JPH09185027A - 低磁気モーメントを有する磁気光学材からなる製品 - Google Patents
低磁気モーメントを有する磁気光学材からなる製品Info
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- JPH09185027A JPH09185027A JP8176107A JP17610796A JPH09185027A JP H09185027 A JPH09185027 A JP H09185027A JP 8176107 A JP8176107 A JP 8176107A JP 17610796 A JP17610796 A JP 17610796A JP H09185027 A JPH09185027 A JP H09185027A
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- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
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- H01F10/245—Modifications for enhancing interaction with electromagnetic wave energy
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/0036—Magneto-optical materials
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 低磁気モーメントを有する磁気光学材からな
る製品を提供する。 【解決手段】 特定の実施例によるガーネット材は、予
め定めた動作範囲（例えば、−４０℃から＋８０℃）内
で、｜Ｈｓ｜＞｜４πＭｓ｜Ｏｅおよび｜４πＭｓ｜＜
１００Ｇの実質的に四角い磁化ループを示す。この場
合、Ｈｓはループの切替え磁場であり、４πＭｓは飽和
磁化である。上記の材料は、改善されたラッチング行動
を示す。本発明の他の実施例の場合には、ガーネット材
の組成は、上記の材料が少なくとも室温においてはしっ
かりとしたラッチング行動（｜Ｈｓ｜≧５００Ｏｅ）を
示すように選ばれる。本発明のガーネット材は、磁気光
学アイソレータおよび他の磁気光学装置内で有利に使用
することができる。例えば、この材料を使用すれば、バ
イアス磁石を含んでいないアイソレータをつくることが
できる。
る製品を提供する。 【解決手段】 特定の実施例によるガーネット材は、予
め定めた動作範囲（例えば、−４０℃から＋８０℃）内
で、｜Ｈｓ｜＞｜４πＭｓ｜Ｏｅおよび｜４πＭｓ｜＜
１００Ｇの実質的に四角い磁化ループを示す。この場
合、Ｈｓはループの切替え磁場であり、４πＭｓは飽和
磁化である。上記の材料は、改善されたラッチング行動
を示す。本発明の他の実施例の場合には、ガーネット材
の組成は、上記の材料が少なくとも室温においてはしっ
かりとしたラッチング行動（｜Ｈｓ｜≧５００Ｏｅ）を
示すように選ばれる。本発明のガーネット材は、磁気光
学アイソレータおよび他の磁気光学装置内で有利に使用
することができる。例えば、この材料を使用すれば、バ
イアス磁石を含んでいないアイソレータをつくることが
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、低磁気モーメント
を有する磁気光学材および上記の磁気光学材を使用する
装置および製品（例えば、光アイソレータを含む光ファ
イバ通信システム）に関する。
を有する磁気光学材および上記の磁気光学材を使用する
装置および製品（例えば、光アイソレータを含む光ファ
イバ通信システム）に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気光学材内のファラデー効果を、アイ
ソレータ、すなわち、一方向だけに光が通過することが
できる装置として動作することができる非可逆装置を提
供するために使用することができることは周知である。
周知の磁気光学材としては、（Ｂｉx Ｔｂ1-x ）3 （Ｆ
ｅy Ｇａ1-y ）5 Ｏ12のような二重置換希土類鉄ガーネ
ットがある。磁気光学アイソレータについては、例え
ば、Ｓ．マキオ他の「日本におけるエレクトロニクスお
よび通信」の第二部、７４（２）巻、３２３（１９９
１）ページを参照してほしい。
ソレータ、すなわち、一方向だけに光が通過することが
できる装置として動作することができる非可逆装置を提
供するために使用することができることは周知である。
周知の磁気光学材としては、（Ｂｉx Ｔｂ1-x ）3 （Ｆ
ｅy Ｇａ1-y ）5 Ｏ12のような二重置換希土類鉄ガーネ
ットがある。磁気光学アイソレータについては、例え
ば、Ｓ．マキオ他の「日本におけるエレクトロニクスお
よび通信」の第二部、７４（２）巻、３２３（１９９
１）ページを参照してほしい。
【０００３】従来技術のアイソレータに使用されている
磁気光学材は、通常、相対的に高い飽和磁化を有してい
て、この高い飽和磁化のためには、通常、相対的に大型
の、強力な永久界磁石（例えば、ＳｍＣｏ）を必要とす
るが、そのような界磁石は、通常高価なばかりでなく、
近くの構成部材に影響を与えたり、および／または近く
の構成部材から影響を受ける恐れがある。
磁気光学材は、通常、相対的に高い飽和磁化を有してい
て、この高い飽和磁化のためには、通常、相対的に大型
の、強力な永久界磁石（例えば、ＳｍＣｏ）を必要とす
るが、そのような界磁石は、通常高価なばかりでなく、
近くの構成部材に影響を与えたり、および／または近く
の構成部材から影響を受ける恐れがある。
【０００４】フェリ磁性ガーネット材が、通常、磁区を
有していること、またこの材料に磁場の影響を与える
と、磁区の構造が変化することは周知である。特に、飽
和磁界より強いか、または等しい磁界内においては、上
記の材料は、通常、磁化の方向が加えた磁界の方向を向
いている本質的には一つの磁区を含んでいる。加えた磁
界を取り除くと、上記の材料は、通常ランダムの方向を
向いている多重磁区状態に戻る。磁気的に飽和状態の材
料内においては、その材料内を通る光が受けるファラデ
ー回転も同様に飽和する。光アイソレータは、通常、磁
気的に飽和している磁気光学材と一緒に動作するように
設計されるが、磁気的に飽和してない材料も使用するこ
とができる。
有していること、またこの材料に磁場の影響を与える
と、磁区の構造が変化することは周知である。特に、飽
和磁界より強いか、または等しい磁界内においては、上
記の材料は、通常、磁化の方向が加えた磁界の方向を向
いている本質的には一つの磁区を含んでいる。加えた磁
界を取り除くと、上記の材料は、通常ランダムの方向を
向いている多重磁区状態に戻る。磁気的に飽和状態の材
料内においては、その材料内を通る光が受けるファラデ
ー回転も同様に飽和する。光アイソレータは、通常、磁
気的に飽和している磁気光学材と一緒に動作するように
設計されるが、磁気的に飽和してない材料も使用するこ
とができる。
【０００５】相対的に低い飽和磁化を持ち、また光アイ
ソレータ内での使用に適している入手可能な磁気光学材
があれば明らかに有利である。磁気的に飽和した後で、
実質的に飽和（単一磁区）状態のままでいることができ
る磁気光学材を入手することは、特に望ましいことであ
る。当業者なら、例えば、上記の材料を、永久磁石を使
用しなくても（または相対的の弱い永久磁石を使用し
て）、アイソレータとして使用することができるという
ことを理解できるだろう。本出願は、以後「ラッッチン
グ」という上記の特性を有している材料を開示してい
る。Ｋ．松田他は、「応用物理レター」第５９（５）
巻、５０７（１９９１）ページに、全く異なる設計の、
縞模様の磁区を有しているガーネット導波管を使用し、
磁石を使用しないファラデー・ローテータを提案してい
る。
ソレータ内での使用に適している入手可能な磁気光学材
があれば明らかに有利である。磁気的に飽和した後で、
実質的に飽和（単一磁区）状態のままでいることができ
る磁気光学材を入手することは、特に望ましいことであ
る。当業者なら、例えば、上記の材料を、永久磁石を使
用しなくても（または相対的の弱い永久磁石を使用し
て）、アイソレータとして使用することができるという
ことを理解できるだろう。本出願は、以後「ラッッチン
グ」という上記の特性を有している材料を開示してい
る。Ｋ．松田他は、「応用物理レター」第５９（５）
巻、５０７（１９９１）ページに、全く異なる設計の、
縞模様の磁区を有しているガーネット導波管を使用し、
磁石を使用しないファラデー・ローテータを提案してい
る。
【０００６】二種類の物質でドーピングした希土類鉄ガ
ーネットが知られ、光アイソレータで使用されている。
（例えば、１９９１年１０月２４日出願のＹ．鳥羽の日
本特許出願平成３−３０６６９７を参照してほしい。）
上記のガーネットは、一般に約１５０Ｇ以上の飽和磁化
値を有している。例えば、ある種の市販の（Ｂｉ，Ｔ
ｂ）3 （Ｆｅ，Ｇａ）5 Ｏ12材は、１５０−３９０Ｇの
範囲の飽和磁化値を持ち、ある種の市販の（ＢｉＧｄ）
3 （Ｆｅ，Ｇａ，Ａｌ）5 Ｏ12材は、約２００Ｇの飽和
磁化値を有している。非常に低い飽和磁化値を有してい
るガーネットも知られている。例えば、Ｖｉｅｗｅｇ
