JPH0354198A - 酸化物ガーネット単結晶 - Google Patents
酸化物ガーネット単結晶Info
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- JPH0354198A JPH0354198A JP1188091A JP18809189A JPH0354198A JP H0354198 A JPH0354198 A JP H0354198A JP 1188091 A JP1188091 A JP 1188091A JP 18809189 A JP18809189 A JP 18809189A JP H0354198 A JPH0354198 A JP H0354198A
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- H—ELECTRICITY
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
- C01F17/00—Compounds of rare earth metals
- C01F17/30—Compounds containing rare earth metals and at least one element other than a rare earth metal, oxygen or hydrogen, e.g. La4S3Br6
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
-
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- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
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- C30B29/16—Oxides
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- C30B29/28—Complex oxides with formula A3Me5O12 wherein A is a rare earth metal and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co or Al, e.g. garnets
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（ａ業上の利用分野）
本発明は酸化物ガーネット単結晶、特には光アイソレー
ターや光スイッチなどの磁気光学素子として有用とされ
る、使用波長での光吸収の改良された新規な酸化物ガー
ネット単結晶に関するものである。
ターや光スイッチなどの磁気光学素子として有用とされ
る、使用波長での光吸収の改良された新規な酸化物ガー
ネット単結晶に関するものである。
（従来の技術）
光アイソレーターなどの磁気光学素子については、従来
、液相エピタキシヤル法で基板結晶に戒長させたビスマ
ス置換希土類鉄ガーネット結晶が用いられているが、こ
れらは製造の際に用いられるフラックス成分としての酸
化鉛やルツボ材としての白金からのｐｂイオンやｐｔイ
オンがガーネット単結晶中に混入するために、これを光
アイソレーターなどとして用いた場合にその使用波長で
ある０．８μｍ，１．３μｍ ， １．５５μｍにおけ
る光吸収が増大して挿入損失が増大するという欠点があ
った。
、液相エピタキシヤル法で基板結晶に戒長させたビスマ
ス置換希土類鉄ガーネット結晶が用いられているが、こ
れらは製造の際に用いられるフラックス成分としての酸
化鉛やルツボ材としての白金からのｐｂイオンやｐｔイ
オンがガーネット単結晶中に混入するために、これを光
アイソレーターなどとして用いた場合にその使用波長で
ある０．８μｍ，１．３μｍ ， １．５５μｍにおけ
る光吸収が増大して挿入損失が増大するという欠点があ
った。
（発明が解決しようとする課題）
そのため、この種の酸化物ガーネット単結晶については
これにＣａ４４、Ｍｇ”や７１＋＊＊＊のような２価や
４値の金属イオンを微量添加するという方法が提案され
ている（第１１回日本応用磁気学会、学術講演概要集（
１９８７年１１月）、２ Ｃ − １０、Ｐ．１３７参
照）が、一般にこの種の用途に使用されるガーネット車
結晶はその膜厚が５０μｍ以上とすることが必要とされ
るのに、上記したような金属イオンの添加は結晶威長中
に膜組成を変化させるために均一な特性が得られなくな
るという不利がある。
これにＣａ４４、Ｍｇ”や７１＋＊＊＊のような２価や
４値の金属イオンを微量添加するという方法が提案され
ている（第１１回日本応用磁気学会、学術講演概要集（
１９８７年１１月）、２ Ｃ − １０、Ｐ．１３７参
照）が、一般にこの種の用途に使用されるガーネット車
結晶はその膜厚が５０μｍ以上とすることが必要とされ
るのに、上記したような金属イオンの添加は結晶威長中
に膜組成を変化させるために均一な特性が得られなくな
るという不利がある。
