JPH02232906A - ガーネット単結晶膜およびその製造方法 - Google Patents
ガーネット単結晶膜およびその製造方法Info
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- JPH02232906A JPH02232906A JP5330789A JP5330789A JPH02232906A JP H02232906 A JPH02232906 A JP H02232906A JP 5330789 A JP5330789 A JP 5330789A JP 5330789 A JP5330789 A JP 5330789A JP H02232906 A JPH02232906 A JP H02232906A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
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- H01F41/28—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates from liquids by liquid phase epitaxy
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はガーネット単結晶膜、特にはその膜中にマグネ
トプランバイトを含まないことからバブルメモリ、磁気
光学素子、マイクロ波素子用として有用とされるガーネ
ット単結晶膜およびその製造方法に関するものである。
トプランバイトを含まないことからバブルメモリ、磁気
光学素子、マイクロ波素子用として有用とされるガーネ
ット単結晶膜およびその製造方法に関するものである。
［従来の技術］
ガーネット単結晶膜の製造は一般に液相エピタキシャル
法（以下ＬＰＥ法と略記する）によって行なわれており
、これはルツボ中にガーネット成分となる金属酸化物を
フラックス成分としてのＰｂＯ， ８２０３などと共に
溶かし込んで飽和メルト液を作り、ついでこの融液中に
基板を浸漬し、この基板を回転および／または反転させ
ながら引上げてこの基板にガーネット単結晶膜を成長さ
せるという方法で作られている。
法（以下ＬＰＥ法と略記する）によって行なわれており
、これはルツボ中にガーネット成分となる金属酸化物を
フラックス成分としてのＰｂＯ， ８２０３などと共に
溶かし込んで飽和メルト液を作り、ついでこの融液中に
基板を浸漬し、この基板を回転および／または反転させ
ながら引上げてこの基板にガーネット単結晶膜を成長さ
せるという方法で作られている。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、この液相エピタキシャル法において生産性を向
上する目的で基板を大きくしたり、融液量を増大させる
と、このガーネット単結晶膜中にＰｂＦＪ２０＋ｓやＰ
ｂ２Ｆｅ．０，，で示されるマグネトプランバイト結晶
が析出してピット状の結晶欠陥が多発する結果、このよ
うにして得られたガーネット単結晶はこれを磁気光学素
子に用いるとその歪みに，より消光比を劣化させ、また
マイクロ波素子に使用すると磁気共鳴半値幅（ΔＨ）が
増加され、バブルメモリに使用すると磁気的欠陥となる
ので、これらの用途に使用することができないという不
利が生じる。
上する目的で基板を大きくしたり、融液量を増大させる
と、このガーネット単結晶膜中にＰｂＦＪ２０＋ｓやＰ
ｂ２Ｆｅ．０，，で示されるマグネトプランバイト結晶
が析出してピット状の結晶欠陥が多発する結果、このよ
うにして得られたガーネット単結晶はこれを磁気光学素
子に用いるとその歪みに，より消光比を劣化させ、また
マイクロ波素子に使用すると磁気共鳴半値幅（ΔＨ）が
増加され、バブルメモリに使用すると磁気的欠陥となる
ので、これらの用途に使用することができないという不
利が生じる。
［課題を解決するための手段］
本発明はこのような不利を伴なわないガーネット単結晶
膜およびその製造方法に関するものであり、これは液相
エピタキシャル法により成長して得られるガーネット単
結晶膜において、該膜がマグネトプランバイトの析出が
みられないものであることを特徴とするガーネット単結
晶膜、および金属酸化物融液中に基板を浸漬し、これを
回転させながら引上げてこの基板上にガーネット単結晶
膜を成長させる液相エピタキシャル法によるガーネット
単結晶の製造方法において、該金属酸化物を加熱溶融し
