JPS62138396A - 磁気光学素子用磁性ガ−ネツト材料 - Google Patents
磁気光学素子用磁性ガ−ネツト材料Info
- Publication number
- JPS62138396A JPS62138396A JP27963785A JP27963785A JPS62138396A JP S62138396 A JPS62138396 A JP S62138396A JP 27963785 A JP27963785 A JP 27963785A JP 27963785 A JP27963785 A JP 27963785A JP S62138396 A JPS62138396 A JP S62138396A
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- Japan
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- single crystal
- substrate
- magnetic
- garnet
- magnetic garnet
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気光学素子用磁性ガーネット材料に関する
。
。
光フアイバー通信は従来の電気通信と比べて大容量のデ
ータを高速に、かつ低損失で伝送できる利点があり、現
在実用化が急速に進んでいる。しかしファイバー内を伝
搬するレーザー光の一部が光フアイバー接続点やコネク
タ、スイッチ等の光デバイスにおいて反射され、光源の
半導体レーザーに戻ると、レーザー発振を不安定にさせ
、伝送品質を低下させてしまう。このため信頼性の高い
通信や計測を行なう上で出射光を通過させるが、反射光
の通過を阻止する光学素子として光アイソレータが知ら
れている。
ータを高速に、かつ低損失で伝送できる利点があり、現
在実用化が急速に進んでいる。しかしファイバー内を伝
搬するレーザー光の一部が光フアイバー接続点やコネク
タ、スイッチ等の光デバイスにおいて反射され、光源の
半導体レーザーに戻ると、レーザー発振を不安定にさせ
、伝送品質を低下させてしまう。このため信頼性の高い
通信や計測を行なう上で出射光を通過させるが、反射光
の通過を阻止する光学素子として光アイソレータが知ら
れている。
光アイソレータは、一般に、偏光子、ファラデー回転子
および検光子からなり、順方向に進む光は偏光により偏
光成分が選択され、ファラデー回転子に入射するとファ
ラデー効果により偏光面が４５度回転させられる。検光
子の偏光面は偏光子の偏光面に対して４５度傾けて設定
されているので順方向の光は低損失で通過する。一方、
逆方向からの入射光は、偏光子に対して４５度傾いた偏
光面の光が検光子により選択され、ファラデー回転子に
よりさらに４５度回転させられる結果、偏光子の偏光面
に対して９０度ずれた偏光成分のみが偏光子に入射する
ことになるので、通過が阻止されるというものである。
および検光子からなり、順方向に進む光は偏光により偏
光成分が選択され、ファラデー回転子に入射するとファ
ラデー効果により偏光面が４５度回転させられる。検光
子の偏光面は偏光子の偏光面に対して４５度傾けて設定
されているので順方向の光は低損失で通過する。一方、
逆方向からの入射光は、偏光子に対して４５度傾いた偏
光面の光が検光子により選択され、ファラデー回転子に
よりさらに４５度回転させられる結果、偏光子の偏光面
に対して９０度ずれた偏光成分のみが偏光子に入射する
ことになるので、通過が阻止されるというものである。
従来、ファラデー回転子の材料として、フラックス法で
育成したイツトリウム・鉄・ガーネットＹｌ Ｆｅ５Ｏ
１２（ＹＩＧ）のバルク単結晶が用いられて来たが、Ｙ
ＩＧはファラデー回転係数が小さいため、所要のファラ
デー効果を得るためには厚さを２〜３ｍｍと大きくしな
ければならない、しかし、 ＹＩＧは高価であるので、
このように厚くすることは素子製造のコスト上問題があ
る。
育成したイツトリウム・鉄・ガーネットＹｌ Ｆｅ５Ｏ
１２（ＹＩＧ）のバルク単結晶が用いられて来たが、Ｙ
ＩＧはファラデー回転係数が小さいため、所要のファラ
デー効果を得るためには厚さを２〜３ｍｍと大きくしな
ければならない、しかし、 ＹＩＧは高価であるので、
このように厚くすることは素子製造のコスト上問題があ
る。
そこで、近年、ファラデー回転子の材料として、非磁性
ガーネット基板上に比較的薄い磁性ガーネット膜をエピ
タキシャル成長させたものが提案されている。このよう
な材料の場合には、磁性ガーネット膜には、膜厚が小さ
くても所要のファラデー効果が得られるようにファラデ
ー回転係数が大きいことと、基板となる非磁性ガーネッ
トと格子定数が一致することが求められる。磁性ガーネ
ットの希土類成分を一部ビスマス（Ｂｉ）で置換すると
ファラデー回転係数が著しく増加することが知られてお
り、これを利用した上記のような磁性材料として、ネオ
ジム・ガリウム・ガーネットＮｄ３Ｇａ５０＋ｚ（ＮＧ
Ｏ）基板または式（ＧｄＣａ）３ （ＧａＭｇＺｒ）５
０１２で表わされるＧｄ、 Ｇａを一部置換したガドリ
ウム・ガリウム・ガーネット（以下、「高格子定数ＧＧ
ＧＪという）基板の上に、式（ＧａＢｉ）３（ＦａＡＩ
Ｇａ）５０１２で表わされる磁性ガーネット膜を厚さ４
００μｍ程度液相エピタキシャル法で形成したものが知
られており、これらは波長０．８〜１．５５μｍの近赤
外領域においてファラデー回転子材料として有用である
と報告されている。
ガーネット基板上に比較的薄い磁性ガーネット膜をエピ
タキシャル成長させたものが提案されている。このよう
な材料の場合には、磁性ガーネット膜には、膜厚が小さ
くても所要のファラデー効果が得られるようにファラデ
ー回転係数が大きいことと、基板となる非磁性ガーネッ
トと格子定数が一致することが求められる。磁性ガーネ
ットの希土類成分を一部ビスマス（Ｂｉ）で置換すると
ファラデー回転係数が著しく増加することが知られてお
り、これを利用した上記のような磁性材料として、ネオ
ジム・ガリウム・ガーネットＮｄ３Ｇａ５０＋ｚ（ＮＧ
Ｏ）基板または式（ＧｄＣａ）３ （ＧａＭｇＺｒ）５
０１２で表わされるＧｄ、 Ｇａを一部置換したガドリ
ウム・ガリウム・ガーネット（以下、「高格子定数ＧＧ
ＧＪという）基板の上に、式（ＧａＢｉ）３（ＦａＡＩ
Ｇａ）５０１２で表わされる磁性ガーネット膜を厚さ４
００μｍ程度液相エピタキシャル法で形成したものが知
られており、これらは波長０．８〜１．５５μｍの近赤
外領域においてファラデー回転子材料として有用である
と報告されている。
しかし、ＮＧＯ基板は、近赤外領域において吸収が大き
いので、磁性ガーネット膜を成長させた後に該基板は削
り除く必要があり、これは製造工程数の増加および製造
コストの上昇を招くという問題を伴なう。また、高格子
定数ＧＧＧは、インゴット内のＣａ、 ＫｇおよびＺｒ
の濃度を均一に製造することが困難で、得られるウェハ
ーの格子定数は±０．００３人程度のバ５ツキをもって
いる。そのため、前記磁性ガーネット膜の格子定数が基
板のそれと不一致になり易く、そのため得られる磁性材
