JPH111394A - 低飽和ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜 - Google Patents
低飽和ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光アイソレータを小型化するための低飽和ビ
スマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜を提供する。 【解決手段】 液相エピタキシャル法によって格子定数
が1.2497±0.0002nmの（111)ガーネット単結晶(GdCa)
3(GaMgZr)5O12 基板上に、一般式 :Tb3-XBiX Fe5-Y-ZGa
yAlz O12 (式中、1.25＜ｘ＜1.40、0.50＜ｙ＋ｚ＜0.6
5、0.45＜ｚ／ｙ＜0.75) で示されるビスマス置換希土
類鉄ガーネット単結晶膜を成長させ、これをファラデー
回転子とする。 【効果】 光アイソレータの小型化が達成される。
スマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜を提供する。 【解決手段】 液相エピタキシャル法によって格子定数
が1.2497±0.0002nmの（111)ガーネット単結晶(GdCa)
3(GaMgZr)5O12 基板上に、一般式 :Tb3-XBiX Fe5-Y-ZGa
yAlz O12 (式中、1.25＜ｘ＜1.40、0.50＜ｙ＋ｚ＜0.6
5、0.45＜ｚ／ｙ＜0.75) で示されるビスマス置換希土
類鉄ガーネット単結晶膜を成長させ、これをファラデー
回転子とする。 【効果】 光アイソレータの小型化が達成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光アイソレータ用ファ
ラデー回転子に用いられるビスマス置換希土類鉄ガーネ
ット単結晶膜に関し、飽和磁界が低くいことから、より
小型の光アイソレータが作成可能となる。
ラデー回転子に用いられるビスマス置換希土類鉄ガーネ
ット単結晶膜に関し、飽和磁界が低くいことから、より
小型の光アイソレータが作成可能となる。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザは、光応用機器あるいは光
通信などのコーヒレントな光源として広く利用されてい
るが、半導体レーザから放出された光線が光学系などに
よって反射されて再びこの半導体レーザに戻るとレーザ
発振が不安定になるという問題がある。この問題に対処
するために、半導体レーザの光出力側に光アイソレータ
を設け、半導体レーザから放出された光が戻らないよう
に光路を設定することが行われている
通信などのコーヒレントな光源として広く利用されてい
るが、半導体レーザから放出された光線が光学系などに
よって反射されて再びこの半導体レーザに戻るとレーザ
発振が不安定になるという問題がある。この問題に対処
するために、半導体レーザの光出力側に光アイソレータ
を設け、半導体レーザから放出された光が戻らないよう
に光路を設定することが行われている
【０００３】光アイソレータは、通常、二つの偏光素
子、ファラデー回転子およびファラデー回転子を磁気的
に飽和させるための永久磁石からなる。そしてファラデ
ー回転子としては、通常一般に、ファラデー効果が大き
なビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶厚膜が用いら
れている。
子、ファラデー回転子およびファラデー回転子を磁気的
に飽和させるための永久磁石からなる。そしてファラデ
ー回転子としては、通常一般に、ファラデー効果が大き
なビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶厚膜が用いら
れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】光アイソレータは、半
導体レーザーと一体化した、いわゆる半導体レーザーモ
ジュールとして用いられることから、小型化が強く求め
られている。光アイソレータを小型化するためには、フ
ァラデー回転子を磁気的に飽和させるための円筒形の永
久磁石を小型化する必要がある。永久磁石を小型化する
と、この円筒形永久磁石の内部における磁界が弱くなる
ので、弱い外部磁界でも磁気的に飽和するだけの低い飽
和磁界のファラデー回転子でなければならない。
導体レーザーと一体化した、いわゆる半導体レーザーモ
ジュールとして用いられることから、小型化が強く求め
られている。光アイソレータを小型化するためには、フ
ァラデー回転子を磁気的に飽和させるための円筒形の永
久磁石を小型化する必要がある。永久磁石を小型化する
と、この円筒形永久磁石の内部における磁界が弱くなる
ので、弱い外部磁界でも磁気的に飽和するだけの低い飽
和磁界のファラデー回転子でなければならない。
【０００５】すなわち、永久磁石を小型化するために
は、ファラデー回転子に用いられるビスマス置換希土類