て融液を作り、これをその飽和温度以上に一定時間以上
保持したのち液相エピタキシャル法で基板上にガーネッ
ト単結晶膜を成長させることを特徴とする膜中にマグネ
トプランバイトを含有しないガーネット単結晶膜の製造
方法に関するものである。
膜およびその製造方法に関するものであり、これは液相
エピタキシャル法により成長して得られるガーネット単
結晶膜において、該膜がマグネトプランバイトの析出が
みられないものであることを特徴とするガーネット単結
晶膜、および金属酸化物融液中に基板を浸漬し、これを
回転させながら引上げてこの基板上にガーネット単結晶
膜を成長させる液相エピタキシャル法によるガーネット
単結晶の製造方法において、該金属酸化物を加熱溶融し
て融液を作り、これをその飽和温度以上に一定時間以上
保持したのち液相エピタキシャル法で基板上にガーネッ
ト単結晶膜を成長させることを特徴とする膜中にマグネ
トプランバイトを含有しないガーネット単結晶膜の製造
方法に関するものである。
すなわち、本発明者らは前記したような不利を伴なわな
いガーネット単結晶膜を開発すべく種々検討した結果、
ＬＰＥ法で得られたガーネット単結晶膜に菱面体状の析
出物もしくはピット状の結晶欠陥の生じるのは膜中にマ
グネトプランバイト結晶が析出するためであり、これは
特にガーネット単結晶を引上げる融液が数ｋｇと多い場
合に発生し易いということから、融液中の金属酸化物成
分が充分によく混合しておらず、したがって反応がよく
行なわれていないためであろうと推考し、この金属酸化
物成分の混合、反応を促進させるためにはこの融液を各
金属酸化物の融点以上の高温に加熱したのち基板を浸漬
し、ついでガーネット単結晶膜を成長させればよいとい
うことを見出し、この融液をその飽和温度以上に一定時
間以上保持してからＬＰＥ法でガーネット単結晶膜を成
長させたところ、マグネトプランバイト結晶の析出のな
いガーネット単結晶膜を容易に得ることができることを
確認して木発明を完成させた。
いガーネット単結晶膜を開発すべく種々検討した結果、
ＬＰＥ法で得られたガーネット単結晶膜に菱面体状の析
出物もしくはピット状の結晶欠陥の生じるのは膜中にマ
グネトプランバイト結晶が析出するためであり、これは
特にガーネット単結晶を引上げる融液が数ｋｇと多い場
合に発生し易いということから、融液中の金属酸化物成
分が充分によく混合しておらず、したがって反応がよく
行なわれていないためであろうと推考し、この金属酸化
物成分の混合、反応を促進させるためにはこの融液を各
金属酸化物の融点以上の高温に加熱したのち基板を浸漬
し、ついでガーネット単結晶膜を成長させればよいとい
うことを見出し、この融液をその飽和温度以上に一定時
間以上保持してからＬＰＥ法でガーネット単結晶膜を成
長させたところ、マグネトプランバイト結晶の析出のな
いガーネット単結晶膜を容易に得ることができることを
確認して木発明を完成させた。
以下これをさらに詳述する。
［作 用］
本発明のガーネット単結晶は公知のＬＰＥ法により製造
されるが、このガーネット単結晶膜を成長させるために
使用する基板単結晶は公知のものでよく、これには例え
ばガドリニウム・ガリウム・ガーネット（以下ＧＧＧと
略記する）、サマリウム・ガリウム・ガーネット（以下
ＳＧＧと略記する．）、ネオジム・ガリウム・ガーネッ
ト（以下ＮＧＯと略記する）、上記したＧＧＧにＣａ，
Ｍｇ， ＺｒまたはＹを置換したＧＧＧ系のＳＯＧ，
ＮＯＧ，ＹＯＧ ［いずれも信越化学工業■商品名］
とすればよく、これらはＧｄ２０，， Ｓｍ２０３，
Ｎｄ，０３または必要に応じＣａｂ， ＭｇＯ． Ｚｒ
Ｏ．， Ｙ．０３などの置換元素をそれぞれＧａ２０，
の所定量と共にルツボに仕込み、高周波誘導でそれぞれ
の融点以上に加熱して溶融したのち、この融液からチョ
クラルスキー法で単結晶を引上げることによって得るこ
とができる。
されるが、このガーネット単結晶膜を成長させるために
使用する基板単結晶は公知のものでよく、これには例え
ばガドリニウム・ガリウム・ガーネット（以下ＧＧＧと
略記する）、サマリウム・ガリウム・ガーネット（以下
ＳＧＧと略記する．）、ネオジム・ガリウム・ガーネッ
ト（以下ＮＧＯと略記する）、上記したＧＧＧにＣａ，
Ｍｇ， ＺｒまたはＹを置換したＧＧＧ系のＳＯＧ，
ＮＯＧ，ＹＯＧ ［いずれも信越化学工業■商品名］
とすればよく、これらはＧｄ２０，， Ｓｍ２０３，
Ｎｄ，０３または必要に応じＣａｂ， ＭｇＯ． Ｚｒ
Ｏ．， Ｙ．０３などの置換元素をそれぞれＧａ２０，
の所定量と共にルツボに仕込み、高周波誘導でそれぞれ
