JP2723374B2 - 静磁波素子 - Google Patents
静磁波素子Info
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- JP2723374B2 JP2723374B2 JP10143791A JP10143791A JP2723374B2 JP 2723374 B2 JP2723374 B2 JP 2723374B2 JP 10143791 A JP10143791 A JP 10143791A JP 10143791 A JP10143791 A JP 10143791A JP 2723374 B2 JP2723374 B2 JP 2723374B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波帯域で使用す
る静磁波素子に関する。さらに詳しくは、急激な温度変
化に対しても、動作周波数が安定した静磁波素子に関す
る。
る静磁波素子に関する。さらに詳しくは、急激な温度変
化に対しても、動作周波数が安定した静磁波素子に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】静磁波素子はＧＧＧ（ガドリニウム・ガ
リウム・ガーネット）単結晶基板上にＹＩＧ（イットリ
ウム・鉄・ガーネット）膜を液相エピタキシャル成長さ
せ、その膜をリソグラフィーやエッチング技術により所
望の形状に加工し、マイクロ・ストリップ・ラインを形
成したものである。かかる静磁波素子は、ＹＩＧに直流
磁界を印加した状態で、マイクロ波により静磁波を励起
し、共振器、フィルターなどへの利用が考えられてい
る。静磁波素子は印加する直流磁界により、動作周波数
を可変制御することができるという特徴がある。
リウム・ガーネット）単結晶基板上にＹＩＧ（イットリ
ウム・鉄・ガーネット）膜を液相エピタキシャル成長さ
せ、その膜をリソグラフィーやエッチング技術により所
望の形状に加工し、マイクロ・ストリップ・ラインを形
成したものである。かかる静磁波素子は、ＹＩＧに直流
磁界を印加した状態で、マイクロ波により静磁波を励起
し、共振器、フィルターなどへの利用が考えられてい
る。静磁波素子は印加する直流磁界により、動作周波数
を可変制御することができるという特徴がある。
【０００３】図７は、たとえば特開平1-191502公報に掲
載された従来の静磁波素子の構成をあらわす図である。
図７において１はＹＩＧ膜、２は磁気回路、３はヨー
ク、４は永久磁石、５はコイル、８は軟磁性材料の磁極
である。
載された従来の静磁波素子の構成をあらわす図である。
図７において１はＹＩＧ膜、２は磁気回路、３はヨー
ク、４は永久磁石、５はコイル、８は軟磁性材料の磁極
である。
【０００４】次にかかる構成を有する静磁波素子の動作
について説明する。ＹＩＧ膜の面に垂直な方向に直流磁
場Ｈを印加したばあい、静磁波素子の動作周波数ｆは数
式(1)で表される。
について説明する。ＹＩＧ膜の面に垂直な方向に直流磁
場Ｈを印加したばあい、静磁波素子の動作周波数ｆは数
式(1)で表される。
【０００５】 ｆ＝γ（Ｈ−Ｎ・４πＭs） （１） ここで４πＭsはＹＩＧの飽和磁化（Gauss）、γは磁気
回転比（2.8 MHz/Oe）、またＮは反磁界係数である。し
かしＹＩＧの飽和磁化は温度依存性をもつために、直流
磁場Ｈが一定であっても動作周波数ｆが温度によって変
化するという欠点がある。数式(1)より動作周波数ｆが
温度Ｔによらない条件は、反磁界係数を１として数式
(2)で表される。
回転比（2.8 MHz/Oe）、またＮは反磁界係数である。し
かしＹＩＧの飽和磁化は温度依存性をもつために、直流
磁場Ｈが一定であっても動作周波数ｆが温度によって変
化するという欠点がある。数式(1)より動作周波数ｆが
温度Ｔによらない条件は、反磁界係数を１として数式
(2)で表される。