（課題を解決するための手段）
本発明はこのような不利を解決することのできる酸化物
ガーネット単結晶に関するもので、これは式 （ＢｉａＥｕｂＬｎ＋−ｓ−ｂ） ｓ （Ｆｅ＋−ｃＭ
ｊ ｓｏ＋２（ここにＬｎはＥｕ以外の希土類元素から
選択される少なくとも１つの元素、ＭはＡｊ２ ， Ｇ
ａ， Ｉｎ， Ｓｃから選択される少なくとも１つの元
素、ａは０．１５＜ａ＜ｏ．ａ，ｂは０．０１＜ｂ ＜
０．２，ｃはＯ＜ｃ＜０．１の数）で示されることを特
徴とするものである。
ガーネット単結晶に関するもので、これは式 （ＢｉａＥｕｂＬｎ＋−ｓ−ｂ） ｓ （Ｆｅ＋−ｃＭ
ｊ ｓｏ＋２（ここにＬｎはＥｕ以外の希土類元素から
選択される少なくとも１つの元素、ＭはＡｊ２ ， Ｇ
ａ， Ｉｎ， Ｓｃから選択される少なくとも１つの元
素、ａは０．１５＜ａ＜ｏ．ａ，ｂは０．０１＜ｂ ＜
０．２，ｃはＯ＜ｃ＜０．１の数）で示されることを特
徴とするものである。
すなわち、本発明者らはビスマス希土類鉄ガーネット単
結晶において希土類元素の中で２価または４価の金属イ
オンに変化し得るものについて種々検討した結果、ユー
ロピューム（Ｅｕ）が光吸収を改善し得るものであるこ
とを見出し、このＥｕはまた希土類元素であるために他
の金属との相溶性がよく、液相エピタキシャル法による
厚膜の製造時において均一な組成物を与えることを確認
して本発明を完成させた。
結晶において希土類元素の中で２価または４価の金属イ
オンに変化し得るものについて種々検討した結果、ユー
ロピューム（Ｅｕ）が光吸収を改善し得るものであるこ
とを見出し、このＥｕはまた希土類元素であるために他
の金属との相溶性がよく、液相エピタキシャル法による
厚膜の製造時において均一な組成物を与えることを確認
して本発明を完成させた。
以下にこれをさらに詳述する。
（作用）
本発明の酸化物ガーネット単結晶は式
（ＢｉａＥｕｂＬｎ＋−ｍ−ｂ） ３（Ｆｅ＋−ｃＭｅ
） ５０１２（ここにＬｎはＥｕ以外の希土類元素から
選択される少なくとも１つの元素、Ｍは１．ＩＬ ，
Ｇａ， Ｉｎ， Ｓｃから選択される少なくとも１つの
元素、ａは０．１５＜ａ＜０．６、ｂは０．０１＜ｂ
＜０．２、ＣはＯ＜Ｃ ＜０．１の数）で示されるもの
であり、これはこの酸化物ガーネット単結晶を構戒する
各金属の酸化物とフラックス成分との融液から希土類ガ
リウムガーネット単結晶上ｌ，：液相エピタキシャル法
でこの結晶を成長させることによって製造することがで
きる。
） ５０１２（ここにＬｎはＥｕ以外の希土類元素から
選択される少なくとも１つの元素、Ｍは１．ＩＬ ，
Ｇａ， Ｉｎ， Ｓｃから選択される少なくとも１つの
元素、ａは０．１５＜ａ＜０．６、ｂは０．０１＜ｂ
＜０．２、ＣはＯ＜Ｃ ＜０．１の数）で示されるもの
であり、これはこの酸化物ガーネット単結晶を構戒する
各金属の酸化物とフラックス成分との融液から希土類ガ
リウムガーネット単結晶上ｌ，：液相エピタキシャル法
でこの結晶を成長させることによって製造することがで
きる。
本発明の酸化物ガーネット単結晶膜を育成させるために
使用されるガーネット基板単結晶はサマリウム・ガリウ
ム・ガーネット（以下ＳＧＧと略記する）、ネオジム・
ガリウム・ガーネット（以下ＮＧＧと略記する）、ガド
リニウム・ガリウム・ガーネット（以下ＧＧＧと略記す
る）にＣａ％Ｍｇ％Ｚｒ，Ｙの少なくとも１つを添加し
、置換したＧＧＧ系′のＳＯＧ， ＮＯＧ ［いずれも
信越化学工業（株）商品名コとすればよく、これらはＧ
ｄ２０３、Ｓｍ．０，、Ｎｄｘ０３または必要に応じ、
ＣａＯ、ＭｇＯ、ＺｒＯなどの置換材をそれぞれＧａ．
Ｏ．の所定量と共にルツボに仕込み、高周波誘導炉で各
々の融点以上に加熱して溶融したのち、この溶７夜から
チョクラノレスキー冫去で単結晶を引き上げることによ
って得ることができる。
使用されるガーネット基板単結晶はサマリウム・ガリウ
ム・ガーネット（以下ＳＧＧと略記する）、ネオジム・
ガリウム・ガーネット（以下ＮＧＧと略記する）、ガド
リニウム・ガリウム・ガーネット（以下ＧＧＧと略記す
る）にＣａ％Ｍｇ％Ｚｒ，Ｙの少なくとも１つを添加し
、置換したＧＧＧ系′のＳＯＧ， ＮＯＧ ［いずれも
信越化学工業（株）商品名コとすればよく、これらはＧ
ｄ２０３、Ｓｍ．０，、Ｎｄｘ０３または必要に応じ、
ＣａＯ、ＭｇＯ、ＺｒＯなどの置換材をそれぞれＧａ．
Ｏ．の所定量と共にルツボに仕込み、高周波誘導炉で各
々の融点以上に加熱して溶融したのち、この溶７夜から
チョクラノレスキー冫去で単結晶を引き上げることによ
って得ることができる。
また、この基板単結晶上に液相エピタキシヤル法でエピ
タキシヤル成長させる酸化物ガーネット．ｌｌＬ結晶は
上記したように組成物が（Ｂｉ．ＥｕｂＬｎ＋，ａ−ｂ
） ｓ （Ｆｅ＋−ｃＭｃ） ５０１２（Ｌｎ， Ｍ，
ａ， ｂ， ｃは前記に同じ）で示されるもであるが
、このものはＢｉ，０３、Ｅｕ，Ｏ．、希土類元素Ｌｎ
の酸化物、Ｆｅ．０，および元素Ｍの酸化物をフラック
スとしてのＰｂＯ％Ｂ２０３ と共に仕込み、ｌ ，
１００〜１，２００℃に加熱してこれを融解させたのち
、この過冷却状態の融液から液相エピタキシヤル法で７
