JP3089742B2 - 静磁波デバイス用材料 - Google Patents
静磁波デバイス用材料Info
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- JP3089742B2 JP3089742B2 JP03259630A JP25963091A JP3089742B2 JP 3089742 B2 JP3089742 B2 JP 3089742B2 JP 03259630 A JP03259630 A JP 03259630A JP 25963091 A JP25963091 A JP 25963091A JP 3089742 B2 JP3089742 B2 JP 3089742B2
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- Japan
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- magnetostatic wave
- wave device
- materials
- substrate
- wave devices
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は静磁波デバイス用材料
に関し、特に磁性ガーネット膜の材料となる静磁波デバ
イス用材料に関する。
に関し、特に磁性ガーネット膜の材料となる静磁波デバ
イス用材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、静磁波デバイスにおいて磁性ガー
ネット膜の材料として、Ｙ3 Ｆｅ5 Ｏ12（ＹＩＧ）が重
要な材料として使われていた。このＹＩＧは、極端に強
磁性半値幅（ΔＨ）が小さい。そのため、ＹＩＧを用い
た静磁波デバイスにおいて、入力信号と出力信号との差
を小さくできる。
ネット膜の材料として、Ｙ3 Ｆｅ5 Ｏ12（ＹＩＧ）が重
要な材料として使われていた。このＹＩＧは、極端に強
磁性半値幅（ΔＨ）が小さい。そのため、ＹＩＧを用い
た静磁波デバイスにおいて、入力信号と出力信号との差
を小さくできる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＹＩＧ
は、飽和磁化（４πＭｓ）の温度変化に対する変化率
が、約−２１００ｐｐｍ／℃である。したがって、この
ようなＹＩＧを用いた静磁波デバイスにおいて温度変化
に対する変化率を調節するためには、静磁波デバイスで
使用される永久磁石の磁界の温度変化に対する変化率を
変化させなければならなかった。そのため、ＹＩＧを用
いた静磁波デバイスにおける温度変化に対する変化率の
調節が困難であった。
は、飽和磁化（４πＭｓ）の温度変化に対する変化率
が、約−２１００ｐｐｍ／℃である。したがって、この
ようなＹＩＧを用いた静磁波デバイスにおいて温度変化
に対する変化率を調節するためには、静磁波デバイスで
使用される永久磁石の磁界の温度変化に対する変化率を
変化させなければならなかった。そのため、ＹＩＧを用
いた静磁波デバイスにおける温度変化に対する変化率の
調節が困難であった。
【０００４】それゆえに、この発明の主たる目的は、強
磁性半値幅（ΔＨ）を大きくすることなしに、飽和磁化
（４πＭｓ）の温度変化に対する変化率をいろいろと変
化させることができる、静磁波デバイス用材料を提供す
ることである。
磁性半値幅（ΔＨ）を大きくすることなしに、飽和磁化
（４πＭｓ）の温度変化に対する変化率をいろいろと変
化させることができる、静磁波デバイス用材料を提供す
ることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、Ｒ3 Ｇａ
5-x Ａｌx Ｏ12（ただし、Ｒは希土類元素から選ばれた
１種類以上の元素であり、ｘはＯ＜ｘ＜５の範囲内にあ
る。）基板上に液相エピタキシャル成長法（以下、「Ｌ
ＰＥ法」という。）で成長させる静磁波用Ｙ3 Ｆｅ5 Ｏ
12膜の材料となる静磁波デバイス用材料において、静磁
波用Ｙ3 Ｆｅ5 Ｏ12膜は、Ｂｉ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｃ，Ｌ
ａ，Ｇａ，Ａｌから選ばれた１種類以上の元素を含有
し、基板との格子定数の差が０．００１Å以下である、
静磁波デバイス用材料である。
5-x Ａｌx Ｏ12（ただし、Ｒは希土類元素から選ばれた
１種類以上の元素であり、ｘはＯ＜ｘ＜５の範囲内にあ
る。）基板上に液相エピタキシャル成長法（以下、「Ｌ
ＰＥ法」という。）で成長させる静磁波用Ｙ3 Ｆｅ5 Ｏ
12膜の材料となる静磁波デバイス用材料において、静磁
波用Ｙ3 Ｆｅ5 Ｏ12膜は、Ｂｉ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｃ，Ｌ
ａ，Ｇａ，Ａｌから選ばれた１種類以上の元素を含有
し、基板との格子定数の差が０．００１Å以下である、
静磁波デバイス用材料である。
【０００６】
【発明の効果】この発明によれば、磁性ガーネット膜と
基板との格子定数の差が０．００１Å以下からなる。そ
のため、強磁性半値幅（ΔＨ）を大きくすることなし
に、飽和磁化（４πＭｓ）の温度変化に対する変化率を
いろいろと変化させることができる、静磁波デバイス用
材料が得られる。したがって、この静磁波デバイス用材
料を用いた静磁波デバイスにおいて、いろいろな永久磁
石を用いることができる。
基板との格子定数の差が０．００１Å以下からなる。そ
のため、強磁性半値幅（ΔＨ）を大きくすることなし
に、飽和磁化（４πＭｓ）の温度変化に対する変化率を
いろいろと変化させることができる、静磁波デバイス用
材料が得られる。したがって、この静磁波デバイス用材
料を用いた静磁波デバイスにおいて、いろいろな永久磁
石を用いることができる。
【０００７】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、以下の実施例の詳細な説明から一層明
らかとなろう。
徴および利点は、以下の実施例の詳細な説明から一層明
らかとなろう。
【０００８】
【実施例】まず、チョクラルスキ法によって、Ｒ3 Ｇａ
5-x Ａｌx Ｏ12単結晶を作成し、スライスおよび研磨を
行って、ＬＰＥ法でガーネット膜を形成するための基板
とした。なお、Ｒは希土類元素から選ばれた１種類以上
の元素であり、ｘはＯ＜ｘ＜５の範囲内にある。
5-x Ａｌx Ｏ12単結晶を作成し、スライスおよび研磨を
行って、ＬＰＥ法でガーネット膜を形成するための基板
とした。なお、Ｒは希土類元素から選ばれた１種類以上
の元素であり、ｘはＯ＜ｘ＜５の範囲内にある。
【０００９】次に、ガーネット膜の原料であるＦｅ2 Ｏ
3 ，Ｙ2 Ｏ3 および添加物元素の酸化物と、溶剤である
ＰｂＯおよびＢ2 Ｏ3 とを混合し、縦型電気炉内に保持
された白金坩堝に充填して、約１２００℃で均質化を行
って、融液を得た。
3 ，Ｙ2 Ｏ3 および添加物元素の酸化物と、溶剤である
ＰｂＯおよびＢ2 Ｏ3 とを混合し、縦型電気炉内に保持
された白金坩堝に充填して、約１２００℃で均質化を行
って、融液を得た。
【００１０】この融液を約９００℃前後の一定温度に保
持して、ガーネットを過飽和状態にした後、この融液中
に上述の基板を浸透し、回転させながら所定時間成長を
行った。その後、この基板を融液から引き上げ、高速度
で回転させて、ガーネット膜上の付着融液を遠心力で振
り切ることによって、ガーネット膜を形成した。
持して、ガーネットを過飽和状態にした後、この融液中
に上述の基板を浸透し、回転させながら所定時間成長を
行った。その後、この基板を融液から引き上げ、高速度
で回転させて、ガーネット膜上の付着融液を遠心力で振
り切ることによって、ガーネット膜を形成した。
【００１１】得られたガーネット膜および基板の格子定
数をＸ線回折によって測定し、ガーネット膜の飽和磁化
（４πＭｓ）および強磁性半値幅（ΔＨ）を、電子スピ
ン共鳴（ＥＳＲ）装置によって測定した。
数をＸ線回折によって測定し、ガーネット膜の飽和磁化
（４πＭｓ）および強磁性半値幅（ΔＨ）を、電子スピ
ン共鳴（ＥＳＲ）装置によって測定した。
【００１２】表１には基板および育成したガーネット膜
の組成を示し、表２に上記の測定の結果を示す。なお、
表１および表２中、＊印を付したものはこの発明の範囲
外のものである。
の組成を示し、表２に上記の測定の結果を示す。なお、
表１および表２中、＊印を付したものはこの発明の範囲
外のものである。
【００１３】
【表１】
【００１４】
【表２】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭48−99100（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−88430（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−204505（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−119759（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−62381（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−271501（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C01G 49/00 H01L 41/00 - 41/22
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｒ3 Ｇａ5-x Ａｌx Ｏ12（ただし、Ｒは
希土類元素から選ばれた１種類以上の元素であり、ｘは
Ｏ＜ｘ＜５の範囲内にある。）基板上に液相エピタキシ
ャル成長法で成長させる静磁波用Ｙ3 Ｆｅ5 Ｏ12膜の材
料となる静磁波デバイス用材料において、 前記静磁波用Ｙ3 Ｆｅ5 Ｏ12膜は、Ｂｉ，Ｇｄ，Ｌｕ，
Ｓｃ，Ｌａ，Ｇａ，Ａｌから選ばれた１種類以上の元素
を含有し、前記基板との格子定数の差が０．００１Å以
下であることを特徴とする、静磁波デバイス用材料。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03259630A JP3089742B2 (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | 静磁波デバイス用材料 |
| EP19920115236 EP0531914A3 (en) | 1991-09-10 | 1992-09-05 | Magnetic thin film for magnetostatic-wave devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03259630A JP3089742B2 (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | 静磁波デバイス用材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0570144A JPH0570144A (ja) | 1993-03-23 |
| JP3089742B2 true JP3089742B2 (ja) | 2000-09-18 |
Family
ID=17336745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03259630A Expired - Fee Related JP3089742B2 (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | 静磁波デバイス用材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3089742B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2005019507A1 (ja) * | 2003-08-26 | 2007-11-01 | 株式会社アドバンテスト | 磁性ガーネット単結晶及びｙｉｇデバイス |
-
1991
- 1991-09-10 JP JP03259630A patent/JP3089742B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0570144A (ja) | 1993-03-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |