JP3123131B2 - 静磁波デバイス用材料 - Google Patents
静磁波デバイス用材料Info
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- JP3123131B2 JP3123131B2 JP03188220A JP18822091A JP3123131B2 JP 3123131 B2 JP3123131 B2 JP 3123131B2 JP 03188220 A JP03188220 A JP 03188220A JP 18822091 A JP18822091 A JP 18822091A JP 3123131 B2 JP3123131 B2 JP 3123131B2
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- JP
- Japan
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- magnetostatic wave
- wave device
- garnet film
- materials
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は静磁波デバイス用材料
に関し、特に磁性ガーネット膜の材料となる静磁波デバ
イス用材料に関する。
に関し、特に磁性ガーネット膜の材料となる静磁波デバ
イス用材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、静磁波デバイスにおいて磁性ガー
ネット膜の材料として、Ｙ3 Ｆｅ5 Ｏ12（ＹＩＧ）が重
要な材料として使われていた。このＹＩＧは、極端に強
磁性半値幅（ΔＨ）が小さい。そのため、静磁波デバイ
スにおける入力信号と出力信号との差を小さくできる。
ネット膜の材料として、Ｙ3 Ｆｅ5 Ｏ12（ＹＩＧ）が重
要な材料として使われていた。このＹＩＧは、極端に強
磁性半値幅（ΔＨ）が小さい。そのため、静磁波デバイ
スにおける入力信号と出力信号との差を小さくできる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＹＩＧ
は、飽和磁化（４πＭｓ）の温度変化に対する変化率
が、約−２１００ｐｐｍ／℃である。したがって、この
ようなＹＩＧを用いた静磁波デバイスにおける温度変化
に対する変化率を調節するためには、静磁波デバイスで
使用される永久磁石の、磁界の温度変化に対する変化率
を変化させなければならなかった。そのため、静磁波デ
バイスにおける温度変化に対する変化率の調節が困難で
あった。
は、飽和磁化（４πＭｓ）の温度変化に対する変化率
が、約−２１００ｐｐｍ／℃である。したがって、この
ようなＹＩＧを用いた静磁波デバイスにおける温度変化
に対する変化率を調節するためには、静磁波デバイスで
使用される永久磁石の、磁界の温度変化に対する変化率
を変化させなければならなかった。そのため、静磁波デ
バイスにおける温度変化に対する変化率の調節が困難で
あった。
【０００４】それゆえに、この発明の主たる目的は、強
磁性半値幅（ΔＨ）を大きくする事なしに、飽和磁化
（４πＭｓ）の温度変化に対する変化率をいろいろと変
化させることができる、静磁波デバイス用材料を提供す
ることである。
磁性半値幅（ΔＨ）を大きくする事なしに、飽和磁化
（４πＭｓ）の温度変化に対する変化率をいろいろと変
化させることができる、静磁波デバイス用材料を提供す
ることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、Ｇｄ3 Ｇａ
5 Ｏ12基板上に成長させる静磁波用ガーネット膜の材料
となる静磁波デバイス用材料において、化学式をＹ3-x
Ｂｉx Ｆｅ5-y-z Ｇａy Ａｌz Ｏ12で表したときのｘ，
ｙおよびｚが、ｘ，ｙおよびｚをそれぞれｘ軸，ｙ軸お
よびｚ軸とする３元図において、Ａ（０，０，０），Ｂ
（０．２３，０，０），Ｃ（０．４１，１，０），Ｄ
（０．１５，１，０），Ｅ（０，０．１，０），Ｆ
（１，０，０．９６），Ｇ（０．７９，０，１），Ｈ
（０，０，０．０２）の各点を頂点とする多面体Ａ，
Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈで囲まれた範囲内（ただ
し、ｙ＝０かつｚ＝０の場合を除く）にあることを特徴
とする、静磁波デバイス用材料である。
5 Ｏ12基板上に成長させる静磁波用ガーネット膜の材料