【０００６】 δＨ／δＴ＝δ４πＭs／δＴ （２） すなわち磁場の絶対値の温度係数とＹＩＧによる反磁界
の絶対値の温度係数を等しくすることにより、動作周波
数の温度による変化は補償できる。なお本明細書におい
ては、以下ＹＩＧによる反磁界はＹＩＧの飽和磁化（Ga
uss）と表現するものとする。また、温度係数（％／
℃）と絶対値の温度係数（Gauss／℃またはOe／℃）と
は区別して記載している。図７において永久磁石４によ
りギャップの磁場に温度による変化を生じさせて温度補
償を行い、コイル５に電流を流すことにより動作周波数
を可変制御できる。
の絶対値の温度係数を等しくすることにより、動作周波
数の温度による変化は補償できる。なお本明細書におい
ては、以下ＹＩＧによる反磁界はＹＩＧの飽和磁化（Ga
uss）と表現するものとする。また、温度係数（％／
℃）と絶対値の温度係数（Gauss／℃またはOe／℃）と
は区別して記載している。図７において永久磁石４によ
りギャップの磁場に温度による変化を生じさせて温度補
償を行い、コイル５に電流を流すことにより動作周波数
を可変制御できる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の静磁波素子は以
上のように構成されているので、急激な温度変化に対し
て磁気回路とＹＩＧ膜などの磁性薄膜が同じ温度になり
温度補償がなされるまで動作周波数が不安定になるとい
う問題がある。
上のように構成されているので、急激な温度変化に対し
て磁気回路とＹＩＧ膜などの磁性薄膜が同じ温度になり
温度補償がなされるまで動作周波数が不安定になるとい
う問題がある。
【０００８】本発明は前記のような問題を解消するため
になされたもので、急激な温度変化に対しても動作周波
数が安定な静磁波素子をうることを目的とする。
になされたもので、急激な温度変化に対しても動作周波
数が安定な静磁波素子をうることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の静磁波素子は、
非磁性基板上に形成された磁性ガーネット膜と、コイ
ル、ヨークおよび残留磁束密度の温度係数が -0.03〜-
0.05（％／℃）の永久磁石からなり、前記磁性ガーネッ
ト膜に垂直に直流磁界を印加する磁気回路とからなり、
前記磁性ガーネット膜が飽和磁化の絶対値の温度係数が
-１〜-1.5（Gauss／℃）の磁性ガーネットで形成され
てなることを特徴としている。
非磁性基板上に形成された磁性ガーネット膜と、コイ
ル、ヨークおよび残留磁束密度の温度係数が -0.03〜-
0.05（％／℃）の永久磁石からなり、前記磁性ガーネッ
ト膜に垂直に直流磁界を印加する磁気回路とからなり、
前記磁性ガーネット膜が飽和磁化の絶対値の温度係数が
-１〜-1.5（Gauss／℃）の磁性ガーネットで形成され
てなることを特徴としている。
【００１０】本発明の静磁波素子は、磁気回路に温度係
数が -0.03〜-0.05（％／℃）の永久磁石を用いて、飽
和磁化の絶対値の温度係数が -１〜-1.5（Gauss／℃）
の磁性ガーネットで形成された磁性ガーネット膜の動作
周波数の温度補償をしたものである。さらに本発明の液
相エピタキシャル磁性ガーネット膜は前記磁性ガーネッ
ト膜を形成するのに適したものである。
数が -0.03〜-0.05（％／℃）の永久磁石を用いて、飽
和磁化の絶対値の温度係数が -１〜-1.5（Gauss／℃）
の磁性ガーネットで形成された磁性ガーネット膜の動作
周波数の温度補償をしたものである。さらに本発明の液
相エピタキシャル磁性ガーネット膜は前記磁性ガーネッ
ト膜を形成するのに適したものである。
【００１１】
【作用】急激な温度変化に対し動作周波数を安定させる
ためには、永久磁石により発生するギャップの磁場を安
定させることと、ギャップの磁場とＹＩＧ膜の飽和磁化
の絶対値の温度係数をできるだけ小さい値で整合をとる
ことが必要である。
ためには、永久磁石により発生するギャップの磁場を安
定させることと、ギャップの磁場とＹＩＧ膜の飽和磁化
の絶対値の温度係数をできるだけ小さい値で整合をとる
ことが必要である。
【００１２】図１は本発明の静磁波素子の一実施例をあ
らわしており、同図において、永久磁石４の断面積をＳ
m、厚さを１m／２、ギャップ７の断面積をＳg、長さを
１gとする。また永久磁石４がギャップに発生する磁場
をＨg、磁束密度をＢg、永久磁石内の磁場をＨm、磁束
密度をＢm、漏洩係数をσとする。磁束については数式
(3)がなりたつ。ただしコイル電流は０である。
らわしており、同図において、永久磁石４の断面積をＳ
m、厚さを１m／２、ギャップ７の断面積をＳg、長さを
１gとする。また永久磁石４がギャップに発生する磁場
をＨg、磁束密度をＢg、永久磁石内の磁場をＨm、磁束
密度をＢm、漏洩係数をσとする。磁束については数式
(3)がなりたつ。ただしコイル電流は０である。
【００１３】 ＢgＳgσ＝ＢmＳm （３） アンペールの回路定理により Ｈg１g＝Ｈm１m （４） 数式(3)、(4)より Ｂm／Ｈm＝μ0（Ｓgσ／Ｓm）（１m／１g） （５） 静磁エネルギーを考えると ＢgＨgＳgσ１g＝ＢmＨmＳm１m （６） ここで磁石の保磁力が充分大きければリコイル透磁率を
１とみなすことができる。永久磁石の保留磁束密度をBr
とすると Ｂm＝Ｂr−μ0Ｈm （７） 数式(5)、(6)、(7)より Ｈg＝１／（μ0（Ｓgσ／Ｓm＋１g／１m））・Ｂr （８） したがってギャップの磁場の絶対値の温度係数は数式
(9)で表される。
１とみなすことができる。永久磁石の保留磁束密度をBr
とすると Ｂm＝Ｂr−μ0Ｈm （７） 数式(5)、(6)、(7)より Ｈg＝１／（μ0（Ｓgσ／Ｓm＋１g／１m））・Ｂr （８） したがってギャップの磁場の絶対値の温度係数は数式
(9)で表される。
【００１４】 δＨg／δＴ＝１／（μ0（Ｓgσ／Ｓm＋１g／１m））・δＢr／δＴ (9) 次に数式(8) 、(9) より （δＨg／δＴ）／Ｈg＝（δＢr／δＴ）／Ｂr (10) 数式(10)から、永久磁石により発生するギャップの磁場
の温度係数は、永久磁石の形状にはよらず、残留磁束密
度の温度係数によってのみ決まることがわかる。またギ
ャップ間に設置される磁性ガーネット膜１は永久磁石４
の体積に比べれば充分に小さく、熱容量も無視できる。
したがって温度変化に対して、磁気回路と磁性ガーネッ
ト膜が同じ温度になり、動作周波数の温度補償がなされ
るまでの律速は永久磁石にある。
の温度係数は、永久磁石の形状にはよらず、残留磁束密
度の温度係数によってのみ決まることがわかる。またギ
ャップ間に設置される磁性ガーネット膜１は永久磁石４
の体積に比べれば充分に小さく、熱容量も無視できる。
したがって温度変化に対して、磁気回路と磁性ガーネッ
ト膜が同じ温度になり、動作周波数の温度補償がなされ
るまでの律速は永久磁石にある。
【００１５】ギャップ磁場の温度係数は永久磁石の温度
係数のみで決まり、また温度補償の律速は永久磁石にあ
る。以上の理由により、残留磁束密度の温度係数の小さ
な永久磁石を用いることで急激な温度変化に対して安定
な磁場をギャップに発生させることができることがわか
る。表１に市販されている各種永久磁石の特性を示す。
残留磁束密度の温度係数が小さいのはＳｍ−Ｃｏ系磁石
とアルニコ磁石であり、いずれかを使用することで安定
な磁場をうることができる。しかし必要な大きさのギャ
ップ磁場をうるためには保磁力の大きい永久磁石で磁気
回路を構成するのが望ましいので、Ｓｍ−Ｃｏ系磁石を
採用するのが好ましい。なおこれらの永久磁石の温度係
数の範囲を -0.03〜 -0.05（％／℃）である。
係数のみで決まり、また温度補償の律速は永久磁石にあ