５０〜９５０℃の成長温度で単結晶を成長させることに
よって得ることができる。
タキシヤル成長させる酸化物ガーネット．ｌｌＬ結晶は
上記したように組成物が（Ｂｉ．ＥｕｂＬｎ＋，ａ−ｂ
） ｓ （Ｆｅ＋−ｃＭｃ） ５０１２（Ｌｎ， Ｍ，
ａ， ｂ， ｃは前記に同じ）で示されるもであるが
、このものはＢｉ，０３、Ｅｕ，Ｏ．、希土類元素Ｌｎ
の酸化物、Ｆｅ．０，および元素Ｍの酸化物をフラック
スとしてのＰｂＯ％Ｂ２０３ と共に仕込み、ｌ ，
１００〜１，２００℃に加熱してこれを融解させたのち
、この過冷却状態の融液から液相エピタキシヤル法で７
５０〜９５０℃の成長温度で単結晶を成長させることに
よって得ることができる。
しかし、この酸化物ガーネット単結晶は前記したガーネ
ット基板単結晶上に液相エピタキシヤル法で亀裂やクラ
ックの発生のない厚膜として成長させるのであるが、こ
のためにはガーネット基板単結晶の格子常数と目的とす
る酸化物ガーネット単結晶の格子常数が±０．００３人
の範囲内で一致していることが必要とされるので、上記
した酸化物ガーネット車結晶を成長させるために使用さ
れる融液における上記した式におけるａ， ｂ， ｃの
値は例えばガーネット単結晶基板がＮＧＧの場合には１
２．５０８±０．００３人、ＮＯＧの場合には１２．４
９６±０．００３人の範囲となるように・選択する必要
がある。
ット基板単結晶上に液相エピタキシヤル法で亀裂やクラ
ックの発生のない厚膜として成長させるのであるが、こ
のためにはガーネット基板単結晶の格子常数と目的とす
る酸化物ガーネット単結晶の格子常数が±０．００３人
の範囲内で一致していることが必要とされるので、上記
した酸化物ガーネット車結晶を成長させるために使用さ
れる融液における上記した式におけるａ， ｂ， ｃの
値は例えばガーネット単結晶基板がＮＧＧの場合には１
２．５０８±０．００３人、ＮＯＧの場合には１２．４
９６±０．００３人の範囲となるように・選択する必要
がある。
このようにして得られる本発明の酸化物ガーネット単結
晶はガーネット基板単結晶の格子常数のくスマッチが殆
んどないので、その表面にビットやクラックの発生する
こともないし、これに含有されているユーロビューム（
Ｅｕ）が同じ希土類元素であるために他の金属との相溶
性がよいものであることから均一な組成の厚膜として得
られるし、このＥｕが光吸収を改善し得るものであるこ
とから光アイソレーターのような磁気光学素子として用
いた場合に、使用波長での光吸収も小さなものになると
いう工業的な有利性を有するものになる。
晶はガーネット基板単結晶の格子常数のくスマッチが殆
んどないので、その表面にビットやクラックの発生する
こともないし、これに含有されているユーロビューム（
Ｅｕ）が同じ希土類元素であるために他の金属との相溶
性がよいものであることから均一な組成の厚膜として得
られるし、このＥｕが光吸収を改善し得るものであるこ
とから光アイソレーターのような磁気光学素子として用
いた場合に、使用波長での光吸収も小さなものになると
いう工業的な有利性を有するものになる。
（実施例）
つぎに本発明の実施例をあげる。
実施例
ガーネット基板単結晶として格子常数が１２．４９６人
で厚さが５００μｍである直径３”φのＮＯＧウ工−ハ
を用い、酸化物ガーネット車結晶を形成させる金属酸化
物としてＢｉｚＯｄ７７．３８ｇ， Ｅｕ２０３１．４
８９ｇ，Ｔｂ２０ｓｌ３．９２９ｇ， Ｆｅ２０ｓｌ２
３．８６ｇ， ＧａｉＯｓ５．２７３ｇ と、フラック
ス成分としてのＰｂｏ ９３６．３６ｇとＢ２０３４１
．７２ ３とを白金とルッポに仕込み、１，１００℃に
加熱してこれを溶融させ、この融液から上記したＮＯＧ
ウエー八に成長温度７４９．５〜７５２．５℃で膜厚４
９２μｍの酸化物ガーネット単結晶膜を液相エピタキシ
ヤル法で成長させた。
で厚さが５００μｍである直径３”φのＮＯＧウ工−ハ
を用い、酸化物ガーネット車結晶を形成させる金属酸化
物としてＢｉｚＯｄ７７．３８ｇ， Ｅｕ２０３１．４
８９ｇ，Ｔｂ２０ｓｌ３．９２９ｇ， Ｆｅ２０ｓｌ２
３．８６ｇ， ＧａｉＯｓ５．２７３ｇ と、フラック
ス成分としてのＰｂｏ ９３６．３６ｇとＢ２０３４１
．７２ ３とを白金とルッポに仕込み、１，１００℃に
加熱してこれを溶融させ、この融液から上記したＮＯＧ
ウエー八に成長温度７４９．５〜７５２．５℃で膜厚４
９２μｍの酸化物ガーネット単結晶膜を液相エピタキシ
ヤル法で成長させた。
このようにして得られた酸化物ガーネット車結晶をＩＣ
Ｐ発光分析法で分析した結果、これは式（Ｂｉｏ． ｚ
ａＥｕｏ． （，７Ｔｂｏ， ａｔ）ｓ （Ｆｅｏ．
９４ＧａＯ． ＯＳ） ５０１２で示されるものであり
、この単結晶を研磨ボリッシュしたのち２．９ ｘ ２
．９ ｘ ０．３８１ｍ＋ｎに加工したものを偏光顕微
鏡で観察したところ、このものは第１図に示したように
一様な磁区ＰＡ様が観察されたところから一様性が非常
にすぐれているものであることが確認された。
Ｐ発光分析法で分析した結果、これは式（Ｂｉｏ． ｚ
ａＥｕｏ． （，７Ｔｂｏ， ａｔ）ｓ （Ｆｅｏ．
９４ＧａＯ． ＯＳ） ５０１２で示されるものであり
、この単結晶を研磨ボリッシュしたのち２．９ ｘ ２