Ｇｅｒｍａｎｙ（１９８１）の６１１ページのＧ．ウイ
ンクラの「磁気ガーネット」には、飽和磁化値が１０Ｇ
のＥｒ2 Ｅｕ1 Ｆｅ3.7 Ｇａ1.3 Ｏ12という組成物が開
示されている。この材料は、磁気光学ディスプレイに使
用できると考えられた。Ｐ．ハンセン他は、「ＩＥＥＥ
Ｔｒａｎｓ．Ｍａｇｎ．」ＭＡＧ−２０の１０９９
（１９８４）ページに、その材料の補償点および熱磁気
書き込みを利用する、薄膜可視光線ディスプレイ用の実
質的にＢｉ1 Ｇｄ2 Ｆｅ4.4 Ｇａ0.2 Ａｌ0.4 Ｏ12の組
成を有する低磁気モーメント材を開示している。１９９
４年８月１２日の公告番号平成６−２２２３１１である
日本特許出願平成５−１２０４６；１９９５年４月１２
日の公告番号０６４７８６９Ａ１のヨーロッパ特許出願
第９４１１３６２０．２号およびＧ．Ｒ．プリアム他の
１９８２年３月の「Ｊ．Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃ
ｓ」第５３（３）巻、２７５４ページを参照してほし
い。これら出願などのすべては、室温である程度の「ラ
ッチング」行動を示す磁気光学材を開示している。
ーネットが知られ、光アイソレータで使用されている。
（例えば、１９９１年１０月２４日出願のＹ．鳥羽の日
本特許出願平成３−３０６６９７を参照してほしい。）
上記のガーネットは、一般に約１５０Ｇ以上の飽和磁化
値を有している。例えば、ある種の市販の（Ｂｉ，Ｔ
ｂ）3 （Ｆｅ，Ｇａ）5 Ｏ12材は、１５０−３９０Ｇの
範囲の飽和磁化値を持ち、ある種の市販の（ＢｉＧｄ）
3 （Ｆｅ，Ｇａ，Ａｌ）5 Ｏ12材は、約２００Ｇの飽和
磁化値を有している。非常に低い飽和磁化値を有してい
るガーネットも知られている。例えば、Ｖｉｅｗｅｇ
Ｇｅｒｍａｎｙ（１９８１）の６１１ページのＧ．ウイ
ンクラの「磁気ガーネット」には、飽和磁化値が１０Ｇ
のＥｒ2 Ｅｕ1 Ｆｅ3.7 Ｇａ1.3 Ｏ12という組成物が開
示されている。この材料は、磁気光学ディスプレイに使
用できると考えられた。Ｐ．ハンセン他は、「ＩＥＥＥ
Ｔｒａｎｓ．Ｍａｇｎ．」ＭＡＧ−２０の１０９９
（１９８４）ページに、その材料の補償点および熱磁気
書き込みを利用する、薄膜可視光線ディスプレイ用の実
質的にＢｉ1 Ｇｄ2 Ｆｅ4.4 Ｇａ0.2 Ａｌ0.4 Ｏ12の組
成を有する低磁気モーメント材を開示している。１９９
４年８月１２日の公告番号平成６−２２２３１１である
日本特許出願平成５−１２０４６；１９９５年４月１２
日の公告番号０６４７８６９Ａ１のヨーロッパ特許出願
第９４１１３６２０．２号およびＧ．Ｒ．プリアム他の
１９８２年３月の「Ｊ．Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃ
ｓ」第５３（３）巻、２７５４ページを参照してほし
い。これら出願などのすべては、室温である程度の「ラ
ッチング」行動を示す磁気光学材を開示している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】すでに従来技術もラッ
チング効果を有する磁気光学材があることを知っていた
が、これらの材料は、いくつかの欠点を有していて、そ
のために現在まで使用されなかった。例えば、従来技術
の材料は、室温で「しっかりした」ラッチングを示さな
いか、および／または相対的に温度依存性の高い磁気特
性を有する組成を有している。上記の欠点のない磁気光
学材を入手することが、非常に望ましいことは明かであ
ろう。本出願はそのような材料を開示している。
チング効果を有する磁気光学材があることを知っていた
が、これらの材料は、いくつかの欠点を有していて、そ
のために現在まで使用されなかった。例えば、従来技術
の材料は、室温で「しっかりした」ラッチングを示さな
いか、および／または相対的に温度依存性の高い磁気特
性を有する組成を有している。上記の欠点のない磁気光
学材を入手することが、非常に望ましいことは明かであ
ろう。本出願はそのような材料を開示している。
【０００８】アイソレータとして有利に使用できるため
には、磁気光学材は、相対的に高いファラデー回転およ
び相対的に低い飽和磁化を有する必要があるばかりでな
く、通常一つの波長（例えば、１．５４μｍ）の照射に
対して、通常低い減衰（例えば、４５度のフィルムに対
して０．２ｄＢ以下）を有していなければならない。さ
らに、一般に、上記の材料は、飽和フィルムを通して関
連照射が一回通過する度に４５度の回転を与えるのに十
分な厚さを有する単結晶フィルムとして成長することが
できるものでなければならない。しかし、ラッチング磁
気光学材の他の可能な用途の場合には、これらすべての
特徴を必要としない場合がある。
には、磁気光学材は、相対的に高いファラデー回転およ
び相対的に低い飽和磁化を有する必要があるばかりでな
く、通常一つの波長（例えば、１．５４μｍ）の照射に
対して、通常低い減衰（例えば、４５度のフィルムに対
して０．２ｄＢ以下）を有していなければならない。さ
らに、一般に、上記の材料は、飽和フィルムを通して関
連照射が一回通過する度に４５度の回転を与えるのに十
分な厚さを有する単結晶フィルムとして成長することが
できるものでなければならない。しかし、ラッチング磁
気光学材の他の可能な用途の場合には、これらすべての
特徴を必要としない場合がある。
【０００９】＜用語と定義＞フェロまたはフェリ磁気材
の「磁化ループ」は、例えば、ニューヨークのＡ．Ｈ．
モリッシュおよびＪ．ウイリおよびサンズの１９６５年
の「磁気の物理的原理」の３３２−３４０ページに記載
されているように、磁化曲線対加えた磁場で表される。
磁化ループは、磁化反転の幅がせいぜい１０Ｏｅ、好適
には５Ｏｅ以下である場合には、「実質的に四角」であ
る。
の「磁化ループ」は、例えば、ニューヨークのＡ．Ｈ．
モリッシュおよびＪ．ウイリおよびサンズの１９６５年
の「磁気の物理的原理」の３３２−３４０ページに記載
されているように、磁化曲線対加えた磁場で表される。
磁化ループは、磁化反転の幅がせいぜい１０Ｏｅ、好適
には５Ｏｅ以下である場合には、「実質的に四角」であ
る。
【００１０】本明細書では、磁化の「切替え磁場」（Ｈ
ｓ）は、磁化が零を通る加えた磁場である。Ｈｓは、従
来の磁化ループの「保磁磁場」（Ｈｃ）に対応する。
ｓ）は、磁化が零を通る加えた磁場である。Ｈｓは、従
来の磁化ループの「保磁磁場」（Ｈｃ）に対応する。
【００１１】本明細書中では、「しっかりした」ラッチ
ングとは、通常起こる状態の下で切換え動作を起こさな
いようにするのに十分な、少なくとも室温において５０
０Ｏｅに等しいか、または大きいＨｓを有している材料
を意味する。
ングとは、通常起こる状態の下で切換え動作を起こさな
いようにするのに十分な、少なくとも室温において５０
０Ｏｅに等しいか、または大きいＨｓを有している材料
を意味する。
【００１２】ガーネット材料の「補償点」とは、材料の
飽和磁化が零を通過する（キューリ温度以下の）温度で
ある。この場合、補償点以下の温度での一定の加えた磁
場内での旋光は、補償点より上の回転からの飽和の方向
に対して反対になる。
飽和磁化が零を通過する（キューリ温度以下の）温度で
ある。この場合、補償点以下の温度での一定の加えた磁
場内での旋光は、補償点より上の回転からの飽和の方向
に対して反対になる。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は特許請求の範囲
により定義される。本発明は、磁気光学ガーネット材
（例えば、以下に定義する組成とほぼ同じ組成を有する
小さな皿の形をした単結晶本体）の本体からなる製品ま
たは装置（集合的には、「製品」、例えば、本発明のア
イソレータからなる光アイソレータ、または光ファイバ
通信システム）内で実施される。本体は、主要面、厚さ
および主要面に対して直角の方向に、（飽和磁化４πＭ
ｓを含む）磁化を有している。本発明の製品は、さらに
通常、主要面に入射する波長λ（例えば、１．３または
１．５４μｍのような従来の通信波長、または１．４７
μｍのようなポンプ波長）の電磁放射を生じる手段（例
えば、放射源および光ファイバ）を含んでいる。この場
合、少なくともいくつかの（通常、ほとんどすべての）
入射放射は、本体を通して行われ、適当な利用手段（例
えば、光ファイバおよび／または検出器）によって受信
される。
により定義される。本発明は、磁気光学ガーネット材
（例えば、以下に定義する組成とほぼ同じ組成を有する
小さな皿の形をした単結晶本体）の本体からなる製品ま
たは装置（集合的には、「製品」、例えば、本発明のア
イソレータからなる光アイソレータ、または光ファイバ
通信システム）内で実施される。本体は、主要面、厚さ
および主要面に対して直角の方向に、（飽和磁化４πＭ
ｓを含む）磁化を有している。本発明の製品は、さらに
通常、主要面に入射する波長λ（例えば、１．３または
１．５４μｍのような従来の通信波長、または１．４７
μｍのようなポンプ波長）の電磁放射を生じる手段（例
えば、放射源および光ファイバ）を含んでいる。この場
合、少なくともいくつかの（通常、ほとんどすべての）
入射放射は、本体を通して行われ、適当な利用手段（例
えば、光ファイバおよび／または検出器）によって受信
される。
【００１４】多くの場合、特定の実施例の場合には、本
体の組成および製造は、主要面に対して垂直な方向に、