の融点以上に加熱して溶融したのち、この融液からチョ
クラルスキー法で単結晶を引上げることによって得るこ
とができる。
また、この基板単結晶上にＬＰＥ法でエピタキシャル成
長させるガーネット単結晶膜は組成的には公知のもので
よく、これについては例えば組成？がＹ３Ｆｅ，０．，
または（ＹＭＦｅ）．０．２で示され、このＭがＬａ，
Ｂｉ， Ｇｄ， Ｌｕ， Ｓｍ， Ｃａ， Ｇｅ，
Ｇａ，ＡＪ２ ， Ｓｃ， Ｉｎの少なくとも１種の元
素であるものが選択されるものとされるが、この式Ｙ３
Ｆｅ，０．２または（ＹＭＦｅ）ａＯ＋２で示される単
結晶は白金ルツボ中に各成分の金属酸化物の所要量をフ
ラツクス成分としてのＰｂＯ， Ｂ２０３と共に仕込み
、９００〜１，３００℃に加熱してこれを融解させるこ
とによって融液とすればよい。
長させるガーネット単結晶膜は組成的には公知のもので
よく、これについては例えば組成？がＹ３Ｆｅ，０．，
または（ＹＭＦｅ）．０．２で示され、このＭがＬａ，
Ｂｉ， Ｇｄ， Ｌｕ， Ｓｍ， Ｃａ， Ｇｅ，
Ｇａ，ＡＪ２ ， Ｓｃ， Ｉｎの少なくとも１種の元
素であるものが選択されるものとされるが、この式Ｙ３
Ｆｅ，０．２または（ＹＭＦｅ）ａＯ＋２で示される単
結晶は白金ルツボ中に各成分の金属酸化物の所要量をフ
ラツクス成分としてのＰｂＯ， Ｂ２０３と共に仕込み
、９００〜１，３００℃に加熱してこれを融解させるこ
とによって融液とすればよい。
本発明のガーネット単結晶膜は上記のようにして得たエ
ピタキシャル成長させるべきガーネット単結晶の融液中
に前記した基板を浸漬し、これを回転および反転させな
がら育成するというＬＰＥ法でこの基板上にガーネット
単結晶を成長させればよいが、このガーネット単結晶膜
をＰｂＦｅ＋２０＋ｅまたはＰｂ２Ｆｅ６０■１などの
ようなマグネトプランバイト結晶を含まないものにする
ということから、この融液中における金属酸化物をよく
混合させ、これらが充分反応したものとすることが必要
であり、したがってこの融液についてはガーネット単結
晶を構成するための各金属酸化物の融点以上の高温に所
定時間以上加熱する必要がある。この加熱は各金属酸化
物の融点以上とするということからこれはその飽和温度
以上のできるだけ高い温度とすることがよいが、通常こ
のＬＰＥ法に使用されるカンタル線を使用したヒーター
の温度限界が１，１５０〜１，２００℃前後とされるの
で、この程度の温度までに加熱すればよい。しかし、こ
の高温に加熱する時間はその融液量により異なり、その
量が多くなればそれだけ長くすることが必要とされる。
ピタキシャル成長させるべきガーネット単結晶の融液中
に前記した基板を浸漬し、これを回転および反転させな
がら育成するというＬＰＥ法でこの基板上にガーネット
単結晶を成長させればよいが、このガーネット単結晶膜
をＰｂＦｅ＋２０＋ｅまたはＰｂ２Ｆｅ６０■１などの
ようなマグネトプランバイト結晶を含まないものにする
ということから、この融液中における金属酸化物をよく
混合させ、これらが充分反応したものとすることが必要
であり、したがってこの融液についてはガーネット単結
晶を構成するための各金属酸化物の融点以上の高温に所
定時間以上加熱する必要がある。この加熱は各金属酸化
物の融点以上とするということからこれはその飽和温度
以上のできるだけ高い温度とすることがよいが、通常こ
のＬＰＥ法に使用されるカンタル線を使用したヒーター
の温度限界が１，１５０〜１，２００℃前後とされるの
で、この程度の温度までに加熱すればよい。しかし、こ
の高温に加熱する時間はその融液量により異なり、その
量が多くなればそれだけ長くすることが必要とされる。
この場合金属酸化物の混合、反応をよりよくするという
ことからこの融液を攪拌することがよいが、これによれ
ば各酸化物が完全に均−に混合され、反応も充分に行な
われるので上記したようなマグネトプランバイト結晶が
析出することがなくなり、目的とするガーネット単結晶
膜を確実に得ることができる。
ことからこの融液を攪拌することがよいが、これによれ
ば各酸化物が完全に均−に混合され、反応も充分に行な
われるので上記したようなマグネトプランバイト結晶が
析出することがなくなり、目的とするガーネット単結晶
膜を確実に得ることができる。
なお、このＬＰＥ法によるガーネット単結晶膜の引上げ
は通常同一の融液から連続して何回も行なわれるが、結
晶成長終了後この残留融液から結晶成長を再開するとき
には、この残留融液を再度飽和温度以上に一定時間保持
したのち引上げることがよいし、またこの残留融液に新
