RU2138069C1 - Магнитооптическая тонкопленочная структура - Google Patents

Магнитооптическая тонкопленочная структура Download PDF

Info

Publication number
RU2138069C1
RU2138069C1 RU96107470A RU96107470A RU2138069C1 RU 2138069 C1 RU2138069 C1 RU 2138069C1 RU 96107470 A RU96107470 A RU 96107470A RU 96107470 A RU96107470 A RU 96107470A RU 2138069 C1 RU2138069 C1 RU 2138069C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
film
substrate
plane
bismuth
garnet
Prior art date
Application number
RU96107470A
Other languages
English (en)
Other versions
RU96107470A (ru
Inventor
Е.И. Ильяшенко
В.П. Клин
А.Г. Соловьев
Original Assignee
Гарнетек Лтд. (Garnetec Ltd.)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Гарнетек Лтд. (Garnetec Ltd.) filed Critical Гарнетек Лтд. (Garnetec Ltd.)
Priority to RU96107470A priority Critical patent/RU2138069C1/ru
Priority to US08/842,286 priority patent/US6143435A/en
Publication of RU96107470A publication Critical patent/RU96107470A/ru
Priority to US09/397,622 priority patent/US6288980B1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2138069C1 publication Critical patent/RU2138069C1/ru

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/032—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using magneto-optic devices, e.g. Faraday or Cotton-Mouton effect
    • G01R33/0322—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using magneto-optic devices, e.g. Faraday or Cotton-Mouton effect using the Faraday or Voigt effect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
    • H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
    • H01F10/18—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being compounds
    • H01F10/20—Ferrites
    • H01F10/24—Garnets
    • H01F10/245—Modifications for enhancing interaction with electromagnetic wave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/26—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the substrate or intermediate layers
    • H01F10/28—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the substrate or intermediate layers characterised by the composition of the substrate
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
    • G11B11/10532—Heads
    • G11B11/10541—Heads for reproducing
    • G11B11/10543—Heads for reproducing using optical beam of radiation
    • G11B11/10547—Heads for reproducing using optical beam of radiation interacting with the magnetisation of an intermediate transfer element, e.g. magnetic film, included in the head
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
    • G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
    • G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Использование: изобретение относится к магнитооптическим структурам, используемым в системах оптической обработки информации, в датчиках и преобразователях магнитных полей. Сущность изобретения: в магнитооптической структуре, содержащей подложку 1 из монокристалла гадолиний-галлиевого феррит-граната, на которую нанесена пленка 2 из висмутсодержащего галлиевого феррит-граната с вектором 3 намагниченности, лежащим в плоскости пленки, кристаллографическая ось [100]5 монокристалла подложки 1 смещена относительно перпендикуляра 4 к плоскости подложки 1 на угол, не превышающий величины отклонения до кристаллографической оси [210]6, предпочтительно в пределах от 0° до 4o включительно, причем висмутсодержащий феррит-гранат дозирован редкоземельными элементами, предпочтительно туллием, гадолинием, лютецием или их комбинациями. 3 ил., 3 з.п. ф-лы, 1 табл.

Description

Изобретение откосится к магнитооптическим структурам, предназначенным для использования в системах оптической обработки информации, и может быть использовано при создании датчиков, преобразователей магнитных полей и других устройств аналогичного назначения.
В настоящее время широко известны висмутсодержащие феррит- гранатовые материалы в виде тонких или многослойных пленок, используемые для визуализации и наблюдения магнитных полей. В частности, эпитаксиальные висмутсодержащие пленки используют как для наблюдения магнитных полей от различных источников, так и для обработки информации в магнитооптических приборах и системах [1,2] . Такие эпитаксиальные пленки представляют собой структуры, выращиваемые на монокристаллических диэлектрических подложках гадолиний- галлиевого граната (ГГГ) обычно плоскостной кристаллографической ориентации [111], [110] или [210].
Известны магнитооптические пленки со структурой граната состава (Bi,Y, Tm, Gd)3(Fe, Ga)5O12, применяемые в устройствах отображения, оптических устройствах обработки данных, в элементах памяти [3]. Как показано на фиг. 1, такая пленка 1,
эпитаксиально выращенная на подложке 2 из ГГГ с ориентацией [111], имеет одноосную анизотропию, направленную вдоль оси с ориентацией [111]. Удельное значение фарадеевского вращения в такой пленке, измеренное на длине волны 546,1 нм проходящего света, составляет порядка 3 град/мкм. Такая пленка проявляет гистерезис B-H фарадеевского вращения в функции приложенного поля вдоль оси [111]. Величина поля, требуемая для переключения пленки между противоположными состояниями насыщения, варьируется в пределах 30-400 Э.
Пленка, подобная показанной на фиг. 1, имеет одноосное направление намагниченности, т.е. вектор 3 намагниченности
Figure 00000002
направлен перпендикулярно плоскости пленки. Таким пленкам свойственна "лабиринтная" доменная структура, схематично представленная на фиг.1. Она возникает в отсутствие внешнего магнитного поля Hвнеш, перпендикулярного плоскости пленки, или если такое поле невелико.
При приложении к пленке 1 внешнего поля Hвнеш достаточного уровня ее доменная структура изменяется, приблизительно представляя форму магнитного потока от соответствующего источника. На этом явлении основана визуализация магнитного поля с помощью висмутсодержащих феррит-гранатовых пленок. Включение висмута в состав феррит-гранатовой пленки улучшает ее магнитооптические свойства.
К недостаткам таких пленок следует отнести сравнительно низкое разрешение, которое ограничено шириной полосового домена. Ширину полосового домена можно уменьшить, увеличивая намагниченность насыщения 4πMs пленки, однако при этом чувствительность такой пленки к Hвнеш сильно уменьшается. Можно увеличить намагниченность насыщения 4πMs также за счет уменьшения толщины пленки. При этом, однако, пропорционально уменьшается фарадеевское вращение вектора поляризации света, что затрудняет наблюдение при визуализации магнитного поля. В одноосных висмутсодержащих феррит-гранатовых пленках достигнуто разрешение не лучше, чем 1,2 мкм для источников магнитного поля, имеющих отношение сигнал/шум в диапазоне 45-50 дБ.
Известны также магнитооптические структуры с висмутсодержащими феррит-гранатовыми пленками, вектор намагниченности
Figure 00000003
которых направлен вдоль плоскости пленки, так называемой пленки с "легкой плоскостью" [4,5]. Указанная структура схематично представлена на фиг.2. Подложкой 2 для такой пленки 1, обычно является монокристалл ГГГ или сложно-замещенного ГГГ с Ca, Mg, Zr или иной монокристаллический диэлектрический материал с соответствующим параметром кристаллической решетки. Ориентация подложек для феррит-гранатовых пленок с "легкой плоскостью" намагниченности может быть [111], [210], [100]. Вектор 3 намагниченности
Figure 00000004
под действием перпендикулярной компоненты внешнего магнитного поля, т.е. H⊥внеш, отклоняется от плоскости пленки на некоторый угол, зависящий от напряженности H⊥внеш. Угол фарадеевского вращения вектора поляризации света пропорционален углу отклонения
Figure 00000005
от плоскости пленки, т.е. пропорционален H⊥внеш. .