平行（または逆平行、全体的には「平行」）に加えられ
た磁場内で、少なくとも室温において｜４πＭｓ｜＜１
００Ｇ、切替えフィールド｜Ｈｓ｜＞｜４πＭｓ｜Ｏ
ｅ、｜Ｈｓ｜≧５００Ｏｅである、実質的に四角い磁化
ループを有するように選択される。上記の第二の不等式
の場合、Ｈｓの（Ｏｅ単位での）絶対値は、４πＭｓの
（Ｇ単位の）絶対値より大きくなければならないことを
理解してほしい。本体は、通常厚さが少なくとも３０μ
ｍ、多くの場合５０μｍ以上の厚さを有している。上記
の制限があるので、本体は少なくとも室温においてはし
っかりとしたラッチングを示す。
体の組成および製造は、主要面に対して垂直な方向に、
平行（または逆平行、全体的には「平行」）に加えられ
た磁場内で、少なくとも室温において｜４πＭｓ｜＜１
００Ｇ、切替えフィールド｜Ｈｓ｜＞｜４πＭｓ｜Ｏ
ｅ、｜Ｈｓ｜≧５００Ｏｅである、実質的に四角い磁化
ループを有するように選択される。上記の第二の不等式
の場合、Ｈｓの（Ｏｅ単位での）絶対値は、４πＭｓの
（Ｇ単位の）絶対値より大きくなければならないことを
理解してほしい。本体は、通常厚さが少なくとも３０μ
ｍ、多くの場合５０μｍ以上の厚さを有している。上記
の制限があるので、本体は少なくとも室温においてはし
っかりとしたラッチングを示す。
【００１５】他の実施例の場合には、本体の組成および
製造は、室温を含み、好適には例えば、光アイソレータ
の従来の動作温度範囲（−４０から＋８０℃）である６
０℃または８０℃のような高い温度も含んでいる予め定
めた温度範囲において、上記の条件を満たす主要面に垂
直方向に平行に加えられた磁場内において、｜４πＭｓ
｜＜１００Ｇおよび｜Ｈｓ｜＞｜４πＭｓ｜、通常は｜
Ｈｓ｜＞１００Ｏｅまたは２００Ｏｅの、実質的に四角
い磁化ループを有するように選択される。ある種の通常
使用される成分、例えば、Ｇｄ，ＴｂおよびＤｙが最も
少なくなるような組成を選択することにより、材料の少
なくとも一部分において、上記の特性を達成することが
できる。
製造は、室温を含み、好適には例えば、光アイソレータ
の従来の動作温度範囲（−４０から＋８０℃）である６
０℃または８０℃のような高い温度も含んでいる予め定
めた温度範囲において、上記の条件を満たす主要面に垂
直方向に平行に加えられた磁場内において、｜４πＭｓ
｜＜１００Ｇおよび｜Ｈｓ｜＞｜４πＭｓ｜、通常は｜
Ｈｓ｜＞１００Ｏｅまたは２００Ｏｅの、実質的に四角
い磁化ループを有するように選択される。ある種の通常
使用される成分、例えば、Ｇｄ，ＴｂおよびＤｙが最も
少なくなるような組成を選択することにより、材料の少
なくとも一部分において、上記の特性を達成することが
できる。
【００１６】本発明のガーネット材は、予め定めた温度
範囲に補償点を有するものであっても、有していないも
のであってもいい。ある種の好適な実施例の場合には、
ガーネット材は、１．３μｍにおいて最大７ｄＢ／ｃｍ
の減衰を起こし、１．５４μｍにおいて最大４ｄＢ／ｃ
ｍの減衰を起こし、１．３μｍにおいて少なくとも１０
００°／ｃｍの比旋光度を起こし、１．５４μｍにおい
て７００°／ｃｍの比旋光度を起こす。これらすべての
数値は、室温（２０℃）で測定した数値である。少なく
とも、従来のアイソレータの用途に対しては、本体の厚
みは、通常は、（通常約０．７５−１．６μｍの範囲
で）問題の放射の偏光面を４５°±１５°回転させるよ
うに、通常選択される。
範囲に補償点を有するものであっても、有していないも
のであってもいい。ある種の好適な実施例の場合には、
ガーネット材は、１．３μｍにおいて最大７ｄＢ／ｃｍ
の減衰を起こし、１．５４μｍにおいて最大４ｄＢ／ｃ
ｍの減衰を起こし、１．３μｍにおいて少なくとも１０
００°／ｃｍの比旋光度を起こし、１．５４μｍにおい
て７００°／ｃｍの比旋光度を起こす。これらすべての
数値は、室温（２０℃）で測定した数値である。少なく
とも、従来のアイソレータの用途に対しては、本体の厚
みは、通常は、（通常約０．７５−１．６μｍの範囲
で）問題の放射の偏光面を４５°±１５°回転させるよ
うに、通常選択される。
【００１７】新規のラッチング磁気光学材を使用するこ
とにより、今まで実現できなかった装置をつくることが
できるようになった。そのような装置の例としては、バ
イアス磁石を使用しない光アイソレータがある。
とにより、今まで実現できなかった装置をつくることが
できるようになった。そのような装置の例としては、バ
イアス磁石を使用しない光アイソレータがある。
【００１８】
【発明の実施の形態】発明者は、特定の基準に適合する
ガーネット材が、かなり広い温度範囲（例えば、光アイ
ソレータの従来の動作温度範囲（例えば、−４０から＋
８０℃の範囲で）ラッチング動作を示すことができ、お
よび／または少なくとも室温でしっかりしたラッチング
を行うことができ、それ故、新規な装置、例えば、バイ
アス磁石を使用しないでも、または従来必要とされたも
のと比較すると非常に弱い磁石を使用して場合でも、光
アイソレータを提供することができることを発見した。
ガーネット材が、かなり広い温度範囲（例えば、光アイ
ソレータの従来の動作温度範囲（例えば、−４０から＋
８０℃の範囲で）ラッチング動作を示すことができ、お
よび／または少なくとも室温でしっかりしたラッチング
を行うことができ、それ故、新規な装置、例えば、バイ
アス磁石を使用しないでも、または従来必要とされたも
のと比較すると非常に弱い磁石を使用して場合でも、光
アイソレータを提供することができることを発見した。
【００１９】ガーネット材の構造および特性は周知であ
る。簡単に説明すると、如何なる温度においても、正味
の飽和磁化４πＭｓは、４π｜Ｍｄ（Ｔ）−Ｍａ（Ｔ）
−Ｍｃ（Ｔ）｜で与えられる。この場合、Ｍｄ（Ｔ）、
Ｍａ（Ｔ）およびＭｃ（Ｔ）は、それぞれ４面体、８面
体および１２面体の位置の温度に依存する影響である。
る。簡単に説明すると、如何なる温度においても、正味
の飽和磁化４πＭｓは、４π｜Ｍｄ（Ｔ）−Ｍａ（Ｔ）
−Ｍｃ（Ｔ）｜で与えられる。この場合、Ｍｄ（Ｔ）、
Ｍａ（Ｔ）およびＭｃ（Ｔ）は、それぞれ４面体、８面
体および１２面体の位置の温度に依存する影響である。
【００２０】広い温度範囲にわたってラッチング行動を
行うためには、相対的に低い温度依存性の４πＭｓを有
する組成を選択しなければならない。この理由から、Ｇ
ｄ，ＴｂおよびＤｙの濃度の高いものは避けた方が得策
である。高いキューリ温度を維持するためには、通常高
濃度の８面体の代替成分、例えば、Ｓｃ、それほど心配
する必要はないが、ラッチングに必要な４πＭｓの数値
を達成するのに必要な量を越えて４面体の代替成分（例
えば、Ｇａ、Ａｌ）を使用しないことが望ましい。
行うためには、相対的に低い温度依存性の４πＭｓを有
する組成を選択しなければならない。この理由から、Ｇ
ｄ，ＴｂおよびＤｙの濃度の高いものは避けた方が得策
である。高いキューリ温度を維持するためには、通常高
濃度の８面体の代替成分、例えば、Ｓｃ、それほど心配
する必要はないが、ラッチングに必要な４πＭｓの数値
を達成するのに必要な量を越えて４面体の代替成分（例
えば、Ｇａ、Ａｌ）を使用しないことが望ましい。
【００２１】本発明の実行の際に役に立つガーネット材
は、従来の技術で成長させることができる。例えば、
「磁性ガーネット材」の４６７−４９１ページを参照し
てほしい。一例をあげると、この材料は、（Ｂｉx Ａ
3-x ）（Ｆｅ5-y Ｃy ）Ｏ12という基準組成を有してい
る。この場合、ｘは０．３−２．０（好適には、０．８
−１．５、より好適には〜１．０）であり、Ａは一つま
たはそれ以上の希土類（原子番号５７−７１）、Ｙおよ
びＣａであり、ＣはＡｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｍｇ、Ｍ
ｎおよびＺｒの内の一つまたはそれ以上であり、ｙは
０．２−２．０（好適には、０．５−１．５）の範囲で
あり、状況に応じて、４πＭｓおよびＨｓが予め定めた
温度範囲または室温で必要な数値を有するように選択さ
れたものである。フィルムは、多くの場合、何種類かの
不純物、例えば、ＰｂまたはＰｔを含んでいる。不純物
の濃度は、約０．１／規定単位以下であることが望まし
い。
は、従来の技術で成長させることができる。例えば、
「磁性ガーネット材」の４６７−４９１ページを参照し
てほしい。一例をあげると、この材料は、（Ｂｉx Ａ
3-x ）（Ｆｅ5-y Ｃy ）Ｏ12という基準組成を有してい
る。この場合、ｘは０．３−２．０（好適には、０．８
−１．５、より好適には〜１．０）であり、Ａは一つま
たはそれ以上の希土類（原子番号５７−７１）、Ｙおよ
びＣａであり、ＣはＡｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｍｇ、Ｍ
ｎおよびＺｒの内の一つまたはそれ以上であり、ｙは
０．２−２．０（好適には、０．５−１．５）の範囲で
あり、状況に応じて、４πＭｓおよびＨｓが予め定めた
温度範囲または室温で必要な数値を有するように選択さ
れたものである。フィルムは、多くの場合、何種類かの
不純物、例えば、ＰｂまたはＰｔを含んでいる。不純物
の濃度は、約０．１／規定単位以下であることが望まし
い。
【００２２】通常、低い飽和磁化のためばかりでなく、
（単結晶ガーネット・フィルムの成長を容易にするため
に）必要とする基板と格子が実質的にマッチするよう