鉄ガーネット単結晶（以下「ＢＩＧ」と記す。）膜の飽
和磁界を低く抑えることが必要となる。現在標準的に用
いられているＢＩＧ膜、例えば、(TbHoBi)3Fe5O12 では
飽和磁界が約1,000 Oe（エルステッド）と大きく、小型
化は困難であった。光アイソレータの一層の小型化を図
るためには、少なくとも350 Oe以下が望まれている。
は、ファラデー回転子に用いられるビスマス置換希土類
鉄ガーネット単結晶（以下「ＢＩＧ」と記す。）膜の飽
和磁界を低く抑えることが必要となる。現在標準的に用
いられているＢＩＧ膜、例えば、(TbHoBi)3Fe5O12 では
飽和磁界が約1,000 Oe（エルステッド）と大きく、小型
化は困難であった。光アイソレータの一層の小型化を図
るためには、少なくとも350 Oe以下が望まれている。
【０００６】ＢＩＧ膜の飽和磁界を下げる手段として
は、鉄をアルミニウムやガリウムで置換する方法が有効
である。しかし、鉄をアルミニウムやガリウムで置換し
ていくと、ファラデー回転係数の低下、ファラデー回転
係数の温度依存性の増加、あるいは磁気補償温度の上昇
など、光アイソレータの特性低下につながる悪影響が出
てくる。
は、鉄をアルミニウムやガリウムで置換する方法が有効
である。しかし、鉄をアルミニウムやガリウムで置換し
ていくと、ファラデー回転係数の低下、ファラデー回転
係数の温度依存性の増加、あるいは磁気補償温度の上昇
など、光アイソレータの特性低下につながる悪影響が出
てくる。
【０００７】液相エピタキシャル法によって非磁性ガー
ネット基板上に厚さ 500μｍ以上のＢＩＧ膜を成長させ
ると、周辺部分にクラックが発生するとか、結晶育成中
に基板が割れるなどの問題がある。製造したＢＩＧ膜を
ファラデー回転子とするには、研磨が必須であり、30μ
ｍの厚さの研磨代が必要である。したがって、ファラデ
ー回転子としての厚さは 470μｍ以下が好ましく、ファ
ラデー回転係数としては、957 degree/cm(＝45÷470 ×
10000)以上が好ましい。（光ファイバ通信に使用される
波長は主に1.55μｍであることから、以下、物性はすべ
て1.55μｍにおける値とする）。
ネット基板上に厚さ 500μｍ以上のＢＩＧ膜を成長させ
ると、周辺部分にクラックが発生するとか、結晶育成中
に基板が割れるなどの問題がある。製造したＢＩＧ膜を
ファラデー回転子とするには、研磨が必須であり、30μ
ｍの厚さの研磨代が必要である。したがって、ファラデ
ー回転子としての厚さは 470μｍ以下が好ましく、ファ
ラデー回転係数としては、957 degree/cm(＝45÷470 ×
10000)以上が好ましい。（光ファイバ通信に使用される
波長は主に1.55μｍであることから、以下、物性はすべ
て1.55μｍにおける値とする）。
【０００８】アイソレーションは光アイソレータの逆方
向光損失を示す重要な特性であり、−40℃から＋60℃の
使用温度範囲で 23 dB（デシベル）以上が望まれてい
る。光アイソレータのアイソレーションは、温度によっ
て変化する。これはファラデー回転子におけるファラデ
ー回転角の温度依存性に起因する。25 dB 以上のアイソ
レーションを達成するためには、ファラデー回転角の変
化の許容最大値は3.2 度である。すなわちは、±50℃の
範囲で、ファラデー回転角 3.2度の変化は、温度依存性
として、0.064 degree／℃（=3.2÷50) 以下となる。ま
た、ファラデー回転子の磁気補償温度以下の温度では、
光アイソレータとしての機能をまったく果たさなくなる
ので（磁気補償温度以下ではファラデー回転係数の符号
が逆転するため）、磁気補償温度は−40℃以下でなけれ
ばならない。
向光損失を示す重要な特性であり、−40℃から＋60℃の
使用温度範囲で 23 dB（デシベル）以上が望まれてい
る。光アイソレータのアイソレーションは、温度によっ
て変化する。これはファラデー回転子におけるファラデ
ー回転角の温度依存性に起因する。25 dB 以上のアイソ
レーションを達成するためには、ファラデー回転角の変
化の許容最大値は3.2 度である。すなわちは、±50℃の
範囲で、ファラデー回転角 3.2度の変化は、温度依存性
として、0.064 degree／℃（=3.2÷50) 以下となる。ま
た、ファラデー回転子の磁気補償温度以下の温度では、
光アイソレータとしての機能をまったく果たさなくなる
ので（磁気補償温度以下ではファラデー回転係数の符号
が逆転するため）、磁気補償温度は−40℃以下でなけれ
ばならない。
【０００９】以上、低飽和磁界のファラデー回転子は、
飽和磁界が 350 Oe 以下、ファラデー回転係数は 957 d
egree/cm以上、ファラデー回転角の温度依存性が 0.064
degree/℃以下、磁気補償温度が−40℃未満の特性を有
するビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜が求めら
れている。しかし、この要求をすべて満たすＢＩＧ膜は