Главными преимуществами пленок с "легкой плоскостью" являются высокое разрешение и возможность осуществления глубокой оптической модуляции, т.е. получения более контрастного изображения магнитного поля при его наблюдении. Эта возможность связана с большими значениями фарадеевского вращения. Однако для достижения таких значений необходимо введение в кристаллографическую решетку пленки большего количества ионов висмута. В свою очередь, увеличение количества ионов висмута увеличивает анизотропию поля HА феррит-гранатовой пленки и, следовательно, увеличивает требуемое значение поля H⊥внеш для получения того же угла вращения вектора
Figure 00000006
Иными словами, чувствительность пленки уменьшается. Более того, при введении ионов висмута в состав пленки выше определенного количества она становится одноосной.
Задачей изобретения является создание магнитооптической структуры, преимущественно в качестве датчика магнитных полей, преодолевающей недостатки аналогичных структур, известных из предшествующего уровня техники. Достигаемым при этом техническим результатом является повышение разрешения и чувствительности, обеспечение высокого значения фарадеевского вращения поляризованного света и высокого быстродействия при приложении импульсного внешнего магнитного поля.
Указанный результат достигается тем, что в магнитооптической тонкопленочной структуре, содержащей подложку из диэлектрического материала со структурой граната, на которую нанесена пленка магнитного материала с вектором намагниченности, лежащим в плоскости пленки, причем в качестве магнитного материала пленки выбран висмутсодержащий галлиевый феррит-гранат, отличающейся тем, что подложка выполнена из монокристалла гадолиний-галлиевого граната, кристаллографическая ось [100] которого смещена относительно перпендикуляра к плоскости подложки и соответственно плоскости пленки из висмутсодержащего феррит-граната на угол А, не превышающий величины отклонения до направления кристаллографической оси [210], причем висмутсодержащий феррит- гранат допирован редкоземельными элементами.
При этом угол А между кристаллографической осью [100] монокристаллической подложки и перпендикуляром к плоскости подложки с пленкой из висмутсодержащего феррит-граната, отсчитываемый в направлении к кристаллографической оси [210] монокристалла подложки, предпочтительно выбран в пределах
0 < A ≤4o.
Кроме того, в качестве допирующих редкоземельных элементов могут быть выбраны элементы из группы, состоящей из туллия, лютеция, гадолиния в отдельности и их комбинаций.
И наконец, магнитный материал пленки предпочтительно содержит от 0,8 до 0,85 ионов висмута и от 1,1 до 1,15 ионов галлия на одну формульную единицу кристаллической структуры упомянутого материала.
Изобретение поясняется чертежами, на которых представлено следующее:
фиг. 1 - иллюстрация вышеупомянутой "лабиринтной" доменной структуры в магнитооптической тонкопленочной структуре с вектором намагниченности, перпендикулярным плоскости пленки из магнитного материала;
фиг. 2 - схематичное представление известной магнитооптической тонкопленочной структуры с вектором намагниченности, лежащим в плоскости пленки из магнитного материала;
фиг. 3 - схематичное представление магнитооптической тонкопленочной структуры, соответствующей изобретению, иллюстрирующее ориентацию кристаллографических осей.
Соответствующие изобретению признаки ориентации подложки и состава нанесенного на нее слоя - пленки магнитного материала - обеспечивают оптимальные параметры для поля анизотропии HА, намагниченности насыщения 4πMs, , коэффициента фарадеевского вращения θF и фактора магнитной добротности Q = 2HA/4πMs при сохранении минимальных значений для HА и 4πMs.
В результате проведенных заявителем исследований и экспериментов по изучению влияния изменения ориентации подложки на поле анизотропии HА на чувствительность θF/H⊥внеш было обнаружено, что упомянутая ориентация подложки, представленная на фиг.3, характеризуемая углом A между перпендикуляром 4 к плоскости подложки 1 с нанесенной пленкой 2 и кристаллографической осью [100] 5 в пределах до 4 , при переходе к направлению кристаллографической оси [210] 6 дает наилучшие результаты в аспекте чувствительности θF/H⊥внеш. При увеличении угла А ориентации подложки 1 от 0o до 4o включительно поле анизотропии HА постепенно уменьшается, в чувствительность θF/H⊥внеш резко возрастает. При дальнейшем отклонении ориентации подложки, превышающем 4o, верхний слой феррит-гранатовой пленки изменяет направление намагниченности на перпендикулярное к плоскости пленки. В частности, при величине отклонения от ориентации [100], равной 6o вся эпитаксиальная монокристаллическая пленка по всей толщине становится одноосно намагниченной и появляется "лабиринтная" доменная структура (фиг. 1), как в обычных пленках феррит-граната с ориентацией [111].
Угол ориентации вектора 3 намагниченности
Figure 00000007
пленки 2 от перпендикулярного направления к положению в плоскости пленки 2, т.е. от ориентации вектора 3 намагниченности
Figure 00000008
показанной на фиг. 1, к его ориентации, показанной на фиг. 2, также зависит от количества ионов висмута и галлия в составе монокристаллического слоя и от условий роста пленки и методов выращивания или нанесения. При содержании галлия менее 1,1 иона на одну формульную единицу монокристаллической структуры намагниченность насыщения становится большой ( 4πMs > 200 Гс). В этом случае у пленок магнитная добротность Q уменьшается ( Q -фактор < 1), а чувствительность резко падает и требуются большие значения H⊥внеш, чтобы отклонить вектор
Figure 00000009
от направления [100]. При введении галлия в количестве больше, чем 1,15 иона на одну формульную единицу ( 4πMs≅ 70 Гс) магнитная добротность Q становится больше 1, и вектор
Figure 00000010
находится в положении, перпендикулярном плоскости пленки ("лабиринтная'' доменная структура).
Ограничения на содержание висмута связаны с требованием более высоких значений фарадеевского коэффициента и определяются величинами HА и 4πMs. Пленки при содержании висмута менее 0,8 иона на одну формульную единицу имеют малые значения θF. . Этот недостаток пленок непосредственно связан с содержанием висмута в кристаллической решетке. Однако когда содержание висмута становится больше, чем 0,85 иона на одну формульную единицу, параметр aF решетки пленки становится больше, чем параметр as решетки подложки из ГГГ, что вызывает значительную стрессовую анизотропию вдоль плоскости, определяемой кристаллографической осью [100], и чувствительность пленок уменьшается. При этом также уменьшается магнитооптическая добротность θF/α, где α - -оптическое поглощение.
Пример конкретного выполнения
В соответствии с изобретением изготавливалась магнитооптическая структура, содержащая подложку, на которой выращивались тонкие эпитаксиальные пленки состава
RE3,0 - 0,81 Bi0,81 Fe3,85 Ga1,15 O12,0,
где RE - редкоземельные элементы.
Пленки выращивались способом жидкофазной эпитаксии на монокристаллической подложке ГГГ. Определенный выше угол отклонения ориентации подложки относительно кристаллографической оси [100] изменялся в пределах от 0o до 6o, и далее была взята подложка с ориентацией [210].
Монокристаллические пленки были выращены при следующих соотношениях расплавных компонент;
R1 = RE2O3 / Fe2O3 = 34,0
R2 = Fe2О3 / Ga2O3 = 6,47
R3 = PbO/Bi2O3 = 1,0
R4 = 0,095
R5 = PbO/B2O3 = 4,17
Температура роста 720oC.
Скорость вращения подложки 120 об/мин.
Толщина пленок 3,0 мкм.
Пленки вышеуказанного состава имели оптимальные параметры:
при H⊥внеш= 20 Э чувствительность равна 0,55 угл.o/мкм;
при H⊥внеш= 100 Э чувствительность равна 0,65 угл.o/мкм.
В таблице приведены параметры пленок вышеуказанного состава, выращенных на подложках с разными углами отклонения ориентации от плоскости, определяемой кристаллографической осью [100].
Результаты, приведенные в таблице, показывают, что положение вектора намагниченности
Figure 00000011
вдоль плоскости пленки сохраняется до значения угла отклонения перпендикуляра к плоскости подложки относительно кристаллографической оси [100] , равного 4o включительно. При значении этого угла, равного 6o , появляется субслой, начинающийся от открытой поверхности пленки, который имеет вектор намагниченности
Figure 00000012
перпендикулярный плоскости пленки. При дальнейшем увеличении этого угла и переходе к оси [210] пленка по всей толщине имеет вектор
Figure 00000013
перпендикулярный плоскости пленки.
Источники информации
1. Scott G. B. , IEEE Transactions of Magnetics Vol.MAG- 12, N.4, pp. 292-310, 1976.
2. Tolksdorf W.,Thin Solid Films. Vol.114, N.1-2, pp.33-43, 1984.
3. Gualtieri D.M. and Tumelty P.F. J.Appl.Phys. 57(1)15, April 1985, pp. 3879-3881.
4. Гусев М.Ю., Письма в ЖТФ. Том 14, N. 18, стр.1659-1662, 1988.
5. T. Mizuluoto et al. IEEE Transactions on Magnetics. Vol. 29, N. 6, November 1993, pp.3417-3419.