に、また問題の波長での減衰を低くするためにも、基準
組成が選ばれる。例えば、低い飽和磁化を行うために、
多くの場合、好適な４面体の代替成分を有している相対
的に高い濃度のＣイオンを選択した方が有利である。一
例をあげると、Ｇａ、Ａｌ、ＳｉおよびＧｅは、それぞ
れ、約１３５４、１２１１、１５８２および１５８２Ｇ
／規定単位だけ、４πＭｓを減少させる。
（単結晶ガーネット・フィルムの成長を容易にするため
に）必要とする基板と格子が実質的にマッチするよう
に、また問題の波長での減衰を低くするためにも、基準
組成が選ばれる。例えば、低い飽和磁化を行うために、
多くの場合、好適な４面体の代替成分を有している相対
的に高い濃度のＣイオンを選択した方が有利である。一
例をあげると、Ｇａ、Ａｌ、ＳｉおよびＧｅは、それぞ
れ、約１３５４、１２１１、１５８２および１５８２Ｇ
／規定単位だけ、４πＭｓを減少させる。
【００２３】当業者なら、必要とする格子定数を得るた
めにどのようにしてガーネット組成を修正したらいいの
かを知っている。それ故、実質的な格子の整合方法につ
いての説明は必要ないと思う。
めにどのようにしてガーネット組成を修正したらいいの
かを知っている。それ故、実質的な格子の整合方法につ
いての説明は必要ないと思う。
【００２４】さらに例をあげると、１．３μｍで低い吸
収を行うためには、通常、Ｄｙ（およびできればＳｍ）
を避けることが望ましく、１．５４μｍで低い吸収を行
うためには、通常ＳｍおよびＥｒを避けることが望まし
い。
収を行うためには、通常、Ｄｙ（およびできればＳｍ）
を避けることが望ましく、１．５４μｍで低い吸収を行
うためには、通常ＳｍおよびＥｒを避けることが望まし
い。
【００２５】当業者なら、正規の組成を維持し、光学的
吸収を避けるために、２＋および４＋のイオン濃度を均
等にバランスさせることが望ましいことを知っている。
表１に例示としての組成を示す。
吸収を避けるために、２＋および４＋のイオン濃度を均
等にバランスさせることが望ましいことを知っている。
表１に例示としての組成を示す。
【００２６】表１のすべてのサンプルは、ガーネット中
では通常４価の状態の過度のＰｔ不純物を周知の方法で
補償し、それにより正規の組成を維持するために、低濃
度の二価のドーパント（例えば、Ｐｂ2+またはＭｇ2+）
を含んでいる。二価のドーパントの上記の濃度は、フィ
ルム内では測定できなかったが、通常規定単位当たり
０．０５以下である。
では通常４価の状態の過度のＰｔ不純物を周知の方法で
補償し、それにより正規の組成を維持するために、低濃
度の二価のドーパント（例えば、Ｐｂ2+またはＭｇ2+）
を含んでいる。二価のドーパントの上記の濃度は、フィ
ルム内では測定できなかったが、通常規定単位当たり
０．０５以下である。
【００２７】例をあげて説明すると、本発明の単結晶ガ
ーネット・フィルムは、（１１１）方位単結晶（Ｇｄ
2.68Ｃａ0.32）（Ｇａ1.04Ｍｇ0.32Ｚｒ0.64）Ｇａ3 Ｏ
12、Ｎｄ3 Ｇａ5 Ｏ12、またはＧｄ3.03Ｇａ4.97Ｏ12上
で、液相エピタキシーによって成長する。他の基板も可
能である。
ーネット・フィルムは、（１１１）方位単結晶（Ｇｄ
2.68Ｃａ0.32）（Ｇａ1.04Ｍｇ0.32Ｚｒ0.64）Ｇａ3 Ｏ
12、Ｎｄ3 Ｇａ5 Ｏ12、またはＧｄ3.03Ｇａ4.97Ｏ12上
で、液相エピタキシーによって成長する。他の基板も可
能である。
【００２８】表１に、（知らない内に混入した不純物お
よび上記の低レベルのドーパントを除く）基準組成、厚
さ、および本発明による何種類かのガーネット・サンプ
ルおよび要件に適合しない従来技術のサンプル（４−
９）のいくつかの磁気パラメータを示す。
よび上記の低レベルのドーパントを除く）基準組成、厚
さ、および本発明による何種類かのガーネット・サンプ
ルおよび要件に適合しない従来技術のサンプル（４−
９）のいくつかの磁気パラメータを示す。
【表１】
【００２９】しっかりしたラッチングの要件に適合する
他の例示としての組成は、Ｂｉ1 Ｅｕ2 Ｆｅ4 Ｇａ0.5
Ａｌ0.5 Ｏ12である。
他の例示としての組成は、Ｂｉ1 Ｅｕ2 Ｆｅ4 Ｇａ0.5
Ａｌ0.5 Ｏ12である。
【００３０】発明者は、相対的に低い（逆）温度効果を
有している鉄の代替成分（例えば、Ｇａ）および磁気希
土類を使用して、飽和磁化を低減するのが望ましいこと
を発見した。Ｅｕは、１／Ｔの温度依存性を持たないの
に、有意に飽和磁化を低減する軽希土類であるという点
で特異なものである。それ故、現在の好適な組成は、飽
和磁化およびファラデー回転の必要とする数値に匹敵す
る濃度で、Ｅｕを含んでいる。相対的に低い温度依存性
を有している適度の濃度の他の希土類（例えば、Ｈｏ）
も、通常使用することができる。
有している鉄の代替成分（例えば、Ｇａ）および磁気希
土類を使用して、飽和磁化を低減するのが望ましいこと
を発見した。Ｅｕは、１／Ｔの温度依存性を持たないの
に、有意に飽和磁化を低減する軽希土類であるという点
で特異なものである。それ故、現在の好適な組成は、飽
和磁化およびファラデー回転の必要とする数値に匹敵す
る濃度で、Ｅｕを含んでいる。相対的に低い温度依存性
を有している適度の濃度の他の希土類（例えば、Ｈｏ）
も、通常使用することができる。
【００３１】すでに説明したように、高濃度のＧｄ、Ｔ
ｂおよび／またはＤｙは望ましくない。より詳細に説明
すると、好適な組成は、基準がＧｄ＋（Ｔｂ／２．１）
＋（Ｄｙ／２．５）＜１．０であると仮定した場合、１
規定単位のＧｄ当たり一つ以下の原子を、一規定単位の
Ｔｂ当たり２．１以下（好適には、１．５以下）の原子
を、一規定単位当たりのＤｙ当たり２．５以下の（好適
には、２．０以下の）原子を含んでいる。上記の基準の
場合、Ｇｄ、ＴｂおよびＤｙは、ゴドリニウム、テルビ
ウムおよびディスプロジウムの規定単位当たりの原子の
数による濃度を表している。最も好適な組成は、実質的
にＧｄ、ＴｂおよびＤｙを含んでいないものである。
ｂおよび／またはＤｙは望ましくない。より詳細に説明
すると、好適な組成は、基準がＧｄ＋（Ｔｂ／２．１）
＋（Ｄｙ／２．５）＜１．０であると仮定した場合、１
規定単位のＧｄ当たり一つ以下の原子を、一規定単位の
Ｔｂ当たり２．１以下（好適には、１．５以下）の原子
を、一規定単位当たりのＤｙ当たり２．５以下の（好適
には、２．０以下の）原子を含んでいる。上記の基準の
場合、Ｇｄ、ＴｂおよびＤｙは、ゴドリニウム、テルビ
ウムおよびディスプロジウムの規定単位当たりの原子の
数による濃度を表している。最も好適な組成は、実質的
にＧｄ、ＴｂおよびＤｙを含んでいないものである。
【００３２】本発明の有意な特徴は、ガーネット材の磁
化ループの性質である。図１に、例示としての三つのサ
ンプル、すなわち、サンプル２−４の磁化を示す。従来
の振動サンプル磁力計は、サンプル面に垂直に磁場を掛
けた場合の、サンプルの磁気モーメントを測定するのに
使用された。すべてのサンプルは、自立状態で、（すな
わち、基板に取り付けられたいない状態で）、完全に研
磨され、従来の反射防止コーティングを施した。
化ループの性質である。図１に、例示としての三つのサ
ンプル、すなわち、サンプル２−４の磁化を示す。従来
の振動サンプル磁力計は、サンプル面に垂直に磁場を掛
けた場合の、サンプルの磁気モーメントを測定するのに
使用された。すべてのサンプルは、自立状態で、（すな
わち、基板に取り付けられたいない状態で）、完全に研
磨され、従来の反射防止コーティングを施した。
【００３３】一定のサンプルの磁化ループを、サンプル
を磁気的に飽和させ、その後で大きな正の飽和磁場から
開始し、磁場の強さを磁石の残留磁化に低減し、磁場を
反転させ、大きな負の磁場まで磁場を走査し、それから
プロセスを反転させるという方法でループをトレースす
るという手順により測定した。
を磁気的に飽和させ、その後で大きな正の飽和磁場から
開始し、磁場の強さを磁石の残留磁化に低減し、磁場を
反転させ、大きな負の磁場まで磁場を走査し、それから
プロセスを反転させるという方法でループをトレースす
るという手順により測定した。
【００３４】材料を最初に飽和するためには、すなわ
ち、欠陥のあるものを含めて、すべての磁区を除去する
ためには、通常、相対的に高い磁場（通常、１０００Ｏ
ｅ以上）が必要であった。飽和および再現性を確実に行
うためには、確実に飽和させるために、１２ｋＯｅを使
用したサンプル１を除いて、表１のすべてのサンプルに
対して２．５ｋＯｅの飽和用の磁場を使用した。
ち、欠陥のあるものを含めて、すべての磁区を除去する
ためには、通常、相対的に高い磁場（通常、１０００Ｏ
ｅ以上）が必要であった。飽和および再現性を確実に行
うためには、確実に飽和させるために、１２ｋＯｅを使
用したサンプル１を除いて、表１のすべてのサンプルに
対して２．５ｋＯｅの飽和用の磁場を使用した。
【００３５】飽和曲線の零磁場交点（例えば、１４０、
１４１）を、飽和磁化を測定するために使用した。図１
を見れば分かるように、飽和磁化曲線は若干の勾配を有
している。この勾配は、本明細書では取り上げない常磁
性の影響によるものである。飽和磁化４πＭｓは、立方
センチ単位のサンプルの体積および（磁石の磁場の非均
一性の原因である）形状係数で、（ループの正と負の側
の間で平均した）零磁場交点において測定した電磁単位
の磁気モーメントを割り、４πを掛けて測定した。この