．９ ｘ ０．３８１ｍ＋ｎに加工したものを偏光顕微
鏡で観察したところ、このものは第１図に示したように
一様な磁区ＰＡ様が観察されたところから一様性が非常
にすぐれているものであることが確認された。
また、この単結晶についてはこのものの波長１，３μｍ
における磁気光学特性を第２図に示した磁気光学特性測
定装置を用いてしらべたところ、このものは ファラデイ回転角 ４４．７°、光吸収損失
０．０３ ｄＢ、温度依存性
０．０４度／℃、という良好な値を示した。
における磁気光学特性を第２図に示した磁気光学特性測
定装置を用いてしらべたところ、このものは ファラデイ回転角 ４４．７°、光吸収損失
０．０３ ｄＢ、温度依存性
０．０４度／℃、という良好な値を示した。
しかし、比較のために上記した酸化物ガーネット単結晶
と同じビスマス希土類鉄酸化物ガーネット車結晶である
が、Ｅｕを含有していない式（ＢｊＧｄＬｕ） ｓＦｅ
ｓＯ＋２ で示される単結晶の１．３μｍにおける光吸収損失をし
らべたところ、これは０．８ ｄＢであった。
と同じビスマス希土類鉄酸化物ガーネット車結晶である
が、Ｅｕを含有していない式（ＢｊＧｄＬｕ） ｓＦｅ
ｓＯ＋２ で示される単結晶の１．３μｍにおける光吸収損失をし
らべたところ、これは０．８ ｄＢであった。
（発明の効果）
本発明は新規な酸化物ガーネット車結晶に関するもので
あり、これは式 （ ＢｉａＥｕｂＬｎ＋−ａ−ｂ） ３ （Ｆｅ， −
ｃＭｅ） ８０１２（ここにＬｎはＥｕ以外の希土類元
素から選択される少なくとも１つの元素、ＭはＡ℃、Ｇ
ａ、Ｉｎ， Ｓｃから選択される少なくとも１つの元素
、ａは０．１５＜ａ ＜０．６、ｂは０．０１＜ｂ ＜
０．２、ＣはＯ ＜Ｃ ＜０．１の数）で示されるもの
であるが、このものはＥｕが他の金属との相溶性のよい
ものであるので、均一な組成の厚膜を与えるし、Ｅｕが
光吸収を改善し得るものであるので、光アイソレーター
や光スイッチなどの磁気光学素子として有用とされると
いう工業的な有利性をものものとされる。
あり、これは式 （ ＢｉａＥｕｂＬｎ＋−ａ−ｂ） ３ （Ｆｅ， −
ｃＭｅ） ８０１２（ここにＬｎはＥｕ以外の希土類元
素から選択される少なくとも１つの元素、ＭはＡ℃、Ｇ
ａ、Ｉｎ， Ｓｃから選択される少なくとも１つの元素
、ａは０．１５＜ａ ＜０．６、ｂは０．０１＜ｂ ＜
０．２、ＣはＯ ＜Ｃ ＜０．１の数）で示されるもの
であるが、このものはＥｕが他の金属との相溶性のよい
ものであるので、均一な組成の厚膜を与えるし、Ｅｕが
光吸収を改善し得るものであるので、光アイソレーター
や光スイッチなどの磁気光学素子として有用とされると
いう工業的な有利性をものものとされる。
第１図は実施例で得られた本発明の酸化物ガーネット単
結晶の粒子構造（磁区模様）を示す偏光顕微鏡写真図、
第２図は実施例で得られた本発明の酸化物ガーネット車
結晶の磁気光学特性を測定するための装置の測定系図を
示したものである。 第 ２ 図 手 糸売 補 正 書
結晶の粒子構造（磁区模様）を示す偏光顕微鏡写真図、
第２図は実施例で得られた本発明の酸化物ガーネット車
結晶の磁気光学特性を測定するための装置の測定系図を
示したものである。 第 ２ 図 手 糸売 補 正 書
Claims (5)
- １．式（Ｂｉ＿ａＥｕ＿ｂＬｎ＿１＿−＿ａ＿−＿ｂ）
，（Ｆｅ＿１＿−＿ｃＭｃ）＿５Ｏ＿１＿２（ここにＬ
ｎはＥｕ以外の希土類元素から選択される少なくとも１
つの元素、ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃから選択される
少なくもと１つの元素、ａは０．１５＜ａ＜０．６，ｂ
は０．０１＜ｂ＜０．２、ｃは０＜ｃ＜０．１の数）で
示されることを特徴とする酸化物ガーネット単結晶。 - ２．ＬｎがＴｂである請求項１に記載の酸化物ガーネッ
ト単結晶。 - ３．酸化物ガーネット単結晶が液晶エピタキシヤル法で
結晶基板上に成長させてなるものである請求項１または
２に記載の酸化物ガーネット単結晶。 - ４．結晶基板がネオジム・ガリウム・ガーネットであり
、格子常数が１２．５０８±０．００３Åの範囲である
請求項３に記載の酸化物ガーネット単結晶。 - ５．結晶基板がガドリニウム・ガリウム・ガーネットの
元素の一部をＣａ、ＭｇおよびＺｒで置換したものであ
り、格子常数が１２．４９６±０．００３Åの範囲であ
る請求項３に記載の酸化物ガーネット単結晶。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1188091A JPH0354198A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 酸化物ガーネット単結晶 |
| DE69023064T DE69023064T2 (de) | 1989-07-20 | 1990-07-06 | Granatoxyd-Einkristall. |
| EP90401966A EP0409691B1 (en) | 1989-07-20 | 1990-07-06 | Oxide garnet single crystal |