る。以上の理由により、残留磁束密度の温度係数の小さ
な永久磁石を用いることで急激な温度変化に対して安定
な磁場をギャップに発生させることができることがわか
る。表１に市販されている各種永久磁石の特性を示す。
残留磁束密度の温度係数が小さいのはＳｍ−Ｃｏ系磁石
とアルニコ磁石であり、いずれかを使用することで安定
な磁場をうることができる。しかし必要な大きさのギャ
ップ磁場をうるためには保磁力の大きい永久磁石で磁気
回路を構成するのが望ましいので、Ｓｍ−Ｃｏ系磁石を
採用するのが好ましい。なおこれらの永久磁石の温度係
数の範囲を -0.03〜 -0.05（％／℃）である。
【００１６】
【表１】 温度補償については、ギャップの磁場とＹＩＧの飽和磁
化の絶対値の温度係数をなるべく小さい値で整合をとる
ことが望ましい。ギャップの磁場の絶対値の温度係数は
数式(9)からわかるように、ギャップや永久磁石の断面
積、長さにより調整することができる。しかし実際には
その寸法は磁性ガーネット膜の大きさにより制限され
る。たとえば厚さ0.4mmのＧＧＧ基板上に10〜100μｍＹ
ＩＧ膜がついた結晶を設置するためには、ギャップの長
さが１mm以上は必要である。ギャップと永久磁石の断面
積の比をＳg／Ｓm＝0.5、ギャップの長さを２mmとし
て、さらに実験的にもとめた漏洩係数σ＝4.5を用いて
永久磁石の厚み１m（図１における二つの永久磁石の長
さの和）とギャップの磁場とその絶対値の温度係数を計
算した結果を図２および図３に示す。図３よりＳｍ−Ｃ
ｏ系磁石を用いたばあい、ギャップの磁場の絶対値の温
度係数は-1.5〜０ Oe ／℃が設定可能であることがわか
る。ただしＳg／Ｓmの値をさらに小さくすることにより
ギャップの磁場の絶対値の温度係数を大きく設定するこ
とは可能であるが、ギャップの断面積を小さくすること
は均一な磁場をうるために望ましくない。
化の絶対値の温度係数をなるべく小さい値で整合をとる
ことが望ましい。ギャップの磁場の絶対値の温度係数は
数式(9)からわかるように、ギャップや永久磁石の断面
積、長さにより調整することができる。しかし実際には
その寸法は磁性ガーネット膜の大きさにより制限され
る。たとえば厚さ0.4mmのＧＧＧ基板上に10〜100μｍＹ
ＩＧ膜がついた結晶を設置するためには、ギャップの長
さが１mm以上は必要である。ギャップと永久磁石の断面
積の比をＳg／Ｓm＝0.5、ギャップの長さを２mmとし
て、さらに実験的にもとめた漏洩係数σ＝4.5を用いて
永久磁石の厚み１m（図１における二つの永久磁石の長
さの和）とギャップの磁場とその絶対値の温度係数を計
算した結果を図２および図３に示す。図３よりＳｍ−Ｃ
ｏ系磁石を用いたばあい、ギャップの磁場の絶対値の温
度係数は-1.5〜０ Oe ／℃が設定可能であることがわか
る。ただしＳg／Ｓmの値をさらに小さくすることにより
ギャップの磁場の絶対値の温度係数を大きく設定するこ
とは可能であるが、ギャップの断面積を小さくすること
は均一な磁場をうるために望ましくない。
【００１７】一方、ＹＩＧの飽和磁化の絶対値の温度係
数はガーネット成分の磁性元素である鉄を非磁性元素ガ
リウムに置換することによって調整される。しかし、ガ
リウムのイオン半径は鉄より小さいので、ＧＧＧ基板と
の格子定数の整合をとるためにイットリウムの一部をイ
ットリウムよりイオン半径の大きいランタンで置換する
必要がある。具体的には、たとえば高純度の酸化鉛、酸
化ほう素、酸化鉄、酸化イットリウム、酸化ガリウム、
酸化ランタン粉末を秤量、混合し、白金坩堝に仕込んで
1150℃に加熱し充分に溶融した後に所定の温度にまで徐
冷し、保持する。ついで（111）面のＧＧＧ単結晶基板
を水平に回転させながら融液中にディッピングして磁性
ガーネット膜をエピタキシャル成長させることができ
る。以上のようにして作製されたＹＩＧ膜の飽和磁化と
その絶対値の温度係数、組成を表２に、また飽和磁化と
その絶対値の温度係数の関係を図４に示す。
数はガーネット成分の磁性元素である鉄を非磁性元素ガ
リウムに置換することによって調整される。しかし、ガ
リウムのイオン半径は鉄より小さいので、ＧＧＧ基板と
の格子定数の整合をとるためにイットリウムの一部をイ
ットリウムよりイオン半径の大きいランタンで置換する
必要がある。具体的には、たとえば高純度の酸化鉛、酸
化ほう素、酸化鉄、酸化イットリウム、酸化ガリウム、
酸化ランタン粉末を秤量、混合し、白金坩堝に仕込んで
1150℃に加熱し充分に溶融した後に所定の温度にまで徐
冷し、保持する。ついで（111）面のＧＧＧ単結晶基板
を水平に回転させながら融液中にディッピングして磁性
ガーネット膜をエピタキシャル成長させることができ
る。以上のようにして作製されたＹＩＧ膜の飽和磁化と
その絶対値の温度係数、組成を表２に、また飽和磁化と
その絶対値の温度係数の関係を図４に示す。
【００１８】
【表２】 飽和磁化の絶対値の温度係数を小さくするためには、飽
和磁化の値を小さくすれば実現できる。同時に反磁界も
小さくなるので印加する直流磁場も小さくてすみ、コイ
ル、永久磁石などの磁気回路を小型化することができる
という利点もある。しかし飽和磁化が小さくなりすぎる
とマイクロ波によって励起される静磁波が弱くなり、素
子として良好に機能しなくなる。たとえば飽和磁化が40
0 Gauss以下のガーネット膜で発振器を作製すると外部
Ｑが大きく、良好な発振特性をうることが難しくなる。
また図４からもわかるように飽和磁化の絶対値の温度係
数もあまり変化せず、飽和磁化を小さくする利点が無く
なる。したがって飽和磁化の絶対値の温度係数の下限は
-1.0 Gauss／℃であり、このときの飽和磁化の値は400
Gauss である。
和磁化の値を小さくすれば実現できる。同時に反磁界も
小さくなるので印加する直流磁場も小さくてすみ、コイ
ル、永久磁石などの磁気回路を小型化することができる
という利点もある。しかし飽和磁化が小さくなりすぎる
とマイクロ波によって励起される静磁波が弱くなり、素
子として良好に機能しなくなる。たとえば飽和磁化が40
0 Gauss以下のガーネット膜で発振器を作製すると外部
Ｑが大きく、良好な発振特性をうることが難しくなる。
また図４からもわかるように飽和磁化の絶対値の温度係
数もあまり変化せず、飽和磁化を小さくする利点が無く
なる。したがって飽和磁化の絶対値の温度係数の下限は
-1.0 Gauss／℃であり、このときの飽和磁化の値は400
Gauss である。
【００１９】以上の磁気回路と液相エピキタシャル磁性
ガーネット膜の検討により、整合可能な飽和磁化の絶対
値の温度係数は-1.0から-1.5 Gauss／℃のあいだである
ことがわかった。なお磁性ガーネット膜の表２で代表さ
れる組成をまとめてみると式(I) で表される。
ガーネット膜の検討により、整合可能な飽和磁化の絶対
値の温度係数は-1.0から-1.5 Gauss／℃のあいだである
ことがわかった。なお磁性ガーネット膜の表２で代表さ
れる組成をまとめてみると式(I) で表される。
【００２０】 Ｙ3-zＬａzＦｅ5-tＧａtＯ12 ｔ＝10z−0.54 （0.12≦ｚ≦0.14） （Ｉ）
【００２１】
【実施例】つぎに、本発明の実施例を添付図面に基づい
て説明する。図１において１は磁性ガーネット膜、２は
磁気回路、３はヨーク、４は永久磁石、５はコイル、６
は磁極、７はギャップである。本実施例では３mm径で均
一な磁場が発生するように永久磁石の直径を８m 、ギャ
ップの直径を６mmとした。このばあい断面積の比Ｓg／
Ｓmは0.5625である。なお、永久磁石の直径およびギャ
ッブの直径は本発明においてとくに限定されないが、通
常はいずれも４〜20mmで、ギャップの直径は永久磁石の
直径より小さくし磁界を集中させる構造がとられる。ま
た永久磁石の断面形状は円形に限られず、矩形などの他
の形状であってもよい。
て説明する。図１において１は磁性ガーネット膜、２は
磁気回路、３はヨーク、４は永久磁石、５はコイル、６
は磁極、７はギャップである。本実施例では３mm径で均
一な磁場が発生するように永久磁石の直径を８m 、ギャ
ップの直径を６mmとした。このばあい断面積の比Ｓg／
Ｓmは0.5625である。なお、永久磁石の直径およびギャ
ッブの直径は本発明においてとくに限定されないが、通
常はいずれも４〜20mmで、ギャップの直径は永久磁石の
直径より小さくし磁界を集中させる構造がとられる。ま
た永久磁石の断面形状は円形に限られず、矩形などの他
の形状であってもよい。
【００２２】ヨーク材としては一般構造用圧延構材やパ
ーマロイなどを用いることができるが、本実施例におい
てはヨーク材として一般構造用圧延鋼材ＳＳ４１を使用
した。永久磁石は表１に示されるものを用いることがで
きるが、本実施例では磁石Ａを用いた。ギャップの磁場
を調整するために、ギャップの長さを変えて磁場を測定
した。図５はギャップの長さ１gと磁場Ｈg、図６はギャ
ップの長さ１gと磁場Ｈgの絶対値の温度係数の関係を表
している。なお作製した磁気回路の漏洩係数を求めたと
ころ4.5であった。
ーマロイなどを用いることができるが、本実施例におい
てはヨーク材として一般構造用圧延鋼材ＳＳ４１を使用
した。永久磁石は表１に示されるものを用いることがで
きるが、本実施例では磁石Ａを用いた。ギャップの磁場
を調整するために、ギャップの長さを変えて磁場を測定
した。図５はギャップの長さ１gと磁場Ｈg、図６はギャ
ップの長さ１gと磁場Ｈgの絶対値の温度係数の関係を表
している。なお作製した磁気回路の漏洩係数を求めたと
ころ4.5であった。
【００２３】表２において番号５のＹＩＧの飽和磁化の
絶対値の温度係数が-1.10 Gauss ／℃である。図６よ
り、ギャップ長さが２mmのときの磁場の絶対値の温度係
数は-1.10 Oe／℃であることから温度補償ができる。え
られた静磁波素子の動作周波数を測定したところ、コイ
ル電流０のとき4.73GHzであった。
絶対値の温度係数が-1.10 Gauss ／℃である。図６よ
り、ギャップ長さが２mmのときの磁場の絶対値の温度係
数は-1.10 Oe／℃であることから温度補償ができる。え
られた静磁波素子の動作周波数を測定したところ、コイ
ル電流０のとき4.73GHzであった。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
残留磁束密度の温度係数が-0.03〜-0.05 ％／℃の永久
磁石を用いて磁気回路を構成したので安定な磁場を発生
させることができる。また式(I)で表される液相エピタ
キシャル磁性ガーネット膜は飽和磁化の絶対値の温度係
数が -１〜-1.5 Gauss／℃であり、前記磁気回路と温度
補償を行うのに適しており、整合をとる絶対値の温度係
数も小さいので急激な温度変化に対しても安定な素子を
うることができる。
残留磁束密度の温度係数が-0.03〜-0.05 ％／℃の永久
磁石を用いて磁気回路を構成したので安定な磁場を発生
させることができる。また式(I)で表される液相エピタ
キシャル磁性ガーネット膜は飽和磁化の絶対値の温度係
数が -１〜-1.5 Gauss／℃であり、前記磁気回路と温度
補償を行うのに適しており、整合をとる絶対値の温度係
数も小さいので急激な温度変化に対しても安定な素子を
うることができる。
【図１】本発明の静磁波素子の一実施例の断面図であ
る。
る。
【図２】本発明における磁石の厚さとギャップ磁場との
関係を示すグラフである。
関係を示すグラフである。
【図３】本発明における磁石の厚さとギャップ磁場の絶
対値の温度係数との関係を示すグラフである。
対値の温度係数との関係を示すグラフである。
【図４】本発明におけるＹＩＧ膜の飽和磁化とその絶対