ようにして測定した飽和磁化は、サンプルの大きさには
無関係の４πＭ−Ｈ曲線に対して測定した（Ｂ−Ｈ）曲
線を、周知の方法で測定するのに使用した。
１４１）を、飽和磁化を測定するために使用した。図１
を見れば分かるように、飽和磁化曲線は若干の勾配を有
している。この勾配は、本明細書では取り上げない常磁
性の影響によるものである。飽和磁化４πＭｓは、立方
センチ単位のサンプルの体積および（磁石の磁場の非均
一性の原因である）形状係数で、（ループの正と負の側
の間で平均した）零磁場交点において測定した電磁単位
の磁気モーメントを割り、４πを掛けて測定した。この
ようにして測定した飽和磁化は、サンプルの大きさには
無関係の４πＭ−Ｈ曲線に対して測定した（Ｂ−Ｈ）曲
線を、周知の方法で測定するのに使用した。
【００３６】図１の場合には、参照番号１０−１２は、
表１のサンプル２−４の磁化ループを示す。三本のルー
プはすべて、ラッチング材料に特有の実質的に四角いヒ
ステリシス・ループである。これらすべてのサンプルの
場合、切替えフィールド（Ｈｓ）の大きさは、飽和磁化
（４πＭｓ）より大きく、最初の磁区の方向の符号が反
対になっている。ル−プ上の矢印は、ループが横切られ
る方向を示す。サンプル１のループは図示してない。何
故なら、信号はノイズが多く、他のデータに対して、何
らかの合理的なスケールで釣合がとれていないからであ
る。このループは、実質的に四角く、平らなループ１０
と比べてもかなりもっと平たいという点が異なるだけで
あった。
表１のサンプル２−４の磁化ループを示す。三本のルー
プはすべて、ラッチング材料に特有の実質的に四角いヒ
ステリシス・ループである。これらすべてのサンプルの
場合、切替えフィールド（Ｈｓ）の大きさは、飽和磁化
（４πＭｓ）より大きく、最初の磁区の方向の符号が反
対になっている。ル−プ上の矢印は、ループが横切られ
る方向を示す。サンプル１のループは図示してない。何
故なら、信号はノイズが多く、他のデータに対して、何
らかの合理的なスケールで釣合がとれていないからであ
る。このループは、実質的に四角く、平らなループ１０
と比べてもかなりもっと平たいという点が異なるだけで
あった。
【００３７】サンプル１−４の磁化の反転は、実質的に
磁区の壁の移動の速度で起こるように思われた。反転の
終わりの部分（例えば、１５）における短い尾部は、欠
陥部の飽和保磁力に由来するものか、検出装置−記録装
置のエレクトロニクスによる人工的なものであるかもし
れないが、本明細書では触れないことにする。
磁区の壁の移動の速度で起こるように思われた。反転の
終わりの部分（例えば、１５）における短い尾部は、欠
陥部の飽和保磁力に由来するものか、検出装置−記録装
置のエレクトロニクスによる人工的なものであるかもし
れないが、本明細書では触れないことにする。
【００３８】図２に、サンプル６および７のぞれぞれの
磁化ループ２０および２１を示す。明らかに、磁化ルー
プは、「実質的に四角」ではないので、サンプル６およ
び７は、本発明のサンプルではない。これらサンプルは
ラッチしなかったし、飽和に必要な磁場より小さな消磁
フィールドＨD を有していた。曲線２１と実質的に同じ
磁化曲線を有しているガーネット材が知られている。例
えば、三菱ガス化学の光ファイバ・カタログ １９９５
の５ページを参照してほしい。サンプル５に対するデー
タは、図２には示していない。何故なら、この曲線は実
質的に曲線２０と重なっているからである。
磁化ループ２０および２１を示す。明らかに、磁化ルー
プは、「実質的に四角」ではないので、サンプル６およ
び７は、本発明のサンプルではない。これらサンプルは
ラッチしなかったし、飽和に必要な磁場より小さな消磁
フィールドＨD を有していた。曲線２１と実質的に同じ
磁化曲線を有しているガーネット材が知られている。例
えば、三菱ガス化学の光ファイバ・カタログ １９９５
の５ページを参照してほしい。サンプル５に対するデー
タは、図２には示していない。何故なら、この曲線は実
質的に曲線２０と重なっているからである。
【００３９】図３に、サンプル８および９それぞれの磁
化曲線（３０、３１）を示す。図を見ればすぐ分かるよ
うに、これらサンプルはヒステリシスを示していない
し、ラッチもしていない。上記の材料は、センサー用と
して役に立つが、本発明の材料ではない。表１も、サン
プル３−９の有効な透磁性（μ）の数値を示す。
化曲線（３０、３１）を示す。図を見ればすぐ分かるよ
うに、これらサンプルはヒステリシスを示していない
し、ラッチもしていない。上記の材料は、センサー用と
して役に立つが、本発明の材料ではない。表１も、サン
プル３−９の有効な透磁性（μ）の数値を示す。
【００４０】当業者なら容易に理解できると思うが、本
発明の最初に飽和したサンプルは、本質的には一つの磁
区である。磁化の方向と反対方向にＨｓより大きい磁場
を掛けると、磁化の逆転が起こるが、この場合もサンプ
ルは本質的には一つの磁区である。
発明の最初に飽和したサンプルは、本質的には一つの磁
区である。磁化の方向と反対方向にＨｓより大きい磁場
を掛けると、磁化の逆転が起こるが、この場合もサンプ
ルは本質的には一つの磁区である。
【００４１】本発明のサンプル内の磁区の反転プロセス
は、核形成および成長の一つであると思われる。臨界の
大きさの磁区が核形成されると、通常それは急速に成長
し、掛けられた磁場が臨界値を（例をあげて説明する
と、約４πＭｓ／μ、但し、ｕは透磁率）超えると、サ
ンプルの磁化は完全に反転する。理論上の検討は、実質
的に四角い磁化ループは、飽和磁化４πＭｓ＜１５０Ｇ
又はおおよそ等しい場合にだけ、ガーネット材内で起こ
ることを示唆している。本発明の好適な実施例の場合に
は、４πＭｓ＜１００Ｇ又はおおよそ等しいガーネット
材を選ぶが、４πＭｓ＜８０Ｇ又はおおよそ等しいガー
ネットのほうがさらに好適である。
は、核形成および成長の一つであると思われる。臨界の
大きさの磁区が核形成されると、通常それは急速に成長
し、掛けられた磁場が臨界値を（例をあげて説明する
と、約４πＭｓ／μ、但し、ｕは透磁率）超えると、サ
ンプルの磁化は完全に反転する。理論上の検討は、実質
的に四角い磁化ループは、飽和磁化４πＭｓ＜１５０Ｇ
又はおおよそ等しい場合にだけ、ガーネット材内で起こ
ることを示唆している。本発明の好適な実施例の場合に
は、４πＭｓ＜１００Ｇ又はおおよそ等しいガーネット
材を選ぶが、４πＭｓ＜８０Ｇ又はおおよそ等しいガー
ネットのほうがさらに好適である。
【００４２】発明者は、一定のサンプルのＨｓの見かけ
上の数値は、基準サンプル組成に依存しているばかりで
なく、測定の初期化（すなわち、サンプルを最初に磁化
するのに使用する磁場の強さ）、およびサンプルの形状
にも依存することを観察した。しかし、十分強い磁場
（一例をあげると、＞１ｋＯｅ、例えば、２．５ｋＯ
ｅ）内で初期化を行うと、再現性のあるＨｓ値が得られ
る。サンプルの形状への見かけ上のＨｓの依存性は、通
常均質／異質磁区の核形成化の確率に対する依存性によ
るものである。
上の数値は、基準サンプル組成に依存しているばかりで
なく、測定の初期化（すなわち、サンプルを最初に磁化
するのに使用する磁場の強さ）、およびサンプルの形状
にも依存することを観察した。しかし、十分強い磁場
（一例をあげると、＞１ｋＯｅ、例えば、２．５ｋＯ
ｅ）内で初期化を行うと、再現性のあるＨｓ値が得られ
る。サンプルの形状への見かけ上のＨｓの依存性は、通
常均質／異質磁区の核形成化の確率に対する依存性によ
るものである。
【００４３】すでに説明したように、本発明の少なくと
もいくつかの製品を製造する際の重要な特徴は、磁気光
学本体の初期化（磁極化）である。通常、上記の磁極化
は本体の主要面に垂直な方向に磁場を掛けるプロセスを
含んでいる。磁極化を行う磁場は、通常本体全体の磁場
の方向に本質的に磁化整合を完全に行うのに十分なだけ
強い。必要とする磁場の強さは、通常、１０3 Ｏｅ以上
であり、１０4 Ｏｅ以上の場合すらある。
もいくつかの製品を製造する際の重要な特徴は、磁気光
学本体の初期化（磁極化）である。通常、上記の磁極化
は本体の主要面に垂直な方向に磁場を掛けるプロセスを
含んでいる。磁極化を行う磁場は、通常本体全体の磁場
の方向に本質的に磁化整合を完全に行うのに十分なだけ
強い。必要とする磁場の強さは、通常、１０3 Ｏｅ以上
であり、１０4 Ｏｅ以上の場合すらある。
【００４４】本発明の少なくともいくつかの適当に磁極
化された材料は、有意の強さの漂遊磁場があり、例え
ば、１２５℃の高温においても、長期間（例えば、実験
を継続した数カ月間）にわたって安定な磁化を示した。
当業者なら、上記の材料が周知の（例えば、飽和磁石を
使用していない光アイソレータ）のような製品を単純化
することができ、今まで実現できなかった装置を作るこ
とを可能にすることを理解することができるだろう。
化された材料は、有意の強さの漂遊磁場があり、例え
ば、１２５℃の高温においても、長期間（例えば、実験
を継続した数カ月間）にわたって安定な磁化を示した。
当業者なら、上記の材料が周知の（例えば、飽和磁石を
使用していない光アイソレータ）のような製品を単純化
することができ、今まで実現できなかった装置を作るこ
とを可能にすることを理解することができるだろう。
【００４５】図４に、本発明の例示としての製品、すな
わち、光アイソレータ４０を示す。参照番号４１は、予