未だ報告されていないのが現状である。
飽和磁界が 350 Oe 以下、ファラデー回転係数は 957 d
egree/cm以上、ファラデー回転角の温度依存性が 0.064
degree/℃以下、磁気補償温度が−40℃未満の特性を有
するビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜が求めら
れている。しかし、この要求をすべて満たすＢＩＧ膜は
未だ報告されていないのが現状である。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討した結果、本発明を完成した。す
なわち、本発明は、液相エピタキシャル法によって格子
定数が1.2497±0.0002nmの（111)ガーネット単結晶(GdC
a)3(GaMgZr)5O12 基板上に育成されてなり、 一般式(1) : Tb3-x Bi x Fe5-y-zGa yAlzO12 (式中、1.25＜ｘ＜1.40、0.50＜ｙ＋ｚ＜0.65、0.45＜
ｚ／ｙ＜0.75) で示される低飽和ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結
晶膜である。
を解決すべく鋭意検討した結果、本発明を完成した。す
なわち、本発明は、液相エピタキシャル法によって格子
定数が1.2497±0.0002nmの（111)ガーネット単結晶(GdC
a)3(GaMgZr)5O12 基板上に育成されてなり、 一般式(1) : Tb3-x Bi x Fe5-y-zGa yAlzO12 (式中、1.25＜ｘ＜1.40、0.50＜ｙ＋ｚ＜0.65、0.45＜
ｚ／ｙ＜0.75) で示される低飽和ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結
晶膜である。
【００１１】本発明の一般式(1) のＢＩＧ膜において、
ビスマス置換量ｘが、1.25を下回るとファラデー効果が
低下し、必要な膜厚が厚くなるので好ましくない（ファ
ラデー回転効果はビスマス置換量にほぼ比例する）。逆
に、ｘが1.40を越えると非磁性ガーネット基板との格子
定数のマッチングがとれなくなり、良質な単結晶が得ら
れなくなる。
ビスマス置換量ｘが、1.25を下回るとファラデー効果が
低下し、必要な膜厚が厚くなるので好ましくない（ファ
ラデー回転効果はビスマス置換量にほぼ比例する）。逆
に、ｘが1.40を越えると非磁性ガーネット基板との格子
定数のマッチングがとれなくなり、良質な単結晶が得ら
れなくなる。
【００１２】ガリウムとアルミニウムの置換量(y+z)
が、0.50を下回ると、飽和磁界が 350Oe を越えるので
好ましくない。また、 y+zが、0.65を越えると磁気補償
温度が−40℃以上となるとか、ファラデー回転角の温度
依存性が 0.064 degree/℃を越えるので好ましくない。
ガリウムに対するアルミニウムの比率(z/y) が0.45未満
になると、ビスマス置換量が低下し、必要な膜厚が厚く
なるので好ましくない。また、z/y が0.75を越えると、
飽和磁界が 350 Oe を越えるので好ましくない。
が、0.50を下回ると、飽和磁界が 350Oe を越えるので
好ましくない。また、 y+zが、0.65を越えると磁気補償
温度が−40℃以上となるとか、ファラデー回転角の温度
依存性が 0.064 degree/℃を越えるので好ましくない。
ガリウムに対するアルミニウムの比率(z/y) が0.45未満
になると、ビスマス置換量が低下し、必要な膜厚が厚く
なるので好ましくない。また、z/y が0.75を越えると、
飽和磁界が 350 Oe を越えるので好ましくない。
【００１３】本発明のＢＩＧ膜の育成に用いるガーネッ
ト基板としては、現在ファラデー回転子用のビスマス置
換希土類鉄ガーネット単結晶膜育成用の基板として広く
用いられている、格子定数が1.2497±0.0002nmの（111)
ガーネット単結晶[(GdCa)3(GaMgZr)5O12] 基板が好まし
い。
ト基板としては、現在ファラデー回転子用のビスマス置
換希土類鉄ガーネット単結晶膜育成用の基板として広く
用いられている、格子定数が1.2497±0.0002nmの（111)
ガーネット単結晶[(GdCa)3(GaMgZr)5O12] 基板が好まし
い。
【００１４】
【実施例】以下、実施例、比較例を示し本発明を具体的
に説明する。 実施例１ 酸化鉛(PbO, 4N) 4,500g、酸化ビスマス(Bi2O3, 4N) 5,
230g、酸化第２鉄(Fe2O3, 4N) 666g、酸化硼素(B2O3, 5
N) 230g、酸化テルビウム(Tb2O3, 3N) 68.0g、酸化ガ
リウム(Ga2O3, 3N) 42.0g および酸化アルミニウム(Al2
O3, 3N) 13.0gを容量 2,000mlの白金製ルツボに加熱溶
融し、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶育成用融
液とした。
に説明する。 実施例１ 酸化鉛(PbO, 4N) 4,500g、酸化ビスマス(Bi2O3, 4N) 5,
230g、酸化第２鉄(Fe2O3, 4N) 666g、酸化硼素(B2O3, 5
N) 230g、酸化テルビウム(Tb2O3, 3N) 68.0g、酸化ガ
リウム(Ga2O3, 3N) 42.0g および酸化アルミニウム(Al2
O3, 3N) 13.0gを容量 2,000mlの白金製ルツボに加熱溶
融し、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶育成用融
液とした。
【００１５】ここに得られた融液表面に、常法に従っ
て、厚さが 500μｍで、格子定数が 1.2497 ±0.0002nm
の（111)ガーネット単結晶［(GdCa)3(GaMgZr)5O12 ］基
板の片面を接触させ、エピタキシャル成長を行った。そ
して、厚さ 497μｍのTb1.69Bi1.31Fe4.38Ga0.42 Al
0.20O12単結晶膜（以下「Ｇ膜−1 ］と記す）を得た。
なお、組成分析はプラズマ発光分析法によった。このＧ
膜−1 を研磨して、厚さ 456μｍに調整した。ただし、
基板は研磨の過程で除去した。その後両面に波長1.55μ
ｍ対応の反射防止膜を施して1.55μｍ用のファラデー回
転子 (以下「ファラデー回転子−1 」と記す) を作製
し、その磁気光学特性を調べた。
て、厚さが 500μｍで、格子定数が 1.2497 ±0.0002nm
の（111)ガーネット単結晶［(GdCa)3(GaMgZr)5O12 ］基
板の片面を接触させ、エピタキシャル成長を行った。そ
して、厚さ 497μｍのTb1.69Bi1.31Fe4.38Ga0.42 Al
0.20O12単結晶膜（以下「Ｇ膜−1 ］と記す）を得た。
なお、組成分析はプラズマ発光分析法によった。このＧ
膜−1 を研磨して、厚さ 456μｍに調整した。ただし、
基板は研磨の過程で除去した。その後両面に波長1.55μ
ｍ対応の反射防止膜を施して1.55μｍ用のファラデー回
転子 (以下「ファラデー回転子−1 」と記す) を作製
し、その磁気光学特性を調べた。
【００１６】磁気測定は以下の方法を採った。まず、フ
ァラデー回転子−1 を、マグネテック社のヘルムホルツ
コイルからなる磁界発生装置の中心に配置させ、磁界を
印加しながら、1550nmの半導体レーザ光をファラデー回
転子−1 に照射した。そしてファラデー回転子を透過し
たレーザ光の偏波面の回転角を測定から、飽和磁界を
得、さらにファラデー回転子−1の周囲温度を変化させ
ながら飽和磁界とファラデー回転角を測定した。その結
果、25℃におけるファラデー回転角は 45.3 度（ファラ
デー回転係数は993 degree/cm)、飽和磁界は25℃で295
Oe、−40℃〜＋60℃の範囲では最大 340Oe 、ファラデ
ー回転角の温度依存性は 0.062 degree/℃、磁気補償温
度は−40℃以下であった。
ァラデー回転子−1 を、マグネテック社のヘルムホルツ
コイルからなる磁界発生装置の中心に配置させ、磁界を
印加しながら、1550nmの半導体レーザ光をファラデー回
転子−1 に照射した。そしてファラデー回転子を透過し
たレーザ光の偏波面の回転角を測定から、飽和磁界を
得、さらにファラデー回転子−1の周囲温度を変化させ
ながら飽和磁界とファラデー回転角を測定した。その結
果、25℃におけるファラデー回転角は 45.3 度（ファラ
デー回転係数は993 degree/cm)、飽和磁界は25℃で295
Oe、−40℃〜＋60℃の範囲では最大 340Oe 、ファラデ
ー回転角の温度依存性は 0.062 degree/℃、磁気補償温
度は−40℃以下であった。
【００１７】実施例２ 酸化鉛(PbO, 4N) 4,500g、酸化ビスマス(Bi2O3, 4N) 5,
230g、酸化第２鉄(Fe2O3, 4N) 666g、酸化硼素(B2O3, 5
N) 230g、酸化テルビウム(Tb2O3, 3N) 57.0g、酸化ガ
リウム(Ga2O3, 3N) 37.0g および酸化アルミニウム(Al2
O3, 3N) 16.5gを容量 2,000mlの白金製ルツボに加熱溶
融し、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶育成用融
液とした。ここに得られた融液表面に、常法に従って、
厚さが 500μｍで、格子定数が 1.2497 ±0.0002nmの
（111)ガーネット単結晶［(GdCa)3(GaMgZr)5O12 ］基板
の片面を接触させ、エピタキシャル成長を行った。そし
て厚さ 500μｍのTb1.68Bi1.32Fe4.42Ga0.34Al0.24O12
単結晶膜（以下「Ｇ膜−2 ］と記す）を得た。
230g、酸化第２鉄(Fe2O3, 4N) 666g、酸化硼素(B2O3, 5
N) 230g、酸化テルビウム(Tb2O3, 3N) 57.0g、酸化ガ
リウム(Ga2O3, 3N) 37.0g および酸化アルミニウム(Al2
O3, 3N) 16.5gを容量 2,000mlの白金製ルツボに加熱溶
融し、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶育成用融
液とした。ここに得られた融液表面に、常法に従って、
厚さが 500μｍで、格子定数が 1.2497 ±0.0002nmの
（111)ガーネット単結晶［(GdCa)3(GaMgZr)5O12 ］基板
の片面を接触させ、エピタキシャル成長を行った。そし
て厚さ 500μｍのTb1.68Bi1.32Fe4.42Ga0.34Al0.24O12
単結晶膜（以下「Ｇ膜−2 ］と記す）を得た。
【００１８】このＧ膜−2 を研磨して、厚さ 448μｍに
調整した。ただし、基板は研磨の過程で除去した。その
後両面に波長1.55μｍ対応の反射防止膜を施して1.55μ
ｍ用のファラデー回転子( 以下「ファラデー回転子−2
」と記す) を作製し、その磁気光学特性を、実施例１
とまったく同様にして調べた。その結果、25℃における
ファラデー回転角は 44.9 度（ファラデー回転係数は10
02 degree/cm、飽和磁界は25℃で305 Oe、−40℃〜＋60
℃の範囲では最大 340Oe 、ファラデー回転角の温度依
存性は 0.061 degree/℃、磁気補償温度は−40℃以下で
あった。
調整した。ただし、基板は研磨の過程で除去した。その
後両面に波長1.55μｍ対応の反射防止膜を施して1.55μ
ｍ用のファラデー回転子( 以下「ファラデー回転子−2
」と記す) を作製し、その磁気光学特性を、実施例１
とまったく同様にして調べた。その結果、25℃における
ファラデー回転角は 44.9 度（ファラデー回転係数は10
02 degree/cm、飽和磁界は25℃で305 Oe、−40℃〜＋60
℃の範囲では最大 340Oe 、ファラデー回転角の温度依
存性は 0.061 degree/℃、磁気補償温度は−40℃以下で
あった。
【００１９】比較例１ 酸化鉛(PbO, 4N) 4,500g、酸化ビスマス(Bi2O3, 4N) 5,
230g、酸化第２鉄(Fe2O3, 4N) 666g、酸化硼素(B2O3, 5
N) 230g、酸化テルビウム(Tb2O3, 3N) 68.0g、酸化ガ
リウム(Ga2O3, 3N) 72.0g および酸化アルミニウム(Al2
O3, 3N) 11.0gを容量 2,000mlの白金製ルツボに加熱溶
融し、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶育成用融
液とした。得られた融液を用いる他は実施例１に準じ
て、厚さ 498μｍのTb1.71Bi1.29Fe 4.15Ga0.70Al0.15O
12 単結晶膜（以下「Ｇ膜−C1」と記す) を得た。
230g、酸化第２鉄(Fe2O3, 4N) 666g、酸化硼素(B2O3, 5
N) 230g、酸化テルビウム(Tb2O3, 3N) 68.0g、酸化ガ
リウム(Ga2O3, 3N) 72.0g および酸化アルミニウム(Al2
O3, 3N) 11.0gを容量 2,000mlの白金製ルツボに加熱溶
融し、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶育成用融
液とした。得られた融液を用いる他は実施例１に準じ
て、厚さ 498μｍのTb1.71Bi1.29Fe 4.15Ga0.70Al0.15O
12 単結晶膜（以下「Ｇ膜−C1」と記す) を得た。
【００２０】このＧ膜−C1 を実施例１に準じて、厚さ
462μｍの1.55μｍ用ファラデー回転子( 以下「ファラ
デー回転子−C1」と記す) を得、その磁気光学特性を、
実施例１とまったく同様にして調べた。その結果、飽和
磁界は25℃で220 Oe、−40℃〜＋60℃の温度範囲では最
大264Oe であったが、磁気補償温度が−36℃であった。
462μｍの1.55μｍ用ファラデー回転子( 以下「ファラ
デー回転子−C1」と記す) を得、その磁気光学特性を、
実施例１とまったく同様にして調べた。その結果、飽和
磁界は25℃で220 Oe、−40℃〜＋60℃の温度範囲では最
大264Oe であったが、磁気補償温度が−36℃であった。
【００２１】
【発明の効果】本発明のビスマス置換希土類鉄ガーネッ
ト単結晶膜は、光アイソレータ用ファラデー回転子に要
求される0.064degree/℃以下のファラデー回転角温度依
存性、−40℃未満の磁気補償温度を満たし、957degree/
cm以上のファラデー回転係数、かつ、350 Oe以下の飽和
磁界を達成していることから、光アイソレータの小型化
が実現できる。
ト単結晶膜は、光アイソレータ用ファラデー回転子に要
求される0.064degree/℃以下のファラデー回転角温度依
存性、−40℃未満の磁気補償温度を満たし、957degree/
cm以上のファラデー回転係数、かつ、350 Oe以下の飽和
磁界を達成していることから、光アイソレータの小型化
が実現できる。
Claims (1)