となる静磁波デバイス用材料において、化学式をＹ3-x
Ｂｉx Ｆｅ5-y-z Ｇａy Ａｌz Ｏ12で表したときのｘ，
ｙおよびｚが、ｘ，ｙおよびｚをそれぞれｘ軸，ｙ軸お
よびｚ軸とする３元図において、Ａ（０，０，０），Ｂ
（０．２３，０，０），Ｃ（０．４１，１，０），Ｄ
（０．１５，１，０），Ｅ（０，０．１，０），Ｆ
（１，０，０．９６），Ｇ（０．７９，０，１），Ｈ
（０，０，０．０２）の各点を頂点とする多面体Ａ，
Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈで囲まれた範囲内（ただ
し、ｙ＝０かつｚ＝０の場合を除く）にあることを特徴
とする、静磁波デバイス用材料である。
【０００６】
【発明の効果】この発明によれば、強磁性半値幅（Δ
Ｈ）を大きくする事なしに、飽和磁化（４πＭｓ）の温
度変化に対する変化率をいろいろと変化させることがで
きる、静磁波デバイス用材料が得られる。そのため、静
磁波デバイスにおいて、いろいろな永久磁石を用いるこ
とができる。
Ｈ）を大きくする事なしに、飽和磁化（４πＭｓ）の温
度変化に対する変化率をいろいろと変化させることがで
きる、静磁波デバイス用材料が得られる。そのため、静
磁波デバイスにおいて、いろいろな永久磁石を用いるこ
とができる。
【０００７】さらに、ＧＧＧ基板と磁性ガーネット膜と
の格子定数の差が０．０１Å以下となるので、良質な磁
性ガーネット膜を形成できる。
の格子定数の差が０．０１Å以下となるので、良質な磁
性ガーネット膜を形成できる。
【０００８】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【０００９】
【実施例】Ｇｄ3 Ｇａ5 Ｏ12基板（ＧＧＧ基板）を、Ｌ
ＰＥ法でガーネット膜を形成するための基板として準備
した。
ＰＥ法でガーネット膜を形成するための基板として準備
した。
【００１０】次に、ガーネット膜の原料であるＦｅ2 Ｏ
3 ，Ｙ2 Ｏ3 ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，Ａｌ2 Ｏ3 およびＧａ2 Ｏ
3 と、溶剤であるＰｂＯおよびＢ2 Ｏ3 とを混合し、縦
型電気炉内に保持された白金坩堝に充填して、約１２０
０℃で均質化を行って、融液を得た。
3 ，Ｙ2 Ｏ3 ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，Ａｌ2 Ｏ3 およびＧａ2 Ｏ
3 と、溶剤であるＰｂＯおよびＢ2 Ｏ3 とを混合し、縦
型電気炉内に保持された白金坩堝に充填して、約１２０
０℃で均質化を行って、融液を得た。
【００１１】この融液を約９００℃前後の一定温度に保
持して、ガーネットを過飽和状態にした後、この融液中
にＧＧＧ基板を浸透し、回転させながら所定時間成長を
行った。その後、このＧＧＧ基板を融液から引き上げ、
高速度で回転させて、ガーネット膜上の付着融液を遠心
力で振り切ることによって、ガーネット膜を形成した。
持して、ガーネットを過飽和状態にした後、この融液中
にＧＧＧ基板を浸透し、回転させながら所定時間成長を
行った。その後、このＧＧＧ基板を融液から引き上げ、
高速度で回転させて、ガーネット膜上の付着融液を遠心
力で振り切ることによって、ガーネット膜を形成した。
【００１２】得られたガーネット膜の格子定数をＸ線回
折によって測定し、飽和磁化（４πＭｓ）と強磁性半値
幅（ΔＨ）とを、電子スピン共鳴（ＥＳＲ）装置によっ
て測定した。この測定結果を表１に示す。
折によって測定し、飽和磁化（４πＭｓ）と強磁性半値
幅（ΔＨ）とを、電子スピン共鳴（ＥＳＲ）装置によっ
て測定した。この測定結果を表１に示す。
【００１３】
【表１】
【００１４】表１中のＸ値，Ｙ値およびＺ値はそれぞれ
静磁波デバイス用材料の化学式をＹ3-x Ｂｉx Ｆｅ
5-y-z Ｇａy Ａｌz Ｏ12で表したときのｘ，ｙおよびｚ
を示す。なお、表１中、＊印を付したものはこの発明の
範囲外のものである。
静磁波デバイス用材料の化学式をＹ3-x Ｂｉx Ｆｅ
5-y-z Ｇａy Ａｌz Ｏ12で表したときのｘ，ｙおよびｚ
を示す。なお、表１中、＊印を付したものはこの発明の
範囲外のものである。
【００１５】次に、この発明にかかるｘ，ｙおよびｚの
範囲を限定した理由を示す。
範囲を限定した理由を示す。
【００１６】点Ｂ，Ｃ，Ｆで囲まれる面より外側あるい
は点Ｄ，Ｅ，Ｇ，Ｈで囲まれる面より外側では、ＧＧＧ
基板と磁性ガーネット膜との格子定数の差が０．０１Å
より大きくなるので、ひび割れなどがない良質のガーネ