め選択した波長の照射の偏光面を４５度回転させるよう
に、厚さおよび飽和磁化を選択した、本発明のガーネッ
ト・フィルムを示す。このガーネット・フィルムは、フ
ィルム面に対して垂直に磁化を行った場合に、一つの磁
区を本質的に形成するように、磁極化が行われる。参照
番号４２−４５は、磁極化装置、分析装置、光学的入力
焦点手段および光学的出力焦点手段を示す。本発明のア
イソレータの好適な実施例は、永久磁石を含んでいない
で、磁化状態を維持するのにガーネット層のラッチング
特性を使用している。しかし、通常従来技術の装置より
強度が低い、永久磁石を含んでいる実施例、または（通
常、間欠的に）ガーネット・フィルムに磁場を掛けるこ
とができるコイルを含んでいる実施例も考慮中である。
わち、光アイソレータ４０を示す。参照番号４１は、予
め選択した波長の照射の偏光面を４５度回転させるよう
に、厚さおよび飽和磁化を選択した、本発明のガーネッ
ト・フィルムを示す。このガーネット・フィルムは、フ
ィルム面に対して垂直に磁化を行った場合に、一つの磁
区を本質的に形成するように、磁極化が行われる。参照
番号４２−４５は、磁極化装置、分析装置、光学的入力
焦点手段および光学的出力焦点手段を示す。本発明のア
イソレータの好適な実施例は、永久磁石を含んでいない
で、磁化状態を維持するのにガーネット層のラッチング
特性を使用している。しかし、通常従来技術の装置より
強度が低い、永久磁石を含んでいる実施例、または（通
常、間欠的に）ガーネット・フィルムに磁場を掛けるこ
とができるコイルを含んでいる実施例も考慮中である。
【００４６】光ファイバ通信システムは、通常、光アイ
ソレータからなる。例えば、アイソレータは、通常レー
ザを反射信号の放射から保護するために、レーザ送信機
の近くに設置される。図５は、光ファイバ通信システム
５０の略図である。この図においては、参照番号５１−
５４は、それぞれ送信機、本発明のアイソレータ、光フ
ァイバおよび受信機を示す。本発明によるアイソレータ
を除けば、システムは従来のものをそのまま使用できる
ことを理解してほしい。
ソレータからなる。例えば、アイソレータは、通常レー
ザを反射信号の放射から保護するために、レーザ送信機
の近くに設置される。図５は、光ファイバ通信システム
５０の略図である。この図においては、参照番号５１−
５４は、それぞれ送信機、本発明のアイソレータ、光フ
ァイバおよび受信機を示す。本発明によるアイソレータ
を除けば、システムは従来のものをそのまま使用できる
ことを理解してほしい。
【００４７】当業者なら、（偏光に依存するか、または
依存しない）光アイソレータは、また光ファイバ・アン
プ（米国特許５，１４０，４５６参照）または光ファイ
バ通信システムの他の構成部材と一緒に（例えば、従来
の波長分割マルチプレクサまたはカプラを一緒に）使用
できることを知っているものと思う。そのようなすべて
の使用も考慮中である。
依存しない）光アイソレータは、また光ファイバ・アン
プ（米国特許５，１４０，４５６参照）または光ファイ
バ通信システムの他の構成部材と一緒に（例えば、従来
の波長分割マルチプレクサまたはカプラを一緒に）使用
できることを知っているものと思う。そのようなすべて
の使用も考慮中である。
【００４８】光アイソレータ用の従来技術のガーネット
組成は、通常、アイソレータを範囲内のすべての温度で
作動できるように、材料の補償温度をアイソレータの動
作温度範囲の外側に設定しなければならないという要件
に適合しなければならない。発明者は、この制約はバイ
アス磁石を含んでいない装置には適用されないことを発
見した。それ故、本発明のラッチング・ガーネット材の
場合には、アイソレータがバイアス磁石を有していない
場合には、アイソレータの動作温度範囲（例えば、−４
０から８０℃）内に補償温度を設定することができる
し、実際に、多くの場合、上記の温度範囲内に補償温度
が設定されている。
組成は、通常、アイソレータを範囲内のすべての温度で
作動できるように、材料の補償温度をアイソレータの動
作温度範囲の外側に設定しなければならないという要件
に適合しなければならない。発明者は、この制約はバイ
アス磁石を含んでいない装置には適用されないことを発
見した。それ故、本発明のラッチング・ガーネット材の
場合には、アイソレータがバイアス磁石を有していない
場合には、アイソレータの動作温度範囲（例えば、−４
０から８０℃）内に補償温度を設定することができる
し、実際に、多くの場合、上記の温度範囲内に補償温度
が設定されている。
【００４９】上記の有利な特徴は、本発明の磁石を使用
しない装置の場合には、部分束磁化の方向が補償温度の
範囲内で同じ方向を向いているが、正味の飽和磁化およ
び上記の磁化に対するファラデー回転の符号の両方が変
化し、そのため相互に打ち消すという事実によるもので
ある。
しない装置の場合には、部分束磁化の方向が補償温度の
範囲内で同じ方向を向いているが、正味の飽和磁化およ
び上記の磁化に対するファラデー回転の符号の両方が変
化し、そのため相互に打ち消すという事実によるもので
ある。
【００５０】さらに自由度が広くなるために、（すなわ
ち、動作温度範囲内の補償温度が許されるために）動作
温度範囲内で｜４πＭｓ｜＜１００Ｇという要件に適合
することがより容易になる。何故なら、上記の温度範囲
の中心付近で零交差が起こると、通常温度範囲の両端で
の飽和磁化を最も小さくするからである。
ち、動作温度範囲内の補償温度が許されるために）動作
温度範囲内で｜４πＭｓ｜＜１００Ｇという要件に適合
することがより容易になる。何故なら、上記の温度範囲
の中心付近で零交差が起こると、通常温度範囲の両端で
の飽和磁化を最も小さくするからである。
【００５１】材料の磁極化（すなわち、磁化の方向の設
定）を行う場合、磁極化磁場と磁化との間を有意に結合
するには、飽和磁化の数値が零以外の数値（例えば、≧
５−１０Ｇ）でなければならないことを理解してほし
い。それ故、室温で磁極化を行いたい場合には、補償温
度は室温であってはならない。しかし、材料を高温また
は低温で磁極化したい場合もあるだろう。何故なら、そ
のような場合には、補償温度を室温（約２０℃）（また
はその付近に）するために、材料の組成を選ぶことがで
きるからである。上記の材料は、通常高く安定したラッ
チング行動を示す。
定）を行う場合、磁極化磁場と磁化との間を有意に結合
するには、飽和磁化の数値が零以外の数値（例えば、≧
５−１０Ｇ）でなければならないことを理解してほし
い。それ故、室温で磁極化を行いたい場合には、補償温
度は室温であってはならない。しかし、材料を高温また
は低温で磁極化したい場合もあるだろう。何故なら、そ
のような場合には、補償温度を室温（約２０℃）（また
はその付近に）するために、材料の組成を選ぶことがで
きるからである。上記の材料は、通常高く安定したラッ
チング行動を示す。
【００５２】＜例＞基準組成であるＢｉ1 Ｅｕ1 Ｈｏ1
Ｆｅ4 Ｇａ1 Ｏ12を有するガーネット本体は、以下の方
法で製造される。関連金属（純度９９．９９％またはそ
れ以上）の市販の酸化物を、Ｔｂ2 Ｏ3 を、Ｅｕ2 Ｏ3
およびＨｏ2 Ｏ3 の５０／５０モル％混合物で置換し、
Ｆｅ2 Ｏ3 をＦｅ2 Ｏ3 およびＧａ2 Ｏ3 の８０／２０
モル％混合物で置換することを除けば、（１９９３年３
月１４日に発行された特許公報平成５−１１７０９５
の）上記の’６９７の日本特許出願の記載に実質的に従
って、計量し混合する。この混合物を周知の融剤を使用
して、白金の坩堝内で従来の方法で溶かす。８５０℃で
平衡状態に達した後、約４０ｒｐｍで回転している（Ｇ
ｄ2.68Ｃａ0.32）（Ｇａ1.04Ｍｇ0.32Ｚｎ0.64）Ｇａ3
Ｏ12の組成の単結晶基板ウェーハに溶融物を接触させる
ことにより、ガーネット材の成長が始まる。必要な厚さ
（約１００μｍ）に達した後、その上にガーネットが乗
っている基板を溶融物から引き上げ、融剤を除去し、結
合物を室温まで冷却する。基板を機械的手段で除去し、
得られたガーネット・ウェーハを１１．５ｘ１１．５ｍ
ｍのスラブに分割し、スラブの両面を光学的に磨き、反
射防止コーティングを行い、適当な磁極化を行った後、
光アイソレータ内に設置するのに適した２ｘ２ｍｍのチ
ップに切断する。スラブの一つおよびいくつかのチップ
上で、従来の振動サンプル磁力計を使用して、磁気測定
を行う。スラブとチップは、両方とも、−４０から＋８
０℃の温度範囲で、｜Ｈｓ｜＞｜４πＭｓ｜Ｏｅおよび
｜４πＭｓ｜＜１００Ｇの実質的に四角い磁化ループを
示し、また室温および上記の温度範囲の少なくとも有意
の部分で、しっかりとしたラッチングを示す。
Ｆｅ4 Ｇａ1 Ｏ12を有するガーネット本体は、以下の方
法で製造される。関連金属（純度９９．９９％またはそ
れ以上）の市販の酸化物を、Ｔｂ2 Ｏ3 を、Ｅｕ2 Ｏ3
およびＨｏ2 Ｏ3 の５０／５０モル％混合物で置換し、
Ｆｅ2 Ｏ3 をＦｅ2 Ｏ3 およびＧａ2 Ｏ3 の８０／２０
モル％混合物で置換することを除けば、（１９９３年３
月１４日に発行された特許公報平成５−１１７０９５
の）上記の’６９７の日本特許出願の記載に実質的に従
って、計量し混合する。この混合物を周知の融剤を使用
して、白金の坩堝内で従来の方法で溶かす。８５０℃で
平衡状態に達した後、約４０ｒｐｍで回転している（Ｇ
ｄ2.68Ｃａ0.32）（Ｇａ1.04Ｍｇ0.32Ｚｎ0.64）Ｇａ3