- 【請求項１】 液相エピタキシャル法によって格子定数
が1.2497±0.0002nmの（111)ガーネット単結晶(GdCa)
3(GaMgZr)5O12 基板上に育成されてなり、 一般式 ： Tb3-xBix Fe5-y-zGayAlzO12 (式中、1.25＜ｘ＜1.40、0.50＜ｙ＋ｚ＜0.65、0.45＜
ｚ／ｙ＜0.75) で示される低飽和ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結
晶膜。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9156671A JPH111394A (ja) | 1997-06-13 | 1997-06-13 | 低飽和ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜 |
| US09/081,941 US6031654A (en) | 1997-06-13 | 1998-05-21 | Low magnet-saturation bismuth-substituted rare-earth iron garnet single crystal film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9156671A JPH111394A (ja) | 1997-06-13 | 1997-06-13 | 低飽和ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH111394A true JPH111394A (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=15632770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9156671A Pending JPH111394A (ja) | 1997-06-13 | 1997-06-13 | 低飽和ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6031654A (ja) |
| JP (1) | JPH111394A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000357622A (ja) * | 1999-06-16 | 2000-12-26 | Murata Mfg Co Ltd | 磁性ガーネット単結晶膜の製造方法、および磁性ガーネット単結晶膜 |
| JP2002287104A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-03 | Photocrystal Inc | 磁石不使用ファラデー回転子の製造法 |
| CN100399111C (zh) * | 2002-01-24 | 2008-07-02 | Tdk株式会社 | 法拉第转子及用其的光部件 |
| US20090053558A1 (en) * | 2004-11-15 | 2009-02-26 | Integrated Phototonics, Inc. | Article comprising a thick garnet film with negative growth-induced anisotropy |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3607345A1 (de) * | 1986-03-06 | 1987-09-10 | Philips Patentverwaltung | Magneto-optisches lichtschaltelement und verfahren zu seiner herstellung |
| US4810325A (en) * | 1987-06-15 | 1989-03-07 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Labs | Liquid-phase-epitaxy deposition method in the manufacture of devices |
-
1997
- 1997-06-13 JP JP9156671A patent/JPH111394A/ja active Pending
-
1998
- 1998-05-21 US US09/081,941 patent/US6031654A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6031654A (en) | 2000-02-29 |
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Legal Events
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