| US07/555,723 US5186866A (en) | 1989-07-20 | 1990-07-19 | Oxide garnet single crystal |
| US07/973,003 US5277845A (en) | 1989-07-20 | 1992-11-10 | Oxide garnet single crystal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1188091A JPH0354198A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 酸化物ガーネット単結晶 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0354198A true JPH0354198A (ja) | 1991-03-08 |
| JPH0513916B2 JPH0513916B2 (ja) | 1993-02-23 |
Family
ID=16217548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1188091A Granted JPH0354198A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 酸化物ガーネット単結晶 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP0409691B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0354198A (ja) |
| DE (1) | DE69023064T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0690153A1 (en) * | 1994-07-01 | 1996-01-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Oxide garnet single crystal |
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| JPH05333124A (ja) * | 1992-06-03 | 1993-12-17 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 反射型光磁界センサヘッド |
| JPH07104225A (ja) * | 1993-10-05 | 1995-04-21 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | ファラデー回転子 |
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| ES2362878T3 (es) | 2003-07-17 | 2011-07-14 | Unilever N.V. | Procedimiento para la preparación de una dispersión comestible que comprende aceite y agente estructurante. |
| WO2006009977A1 (en) * | 2004-06-21 | 2006-01-26 | Exxonmobil Chemical Patents Inc. | Polymerization process |
| AU2006215829B2 (en) | 2005-02-17 | 2009-07-09 | Upfield Europe B.V. | Process for the preparation of a spreadable dispersion |
| BRPI0916502B1 (pt) | 2008-12-19 | 2017-09-12 | Unilever N.V. | "edible fat powder and method for the preparation of a continuous fat paste" |
| US20100166921A1 (en) * | 2008-12-29 | 2010-07-01 | Conopco, Inc., D/B/A Unilever | Coating |
| CA2802616C (en) | 2010-06-22 | 2018-07-10 | Unilever Plc | Edible fat powders |
| EP2651234B1 (en) | 2010-12-17 | 2015-01-21 | Unilever N.V. | Process of compacting a microporous fat powder and compacted fat powder so obtained |
| PL2651229T3 (pl) | 2010-12-17 | 2015-08-31 | Unilever Bcs Europe Bv | Jadalna emulsja typu woda w oleju |