値の温度係数を示したグラフである。
値の温度係数を示したグラフである。
【図５】図１に示される実施例におけるギャップの長さ
とギャップ磁場との関係を示すグラフである。
とギャップ磁場との関係を示すグラフである。
【図６】図１に示される実施例におけるギャップの長さ
とギャップ磁場の絶対値の温度係数との関係を示すグラ
フである。
とギャップ磁場の絶対値の温度係数との関係を示すグラ
フである。
【図７】従来の静磁波素子を示す断面図である。
【符号の説明】 １ 磁性ガーネット膜 ２ 磁気回路 ３ ヨーク ４ 永久磁石 ５ コイル
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−191502（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−101104（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−152604（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】 非磁性基板上に形成された磁性ガーネッ
ト膜と、コイル、ヨークおよび残留磁束密度の温度係数
が -0.03〜-0.05（％／℃）の永久磁石からなり、前記
磁性ガーネット膜に垂直に直流磁界を印加する磁気回路
とからなり、前記磁性ガーネット膜が飽和磁化の絶対値
の温度係数が -１〜-1.5（Gauss ／℃）の磁性ガーネッ
トで形成されてなることを特徴とする静磁波素子。 - 【請求項２】 請求項１の磁性ガーネット膜を成形する
のに適した、式(I)： Ｙ3-zＬａzＦｅ5-tＧａtＯ12 ｔ＝10z−0.54 （0.12≦ｚ≦0.14） （Ｉ） で表わされる液相エピタキシャル磁性ガーネット膜。 - 【請求項３】 前記磁性ガーネット膜が式(I) ： Ｙ3-zＬａzＦｅ5-tＧａtＯ12 ｔ＝10z−0.54 （0.12≦ｚ≦0.14） （Ｉ） で表わされる液相エピタキシャル磁性ガーネット膜であ
る請求項１記載の静磁波素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10143791A JP2723374B2 (ja) | 1991-05-07 | 1991-05-07 | 静磁波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10143791A JP2723374B2 (ja) | 1991-05-07 | 1991-05-07 | 静磁波素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04332106A JPH04332106A (ja) | 1992-11-19 |
| JP2723374B2 true JP2723374B2 (ja) | 1998-03-09 |
Family
ID=14300670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10143791A Expired - Fee Related JP2723374B2 (ja) | 1991-05-07 | 1991-05-07 | 静磁波素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2723374B2 (ja) |
-
1991
- 1991-05-07 JP JP10143791A patent/JP2723374B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04332106A (ja) | 1992-11-19 |
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