ット膜が形成できない（試料番号４，６，１２および１
４参照）。
は点Ｄ，Ｅ，Ｇ，Ｈで囲まれる面より外側では、ＧＧＧ
基板と磁性ガーネット膜との格子定数の差が０．０１Å
より大きくなるので、ひび割れなどがない良質のガーネ
ット膜が形成できない（試料番号４，６，１２および１
４参照）。
【００１７】また、点Ｄ，Ｃ，Ｆ，Ｇで囲まれる面より
外側では、強磁性半値幅（ΔＨ）が５Ｏｅより大きくな
り、静磁波デバイスとして使用できない（試料番号１０
および１７参照）。
外側では、強磁性半値幅（ΔＨ）が５Ｏｅより大きくな
り、静磁波デバイスとして使用できない（試料番号１０
および１７参照）。
【００１８】さらに、点Ａでは、ＹＩＧそのものであ
り、飽和磁化（４πＭｓ）の温度変化に対する変化率が
大きすぎて、静磁波デバイスにおける温度変化に対する
変化率の調節が困難である（試料番号１参照）。
り、飽和磁化（４πＭｓ）の温度変化に対する変化率が
大きすぎて、静磁波デバイスにおける温度変化に対する
変化率の調節が困難である（試料番号１参照）。
フロントページの続き (72)発明者 熊 取 谷 誠 人 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株 式会社 村田製作所内 (72)発明者 鷹 木 洋 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株 式会社 村田製作所内 (56)参考文献 特開 平３−23288（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01F 10/24
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｇｄ3 Ｇａ5 Ｏ12基板上に成長させる静
磁波用ガーネット膜の材料となる静磁波デバイス用材料
において、 化学式をＹ3-x Ｂｉx Ｆｅ5-y-z Ｇａy Ａｌz Ｏ12で表
したときのｘ，ｙおよびｚが、ｘ，ｙおよびｚをそれぞ
れｘ軸，ｙ軸およびｚ軸とする３元図において、Ａ
（０，０，０），Ｂ（０．２３，０，０），Ｃ（０．４
１，１，０），Ｄ（０．１５，１，０），Ｅ（０，０．
１，０），Ｆ（１，０，０．９６），Ｇ（０．７９，
０，１），Ｈ（０，０，０．０２）の各点を頂点とする
多面体Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈで囲まれた範囲
内（ただし、ｙ＝０かつｚ＝０の場合を除く）にあるこ
とを特徴とする、静磁波デバイス用材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03188220A JP3123131B2 (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | 静磁波デバイス用材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03188220A JP3123131B2 (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | 静磁波デバイス用材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513231A JPH0513231A (ja) | 1993-01-22 |
| JP3123131B2 true JP3123131B2 (ja) | 2001-01-09 |
Family
ID=16219873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03188220A Expired - Fee Related JP3123131B2 (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | 静磁波デバイス用材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3123131B2 (ja) |
-
1991
- 1991-07-01 JP JP03188220A patent/JP3123131B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0513231A (ja) | 1993-01-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |