JPH05251788A - 静磁波デバイス用材料 - Google Patents

静磁波デバイス用材料

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JPH05251788A
JPH05251788A JP4083322A JP8332292A JPH05251788A JP H05251788 A JPH05251788 A JP H05251788A JP 4083322 A JP4083322 A JP 4083322A JP 8332292 A JP8332292 A JP 8332292A JP H05251788 A JPH05251788 A JP H05251788A
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JP
Japan
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wave device
magnetostatic wave
magnetic garnet
transducer
ions
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Pending
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JP4083322A
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English (en)
Inventor
Masaru Fujino
野 優 藤
Tsugunobu Mizuno
埜 嗣 伸 水
Mitsuhiro Aota
田 充 弘 青
Masato Kumatoriya
取 谷 誠 人 熊
Hiroshi Takagi
木 洋 鷹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
    • H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
    • H01F10/18—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being compounds
    • H01F10/20—Ferrites
    • H01F10/24—Garnets
    • H01F10/245—Modifications for enhancing interaction with electromagnetic wave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H2/00—Networks using elements or techniques not provided for in groups H03H3/00 - H03H21/00
    • H03H2/001—Networks using elements or techniques not provided for in groups H03H3/00 - H03H21/00 comprising magnetostatic wave network elements

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 静磁波デバイスの温度補償を容易に行うこと
ができる、静磁波デバイス用材料を提供する。 【構成】 Ｙ3 Ｆｅ5 Ｏ12において、Ｙ3+イオンの一部
を８配位をとれるイオンで置換し、および／または、Ｆ
ｅ3+イオンの一部を６配位または４配位をとれるイオン
で置換した、静磁波デバイス用材料である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は静磁波デバイス用材料
に関し、特に磁性ガーネット膜の材料となる静磁波デバ
イス用材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、静磁波デバイスにおいて磁性ガー
ネット膜の材料として、Ｙ3 Ｆｅ5 Ｏ12（ＹＩＧ）が重
要な材料として使われていた。特に、ＹＩＧは、極端に
強磁性半値幅（ΔＨ）が小さい。そのため、ＹＩＧを用
いた静磁波デバイスにおいて、入力信号と出力信号との
差を小さくできる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＹＩＧ
は、飽和磁化（４πＭｓ）の温度変化に対する変化率
が、約−２１００ｐｐｍ／℃である。したがって、この
ようなＹＩＧを用いた静磁波デバイスにおいて温度変化
に対する変化率を調節するためには、静磁波デバイスで
使用される永久磁石の磁界の温度変化に対する変化率を
変化させなければならなかった。そのため、ＹＩＧを用
いた静磁波デバイスにおける温度変化に対する変化率の
調節が困難であった。
【０００４】それゆえに、この発明の主たる目的は、静
磁波デバイスの温度補償を容易に行うことができる、静
磁波デバイス用材料を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、Ｙ3 Ｆｅ5
Ｏ12において、Ｙ3+イオンの一部を８配位をとれるイオ
ンで置換し、および／または、Ｆｅ3+イオンの一部を６
配位または４配位をとれるイオンで置換した、静磁波デ
バイス用材料である。
【０００６】
【発明の効果】この発明によれば、飽和磁化の温度変化
に対する変化量が少ない、静磁波デバイス用材料が得ら
れる。したがって、この発明にかかる静磁波デバイス用
材料を用いれば、静磁波デバイスの温度補償を容易に行
うことができる。すなわち、この発明にかかる静磁波デ
バイス用材料を用いれば、静磁波デバイスに用いられる
永久磁石として、いろいろな特性の永久磁石を用いるこ
とができる。
【０００７】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【０００８】
【実施例】まず、Ｇｄ3 Ｇａ5 Ｏ12（ＧＧＧ）基板を準
備した。このＧＧＧ基板は、ＬＰＥ法で磁性ガーネット
膜を形成するための基板である。
【０００９】次に、表１に示す組成の静磁波デバイス用
材料からなる磁性ガーネット膜の原料であるＦｅ2 Ｏ3
およびＹ2 Ｏ3 と、置換する金属酸化物と、溶剤である
ＰｂＯおよびＢ2 Ｏ3 とを混合し、縦型電気炉内に保持
された白金坩堝に充填して、約１２００℃で均質化を行
って、融液を得た。この場合、置換する金属酸化物とし
ては、Ｂｉの酸化物およびＧａの酸化物、Ｇｄの酸化
物、あるいは、Ｇｄの酸化物およびＡｌの酸化物を用い
た。なお、置換する酸化物を混合していない融液も得
た。
【００１０】
【表１】
【００１１】表１中、＊印を付したものはこの発明の範
囲外のものである。
【００１２】この融液を約９００℃前後の一定温度に保
持して、ガーネットを過飽和状態にした後、この融液中
に上述のＧＧＧ基板を浸透し、回転させながら所定時間
成長を行った。その後、このＧＧＧ基板を融液から引き
上げ、高速度で回転させて、磁性ガーネット膜上の付着
融液を遠心力で振り切ることによって、表１に示す組成
の磁性ガーネット膜をそれぞれ形成した。
【００１３】得られた磁性ガーネット膜の飽和磁化（４
πＭｓ）および強磁性半値幅（ΔＨ）を、電子スピン共
鳴（ＥＳＲ）装置によって測定した。その結果を表１に
示す。
【００１４】次に、これらの磁性ガーネット膜などを用
いて、図１に示す静磁波デバイスをそれぞれ作成した。
すなわち、図１に示す静磁波デバイス１０は、ＧＧＧ基
板１２を含み、ＧＧＧ基板１２の一方主面には、表１に
示す組成の静磁波用デバイス材料からなる磁性ガーネッ
ト膜１４が形成されている。さらに、磁性ガーネット膜
１４上には、たとえば直線状の入力用トランスデューサ
１６および出力用トランスデューサ１８が、間隔を隔て
て平行に配置される。また、入力用トランスデューサ１
６および出力用トランスデューサ１８の間には、磁性ガ
ーネット膜１４に直流磁界を印加するために、たとえば
Ｃｅ系の永久磁石２０が配置される。
【００１５】そして、これらの静磁波デバイス１０の中
心周波数（２４００ＭＨｚ）の温度に対する変化率を測
定した。その結果を表１に示す。
【００１６】表１に示す結果から明らかなように、この
発明の範囲内の組成の静磁波デバイス用材料からなる磁
性ガーネット膜を用いた静磁波デバイスでは、中心周波
数の温度に対する変化率が小さくなる。これは、この発
明の範囲内の組成の静磁波デバイス用材料の飽和磁化の
温度変化に対する変化量が少なくなるからである。した
がって、この発明にかかる静磁波デバイス用材料を用い
れば、静磁波デバイスの温度補償を容易に行うことがで
きる。すなわち、この発明にかかる静磁波デバイス用材
料を用いれば、静磁波デバイスに用いられる永久磁石と
して、いろいろな特性の永久磁石を用いることができ
る。
【００１７】なお、上述の実施例では、Ｙ3 Ｆｅ5 Ｏ12
において、Ｙ3+イオンの一部をＢｉまたはＧｄで置換し
ているが、Ｙ3+イオンの一部をたとえばＬａなど８配位
をとれる他のイオンで置換してもよい。また、上述の実
施例では、Ｙ3 Ｆｅ5 Ｏ12において、Ｆｅ3+イオンの一
部をＧａまたはＡｌで置換しているが、Ｆｅ3+イオンの
一部を６配位または４配位をとれる他のイオンで置換し
てもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明が適用される静磁波デバイスの一例を
示す斜視図である。
【符号の説明】
１０ 静磁波デバイス １２ ＧＧＧ基板 １４ 磁性ガーネット膜 １６ 入力用トランスデューサ １８ 出力用トランスデューサ ２０ 永久磁石
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 熊 取 谷 誠 人 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 鷹 木 洋 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株式 会社村田製作所内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 Ｙ3 Ｆｅ5 Ｏ12において、Ｙ3+イオンの
    一部を８配位をとれるイオンで置換し、および／また
    は、Ｆｅ3+イオンの一部を６配位または４配位をとれる
    イオンで置換した、静磁波デバイス用材料。
JP4083322A 1992-03-04 1992-03-04 静磁波デバイス用材料 Pending JPH05251788A (ja)

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JP4083322A JPH05251788A (ja) 1992-03-04 1992-03-04 静磁波デバイス用材料
EP93103084A EP0559095A1 (en) 1992-03-04 1993-02-26 Material for magnetostatic-wave devices

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