ、 ＦＷＣは８．
７％であった。
回転係数は１８９ ｄ ｅ ｇ／ｃｍ、 ＦＷＣは８．
７％であった。
比較例２
Ｔｂｚ、＋ｓＢ ｉｏ、６ｓＦ ｅ、、ｓＯ，ｚの組成
を有する単結晶をフラックス法により育成した。
を有する単結晶をフラックス法により育成した。
得られた単結晶の波長１．５５μｍにおけるファラデー
回転係数は一７５３ｄｅｇ／ｃｍ、、ＦＷＣは２．３％
であり、ＹＩＧのＦＷＣより大きかった。
回転係数は一７５３ｄｅｇ／ｃｍ、、ＦＷＣは２．３％
であり、ＹＩＧのＦＷＣより大きかった。
比較例３
ＴＪ、４ Ｂ ｉｏ、ａ Ｆ ｅｎ、ｔ Ｇａｏ、＋
Ｏｒｚの組成を有する単結晶をフラックス法により育成
した。
Ｏｒｚの組成を有する単結晶をフラックス法により育成
した。
得られた単結晶の波長１．５５μｍにおけるファラデー
回転係数は−５０７ｄ ｅ ｇ／ｃｍ、 ＦＷＣは２．
０％であり、ＹＩＧのＦＷＣより大きかった。
回転係数は−５０７ｄ ｅ ｇ／ｃｍ、 ＦＷＣは２．
０％であり、ＹＩＧのＦＷＣより大きかった。
比較例４
（ＧｄＣａ）＋ （ＧａＭｇＺｒ）ｓｏ＋ｚ単結晶基板
上に、Ｔ ｂｚ、ｏｏＢ ｉ １．０（ＩＦ ｅｓ Ｏ
ｒｚの組成を有する単結晶膜を液相エピタキシャル法に
より育成した。
上に、Ｔ ｂｚ、ｏｏＢ ｉ １．０（ＩＦ ｅｓ Ｏ
ｒｚの組成を有する単結晶膜を液相エピタキシャル法に
より育成した。
得られた単結晶膜の波長１．５５μｍにおけるファラデ
ー回転係数は−１２３０ｄ ｅ ｇ ／ ｃ ｍ、ＦＷ
Ｃは２．１％であり、ＹＩＧのＦＷＣより大きかった。
ー回転係数は−１２３０ｄ ｅ ｇ ／ ｃ ｍ、ＦＷ
Ｃは２．１％であり、ＹＩＧのＦＷＣより大きかった。
比較例５
５ｍ３Ｇａｓ Ｏ＋ｚ単結晶基板上に、ＰｂＯ−Ｂｉ２
Ｏ，系融剤からＧｄｚ、ｓｓＢ ｉｏ、４ｓＦ ｅａ、
ｑｓＧ ａ Ｏ＋。、Ｏ１２の組成を有する単結晶膜を
液相エピタキシセル法により育成した。
Ｏ，系融剤からＧｄｚ、ｓｓＢ ｉｏ、４ｓＦ ｅａ、
ｑｓＧ ａ Ｏ＋。、Ｏ１２の組成を有する単結晶膜を
液相エピタキシセル法により育成した。
得られた単結晶膜の波長１．５５μｍにおけるファラデ
ー回転係数は一５２０ｄｅｇ／ｃｍ、ＦＷＣは３．２％
であり、ＹＩＧのＦＷＣより大きかった。
ー回転係数は一５２０ｄｅｇ／ｃｍ、ＦＷＣは３．２％
であり、ＹＩＧのＦＷＣより大きかった。
実施例７〜８
実施例１および実施例２で得られた磁気光学材料を用い
て波長１．５５μｍ用光アイソレータのファラデー回転
子を製造し、その基本特性を測定した結果、どちらも挿
入損失は０．１ｄＢ以下、消光能率は３７ｄＢ以上であ
り、非常に高性能であった。
て波長１．５５μｍ用光アイソレータのファラデー回転
子を製造し、その基本特性を測定した結果、どちらも挿
入損失は０．１ｄＢ以下、消光能率は３７ｄＢ以上であ
り、非常に高性能であった。
実施例９
実施例４で得られた磁気光学材料を用いて波長１．５５
μｍ用光アイソレータのファラデー回転子を製造し、そ
の基本特性を測定した結果、挿入損失は０．５ｄＢ、消
光比は３６ｄＢであった。
μｍ用光アイソレータのファラデー回転子を製造し、そ
の基本特性を測定した結果、挿入損失は０．５ｄＢ、消
光比は３６ｄＢであった。
このファラデー回転子と偏光子および永久磁石を用いて
外形寸法直径５１ｎＩ１１×高さ５［ＩＩ［Ｉｌの光ア
イソレータを作製した。得られた光アイソレータは、波
長１．５μｍ−１，６μｍの範囲で挿入損失は０．８ｄ
Ｂ以下、アイソレーションは３７ｄＢ以゛上であり、非
常に高性能であった。
外形寸法直径５１ｎＩ１１×高さ５［ＩＩ［Ｉｌの光ア
イソレータを作製した。得られた光アイソレータは、波
長１．５μｍ−１，６μｍの範囲で挿入損失は０．８ｄ
Ｂ以下、アイソレーションは３７ｄＢ以゛上であり、非
常に高性能であった。
実施例１０
ファラデー回転係数の波長変化率が小さくなる原因を調
べるために、実施例１で作製した磁気光学素子について
２μｍの波長まで磁気光学特性の測定を行った。
べるために、実施例１で作製した磁気光学素子について
２μｍの波長まで磁気光学特性の測定を行った。
その結果、Ｔｂイオンの基底状態７Ｆ６から励起状態７
Ｆ０と７Ｆ１への遷移に起因するファラデー効果（１，
７４μｍ、−１，８２μｍおよび１．８４μｍの波長に
ピークがある。）が測定された。１．７４μｍより短波
長側ではθ、は負であり、これが短波長から長波長へ延
びてきたＢｉの寄与による負のファラデー効果に重畳さ
れていることが判明した。
Ｆ０と７Ｆ１への遷移に起因するファラデー効果（１，
７４μｍ、−１，８２μｍおよび１．８４μｍの波長に
ピークがある。）が測定された。１．７４μｍより短波
長側ではθ、は負であり、これが短波長から長波長へ延
びてきたＢｉの寄与による負のファラデー効果に重畳さ
れていることが判明した。
本発明によれば、波長１．５５μｍ帯という光通信に使
用する実用的な波長においてファラデー回転係数の波長
変化が非常に小さい磁気光学素子が得られるため、半導
体レーザー等の光源の発振波長が変化しても性能の劣化
が小さい光アイソレータ、光スィッチ、光サーキュレー
タ、磁界センサー等の光素子を製造することができ、工
業上非常に有用である。
用する実用的な波長においてファラデー回転係数の波長
変化が非常に小さい磁気光学素子が得られるため、半導
体レーザー等の光源の発振波長が変化しても性能の劣化
が小さい光アイソレータ、光スィッチ、光サーキュレー
タ、磁界センサー等の光素子を製造することができ、工
業上非常に有用である。
Claims (4)
- （１）主成分組成が、 Ｔｂ＿３＿−＿ｘＢｉ＿ｘＦｅ＿５＿−＿ｙＧａ＿ｙＯ
＿１＿２（式中、ｘは０．２２≦ｘ≦０．８であり、ｙ