| US9910299B2 (en) * | 2013-10-23 | 2018-03-06 | Fujikura, Ltd. | Crystal body, optical device having the same, and method of manufacturing crystal body |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3447851A (en) * | 1965-11-08 | 1969-06-03 | Bell Telephone Labor Inc | Ferrimagnetic light transmission garnets |
| GB1520138A (en) * | 1975-10-07 | 1978-08-02 | Philips Electronic Associated | Growing single crystal garnets |
| NL7606482A (nl) * | 1976-06-16 | 1977-12-20 | Philips Nv | Eenkristzl van calcium-gallium-germanium granaat, alsmede substraat vervaardigd van een dergelijk eenkristzl met een epitaxiaal opgegroeide beldo- meinfilm. |
| JPS56155515A (en) * | 1980-05-01 | 1981-12-01 | Olympus Optical Co Ltd | Magnetic garnet film and manufacture |
| EP0044109B1 (en) * | 1980-07-11 | 1986-05-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Device for propagating magnetic domains |
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| JPH0766114B2 (ja) * | 1988-11-11 | 1995-07-19 | 富士電気化学株式会社 | 磁気光学素子材料 |
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1989
- 1989-07-20 JP JP1188091A patent/JPH0354198A/ja active Granted
-
1990
- 1990-07-06 DE DE69023064T patent/DE69023064T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-07-06 EP EP90401966A patent/EP0409691B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-07-19 US US07/555,723 patent/US5186866A/en not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-11-10 US US07/973,003 patent/US5277845A/en not_active Expired - Lifetime
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|---|---|---|---|---|
| EP0690153A1 (en) * | 1994-07-01 | 1996-01-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Oxide garnet single crystal |
| US5616176A (en) * | 1994-07-01 | 1997-04-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Oxide garnet single crystal |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5277845A (en) | 1994-01-11 |
| JPH0513916B2 (ja) | 1993-02-23 |
| EP0409691A2 (en) | 1991-01-23 |
| EP0409691A3 (en) | 1992-09-09 |
| DE69023064D1 (de) | 1995-11-23 |
| US5186866A (en) | 1993-02-16 |
| DE69023064T2 (de) | 1996-04-18 |
| EP0409691B1 (en) | 1995-10-18 |
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