しく作成した金属酸化物融液を追加して使用するときに
はこの混合融液をその飽和温度以上に一定時間保持した
のち引上げるようにすることがよい。
は通常同一の融液から連続して何回も行なわれるが、結
晶成長終了後この残留融液から結晶成長を再開するとき
には、この残留融液を再度飽和温度以上に一定時間保持
したのち引上げることがよいし、またこの残留融液に新
しく作成した金属酸化物融液を追加して使用するときに
はこの混合融液をその飽和温度以上に一定時間保持した
のち引上げるようにすることがよい。
［実施例コ
つぎに本発明の実施例をあげる。
実施例Ｉ
Ｙ２０３０．１５重量％、Ｓｍ，０， ０．１２重量％
、Ｌｕ２０，０．２６重量％、ＣａＣＯ３０．２８重量
％、Ｆｅ−．０． ８．１７重量％、Ｇｅ０２ １．５
３重量％、フラツクス成分としてのＰｂＯ ８８．３０
重量％、８２０３ １．１８重量％という比率でこれら
の金属酸化物を白金ルツボに仕込み、このルツボを縦型
環状炉に装備して１，０５０℃まで昇温し溶融して融液
を作り、融液の温度を９４０℃から９２０℃の間で変え
ながらＧＧＧの小片をこの融液に浸漬してＧＧＧ表面に
ガーネット膜が成長するか否かを目視で判断することで
飽和温度を求めた結果、この融液組成の飽和温度は９３
０℃であることが判った。つぎにこの融液量に応じてこ
れを１日〜８日間保持し、ついでこの融液に３インチφ
のＧＧＧウエーハを漫潰し、このウエーハを６０ｒｐｍ
に回転させながら結晶成長させてこのウエーハ上に（Ｙ
ＳｍＬｕＣａ） ｓ （ＦｅＧｅ） ５０１２のガーネ
ット単結晶膜をエピタキシャル成長させた。
、Ｌｕ２０，０．２６重量％、ＣａＣＯ３０．２８重量
％、Ｆｅ−．０． ８．１７重量％、Ｇｅ０２ １．５
３重量％、フラツクス成分としてのＰｂＯ ８８．３０
重量％、８２０３ １．１８重量％という比率でこれら
の金属酸化物を白金ルツボに仕込み、このルツボを縦型
環状炉に装備して１，０５０℃まで昇温し溶融して融液
を作り、融液の温度を９４０℃から９２０℃の間で変え
ながらＧＧＧの小片をこの融液に浸漬してＧＧＧ表面に
ガーネット膜が成長するか否かを目視で判断することで
飽和温度を求めた結果、この融液組成の飽和温度は９３
０℃であることが判った。つぎにこの融液量に応じてこ
れを１日〜８日間保持し、ついでこの融液に３インチφ
のＧＧＧウエーハを漫潰し、このウエーハを６０ｒｐｍ
に回転させながら結晶成長させてこのウエーハ上に（Ｙ
ＳｍＬｕＣａ） ｓ （ＦｅＧｅ） ５０１２のガーネ
ット単結晶膜をエピタキシャル成長させた。
つぎにここに得られたガーネット単結晶膜を十分に洗浄
したのち、１００倍の微分干渉顕微鏡でその結晶表面を
観察してマグネトプランバイト結晶の有無をしらべたと
ころ、第１図に示したとおりの結果が得られ、この結果
から融液をその飽和温度以上である１，０５０℃に１日
以上保持すればマグネトプランバイト結晶はなくなるが
、しかしこの保持日数については融液量によって調節す
る必要のあることが確認された。
したのち、１００倍の微分干渉顕微鏡でその結晶表面を
観察してマグネトプランバイト結晶の有無をしらべたと
ころ、第１図に示したとおりの結果が得られ、この結果
から融液をその飽和温度以上である１，０５０℃に１日
以上保持すればマグネトプランバイト結晶はなくなるが
、しかしこの保持日数については融液量によって調節す
る必要のあることが確認された。
なお、図中におけるＯ印はマグネトプランバイト結晶の
認められなかったもの、ｘ印はこの存在が認められたも
のを示したものである。
認められなかったもの、ｘ印はこの存在が認められたも
のを示したものである。
実施例２
実施例１でガーネット単結晶膜を成長させた残留融液に
同一組成の新しい融液を８０ｇ，１７０ｇ，２２０ｇ添
加したのち、１，０５０℃に一定時間保持してから、実
施例１と同じ方法でガーネット単結晶膜をエピタキシャ
ル成長させ、得られたガーネット車結晶膜中におけるマ
グネトプランバイト結晶存在の有無をしらべたところ、
第２図に示したとおりの結果が得られ、この場合におい
ても１，０５０℃に一定時間以上保持すればマグネトプ
ランバイト結晶がなくなるが、これも融液量によってこ
の保持時間を調節する必要のあることが確認された。
同一組成の新しい融液を８０ｇ，１７０ｇ，２２０ｇ添
加したのち、１，０５０℃に一定時間保持してから、実
施例１と同じ方法でガーネット単結晶膜をエピタキシャ
ル成長させ、得られたガーネット車結晶膜中におけるマ
グネトプランバイト結晶存在の有無をしらべたところ、
第２図に示したとおりの結果が得られ、この場合におい
ても１，０５０℃に一定時間以上保持すればマグネトプ
ランバイト結晶がなくなるが、これも融液量によってこ
の保持時間を調節する必要のあることが確認された。
［発明の効果］
本発明のガーネット単結晶膜は前記したように、ＬＰＥ
法で作られたもので、これはマグネトプランバイト結晶
の存在しないものであり、このものは金属酸化物融液を
飽和温度以上に一定時間以上保持してからＬＰＥ法でガ
ーネット単結晶膜をエピタキシャル成長させることによ
って製造されるが、これによればマグネトプランバイト
を含有しないガーネット単結晶膜が得られ、このものは
磁気的欠陥であるマグネトプランバイトを含まないこと
からバブルメモリ用の磁性膜として有用であるばかりで
なく、その磁気共鳴半値巾ΔＨも２．０ ０ｅ以下のよ
うに低く、化学組成や格子定数も一定で均一な値のもの
となり、またこの均−ざにより歪が認められなくなるの
で、光アイソレーターやマイクロ波素子用材料としてす
ぐれた物性をもつものとなり、例えば周波数ＩＧ｝Ｉ．
から数１０Ｇ｝Ｉ．のマイクロ波帯で使用されるマイク
ロ波素子として、さらにはアイソレーター サーキュレ
ーター用の磁性膜または磁気光学素子用磁性膜としても
有用とされる。
法で作られたもので、これはマグネトプランバイト結晶
の存在しないものであり、このものは金属酸化物融液を
飽和温度以上に一定時間以上保持してからＬＰＥ法でガ
ーネット単結晶膜をエピタキシャル成長させることによ
って製造されるが、これによればマグネトプランバイト
を含有しないガーネット単結晶膜が得られ、このものは
磁気的欠陥であるマグネトプランバイトを含まないこと
からバブルメモリ用の磁性膜として有用であるばかりで
なく、その磁気共鳴半値巾ΔＨも２．０ ０ｅ以下のよ
うに低く、化学組成や格子定数も一定で均一な値のもの
となり、またこの均−ざにより歪が認められなくなるの
で、光アイソレーターやマイクロ波素子用材料としてす
ぐれた物性をもつものとなり、例えば周波数ＩＧ｝Ｉ．
から数１０Ｇ｝Ｉ．のマイクロ波帯で使用されるマイク
ロ波素子として、さらにはアイソレーター サーキュレ
ーター用の磁性膜または磁気光学素子用磁性膜としても
有用とされる。
第１図は本発明の実施例１における融液量と１，０５０
℃での保持時間とによるマグネトプランバイトの析出の
有無を示したグラフ、第２図は実施例２における残留融
液に添加した新しい融液の添加量と１，０５０℃での保
持時間によるマグネトプランバイトの析出の有無を示し
たグラフである。
℃での保持時間とによるマグネトプランバイトの析出の
有無を示したグラフ、第２図は実施例２における残留融
液に添加した新しい融液の添加量と１，０５０℃での保
持時間によるマグネトプランバイトの析出の有無を示し
たグラフである。
Claims (4)
- １．液相エピタキシャル法により成長して得られるガー
ネット単結晶膜において、該膜がマグネトプランバイト
の析出がみられないものであることを特徴とするガーネ
ット単結晶膜。 - ２．金属酸化物融液中に基板を浸漬し、これを回転させ
ながら引上げてこの基板上にガーネット単結晶膜を成長
させる液相エピタキシャル法によるガーネット単結晶の
製造方法において、該金属酸化物を加熱溶融して融液を
作り、これをその飽和温度以上に一定時間以上保持した
のち液相エピタキシャル法で基板上にガーネット単結晶
膜を成長させることを特徴とする請求項１に記載のガー
ネット単結晶膜の製造方法。 - ３．金属酸化物融液から液相エピタキシャル法で基板上
にガーネット単結晶膜を成長させたのちの残留融液をそ
の飽和温度以上で一定時間以上保持し、ついで残留融液
から液相エピタキシャル法で基板上にガーネット単結晶
膜を成長させることを特徴とする請求項１に記載のガー
ネット単結晶膜の製造方法。 - ４．金属酸化物融液から液相エピタキシャル法で基板上
にガーネット単結晶膜を成長させたのちの残留融液を、
新しく作成した該金属酸化物融液と混合し、この混合融
液をその飽和温度以上で一定時間以上保持し、ついでこ
の混合融液から液相エピタキシャル法で基板上にガーネ
ット単結晶膜を成長させることを特徴とする請求項１に