料に割れが生じたりして歩留りが低いという問題点を有
している。また、この高格子定数ＧＧＧは大型結晶を作
りにくく、その基板は高価であるという問題点もある。
いので、磁性ガーネット膜を成長させた後に該基板は削
り除く必要があり、これは製造工程数の増加および製造
コストの上昇を招くという問題を伴なう。また、高格子
定数ＧＧＧは、インゴット内のＣａ、 ＫｇおよびＺｒ
の濃度を均一に製造することが困難で、得られるウェハ
ーの格子定数は±０．００３人程度のバ５ツキをもって
いる。そのため、前記磁性ガーネット膜の格子定数が基
板のそれと不一致になり易く、そのため得られる磁性材
料に割れが生じたりして歩留りが低いという問題点を有
している。また、この高格子定数ＧＧＧは大型結晶を作
りにくく、その基板は高価であるという問題点もある。
本発明の目的はこれらの問題点を解決した磁気光学素子
用磁性ガーネット材料を提供することにある。
用磁性ガーネット材料を提供することにある。
すなわち本発明は、前記の問題点を解決するものとして
、 ガドリニウム・ガリウム・ガーネットＧｄ５ＧａｓＯ＋
ｚ（ＧＧＧ）単結晶基板と、該基板上にエピタキシャル
成長させた一般式（１） ％式％（） 〔式中、ＲはＬｕ、 Ｙｂ、 Ｔｍ、 Ｅｒ、 Ｈｏお
よびＹから選ばれた少なくとも１種の希土類元素、好ま
しくはＬｕ、 Ｙｂ、 Ｔｌ１１およびＥｒから選ばれ
た少なくとも１種であり、ＭはＡｌおよびＧａから選ば
れた少なくとも１種の元素であり、ＸはＯ＜ｘ＜１．５
の数で、ｙはＯ≦ｙ＜０．５の数である。〕 で表わされる組成を有する単結晶膜とからなる磁気光学
素子用磁性ガーネット材料を提供するものである。
、 ガドリニウム・ガリウム・ガーネットＧｄ５ＧａｓＯ＋
ｚ（ＧＧＧ）単結晶基板と、該基板上にエピタキシャル
成長させた一般式（１） ％式％（） 〔式中、ＲはＬｕ、 Ｙｂ、 Ｔｍ、 Ｅｒ、 Ｈｏお
よびＹから選ばれた少なくとも１種の希土類元素、好ま
しくはＬｕ、 Ｙｂ、 Ｔｌ１１およびＥｒから選ばれ
た少なくとも１種であり、ＭはＡｌおよびＧａから選ば
れた少なくとも１種の元素であり、ＸはＯ＜ｘ＜１．５
の数で、ｙはＯ≦ｙ＜０．５の数である。〕 で表わされる組成を有する単結晶膜とからなる磁気光学
素子用磁性ガーネット材料を提供するものである。
本発明の磁性ガーネット材料において、一般式（１）の
ＲをＬｕ、 Ｙｂ、 Ｔｍ、 Ｅｒ、 ）ｔｏおよびＹ
から選ばれる少なくとも１種とするのは、これらの元素
のイオン半径が小さいためこれらＲを部分的にＢｉで置
換しても、前記単結晶膜の格子定数をＧＧＧ基板の格子
定数（１２，３８３人）と許容範囲（±０．００１人）
内で一致（ヤッチング）させ得るからである。Ｂｉは前
記のようにファラデー回転係数を大きくするが、格子定
数をも大きくするように作用する。従って、Ｒとしてこ
のようなイオン半径のより小さい元素を選択すれば格子
定数の増大を抑制してＲサイトの８１置換量（ｘ）を増
すことができ、ファラデー回転係数をより大きくするこ
とができる。このＲのイオン半径はＬｕ、 Ｙｂ、 Ｔ
ｍ、 Ｅｒ、 Ｙ、 Ｈｏの順に大きく、従って格子定
数の一致に必要なＸの値はこの元素列の順に小さくなる
。例えば、ｙ＝ｏの場合、ＸはＬｕの場合０．９２７、
Ｙｂで０．８３９、Ｔ１１で０．５８９、Ｅｒで０．３
７４、Ｙで０．０８６、Ｈｏで０．０３８である。
ＲをＬｕ、 Ｙｂ、 Ｔｍ、 Ｅｒ、 ）ｔｏおよびＹ
から選ばれる少なくとも１種とするのは、これらの元素
のイオン半径が小さいためこれらＲを部分的にＢｉで置
換しても、前記単結晶膜の格子定数をＧＧＧ基板の格子
定数（１２，３８３人）と許容範囲（±０．００１人）
内で一致（ヤッチング）させ得るからである。Ｂｉは前
記のようにファラデー回転係数を大きくするが、格子定
数をも大きくするように作用する。従って、Ｒとしてこ
のようなイオン半径のより小さい元素を選択すれば格子
定数の増大を抑制してＲサイトの８１置換量（ｘ）を増
すことができ、ファラデー回転係数をより大きくするこ
とができる。このＲのイオン半径はＬｕ、 Ｙｂ、 Ｔ
ｍ、 Ｅｒ、 Ｙ、 Ｈｏの順に大きく、従って格子定
数の一致に必要なＸの値はこの元素列の順に小さくなる
。例えば、ｙ＝ｏの場合、ＸはＬｕの場合０．９２７、
Ｙｂで０．８３９、Ｔ１１で０．５８９、Ｅｒで０．３
７４、Ｙで０．０８６、Ｈｏで０．０３８である。
一方、Ｆｅサイトをイオン半径の小さいＡｌ、Ｇａで置
換すればＲサイトのＢｉ置換量Ｘをさらに増すことがで
きるが、このＦｅサイトの置換はキュリ一温度の低下を
もたらし、室温付近でのファラデー回転係数の温度係数
を増加させる。
換すればＲサイトのＢｉ置換量Ｘをさらに増すことがで
きるが、このＦｅサイトの置換はキュリ一温度の低下を
もたらし、室温付近でのファラデー回転係数の温度係数
を増加させる。
本発明では、ｙはＯ≦ｙ＜０．５の範囲内とすることが
でき、かかる弊害を抑えられ、特にｙ＝Ｑとすることが
できる利点がある。
でき、かかる弊害を抑えられ、特にｙ＝Ｑとすることが
できる利点がある。
本発明に用いるＧＧＧ基板の厚さは４００〜５００μ程
度で良い。
度で良い。
本発明の磁性材料は、ＧＧＧ基板上に、液相エピタキシ
ャル法によって前記一般式（Ｉ）の単結晶膜を育成する
ことにより製造することができる。
ャル法によって前記一般式（Ｉ）の単結晶膜を育成する
ことにより製造することができる。
この場合、フラックス成分として、例えばＰｂＯ１Ｂ２
０３． Ｂｉ２Ｏ３を用い、原料成分およびフラックス
成分の仕込みは融液仕込みのモル比で次の範囲が好まし
い。
０３． Ｂｉ２Ｏ３を用い、原料成分およびフラックス
成分の仕込みは融液仕込みのモル比で次の範囲が好まし
い。
Ｆｅ２Ｏ３／Ｒ２Ｏ３＝ １０〜２５ＰｂＯ／Ｂ２０
３＝ ３〜１０ ＰｂＯ／Ｂｉ２Ｏ：＋ ＝ １．０〜２．０（Ｇｄ
２０３＋Ｆｅ２０３）／ （Ｇｄ２０２＋Ｆｅ２Ｏ３＋
ＰｂＯ＋Ｂ２１％＋Ｂｉ２０２）＝ ０．１３〜０．
１５ 磁性単結晶膜の育成は、このような組成の融液を、例え
ば７５０〜９５０℃の範囲において、基板と単結晶膜の
格子定数が一致するように温度（格子定数マツチング温
度）を選択し、該融液に研磨したＧＧＧ基板の片面を接
触させ、５０〜１５０ｒｐｍで基板を回転させることに
より行なう。約０．５〜３μＩｌ１分の成長速度単結晶
膜を育成することができる。
３＝ ３〜１０ ＰｂＯ／Ｂｉ２Ｏ：＋ ＝ １．０〜２．０（Ｇｄ
２０３＋Ｆｅ２０３）／ （Ｇｄ２０２＋Ｆｅ２Ｏ３＋
ＰｂＯ＋Ｂ２１％＋Ｂｉ２０２）＝ ０．１３〜０．
１５ 磁性単結晶膜の育成は、このような組成の融液を、例え
ば７５０〜９５０℃の範囲において、基板と単結晶膜の
格子定数が一致するように温度（格子定数マツチング温
度）を選択し、該融液に研磨したＧＧＧ基板の片面を接
触させ、５０〜１５０ｒｐｍで基板を回転させることに
より行なう。約０．５〜３μＩｌ１分の成長速度単結晶
膜を育成することができる。
こうして得られた、ＧＧＧ基板に磁性単結晶膜を成長さ
せたものを、所要の厚さに研磨の後素子製造に用いる。
せたものを、所要の厚さに研磨の後素子製造に用いる。
以下、本発明を実施例により具体的に説明する。
実施例１
原料およびフラックス成分として、Ｆａ２０２４１，９
９ｇ、 Ｙｂ２０ｚ ５．１８ｇ、 Ｂｉ２０ｚ ２２
７．７９ｇ、 ＰｂＯ２１ｇ、２３ｇ、そして８２０３
６．８１ｇを用いた。これは、融液仕込み組成（モル比
）で次のような配合割合である。
９ｇ、 Ｙｂ２０ｚ ５．１８ｇ、 Ｂｉ２０ｚ ２２
７．７９ｇ、 ＰｂＯ２１ｇ、２３ｇ、そして８２０３
６．８１ｇを用いた。これは、融液仕込み組成（モル比
）で次のような配合割合である。
Ｒ１＝ Ｆｅ２Ｏ２／ Ｙｂ２０２ ＝ ２０ＰｂＯ／
Ｂｉ２Ｏコ＝２ ＰｂＯ／Ｂ２０．＝ １０ Ｒ４＝ （Ｙｂ２０３＋Ｆｅ２０ａ）／ （Ｙｂ２０３
＋Ｆｅ２Ｏ３＋ＰｂＯ＋Ｂ２Ｏ２＋Ｂｉ２Ｏ３）＝Ｏ，
ｔＳ 上記の原料およびフラックス成分を白金ルツボに入れ、
抵抗炉で加熱して融解し、１０００℃において攪拌して
融液を均一にした後８２０℃（格子定数マツチング温度
）に下げて保持し、これに両面を鏡面研磨した直径５０
＋＋＋ｍ、厚さ０．４５０＋ｍのＧＧＧ基板の片面を接
触させた。該基板を１１００ｒｐで４５０分間回転させ
て磁性ガーネット単結晶を成長させた。育成した単結晶
膜の組成は、Ｙｂ２．ｔｇｔ８ｉｏ、ｓｚ＊Ｆａｉｏｔ
２であった６得られた磁性材料の断面を電子顕微鏡で観
察して測定したところ膜厚５００μｍであった。この材
料を鏡面研磨の後光学特性を測定したところ、室温でフ
ァラデー回転係数１１００度／ｃｍ （波長１．３μｍ
）であり、吸収係数は２ｃｍ”以下（波長１．３μｍ）
であった・ 実施例２ 原料として、Ｆｅ２Ｏ２、Ｌｕ２Ｏ３、Ｂｉａｓｓ、ｐ
ｂｏ、そしてＢ２０．を、融液仕込み組成（モル比）で
、次の割合で使用した。
Ｂｉ２Ｏコ＝２ ＰｂＯ／Ｂ２０．＝ １０ Ｒ４＝ （Ｙｂ２０３＋Ｆｅ２０ａ）／ （Ｙｂ２０３
＋Ｆｅ２Ｏ３＋ＰｂＯ＋Ｂ２Ｏ２＋Ｂｉ２Ｏ３）＝Ｏ，
ｔＳ 上記の原料およびフラックス成分を白金ルツボに入れ、
抵抗炉で加熱して融解し、１０００℃において攪拌して
融液を均一にした後８２０℃（格子定数マツチング温度
）に下げて保持し、これに両面を鏡面研磨した直径５０
＋＋＋ｍ、厚さ０．４５０＋ｍのＧＧＧ基板の片面を接
触させた。該基板を１１００ｒｐで４５０分間回転させ
て磁性ガーネット単結晶を成長させた。育成した単結晶
膜の組成は、Ｙｂ２．ｔｇｔ８ｉｏ、ｓｚ＊Ｆａｉｏｔ
２であった６得られた磁性材料の断面を電子顕微鏡で観
察して測定したところ膜厚５００μｍであった。この材
料を鏡面研磨の後光学特性を測定したところ、室温でフ
ァラデー回転係数１１００度／ｃｍ （波長１．３μｍ
）であり、吸収係数は２ｃｍ”以下（波長１．３μｍ）
であった・ 実施例２ 原料として、Ｆｅ２Ｏ２、Ｌｕ２Ｏ３、Ｂｉａｓｓ、ｐ
ｂｏ、そしてＢ２０．を、融液仕込み組成（モル比）で
、次の割合で使用した。
Ｒ１： Ｆｅ２Ｏ３／ Ｌｕ２Ｏ３＝ ２０ＰｂＯ／Ｂ
ｉｚＯ３＝ ２ ＰｂＯ／Ｂ２０ｚ ＝ １０ Ｒ４＝ （Ｌｕ２０ｚ”ＦｅｚＯｚ）／ （Ｌｕ２０ｚ
＋Ｆｅ２Ｏ３＋ＰｂＯ＋８２０２＋Ｂｉ２０３）＝Ｏ，
Ｉ５ 格子定数マツチング温度を８００℃に変えた以外は実施
例１と同様にしてＧＧＧ基板上に磁性単結晶膜を厚さ５
００μｍに育成した。この膜は、組成がＬｕ２．ｏ７ｚ
Ｂｉａ、＊ｚ７ＦＱ５０ｔ２の単結晶であった・得られ
た磁性材料を測定したところ、室温でのファラデー回転
係数１２００度／ｃｒａ （波長１．３μｍ）、吸収係
数２ｃｍ−１以下（波長１．３μｍ）であった。
ｉｚＯ３＝ ２ ＰｂＯ／Ｂ２０ｚ ＝ １０ Ｒ４＝ （Ｌｕ２０ｚ”ＦｅｚＯｚ）／ （Ｌｕ２０ｚ
＋Ｆｅ２Ｏ３＋ＰｂＯ＋８２０２＋Ｂｉ２０３）＝Ｏ，
Ｉ５ 格子定数マツチング温度を８００℃に変えた以外は実施
例１と同様にしてＧＧＧ基板上に磁性単結晶膜を厚さ５
００μｍに育成した。この膜は、組成がＬｕ２．ｏ７ｚ
Ｂｉａ、＊ｚ７ＦＱ５０ｔ２の単結晶であった・得られ
た磁性材料を測定したところ、室温でのファラデー回転
係数１２００度／ｃｒａ （波長１．３μｍ）、吸収係
数２ｃｍ−１以下（波長１．３μｍ）であった。
実施例３
希土類元素ＲとしてＴｍを使用し、実施例１と同様にし
てＧＧＧ基板上に、組成Ｔ１１１２−４１１Ｂｉ０．５
８９Ｆｅ５０１２の磁性単結晶膜を厚さ５００μｍに育
成した（格子定数マツチング温度８５０℃）。ファラデ
ー回転係数は８００度／ｃｍであった。
てＧＧＧ基板上に、組成Ｔ１１１２−４１１Ｂｉ０．５
８９Ｆｅ５０１２の磁性単結晶膜を厚さ５００μｍに育
成した（格子定数マツチング温度８５０℃）。ファラデ
ー回転係数は８００度／ｃｍであった。
実施例４
希土類元素としてＥｒを使用し、実施例１と同様にして
ＧＧＧ基板上に・組成ｌＥｒ２・６２８ａｔ０．３７４
Ｆｅ５ｏ１２の磁性単結晶膜を厚さ５００μｍに育成し
た（格子定数マツチング温度９２５℃）。ファラデー回
転係数は５００度／ｃｍであった。
ＧＧＧ基板上に・組成ｌＥｒ２・６２８ａｔ０．３７４
Ｆｅ５ｏ１２の磁性単結晶膜を厚さ５００μｍに育成し
た（格子定数マツチング温度９２５℃）。ファラデー回
転係数は５００度／ｃｍであった。
実施例３
実施例１と全く同様にしてＧＧＧ基板上に膜厚５００μ
ｍの単結晶膜を育成する操作を、８枚のＧＧＧ基板に続
けて行なった。ＧＧＧ基板の格子定数は１２．３８３人
であり、製造した８試料に育成した膜と基板の格子定数
差を測定したところ、図１に示す結果を得た。全試料に
おいて格子定数差は０．００１人以内でよく一致してお
り、試料の割れなどはまったくなかった。
ｍの単結晶膜を育成する操作を、８枚のＧＧＧ基板に続
けて行なった。ＧＧＧ基板の格子定数は１２．３８３人
であり、製造した８試料に育成した膜と基板の格子定数
差を測定したところ、図１に示す結果を得た。全試料に
おいて格子定数差は０．００１人以内でよく一致してお
り、試料の割れなどはまったくなかった。
本発明の磁気光学素子用磁性ガーネット材料は。
ＧＧＧ基板を用いるものであるためＮＧＯ基板の場合の
ように削り除く必要がなく、また比較的安価に製造する
ことができる。また磁性ガーネット単結晶膜の希土類成
分としてイオン半径の小さい希土類元素を使用したため
に、該膜はＧＧＧ基板と格子定数の一致性が良好である
ため製品歩留りが高く、しかもファラデー回転係数が室
温で１０００度／ｃｍ以上（波長１．３μｍ）と大きい
ものをも製造し得るため薄くとも所期のファラデー効果
を得ることができる。したがって、光アイソレータ等の
磁気光学素子用磁性材料として優れている。
ように削り除く必要がなく、また比較的安価に製造する
ことができる。また磁性ガーネット単結晶膜の希土類成
分としてイオン半径の小さい希土類元素を使用したため
に、該膜はＧＧＧ基板と格子定数の一致性が良好である
ため製品歩留りが高く、しかもファラデー回転係数が室
温で１０００度／ｃｍ以上（波長１．３μｍ）と大きい
ものをも製造し得るため薄くとも所期のファラデー効果
を得ることができる。したがって、光アイソレータ等の
磁気光学素子用磁性材料として優れている。
図１は、実施例３で製造した、本発明の磁性材料におけ
る基板と育成した単結晶膜の格子定数差を示す。
る基板と育成した単結晶膜の格子定数差を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）ガドリニウム・ガリウム・ガーネット単結晶基板と
、該基板上にエピタキシャル成長させた一般式： Ｒ＿３＿−＿ｘＢｉ＿ｘＦｅ＿５＿−＿ｙＭ＿ｙＯ＿１
＿２〔式中、ＲはＬｕ、Ｙｂ、Ｔｍ、Ｅｒ、Ｈｏおよび
Ｙから選ばれた少なくとも１種の希土類元素であり、Ｍ
はＡｌおよびＧａから選ばれた少なくとも１種であり、
ｘは０＜ｘ＜１．５の数で、ｙは０≦ｙ＜０．５の数で
ある。〕 で表わされる組成を有する単結晶膜とからなる磁気光学
素子用磁性ガーネット材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27963785A JPS62138396A (ja) | 1985-12-12 | 1985-12-12 | 磁気光学素子用磁性ガ−ネツト材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27963785A JPS62138396A (ja) | 1985-12-12 | 1985-12-12 | 磁気光学素子用磁性ガ−ネツト材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62138396A true JPS62138396A (ja) | 1987-06-22 |
Family
ID=17613753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27963785A Pending JPS62138396A (ja) | 1985-12-12 | 1985-12-12 | 磁気光学素子用磁性ガ−ネツト材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62138396A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02131216A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-21 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 磁気光学素子材料 |
| JPH02196100A (ja) * | 1989-01-26 | 1990-08-02 | Tokin Corp | 磁気光学ガーネット |
| CN103205813A (zh) * | 2013-03-14 | 2013-07-17 | 长春理工大学 | 掺铒镱镓石榴石晶体及其生长方法 |
-
1985
- 1985-12-12 JP JP27963785A patent/JPS62138396A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02131216A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-21 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 磁気光学素子材料 |
| JPH02196100A (ja) * | 1989-01-26 | 1990-08-02 | Tokin Corp | 磁気光学ガーネット |
| CN103205813A (zh) * | 2013-03-14 | 2013-07-17 | 长春理工大学 | 掺铒镱镓石榴石晶体及其生长方法 |
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