Claims (4)

1. Магнитооптическая тонкопленочная структура, содержащая подложку из диэлектрического материала со структурой граната, на которую нанесена пленка магнитного материала с вектором намагниченности, лежащим в плоскости пленки, причем в качестве магнитного материала пленки выбран висмутсодержащий галлиевый феррит-гранат, отличающаяся тем, что подложка выполнена из монокристалла гадолиний-галиевого граната, кристаллографическая ось [100] которого смещена относительно перепендикуляра к плоскости подложки со стороны упомянутой пленки магнитного материала на угол A, не превышающий величины отклонения до кристаллографической оси [210], при этом висмутсодержащий галлиевый феррит-гранат допирован редкоземельными элементами.
2. Структура по п.1, отличающийся тем, что угол A между кристаллографической осью [100] монокристаллической подложки и перпендикуляром к плоскости подложки, отсчитываемый от упомянутого перпендикуляра в направлении к кристаллографической оси [210] монокристалла подложки, выбран в пределах
0o < A ≤ 4o.
3. Структура по п.1 или 2, отличающаяся тем, что в качестве допирующих редкоземельных элементов выбраны элементы из группы, состоящей из туллия, лютеция, гадолиния в отдельности и их комбинаций.
4. Структура по п.1, или 2, или 3, отличающаяся тем, что магнитный материал пленки содержит от 0,8 до 0,85 ионов висмута и от 1,1 до 1,15 ионов галлия на одну формальную единицу кристаллической структуры упомянутого материала.
RU96107470A 1996-04-23 1996-04-23 Магнитооптическая тонкопленочная структура RU2138069C1 (ru)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU96107470A RU2138069C1 (ru) 1996-04-23 1996-04-23 Магнитооптическая тонкопленочная структура
US08/842,286 US6143435A (en) 1996-04-23 1997-04-23 Magneto-optical thin-layer structure
US09/397,622 US6288980B1 (en) 1996-04-23 1999-09-16 Magneto-optical head for information reading

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU96107470A RU2138069C1 (ru) 1996-04-23 1996-04-23 Магнитооптическая тонкопленочная структура

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU96107470A RU96107470A (ru) 1998-09-27
RU2138069C1 true RU2138069C1 (ru) 1999-09-20

Family

ID=20179409

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU96107470A RU2138069C1 (ru) 1996-04-23 1996-04-23 Магнитооптическая тонкопленочная структура

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6143435A (ru)
RU (1) RU2138069C1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2692047C1 (ru) * 2018-02-14 2019-06-19 Акционерное общество "Научно-исследовательский институт материаловедения им. А.Ю. Малинина" Магнитооптический элемент и считывающее устройство с таким элементом

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2002360546A1 (en) * 2001-12-11 2003-07-09 Lake Shore Cryotronics, Inc. Magneto-optical sensing employing phase-shifted transmission bragg gratings
JP3979138B2 (ja) * 2001-12-20 2007-09-19 住友電気工業株式会社 光アイソレータおよび偏光子
US7254286B2 (en) 2002-12-11 2007-08-07 Lake Shore Cryotronics, Inc. Magneto-optical resonant waveguide sensors
JP4717950B2 (ja) * 2009-03-16 2011-07-06 Ｊｆｅミネラル株式会社 磁気光学効果特性測定用の組成傾斜フェライト材料およびフェライトの特性評価方法
DE102011052217B4 (de) 2011-07-27 2019-08-08 Helmholtz-Zentrum Dresden - Rossendorf E.V. Verfahren zum Bestimmen der wellenlängenabhängigen magnetooptischen Kopplungskonstante einer zu charakterisierenden Schicht in einem Schichtsystem mit einer oder mehreren magnetisierbaren Schichten