Ｏ12の組成の単結晶基板ウェーハに溶融物を接触させる
ことにより、ガーネット材の成長が始まる。必要な厚さ
（約１００μｍ）に達した後、その上にガーネットが乗
っている基板を溶融物から引き上げ、融剤を除去し、結
合物を室温まで冷却する。基板を機械的手段で除去し、
得られたガーネット・ウェーハを１１．５ｘ１１．５ｍ
ｍのスラブに分割し、スラブの両面を光学的に磨き、反
射防止コーティングを行い、適当な磁極化を行った後、
光アイソレータ内に設置するのに適した２ｘ２ｍｍのチ
ップに切断する。スラブの一つおよびいくつかのチップ
上で、従来の振動サンプル磁力計を使用して、磁気測定
を行う。スラブとチップは、両方とも、−４０から＋８
０℃の温度範囲で、｜Ｈｓ｜＞｜４πＭｓ｜Ｏｅおよび
｜４πＭｓ｜＜１００Ｇの実質的に四角い磁化ループを
示し、また室温および上記の温度範囲の少なくとも有意
の部分で、しっかりとしたラッチングを示す。
【図１】磁化曲線対掛けた磁場を示し、図１は、本発明
の低磁気モーメントを有する材料に関する。
の低磁気モーメントを有する材料に関する。
【図２】磁化曲線対掛けた磁場を示し、従来技術による
中間の磁気モーメントを有する材料を示す。
中間の磁気モーメントを有する材料を示す。
【図３】磁化曲線対掛けた磁場を示し、従来技術の高い
磁気モーメントを有する材料を示す。
磁気モーメントを有する材料を示す。
【図４】本発明の光アイソレータの略図である。
【図５】本発明の例示としての製品の一部の略図であ
る。すなわち、本発明の低磁気モーメントを有する磁気
光学材を使用した光アイソレータからなる光ファイバ通
信システムである。
る。すなわち、本発明の低磁気モーメントを有する磁気
光学材を使用した光アイソレータからなる光ファイバ通
信システムである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヴィンセント ジェローム フラッテロ アメリカ合衆国 07920 ニュージャーシ ィ，バスキング リッジ，ステイシー レ ーン ８ (72)発明者 スチーヴン ジョイ リッチ アメリカ合衆国 08807 ニュージャーシ ィ，ブリッジウォーター，キャサリーン レーン 92
Claims (15)
- 【請求項１】 規定単位当たりの原子の数で表したガド
リニウム、テルビウムおよびダイスプロジウムの濃度Ｇ
ｄ，ＴｂおよびＤｙが、Ｇｄ＋（Ｔｂ／２．１）＋（Ｄ
ｙ／２．５）＜１．０になるように、ガドリニウム、テ
ルビウムおよびダイスプロジウムそれぞれの規定単位当
たりの原子の数が１．０、２．１および２．５以下にす
るため、本体の規定組成を選択し、さらに室温を含む本
体の予め定めた動作温度範囲内での如何なる温度におい
ても、本体が、主要面に垂直な上記の方向に対して平行
に加えられた磁場Ｈ内において、Ｈｓが磁化ループの切
替え磁場であり、４πＭｓが飽和磁化である場合に、｜
Ｈｓ｜＞｜４πＭｓ｜Ｏｅの実質的に四角い磁化ループ
を有するように、また上記の飽和磁化が、上記の温度範
囲全体にわたって絶対値で１００Ｇ以下となり、それに
より上記の本体が上記の動作温度範囲内の如何なる温度
においてもラッチング動作を示すように、基準組成を選
択することを特徴とする、基準組成、主要面および上記
の主要面に垂直な方向に４πＭの磁化を有する磁気光学
ガーネット材の本体からなる製品。 - 【請求項２】 少なくとも室温において、本体が｜Ｈｓ
｜≧５００Ｏｅを持ち、それにより上記の本体が少なく
とも室温でしっかりとしたラッチング行動を示すよう
に、基準組成を選択する請求項１に記載の製品。 - 【請求項３】 本体が、主要面に垂直な上記の方向に対
して平行に加えられた磁場Ｈ内において、Ｈｓが磁化ル
ープの切替え磁場であり、４πＭｓが飽和磁化である場
合に、｜Ｈｓ｜＞｜４πＭｓ｜Ｏｅおよび｜ＨＳ｜≧５
００Ｏｅの実質的に四角い磁化ループを、少なくとも室
温において有するように、また上記の飽和磁化が、少な
くとも室温において絶対値で１００Ｇ以下となり、それ
により上記の本体が少なくとも室温においてラッチング
動作を示すように、本体の基準組成を選択することを特
徴とする、基準組成、主要面および上記の主要面に垂直
な方向に４πＭの磁化を有する磁気光学ガーネット材の
本体からなる製品。 - 【請求項４】 規定単位当たりの原子の数で表したガド
リニウム、テルビウムおよびダイスプロジウムの濃度Ｇ
ｄ，ＴｂおよびＤｙが、Ｇｄ＋（Ｔｂ／２．１）＋（Ｄ
ｙ／２．５）＜１．０になるように、それぞれガドリニ
ウム、テルビウムおよびダイスプロジウムの規定単位た
り１．０、２．１および２．５原子以下にするために、
本体の規定組成を選択し、さらに室温を含む予め定めた
動作温度範囲全体にわたる如何なる温度においても、材
料が｜Ｈｓ｜＞｜４πＭｓ｜Ｏｅおよび｜Ｍｓ｜＜１０
０Ｇを持ち、それにより本体が上記の温度範囲全体にわ
たってラッチング行動を示すように、基準組成の選択を
行う請求項３記載の製品。 - 【請求項５】 Ａが一種類またはそれ以上の希土類（原
子番号５７−７１）、ＹおよびＣａから選択したもので
あり、Ｃが、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｍｇ、Ｍｎおよ
びＺｒの一つまたはそれ以上からなるグループから選ん
だもので、ｘが、０．３−２．０の範囲であり、ｙが、
０．２−２．０の範囲である場合に、基準組成が（Ｂｉ
x Ａ3-x ）（Ｆｅ5-y Ｃy ）Ｏ12であり、上記の動作温
度範囲が＋６０℃を含んでいる請求項２または４に記載
の製品。 - 【請求項６】 動作温度範囲が、−４０℃から＋８０℃
である請求項５に記載の製品。 - 【請求項７】 上記の主要面に入射するように波長λの
電磁放射を起こさせる手段をさらに含み、入射照射の少
なくともある部分が本体を通して伝送され、利用手段に
より受信することができるように、上記の本体を選択す
る請求項５に記載の製品。 - 【請求項８】 製品が、バイアス磁石を含まない光アイ
ソレータである請求項７に記載の製品。 - 【請求項９】 製品が、波長λの電磁照射源、上記の電
磁照射の利用手段、信号が利用源と上記の電磁照射源を
伝送により接続し、光ファイバからなる送信経路と、磁
気光学ガーネット材の上記の本体を含む光アイソレータ
とからなる光ファイバ通信システムであって、上記の光
アイソレータがバイアス磁石を含んでいない請求項５に
記載の製品。 - 【請求項１０】 基準組成が、テルビウムおよびダイス
プロジウムの規定単位当たりそれぞれ１．５および２．
０以下の原子からなる請求項５に記載の製品。 - 【請求項１１】 Ａがユーロピウムおよびホルミウムの
一方または両方を含んでいる請求項５に記載の製品。 - 【請求項１２】 Ａがユーロピウムまたはユーロピウム
およびホルミウムである請求項１１に記載の製品。 - 【請求項１３】 さらに、本体が上記の予め定めた動作
範囲内に補償温度を有するように、基準組成を選択する
請求項５に記載の製品。 - 【請求項１４】 本体が、実質的に室温である補償温度
を有するように基準組成を選択する請求項１３に記載の
製品。 - 【請求項１５】 ガーネット材が、Ｂｉ1 Ｅｕ1 Ｈｏ1
Ｆｅ4 Ｇａ1 Ｏ12、Ｂｉ.75 Ｅｕ1.5 Ｈｏ0.75Ｆｅ4.1
Ｇａ0.9 Ｏ12およびＢｉ1 Ｅｕ2 Ｆｅ4 Ｇａ0.5 Ａｌ
0。5 Ｏ12から選らんだ基準組成を有している請求項５記
載の製品。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/498,099 US5608570A (en) | 1995-07-05 | 1995-07-05 | Article comprising a magneto-optic material having low magnetic moment |
| US08/653,085 US5801875A (en) | 1995-07-05 | 1996-06-12 | Article comprising a magneto-optic material having low magnetic moment |
| US08/653085 | 1996-06-12 | ||
| US08/498099 | 1996-06-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09185027A true JPH09185027A (ja) | 1997-07-15 |
| JP3198053B2 JP3198053B2 (ja) | 2001-08-13 |
Family
ID=27052714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17610796A Expired - Lifetime JP3198053B2 (ja) | 1995-07-05 | 1996-07-05 | 低磁気モーメントを有する磁気光学材からなる製品 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5801875A (ja) |
| EP (1) | EP0752713B1 (ja) |
| JP (1) | JP3198053B2 (ja) |