記載のガーネット単結晶膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1053307A JP2800974B2 (ja) | 1989-03-06 | 1989-03-06 | ガーネット単結晶膜およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1053307A JP2800974B2 (ja) | 1989-03-06 | 1989-03-06 | ガーネット単結晶膜およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02232906A true JPH02232906A (ja) | 1990-09-14 |
| JP2800974B2 JP2800974B2 (ja) | 1998-09-21 |
Family
ID=12939067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1053307A Expired - Lifetime JP2800974B2 (ja) | 1989-03-06 | 1989-03-06 | ガーネット単結晶膜およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2800974B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1074872A3 (en) * | 1999-08-02 | 2001-07-04 | TDK Corporation | Magnetic garnet single crystal and faraday rotator using the same |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51140437A (en) * | 1975-05-30 | 1976-12-03 | Hitachi Ltd | Method of fabricating magnetic bubble element magnetic thin film by li quidus epitaxial growth |
| JPS58161313A (ja) * | 1982-02-22 | 1983-09-24 | Nec Corp | ガ−ネツト厚膜育成方法 |
| JPS6199318A (ja) * | 1984-10-22 | 1986-05-17 | Hitachi Ltd | 磁性ガ−ネツト膜の作製方法 |
| JPS62216310A (ja) * | 1986-03-18 | 1987-09-22 | Fujitsu Ltd | 磁気光学結晶育成法 |
-
1989
- 1989-03-06 JP JP1053307A patent/JP2800974B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51140437A (en) * | 1975-05-30 | 1976-12-03 | Hitachi Ltd | Method of fabricating magnetic bubble element magnetic thin film by li quidus epitaxial growth |
| JPS58161313A (ja) * | 1982-02-22 | 1983-09-24 | Nec Corp | ガ−ネツト厚膜育成方法 |
| JPS6199318A (ja) * | 1984-10-22 | 1986-05-17 | Hitachi Ltd | 磁性ガ−ネツト膜の作製方法 |
| JPS62216310A (ja) * | 1986-03-18 | 1987-09-22 | Fujitsu Ltd | 磁気光学結晶育成法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1074872A3 (en) * | 1999-08-02 | 2001-07-04 | TDK Corporation | Magnetic garnet single crystal and faraday rotator using the same |
| US6641751B1 (en) | 1999-08-02 | 2003-11-04 | Tkd Corporation | Magnetic garnet single crystal and faraday rotator using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2800974B2 (ja) | 1998-09-21 |
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