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4625390A (en) * 1983-03-16 1986-12-02 Litton Systems, Inc. Two-step method of manufacturing compressed bismuth-containing garnet films of replicable low anisotropy field value
DE3607346A1 (de) * 1986-03-06 1987-09-10 Philips Patentverwaltung Magneto-optisches lichtschaltelement und verfahren zu seiner herstellung
JPH0768048B2 (ja) * 1986-07-31 1995-07-26 株式会社トーキン 磁気光学ガ−ネツト
JPH05333124A (ja) * 1992-06-03 1993-12-17 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 反射型光磁界センサヘッド
JPH0769797A (ja) * 1993-08-27 1995-03-14 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 低飽和磁界ビスマス置換鉄ガーネット単結晶
US5473466A (en) * 1994-06-02 1995-12-05 Tanielian; Aram A. Magneto-optical display and method of forming such display

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Scott G.B. IEEE Transaction of Magnetics. Vol. MAG-12, N 4, 1976, pp.292 - 310. 2. Tolksolorf w. Thin Solid Films. Vol.114, N 1 - 2, 1984, pp.33 - 43. 3. Gualtieri D.M. and Tumelty P.F. J.Appl. Phys.57(1)15, april 1985, pp.3879-3881. 4. Гусев М.Ю. Письма в ЖТФ. Том 14, N 18, 1988, с.1659 - 1662. 5. T.Mizumoto et al. IEEE Transactions on Magnetics. Vol.29, N 6, November 1993, pp.3417 - 3419. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2692047C1 (ru) * 2018-02-14 2019-06-19 Акционерное общество "Научно-исследовательский институт материаловедения им. А.Ю. Малинина" Магнитооптический элемент и считывающее устройство с таким элементом

Also Published As

Publication number Publication date
US6143435A (en) 2000-11-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Levy et al. Integrated optical isolators with sputter-deposited thin-film magnets
CA2156626A1 (en) Thin-film magneto-optic polarization rotator
US5186866A (en) Oxide garnet single crystal
US4698820A (en) Magnetic device and method of manufacture
US6288827B1 (en) Faraday rotator
JP3198053B2 (ja) 低磁気モーメントを有する磁気光学材からなる製品
US5898516A (en) Faraday rotator having a rectangular shaped hysteresis
US5608570A (en) Article comprising a magneto-optic material having low magnetic moment
RU2138069C1 (ru) Магнитооптическая тонкопленочная структура
US4563236A (en) Method for making large area stable domains
JP3458865B2 (ja) 低飽和磁界ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶、および、その用途
Levy et al. Permanent magnet film magneto‐optic waveguide isolator
US6673146B2 (en) Method of manufacturing a magnet-free faraday rotator
JP2000347151A (ja) 光デバイスを含む物品
US3654162A (en) Ferrimagnetic iron garnet having large faraday effect
EP0785454A1 (en) Faraday rotator for magneto-optic sensors
JP4400959B2 (ja) ファラデー回転子用ガーネット結晶体、およびそれを有する光アイソレータ
EP1162635A1 (en) Material for bismuth substituted garnet thick film and a manufacturing method thereof
US7006289B2 (en) Magnetooptical isolator material
US6031654A (en) Low magnet-saturation bismuth-substituted rare-earth iron garnet single crystal film
JP3217721B2 (ja) ファラデー素子及びファラデー素子の製造方法
JP2679157B2 (ja) テルビウム鉄ガーネット及びそれを用いた磁気光学素子
Fratello et al. Growth and characterization of magnetooptic garnet films with planar uniaxial anisotropy
Smith et al. Uniaxial Magnetic Anisotropy in ErEu‐, YEu, and YGdTm‐Garnet Films for Bubble‐Domain Devices
JP3476557B2 (ja) ファラデー回転子

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20050424