| DE (1) | DE69606356T2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2002287104A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-03 | Photocrystal Inc | 磁石不使用ファラデー回転子の製造法 |
| US6775052B2 (en) | 2001-12-25 | 2004-08-10 | Tdk Corporation | Hard magnetic garnet material, faraday rotator, optical device, optical communication system, method of manufacturing faraday rotator and method of manufacturing bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal |
| US7133189B2 (en) | 2002-02-22 | 2006-11-07 | Tdk Corporation | Magnetic garnet material, faraday rotator, optical device, bismuth-substituted rare earth-iron-garnet single-crystal film and method for producing the same and crucible for producing the same |
| US7211455B2 (en) | 2002-02-22 | 2007-05-01 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor module |
| CN100399111C (zh) * | 2002-01-24 | 2008-07-02 | Tdk株式会社 | 法拉第转子及用其的光部件 |
| US11353669B2 (en) | 2013-10-18 | 2022-06-07 | Corning Optical Communications LLC | Optical fiber cable with reinforcement |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6594068B2 (en) * | 2000-07-05 | 2003-07-15 | Zhifeng Sui | High switching speed digital faraday rotator device and optical switches containing the same |
| US6733587B2 (en) * | 2001-10-05 | 2004-05-11 | Triquint Technology Holding Co. | Process for fabricating an article comprising a magneto-optic garnet material |
| US6853473B2 (en) * | 2002-01-24 | 2005-02-08 | Tdk Corporation | Faraday rotator and optical device comprising the same, and antireflection film and optical device comprising the same |
| US6795242B2 (en) * | 2002-02-06 | 2004-09-21 | Lightwaves 2020, Inc. | Miniature circulator devices and methods for making the same |
| AT411852B (de) * | 2002-02-12 | 2004-06-25 | Didosyan Yuri S Dr | Verfahren und vorrichtung zur änderung des polarisationszustandes von licht mit einem magnetisch einachsigen kristall |
| WO2004023194A2 (en) * | 2002-09-04 | 2004-03-18 | Massachusetts Institute Of Technology | Optical isolator with magneto-optical material and manufacturing method |
| US6770223B1 (en) | 2002-12-13 | 2004-08-03 | Integrated Photonics, Inc. | Article comprising a faraday rotator that does not require a bias magnet |
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|---|---|---|---|---|
| JPH0766044B2 (ja) * | 1985-06-29 | 1995-07-19 | 株式会社東芝 | 磁界センサ |
| JP2779057B2 (ja) * | 1990-10-25 | 1998-07-23 | 信越化学工業株式会社 | 静磁波素子用チップおよび静磁波素子 |
| JP3237031B2 (ja) * | 1993-01-27 | 2001-12-10 | 株式会社トーキン | ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜，光アイソレータ及び磁気光学スイッチ |
| JPH07104224A (ja) * | 1993-10-07 | 1995-04-21 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 非相反光デバイス |
| US5608570A (en) * | 1995-07-05 | 1997-03-04 | Lucent Technologies Inc. | Article comprising a magneto-optic material having low magnetic moment |
-
1996
- 1996-06-12 US US08/653,085 patent/US5801875A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-07-03 EP EP96304927A patent/EP0752713B1/en not_active Revoked
- 1996-07-03 DE DE69606356T patent/DE69606356T2/de not_active Revoked
- 1996-07-05 JP JP17610796A patent/JP3198053B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| CN100399111C (zh) * | 2002-01-24 | 2008-07-02 | Tdk株式会社 | 法拉第转子及用其的光部件 |
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| US7517406B2 (en) | 2002-02-22 | 2009-04-14 | Tdk Corporation | Magnetic garnet material, faraday rotator, optical device, bismuth-substituted rare earth-iron-garnet single-crystal film and method for producing the same and crucible for producing the same |
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| US11822139B2 (en) | 2013-10-18 | 2023-11-21 | Corning Optical Communications LLC | Optical fiber cable with reinforcement |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5801875A (en) | 1998-09-01 |
| DE69606356T2 (de) | 2000-09-07 |
| JP3198053B2 (ja) | 2001-08-13 |
| EP0752713B1 (en) | 2000-01-26 |
| DE69606356D1 (de) | 2000-03-02 |
| EP0752713A1 (en) | 1997-01-08 |
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Legal Events
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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