は０＜ｙ＜０．１である。） であることを特徴とする磁気光学材料。 - （２）主成分組成が、 Ｔｂ＿３＿−＿ｘＢｉ＿ｘＦｅ＿５＿−＿ｙＧａ＿ｙＯ
＿１＿２（式中、ｘは０．２２≦Ｘ≦０．８であり、ｙ
は０＜ｙ＜０．１である。） である単結晶をフラックス法で製造することを特徴とす
る磁気光学材料の製造法。 - （３）主成分組成が、 Ｔｂ＿３＿−＿ｘＢｉ＿ｘＦｅ＿５＿−＿ｙＧａ＿ｙＯ
＿１＿２（式中、ｘは０．２２≦Ｘ≦０．８であり、ｙ
は０＜ｙ＜０．１である。） である単結晶膜を液相エピタキシャル法で製造すること
を特徴とする磁気光学材料の製造法。 - （４）特許請求の範囲第１項記載の磁気光学材料を用い
ることを特徴とする光素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13238590 | 1990-05-22 | ||
| JP2-132385 | 1990-05-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04118623A true JPH04118623A (ja) | 1992-04-20 |
| JP2874320B2 JP2874320B2 (ja) | 1999-03-24 |
Family
ID=15080153
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2264571A Expired - Fee Related JP2874320B2 (ja) | 1990-05-22 | 1990-10-02 | 磁気光学材料、その製造法およびそれを用いた光素子 |
| JP2264570A Expired - Fee Related JP2874319B2 (ja) | 1990-05-22 | 1990-10-02 | 磁気光学材料、その製造法およびそれを用いた光素子 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2264570A Expired - Fee Related JP2874319B2 (ja) | 1990-05-22 | 1990-10-02 | 磁気光学材料、その製造法およびそれを用いた光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JP2874320B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5965287A (en) * | 1996-10-29 | 1999-10-12 | Fdk Corporation | Magneto-optical element material and Faraday element using the same |
| US7427577B2 (en) * | 2006-04-06 | 2008-09-23 | Nanocerox Inc | Sintered polycrystalline terbium aluminum garnet and use thereof in magneto-optical devices |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1975682A4 (en) | 2006-01-19 | 2012-04-18 | Mitsumi Electric Co Ltd | BROADBAND OPTICAL ISOLATOR OF WAVE-GUARD TYPE |
-
1990
- 1990-10-02 JP JP2264571A patent/JP2874320B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1990-10-02 JP JP2264570A patent/JP2874319B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5965287A (en) * | 1996-10-29 | 1999-10-12 | Fdk Corporation | Magneto-optical element material and Faraday element using the same |
| US7427577B2 (en) * | 2006-04-06 | 2008-09-23 | Nanocerox Inc | Sintered polycrystalline terbium aluminum garnet and use thereof in magneto-optical devices |
| US7592281B2 (en) | 2006-04-06 | 2009-09-22 | Nanocerox, Inc. | Sintered polycrystalline terbium aluminum garnet and use thereof in magneto-optical devices |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2874320B2 (ja) | 1999-03-24 |
| JPH05134221A (ja) | 1993-05-28 |
| JP2874319B2 (ja) | 1999-03-24 |
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|---|---|---|---|
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